本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種壓環(huán)裝置。

背景技術(shù)：

目前TSV(Through Silicon Via，硅通孔技術(shù))的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，該技術(shù)大大降低了芯片之間的互連延遲，并且是三維集成實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵技術(shù)。而PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相沉積)是TSV中至關(guān)重要的一項(xiàng)工藝。PVD在TSV中的應(yīng)用主要是在硅通孔內(nèi)部沉積阻擋層和銅籽晶層。物理氣相沉積又稱磁控濺射，是集成電路制造過(guò)程中沉積金屬層和相關(guān)材料廣泛采用的鍍膜方法。目前PVD技術(shù)主要采用靜電卡盤對(duì)硅片進(jìn)行固定，但是這種對(duì)晶片進(jìn)行支持的方式，僅是依賴于靜電卡盤上產(chǎn)生的靜電吸附晶片，使晶片能夠固定在基座上。

而這種通過(guò)靜電卡盤對(duì)硅片進(jìn)行固定的方式，在集成電路銅互連工藝中具有很好的固定效果。但是，在TSV中的由于沉積的薄膜厚度較大，薄膜應(yīng)力過(guò)大會(huì)導(dǎo)致靜電卡盤無(wú)法有效的對(duì)晶片進(jìn)行靜電吸附。因此在TSV的PVD中，需要采用機(jī)械壓環(huán)對(duì)晶片進(jìn)行固定。

圖1為典型的磁控濺射設(shè)備的剖視圖。在該磁控濺射設(shè)備中安裝有機(jī)械壓環(huán)，所安裝的機(jī)械壓環(huán)以及用于固定機(jī)械壓環(huán)的裝置如8所示。如圖1所示，磁控濺射設(shè)備具有圓環(huán)型反應(yīng)腔體1，承載晶片的基座9，當(dāng)晶片10放置在基座9上后，基座9會(huì)托舉晶片10向上移動(dòng)，使晶片10壓在機(jī)械卡盤8下。4為靶材，其被密封在真空腔體上，2為一種絕緣材料，該材料和靶材4中間充滿了去離子水3。在濺射過(guò)程中，直流電源會(huì)施加偏壓至靶材4，使其相對(duì)于接地的腔體成為負(fù)壓，以致氬氣放電而產(chǎn)生等離子體，將帶正電的氬離子吸引至負(fù)偏壓的靶材4，當(dāng)氬離子的能量足夠高時(shí)，會(huì)使金屬原子逸出靶材表面并沉積在晶片10上。

現(xiàn)有的機(jī)械壓環(huán)的俯視結(jié)構(gòu)如圖2所示，從圖2中可知，現(xiàn)有的機(jī)械壓環(huán)為一固定尺寸的環(huán)狀結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)有的這種機(jī)械壓環(huán)，應(yīng)用在磁控濺射設(shè)備中 時(shí)，由于機(jī)械壓環(huán)的尺寸是固定的，因此，安裝有機(jī)械壓環(huán)的磁控濺射設(shè)備僅能滿足對(duì)一種尺寸的晶片磁控濺射工藝。而如果需要對(duì)多種尺寸晶片進(jìn)行磁控濺射工藝時(shí)，則需要采用多臺(tái)磁控濺射設(shè)備，在每臺(tái)磁控濺射設(shè)備中設(shè)置不同尺寸的機(jī)械壓環(huán)，以滿足需求。

可見，現(xiàn)有的機(jī)械壓環(huán)由于尺寸固定，因此，需要對(duì)多種尺寸的晶片進(jìn)行磁控濺射工藝時(shí)，需要占用多臺(tái)磁控濺射設(shè)備。這不僅需要花費(fèi)大量的人力資源在各臺(tái)磁控濺射設(shè)備上安裝機(jī)械壓環(huán)，還需要占用多臺(tái)磁控濺射設(shè)備，磁控濺射設(shè)備的利用率低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種壓環(huán)裝置以解決現(xiàn)有的機(jī)械壓環(huán)存在的上述問(wèn)題。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明公開了一種壓環(huán)裝置，所述壓環(huán)裝置用于對(duì)待進(jìn)行磁控濺射的晶片進(jìn)行固定，所述壓環(huán)裝置包括：第一壓環(huán)和用于改變所述壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑的第二壓環(huán)；所述第二壓環(huán)安裝于所述第一壓環(huán)的第一表面上，其中，所述第一表面為所述第一壓環(huán)安裝完成后面向地面的一面，所述第二壓環(huán)的環(huán)心與所述第一壓環(huán)的環(huán)心重合，所述第二壓環(huán)的外直徑小于所述第一壓環(huán)的外直徑、且大于所述第一壓環(huán)的內(nèi)直徑；在需要調(diào)整所述壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑時(shí)，通過(guò)調(diào)整所述第二壓環(huán)調(diào)整所述壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑。

優(yōu)選地，所述第二壓環(huán)為由至少兩塊獨(dú)立的圓弧組成的壓環(huán)；各塊獨(dú)立的圓弧分別通過(guò)與其大小相匹配的第一滑槽安裝于所述第一壓環(huán)的第一表面上，可沿所述第一滑槽滑動(dòng)；在需要調(diào)整所述壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑時(shí)，將所述各塊獨(dú)立圓弧均滑至所述第一滑槽靠近環(huán)心的一端，使所述各塊獨(dú)立圓弧圍成一封閉的壓環(huán)，以縮小所述壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑。

優(yōu)選地，所述壓環(huán)裝置還包括：用于改變所述壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑的第三壓環(huán)，其中，所述第三壓環(huán)的外直徑小于所述第二壓環(huán)的外直徑、且大于所述第二壓環(huán)的內(nèi)直徑；所述第三壓環(huán)為由至少兩塊獨(dú)立的圓弧組成的壓環(huán)，各塊獨(dú)立的圓弧分別通過(guò)與其大小相匹配的第二滑槽安裝于所述第二壓環(huán)的第一表面上、可沿所述第二滑槽滑動(dòng)，其中，所述第二壓環(huán)的第一表面為所述第二壓環(huán)安裝完成后面向地面的一面；在需要調(diào)整所述壓環(huán)裝置的內(nèi)直 徑時(shí)，將所述第二壓環(huán)包括的各塊獨(dú)立的圓弧、與所述第三壓環(huán)包含的各塊獨(dú)立的圓弧均滑至各自相匹配的滑槽靠近環(huán)心的一端，使所述第三壓環(huán)的各塊獨(dú)立圓弧圍成一封閉的壓環(huán)，以縮小所述壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑。

優(yōu)選地，所述第二壓環(huán)包含的各塊獨(dú)立的圓弧大小相等，所述第三壓環(huán)包含的各塊獨(dú)立的圓弧大小相等。

優(yōu)選地，所述第二壓環(huán)為一整體的壓環(huán)，所述第二壓環(huán)通過(guò)螺絲安裝于所述第一壓環(huán)的第一表面上。

優(yōu)選地，所述壓環(huán)裝置還包括：用于改變所述壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑的第三壓環(huán)，其中，所述第三壓環(huán)為一整體的壓環(huán)；所述第三壓環(huán)通過(guò)螺絲安裝于所述第二壓環(huán)的第一表面上，其中，所述第二壓環(huán)的第一表面為所述第二壓環(huán)安裝完成后面向地面的一面，所述第三壓環(huán)與所述第二壓環(huán)的環(huán)心重合，所述第三壓環(huán)的外直徑小于所述第二壓環(huán)的外直徑、且大于所述第二壓環(huán)的內(nèi)直徑。在需要調(diào)整所述壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑時(shí)，通過(guò)拆卸、安裝所述第二壓環(huán)或所述第三壓環(huán)實(shí)現(xiàn)對(duì)所述壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑的調(diào)整。

優(yōu)選地，所述第二壓環(huán)的外半徑與內(nèi)半徑之差，大于所述第一壓匹配的晶片的半徑與所述第二壓環(huán)匹配的晶片的半徑之差、且小于所述第一壓環(huán)的外半徑與內(nèi)半徑之差；所述第三壓環(huán)的外半徑與內(nèi)半徑之差，大于所述第二壓環(huán)匹配的晶片的半徑與所述第三壓環(huán)匹配的晶片的半徑之差、且小于所述第二壓環(huán)的外半徑與內(nèi)半徑之差。

優(yōu)選地，所述第一壓環(huán)的內(nèi)直徑小于所述第一壓環(huán)匹配的晶片的直徑，所述第二壓環(huán)的內(nèi)直徑小于所述第二壓環(huán)匹配的晶片的直徑，所述第三壓環(huán)的內(nèi)直徑小于所述第三壓環(huán)匹配的晶片的直徑。

優(yōu)選地，所述第一壓環(huán)、所述第二壓環(huán)和所述第三壓環(huán)的材質(zhì)為以下任意一種：陶瓷、石英、鈦、銅、銅合金和鋁合金。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明提供的壓環(huán)裝置，包含至少兩個(gè)壓環(huán)即第一壓環(huán)、第二壓環(huán)，這兩個(gè)壓環(huán)同心設(shè)置、第二壓環(huán)安裝在第一壓環(huán)的下表面，在需要調(diào)整壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑時(shí)，通過(guò)調(diào)整第二壓環(huán)即能夠調(diào)整壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑，例如：將 第二壓環(huán)拆卸掉，這樣，可以擴(kuò)大壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑；再例如：將第二壓環(huán)設(shè)置成可伸縮的壓環(huán)，當(dāng)需要擴(kuò)大壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑時(shí)，將第二壓環(huán)縮進(jìn)，但需要縮要再次縮小壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑時(shí)，將第二壓環(huán)伸出即可?？梢?，通過(guò)本發(fā)明提供的壓環(huán)裝置，僅通過(guò)簡(jiǎn)單的調(diào)整第二壓環(huán)便可實(shí)現(xiàn)對(duì)壓環(huán)裝置內(nèi)直徑的調(diào)整，便可以滿足對(duì)不同尺寸的晶片的固定需求。采用本發(fā)明提供的壓環(huán)裝置，僅需一臺(tái)磁控濺射設(shè)備、無(wú)需占用多臺(tái)磁控濺射設(shè)備，能夠提高磁控濺射的利用率。

附圖說(shuō)明

圖1是現(xiàn)有的一種典型的PVD設(shè)備的截面示意圖；

圖2是現(xiàn)有的機(jī)械壓環(huán)的俯視示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的一種壓環(huán)裝置的仰視示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的一種壓環(huán)裝置的俯視示意圖；

圖5是圖4中所示的壓環(huán)裝置的截面示意圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二的一種壓環(huán)裝置的仰視示意圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例三的一種壓環(huán)裝置的截面的正視圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

實(shí)施例一

參照?qǐng)D3，示出了本發(fā)明實(shí)施例一的一種壓環(huán)裝置的仰視示意圖。

參照?qǐng)D4，示出了本發(fā)明實(shí)施例一的另一種壓環(huán)裝置的俯視示意圖。

本實(shí)施例中的壓環(huán)裝置安裝在圖1所示的磁控濺射設(shè)備的腔室中，用于對(duì)待進(jìn)行磁控濺射的晶片進(jìn)行固定。

本實(shí)施例的壓環(huán)裝置包括：第一壓環(huán)和用于改變壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑的第二壓環(huán)。第二壓環(huán)安裝于第一壓環(huán)的第一表面上，其中，第一表面為第一壓環(huán)安裝完成后面向地面的一面，第二壓環(huán)的環(huán)心與第一壓環(huán)的環(huán)心重合，第 二壓環(huán)的外直徑小于第一壓環(huán)的外直徑、且大于第一壓環(huán)的內(nèi)直徑。

需要說(shuō)明的是，第二壓環(huán)可以通過(guò)任意適當(dāng)?shù)男问桨惭b在第一壓環(huán)的第一表面上，以下為兩種優(yōu)選的安裝方式：

第一種優(yōu)選地安裝方式為：第二壓環(huán)在安裝在第一壓環(huán)的第一表面上時(shí)，可以預(yù)先被分割成至少兩塊獨(dú)立的圓弧，各塊獨(dú)立的圓弧分別通過(guò)與其大小相匹配的第一滑槽安裝于第一壓環(huán)的第一表面上。安裝后的壓環(huán)裝置的仰視示意圖如圖3所示。

如圖3所示，第二壓環(huán)被分割成了相同大小的六塊獨(dú)立的圓弧301，各各塊獨(dú)立的圓弧分別通過(guò)與其大小相匹配的第一滑槽302安裝于第一壓環(huán)的第一表面303上。各塊獨(dú)立的圓弧可分別沿第一滑槽滑動(dòng)。在需要調(diào)整壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑時(shí)，將各塊獨(dú)立圓弧均滑至第一滑槽靠近環(huán)心的一端，使各塊獨(dú)立圓弧圍成一封閉的壓環(huán)，以縮小壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑。當(dāng)需要將壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑調(diào)大時(shí)，則將各塊獨(dú)立的圓弧沿第一滑槽劃至第一滑槽遠(yuǎn)離環(huán)心的一端，將壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑調(diào)整為與第一壓環(huán)的內(nèi)直徑相同的大小。通過(guò)在第一滑槽上滑動(dòng)各第一滑槽上安裝的各塊獨(dú)立的圓弧能夠調(diào)整壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑。由于壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑可調(diào)，因此，可以適用于多種尺寸的晶片。

需要說(shuō)明的是，在對(duì)第二壓環(huán)進(jìn)行分割時(shí)，可以將其分成成相同大小至少兩塊獨(dú)立的圓弧，也可以分割成大小不相同的至少兩塊獨(dú)立的圓弧。所分割的具體塊數(shù)，由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行設(shè)置，可以是2塊、3塊、4塊、5塊、6塊等，當(dāng)然也可以分割成更多的塊數(shù)，本實(shí)施例對(duì)此不作具體限制。

第二種優(yōu)選的安裝方式為：第二壓環(huán)在安裝在第一壓環(huán)的第一表面上時(shí)，作為一個(gè)整體通過(guò)固定裝置進(jìn)行安裝，安裝后組成的壓環(huán)裝置的俯視示意圖如圖4所示。

如圖4所示，第二壓環(huán)401通過(guò)固定裝置402安裝于第一壓環(huán)403的第一表面上。在需要調(diào)整壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑時(shí)，通過(guò)拆卸、或安裝第二壓環(huán)以調(diào)整壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑。圖5為圖4中所示的壓環(huán)裝置的截面示意圖，圖5中清楚地展示了第二壓環(huán)401與第一壓環(huán)403之間的位置關(guān)系，第二壓環(huán)401 是通過(guò)固定裝置402安裝在第一壓環(huán)403的第一表面上。安裝完成后的第二壓環(huán)位于第一壓環(huán)的下方，其中，在圖5中所示的包含環(huán)心的半圓即第二壓環(huán)匹配的晶片404。

例如：當(dāng)將第二壓環(huán)從壓環(huán)裝置中拆除時(shí)，則可以通過(guò)第一壓環(huán)來(lái)固定晶片，也即，將壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑調(diào)整至與第一壓環(huán)的內(nèi)直徑相同的大小。當(dāng)需要固定的晶片的尺寸小于第一壓環(huán)匹配的晶片的尺寸時(shí)，將第二壓環(huán)安裝至壓環(huán)裝置中，則可以通過(guò)第二壓環(huán)來(lái)固定晶片，即可實(shí)現(xiàn)對(duì)不同尺寸的晶片進(jìn)行固定，以滿足對(duì)不同尺寸的晶片進(jìn)行磁控濺射的需求。

本實(shí)施例提供的壓環(huán)裝置，包含第一壓環(huán)和調(diào)整壓環(huán)裝置內(nèi)直徑的第二壓環(huán)，這兩個(gè)壓環(huán)同心設(shè)置、第二壓環(huán)安裝在第一壓環(huán)的下表面，在需要調(diào)整壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑時(shí)，通過(guò)調(diào)整第二壓環(huán)即能夠調(diào)整壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑，例如：將第二壓環(huán)拆卸掉，這樣，可以擴(kuò)大壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑；再例如：將第二壓環(huán)設(shè)置成可伸縮的壓環(huán)，當(dāng)需要擴(kuò)大壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑時(shí)，將第二壓環(huán)縮進(jìn)，但需要縮要再次縮小壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑時(shí)，將第二壓環(huán)伸出即可。可見，通過(guò)本實(shí)施例提供的壓環(huán)裝置，僅通過(guò)簡(jiǎn)單的調(diào)整第二壓環(huán)便可實(shí)現(xiàn)對(duì)壓環(huán)裝置內(nèi)直徑的調(diào)整，便可以滿足對(duì)不同尺寸的晶片的固定需求。采用本發(fā)明提供的壓環(huán)裝置，僅需一臺(tái)磁控濺射設(shè)備即可滿足對(duì)不同尺寸的晶片進(jìn)行磁控濺射工藝，無(wú)需占用多臺(tái)磁控濺射設(shè)備，能夠提高磁控濺射設(shè)備的利用率。

實(shí)施例二

參照?qǐng)D6，示出了本發(fā)明實(shí)施例二的一種壓環(huán)裝置的仰視示意圖。

如圖6所示，本實(shí)施例中的壓環(huán)裝置包含第一壓環(huán)、第二壓環(huán)以及第三壓環(huán)。其中，第二壓環(huán)為由六塊獨(dú)立的圓弧601組成的壓環(huán)，六塊獨(dú)立的圓弧分別通過(guò)與其大小相匹配的第一滑槽602安裝于第一壓環(huán)603的第一表面上，安裝在第一壓環(huán)的可沿第一滑槽滑動(dòng)。

第三壓環(huán)的外直徑小于第二壓環(huán)的外直徑、且大于第二壓環(huán)的內(nèi)直徑，第三壓環(huán)也為由六塊獨(dú)立的圓弧604組成的壓環(huán)，六塊獨(dú)立的圓弧分別通過(guò) 與其大小相匹配的第二滑槽605安裝于第二壓環(huán)601的第一表面上、可沿第二滑槽滑動(dòng)，其中，第二壓環(huán)的第一表面為第二壓環(huán)安裝完成后面向地面的一面。

從圖6中可知，第二壓環(huán)包含的各塊獨(dú)立的圓弧大小相等，第三壓環(huán)包含的各塊獨(dú)立的圓弧大小也相等。第二圓環(huán)包含的各塊獨(dú)立的圓弧與第三壓環(huán)包含的各塊獨(dú)立的圓弧重疊安裝在第一壓環(huán)的第一表面上。

需要說(shuō)明的是，第三壓環(huán)分割的圓弧的塊數(shù)要小于或等于第二壓環(huán)分割的圓弧的塊數(shù)。本實(shí)施例中僅是以將第二壓環(huán)、第三壓環(huán)平均分割成六塊圓弧為例進(jìn)行的說(shuō)明，在具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程中，可以將各塊獨(dú)立的圓弧分割成不等大的塊。并且，分割的塊數(shù)也不局限于圖6中所示的六塊，還可以是大于二的任意適當(dāng)?shù)臄?shù)值，例如：4塊、7塊等。

在需要調(diào)整由三層壓環(huán)組成的壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑時(shí)，將第二壓環(huán)包括的各塊獨(dú)立的圓弧、與第三壓環(huán)包含的各塊獨(dú)立的圓弧均滑至各自相匹配的滑槽靠近環(huán)心的一端，使第三壓環(huán)的各塊獨(dú)立圓弧圍成一封閉的壓環(huán)，以縮小壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑。當(dāng)然，待進(jìn)行磁控濺射的晶片的尺寸與第二壓環(huán)相匹配時(shí)，則僅需將第二壓環(huán)包含的各塊獨(dú)立的圓弧均滑至各自相匹配的第一滑槽靠近環(huán)心的一端，使第二壓環(huán)的各塊獨(dú)立圓弧圍成一封閉的壓環(huán)。當(dāng)待進(jìn)行磁控濺射的晶片的尺寸與第一壓環(huán)相匹配時(shí)，則需保證第二壓環(huán)包含的各塊獨(dú)立的圓弧以及第三壓環(huán)包含的各塊獨(dú)立的圓弧均收縮至相匹配的滑槽中即可。

下面對(duì)于第一壓環(huán)、第二壓環(huán)以及第三壓環(huán)的設(shè)置尺寸進(jìn)行說(shuō)明：

第一壓環(huán)、第二壓環(huán)以及第三壓環(huán)分別與一種尺寸的晶片相匹配。第一壓環(huán)匹配的晶片的尺寸大于第二壓環(huán)匹配的晶片的尺寸，第二壓環(huán)匹配的晶片的尺寸大于第三壓環(huán)匹配的晶片的尺寸。第一壓環(huán)的內(nèi)直徑小于第一壓環(huán)匹配的晶片的直徑，第二壓環(huán)的內(nèi)直徑小于第二壓環(huán)匹配的晶片的直徑，第三壓環(huán)的內(nèi)直徑小于第三壓環(huán)匹配的晶片的直徑。通過(guò)這樣的設(shè)置，才能保證壓環(huán)在固定與其匹配的晶片時(shí)，能夠與基片有部分重合，將晶片固定住。

第二壓環(huán)的外半徑與內(nèi)半徑之差即第二壓環(huán)的環(huán)寬，大于第一壓匹配的 晶片的半徑與第二壓環(huán)匹配的晶片的半徑之差、且小于第一壓環(huán)的外半徑與內(nèi)半徑之差。第三壓環(huán)的外半徑與內(nèi)半徑之差即第三壓環(huán)的環(huán)寬，大于第二壓環(huán)匹配的晶片的半徑與第三壓環(huán)匹配的晶片的半徑之差、且小于第二壓環(huán)的外半徑與內(nèi)半徑之差。通過(guò)這樣的設(shè)置，既保證了第二壓環(huán)能夠固定住與其相匹配的晶片，又能夠保證第二壓環(huán)在縮進(jìn)第一滑槽時(shí)，不影響第一壓環(huán)固定晶片。同時(shí)，還既保證了第三壓環(huán)能夠固定住與其相匹配的晶片，又能夠保證第三壓環(huán)在縮進(jìn)第二滑槽時(shí)，不影響第二壓環(huán)固定晶片。

例如：第一壓環(huán)的環(huán)寬為85mm，第二壓環(huán)匹配的晶片與第一壓環(huán)匹配的晶片的半徑差為51，那么，第二壓環(huán)的環(huán)寬則需要設(shè)置成小于85mm，且大于51mm，例如：63mm。這樣，第二壓環(huán)在滑至第一滑槽靠近弧心的一端時(shí)能夠?qū)⑴c第二壓環(huán)相匹配的晶片固定住，在第二壓環(huán)劃至第一滑槽遠(yuǎn)離弧心的一端時(shí)，可以完全縮到第一壓環(huán)中，不影響第一壓環(huán)固定晶片。

三個(gè)壓環(huán)可以設(shè)置成同種材質(zhì)，可以設(shè)置成不同的材質(zhì)，在具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程中，具體材質(zhì)的選取由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇，在本實(shí)施例中不做具體限制?？梢愿鶕?jù)導(dǎo)電或者絕緣的要求，來(lái)設(shè)置壓環(huán)的材質(zhì)。第一壓環(huán)、第二壓環(huán)和第三壓環(huán)的材質(zhì)可以為以下任意一種：陶瓷、石英、鈦、銅、銅合金和鋁合金。當(dāng)然，并不局限于上述列舉的材質(zhì)，還可以是其他任意適當(dāng)?shù)牟馁|(zhì)。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中僅是以壓環(huán)裝置通過(guò)三層壓環(huán)組裝而成為例對(duì)壓環(huán)裝置進(jìn)行的說(shuō)明。在具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程中，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需求添加第四壓環(huán)，將第四壓環(huán)分割成至少兩塊獨(dú)立的圓弧，將各塊獨(dú)立的圓弧分別通過(guò)與其大小相匹配的第三滑槽安裝于第三壓環(huán)的第一表面上。更甚之通過(guò)相應(yīng)地方式添加第五壓環(huán)、第六壓環(huán)等等多層的壓環(huán)，每添加一層壓環(huán)，當(dāng)壓環(huán)劃至滑槽靠近環(huán)心的一端時(shí)，都會(huì)減小壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑，使壓環(huán)裝置能夠適用于更小尺寸的晶片。

需要說(shuō)明的是，第一壓環(huán)、第二壓環(huán)以及第三壓環(huán)可以是帶壓爪的壓環(huán)也可以是不帶壓爪的壓環(huán)，對(duì)于帶壓爪的壓環(huán)在安裝時(shí)，則需要將壓爪拆卸掉進(jìn)行安裝。

通過(guò)本實(shí)施例提供的壓環(huán)裝置，在實(shí)施例一提供的壓環(huán)裝置的基礎(chǔ)上，添加了第三壓環(huán)裝置，優(yōu)化后的壓環(huán)裝置除具有實(shí)施例一種的壓環(huán)裝置的有益效果外，由于增加了第三壓環(huán)，因此，固定的晶片的尺寸相較于僅由兩個(gè)壓環(huán)組成的壓環(huán)裝置可固定的晶片的尺寸更多。

實(shí)施例三

參照?qǐng)D7，示出了本發(fā)明實(shí)施例三的一種壓環(huán)裝置的截面的正視圖。

如圖7所示，本實(shí)施例中的壓環(huán)裝置包含第一壓環(huán)701、以及用于改變壓環(huán)裝置內(nèi)直徑的第二壓環(huán)702以及第三壓環(huán)703，而第三壓環(huán)703是與晶片704的尺寸相匹配的壓環(huán)。其中，第一壓環(huán)、第二壓環(huán)以及第三壓環(huán)均為整體的壓環(huán)。第二壓環(huán)通過(guò)固定裝置例如：螺絲安裝于第一壓環(huán)的第一表面上，第三壓環(huán)通過(guò)固定裝置安裝于第二壓環(huán)的第一表面上。其中，第一壓環(huán)的第一表面為第一壓環(huán)安裝完成后面向地面的一面，第二壓環(huán)的第一表面為所述第二壓環(huán)安裝完成后面向地面的一面。也就是說(shuō)，第二壓環(huán)位于第一壓環(huán)的下方、第三壓環(huán)位于第二壓環(huán)的下方。

第二壓環(huán)的環(huán)心與第一壓環(huán)的環(huán)心重合，第二壓環(huán)的外直徑小于第一壓環(huán)的外直徑、且大于第一壓環(huán)的內(nèi)直徑。第三壓環(huán)與第二壓環(huán)的環(huán)心重合，第三壓環(huán)的外直徑小于第二壓環(huán)的外直徑、且大于第二壓環(huán)的內(nèi)直徑。

在需要調(diào)整壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑時(shí)，通過(guò)拆卸、安裝第二壓環(huán)或第三壓環(huán)或同時(shí)安裝第二壓環(huán)和第三壓環(huán)實(shí)現(xiàn)對(duì)壓環(huán)裝置的內(nèi)直徑的調(diào)整。例如：當(dāng)需要采用第二壓環(huán)固定晶片時(shí)，則需將第三壓環(huán)拆除、若需要采用第一壓環(huán)固定晶片時(shí)，則續(xù)將第二、第三壓環(huán)均拆除。但在拆除后，后續(xù)需要采用第二壓環(huán)裝置固定晶片時(shí)，則將第二壓環(huán)裝置安裝至第一壓環(huán)的第一表面，后續(xù)若還需要采用第三壓環(huán)裝置固定晶片時(shí)，則將第三壓環(huán)裝置安裝至第二壓環(huán)的第一表面。

可見，通過(guò)本實(shí)施例提供的壓環(huán)裝置，可以根據(jù)所要固定的晶片的尺寸的種類設(shè)置相應(yīng)個(gè)數(shù)的壓環(huán)，并且在設(shè)置每個(gè)壓環(huán)時(shí)，根據(jù)所需對(duì)應(yīng)固定的晶片的尺寸設(shè)置與匹配的尺寸，以通過(guò)對(duì)壓環(huán)的安裝、拆卸完成對(duì)不同尺寸 的晶片的固定。可見，本實(shí)施例提供的可調(diào)節(jié)內(nèi)直徑的壓環(huán)裝置，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中，由于機(jī)械壓環(huán)一旦設(shè)計(jì)完成，其內(nèi)直徑尺寸是固定、不可改變的。對(duì)于不同尺寸的晶片進(jìn)行固定時(shí)，需要更換濺射設(shè)備以實(shí)現(xiàn)更換對(duì)應(yīng)尺寸的機(jī)械壓環(huán)的問(wèn)題。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中的第一壓環(huán)、第二壓環(huán)以及第三壓環(huán)的尺寸的設(shè)置可以參見實(shí)施例二中所述的相關(guān)方法即可，本實(shí)施例對(duì)此不做具體限制。

本實(shí)施例中的三個(gè)壓環(huán)可以設(shè)置成同種材質(zhì)，可以設(shè)置成不同的材質(zhì)，在具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程中，具體材質(zhì)的選取由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇，在本實(shí)施例中不做具體限制?？梢愿鶕?jù)導(dǎo)電或者絕緣的要求，來(lái)設(shè)置壓環(huán)的材質(zhì)。第一壓環(huán)、第二壓環(huán)和第三壓環(huán)的材質(zhì)可以為以下任意一種：陶瓷、石英、鈦、銅、銅合金和鋁合金。當(dāng)然，并不局限于上述列舉的材質(zhì)，還可以是其他任意適當(dāng)?shù)牟馁|(zhì)。

下面分別以第一壓環(huán)(即基體)與12寸晶片相匹配、第二壓環(huán)(即擋板)與8寸晶片相匹配、第三壓環(huán)(即第二擋板)與5寸晶片相匹配為例，對(duì)本實(shí)施例中的壓環(huán)裝置中的各壓環(huán)環(huán)寬的設(shè)置進(jìn)行說(shuō)明。

也就是說(shuō)，本實(shí)例中第一壓環(huán)可實(shí)現(xiàn)對(duì)12寸晶片的固定，第二壓環(huán)可實(shí)現(xiàn)對(duì)8寸晶片的固定，第三壓環(huán)可實(shí)現(xiàn)對(duì)5寸晶片的固定。

假設(shè)第一壓環(huán)的環(huán)寬為85mm。那么在計(jì)算第二壓環(huán)以及第三壓環(huán)的環(huán)寬時(shí)，除通過(guò)實(shí)施例二中給出的方式外，還可以通過(guò)下述方式計(jì)算確定：

計(jì)算第二壓環(huán)環(huán)寬的步驟為：12寸晶片與8寸晶片的半徑差值為51mm，第二壓環(huán)與第一壓環(huán)之間每邊的重疊寬度為8mm(也可以是其他值)，第二壓環(huán)固定8寸晶片時(shí)按壓在晶片上的寬度為4mm(也可以是其他值)，因此第二壓環(huán)的環(huán)寬為63mm。

計(jì)算第三壓環(huán)環(huán)寬的步驟為：8寸晶片與5寸晶片的半徑差值為38mm，第三壓環(huán)與第二壓環(huán)之間每邊的重疊寬度為8mm(也可以是其他值)，第三壓環(huán)固定5寸晶片時(shí)按壓在晶片上的寬度為4mm(也可以是其他值)，因此第三壓環(huán)的環(huán)寬為50mm。

通過(guò)上述計(jì)算方式可以確定第一壓環(huán)、第二壓環(huán)、以及第三壓環(huán)的環(huán)寬。在依據(jù)計(jì)算的尺寸，設(shè)置相應(yīng)的壓環(huán)后，將壓環(huán)按照本實(shí)施例中的安裝方式進(jìn)行安裝。在第一壓環(huán)的下表面安裝第二壓環(huán)、在第二壓環(huán)的下表面安裝第三壓環(huán)組合成壓環(huán)裝置。將壓環(huán)裝置安裝在直流磁控濺射設(shè)備腔室中，采用本實(shí)施例的對(duì)5寸晶片固定時(shí)，基座會(huì)托舉晶片向上移動(dòng)，使晶片壓在第三壓環(huán)下并繼續(xù)向上移動(dòng)到達(dá)晶片工藝位置，此時(shí)本實(shí)施例的壓環(huán)裝置會(huì)被舉起并依靠自身重力固定住晶片?？梢?，本實(shí)施例的壓環(huán)裝置和現(xiàn)有技術(shù)中的機(jī)械壓環(huán)一樣，都是通過(guò)自身重力固定晶片，因此實(shí)施例的壓環(huán)裝置不會(huì)對(duì)工藝位置造成影響，因此，本實(shí)施例提供的壓環(huán)裝置在安裝在磁控濺射設(shè)備中時(shí)，與現(xiàn)有的機(jī)械壓環(huán)的安裝方式相同，具體安裝請(qǐng)參見現(xiàn)有技術(shù)即可。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中僅是以壓環(huán)裝置通過(guò)三層壓環(huán)組裝而成為例對(duì)壓環(huán)裝置進(jìn)行的說(shuō)明。在具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程中，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需求添加第四壓環(huán)，將第四壓環(huán)安裝于第三壓環(huán)的第一表面上。更甚之通過(guò)相應(yīng)地方式添加第五壓環(huán)、第六壓環(huán)等等多層的壓環(huán)，每添加一層壓環(huán)都能夠使壓環(huán)裝置適用于更小尺寸的晶片。

需要說(shuō)明的是，第一壓環(huán)、第二壓環(huán)以及第三壓環(huán)可以是帶壓爪的壓環(huán)也可以是不帶壓爪的壓環(huán)，對(duì)于帶壓爪的壓環(huán)在安裝時(shí)，則需要將壓爪拆卸掉。

通過(guò)本實(shí)施例提供的壓環(huán)裝置，在實(shí)施例一提供的壓環(huán)裝置的基礎(chǔ)上，添加了第三壓環(huán)，優(yōu)化后的壓環(huán)裝置除具有實(shí)施例一種的壓環(huán)裝置的有益效果外，由于增加了第三壓環(huán)，因此，固定的晶片的尺寸相較于僅由兩個(gè)壓環(huán)組成的壓環(huán)裝置可固定的晶片的尺寸更多。

本說(shuō)明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。對(duì)于系統(tǒng)實(shí)施例而言，由于其與方法實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說(shuō)明即可。

以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種壓環(huán)裝置進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具 體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。