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納米鋁熱劑含能膜的制備方法

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納米鋁熱劑含能膜的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總體涉及納米含能膜的制備方法,具體涉及Α1/Μο03納米含能膜材料的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]鋁熱劑由于反應(yīng)時(shí)能產(chǎn)生高溫和放出大量的熱,且易于制備、低毒等優(yōu)點(diǎn),常用作焊接、放映性破片、推進(jìn)劑等。但鋁熱劑的反應(yīng)動(dòng)力受粒子之間質(zhì)量傳遞控制,其能量釋放速率慢,限制了它的應(yīng)用。納米鋁熱劑的反應(yīng)物之間單位質(zhì)量原子接觸的面積大,傳質(zhì)和熱傳導(dǎo)的距離減小,反應(yīng)速率極大地提高,因此納米鋁熱劑作為納米復(fù)合含能材料中的代表引起廣泛關(guān)注。而在目前報(bào)道制備的納米鋁熱劑中,八1/^003鋁熱劑具有燃燒速度快、放熱量大,因此Al/MoO^熱劑具有很大的應(yīng)用前景。近年來(lái)AVMoO3納米鋁熱劑主要集中在粉體的制備上,但粉體的制備工藝復(fù)雜,具有一致性較差的缺點(diǎn)。因此將這種具有燃燒速度優(yōu)勢(shì)的鋁熱劑制成膜形態(tài),將會(huì)克服粉體的缺陷,更加實(shí)用。
[0003]目前報(bào)道的制備納米鋁熱劑膜的方法有磁控濺射法、熱蒸-氧化復(fù)合法、熱蒸-電鍍-氧化復(fù)合法和電泳沉積法等。其中,電泳沉積法操作溫度低,設(shè)備簡(jiǎn)單,操作簡(jiǎn)便,成本低,在復(fù)雜的襯底上易沉積。Sullivan, K.T.等(Sullivan K T, WorsleyMA, Kuntz J D, et al.Combust1n and Flame, 2012,159 (6),2210-2218)米用電泳沉積法制備出了 ΑΙ/CuO 納米銷熱劑膜,Zhang, Daix1ng 等(Zhang, D.;Li, X.;Qin, B.MaterialsLetters, 2014, 120,224-227)采用電泳沉積法制備出Al/Fe203納米鋁熱劑膜,但這種方法制備的沉積膜和基底附著力差、易出現(xiàn)裂縫,粒子在懸浮液中易沉降等缺陷。常通等(ChangTong, LI Zhiyou, MA Li, Zhou Kecha0.Materials Science and EngineeringofPowder Metallurgy, 2011, (05), 760-767)采用電泳沉積后燒結(jié)的方法提高了 Fe2O3膜的致密性及附著力,但對(duì)于制備鋁熱劑膜并不適用,因?yàn)殇X熱劑易發(fā)生鋁熱反應(yīng),危險(xiǎn)性極尚O

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種AVMoO3納米鋁熱劑含能膜的制備方法,解決采用電泳沉積法制備鋁熱劑膜時(shí),沉積膜不易制得較厚膜層,與基底附著力差,粒子易沉降等問(wèn)題。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的AVMoO3納米鋁熱劑含能膜的制備方法,該方法是以納米鋁粉和納米三氧化鉬粉為沉積劑,以氨基硅烷偶聯(lián)劑和聚乙烯亞胺(PEI)聯(lián)用作為添加劑,采用電泳沉積法在懸浮液中電泳沉積后,干燥處理得到AVMoO3納米鋁熱劑含能膜。本文中所提及的納米鋁粉和納米三氧化鉬粉通常是指粒徑在10nm以下的粉體。
[0006]在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中,包括如下步驟:
[0007](I)將納米鋁粉和納米三氧化鉬粉加入到分散介質(zhì)中,攪拌均勻,其中總顆粒質(zhì)量濃度為5g/L?10g/L ;總顆粒質(zhì)量是指加入的納米鋁粉和納米三氧化鉬粉的總質(zhì)量;
[0008](2)先將適量的氨基硅烷偶聯(lián)劑加入到分散介質(zhì)中,攪拌均勻后,再加入適量的聚乙烯亞胺,攪拌均勻后,形成懸浮液;
[0009](3)插入提前預(yù)處理干凈的兩個(gè)電極作為基底,進(jìn)行電泳沉積;
[0010](4)將沉積膜干燥即可。
[0011]優(yōu)選情況下,其中氨基硅烷偶聯(lián)劑的加入量為總顆粒質(zhì)量的0.1wt.%?1wt.%,聚乙稀亞胺的加入量為總顆粒質(zhì)量的5wt.%?15wt.%。進(jìn)一步優(yōu)選情況下,其中氨基硅烷偶聯(lián)劑的加入量為總顆粒質(zhì)量的3wt.%?5wt.%,聚乙烯亞胺的加入量為總顆粒質(zhì)量的5wt.%?8wt.%,在該優(yōu)選濃度下,發(fā)明人意外發(fā)現(xiàn),電沉積效率要比其它濃度條件下要高出20%以上。
[0012]優(yōu)選情況下,所述分散介質(zhì)選自水、乙醇、異丙醇和乙二醇中的一種或多種組合。
[0013]優(yōu)選情況下,其中所述兩個(gè)電極分別選自紫銅片、不銹鋼片、鈦片、鎳片或?qū)щ姴AА?br>[0014]優(yōu)選情況下,其中步驟⑷中的干燥工藝為真空干燥。
[0015]優(yōu)選情況下,其中步驟⑴和(2)中的攪拌工藝為超聲分散。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的AVMoO3納米鋁熱劑含能膜的制備方法,相對(duì)比其他的制備方法,其優(yōu)點(diǎn)與積極效果:(I)本發(fā)明所使用的添加劑為氨基硅烷偶聯(lián)劑與PEI混合液,可制得膜層厚度可調(diào)范圍廣,與基底附著力更強(qiáng)的致密不易脫落的鋁熱劑膜層。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,以氨基硅烷偶聯(lián)劑與聚乙烯亞胺聯(lián)用作為添加劑可以改變?nèi)趸f表面電荷極性,提高粒子表面的電荷量,獲得的膜層厚度可達(dá)100 μπι,附著力通過(guò)膠帶法測(cè)試涂層附著力的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)測(cè)定達(dá)到4Β標(biāo)準(zhǔn),放熱量可達(dá)理論放熱量的85%。該特點(diǎn)可以提高膜的可控性和實(shí)際應(yīng)用性;(2)采用本發(fā)明的制備方法制備出的納米鋁熱劑膜更加均勻,反應(yīng)物接觸性更好,提高了原料的利用率,而且該方法操作簡(jiǎn)單,反應(yīng)條件溫和,制備過(guò)程易于控制,周期短,經(jīng)濟(jì)適用,生產(chǎn)成本低,適合于大規(guī)模生產(chǎn);(3)本發(fā)明適合制備多種粒子的復(fù)合膜。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是AVMoO3納米鋁熱劑含能膜的照片;
[0018]圖2是AVMoO3納米鋁熱劑含能膜的SEM照片;
[0019]圖3是AVMoO3納米鋁熱劑含能膜的XRD圖譜;
[0020]圖4是AVMoO3納米鋁熱劑含能膜的DSC曲線;
[0021]圖5是AVMoO3納米鋁熱劑含能膜的燃燒照片。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面通過(guò)具體實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做詳細(xì)描述。
[0023]實(shí)施例1:
[0024]準(zhǔn)確稱量0.25g的納米鋁粒子和0.75g的納米三氧化鉬粒子加入到10mL的乙醇溶液中,在25°C條件下超聲30分鐘,先將0.03g γ-氨基丙基三乙氧基硅烷(KH550)加如到乙醇溶液中,超聲10分鐘,再加入0.05g PEI形成懸浮液,超聲20分鐘,立刻插入兩個(gè)已處理干凈的鎳片電極(5 X 2cm),在外加電壓為250V下電泳沉積25分鐘,得到沉積膜,在80?150°C真空干燥箱干燥5?12個(gè)小時(shí),冷卻后,即得到AVMoO3納米鋁熱劑含能膜。
[0025]用Zeta電位儀,場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(SEM),X射線能量色散譜(EDS),X射線粉末衍射(XRD),差式掃描量熱儀(DSC)及膠帶法測(cè)試涂層附著力的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)(ASTM D 3359-2009)等對(duì)產(chǎn)物進(jìn)行結(jié)構(gòu)及性能表征。
[0026]如圖1和圖2所示,采用本發(fā)明方法制備的AVMoO3納米鋁熱劑膜光滑、細(xì)密。
[0027]如圖3所示,產(chǎn)品特征衍射峰與標(biāo)準(zhǔn)JCPDS中Al和MoO3的標(biāo)準(zhǔn)圖譜卡片相吻合,存在這兩種物質(zhì)的特征衍射峰,且峰形良好。
[0028]如圖4所示,得到的AVMoO3納米鋁熱劑的DSC曲線,其放熱量為理論放熱量的85%。
[0029]如圖5所示,得到的Al/Mo03m米鋁熱劑膜燃燒性能較好。
[0030]得到的Al/Mo03m米鋁熱劑膜由ASTM D 3359-2009測(cè)得附著力等級(jí)為4B。
[0031]對(duì)比
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