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一種地磚多弧離子磁控鍍膜機(jī)的制作方法

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一種地磚多弧離子磁控鍍膜機(jī)的制造方法與工藝

本實(shí)用新型涉及鍍膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種地磚多弧離子磁控鍍膜機(jī)。



背景技術(shù):

隨著科技的不斷發(fā)展,物料表面的鍍膜技術(shù)也在不斷地發(fā)展,起始的鍍膜技術(shù),一般都是先對(duì)物料表面進(jìn)行烘烤,然后把需要鑲嵌的膜貼敷在物料表面,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)物料表面鍍膜的目的。但是這種鍍膜方法使用條件有限,而且所鍍的膜容易脫落。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型的目的在于提供一種地磚多弧離子磁控鍍膜機(jī),以解決上述背景技術(shù)中提出的鍍膜技術(shù)使用條件有限和鍍膜不牢固的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案,一種地磚多弧離子磁控鍍膜機(jī),包括進(jìn)料口、瓷磚監(jiān)測(cè)頭、閥門控制器、閥門、真空室、物料承接板、磁場(chǎng)線圈、水冷容器、輸送裝置、電機(jī)、出料口、陽(yáng)極接地導(dǎo)線、陰極導(dǎo)線和控制開(kāi)關(guān),所述進(jìn)料口上端設(shè)有瓷磚監(jiān)測(cè)頭,且瓷磚監(jiān)測(cè)頭上端連接閥門控制器,所述閥門控制器右端安裝有閥門,且閥門右端設(shè)有真空室,所述真空室下表面設(shè)有物料承接板,且物料承接板下端設(shè)有磁場(chǎng)線圈,所述磁場(chǎng)線圈下部安裝有水冷容器,所述物料承接板左右兩側(cè)連接輸送裝置,其輸送裝置下部設(shè)有電機(jī),且輸送裝置右側(cè)末端設(shè)有出料口,所述陽(yáng)極接地導(dǎo)線上端連接真空室,且其下端連接地面,所述陰極導(dǎo)線上端連接物料承接板,且其下端連接控制開(kāi)關(guān)。

優(yōu)選的,所述進(jìn)料口和出料口關(guān)于真空室對(duì)稱安置。

優(yōu)選的,所述閥門為活動(dòng)結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的,所述水冷容器與物料承接板銜接處填充有硅膠。

優(yōu)選的,所述控制開(kāi)關(guān)為螺旋調(diào)節(jié)形式,且其電壓調(diào)節(jié)范圍0-1KV,其電流調(diào)節(jié)范圍0-75A。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果是:該地磚多弧離子磁控鍍膜機(jī)在真空的條件下,對(duì)物料進(jìn)行通電,利用陰粒子在磁場(chǎng)的環(huán)境下向著陽(yáng)極吸附實(shí)現(xiàn)鍍膜,不僅能夠提高鍍膜的牢固性,還不受物料的材質(zhì)局限,實(shí)現(xiàn)鍍膜。在對(duì)物料鍍膜前,負(fù)偏壓先去除物料表面所沾染的氣體和污染物,在涂層期間,又為離子提供能量,使涂層與物料緊密結(jié)合,控制開(kāi)關(guān)為螺旋調(diào)節(jié)形式,可以根據(jù)不同的物料,來(lái)選擇涂層顆粒物的大小和數(shù)量,水冷容器與物料承接板銜接處填充有硅膠,能夠在設(shè)備在涂層期間,更好吸附真空室內(nèi)的溫度,避免溫度過(guò)高,而對(duì)物料造成損壞。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中:1、進(jìn)料口,2、瓷磚監(jiān)測(cè)頭,3、閥門控制器,4、閥門,5、真空室,6、物料承接板,7、磁場(chǎng)線圈,8、水冷容器,9、輸送裝置,10、電機(jī),11、出料口,12、陽(yáng)極接地導(dǎo)線,13、陰極導(dǎo)線,14、控制開(kāi)關(guān)。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1,本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案:一種地磚多弧離子磁控鍍膜機(jī),包括進(jìn)料口1、瓷磚監(jiān)測(cè)頭2、閥門控制器3、閥門4、真空室5、物料承接板6、磁場(chǎng)線圈7、水冷容器8、輸送裝置9、電機(jī)10、出料口11、陽(yáng)極接地導(dǎo)線12、陰極導(dǎo)線13和控制開(kāi)關(guān)14,進(jìn)料口1上端設(shè)有瓷磚監(jiān)測(cè)頭2,且瓷磚監(jiān)測(cè)頭2上端連接閥門控制器3,進(jìn)料口1和出料口11關(guān)于真空室5對(duì)稱安置,閥門控制器3右端安裝有閥門4,且閥門4右端設(shè)有真空室5,閥門4為活動(dòng)結(jié)構(gòu),真空室5下表面設(shè)有物料承接板6,且物料承接板6下端設(shè)有磁場(chǎng)線圈7,磁場(chǎng)線圈7下部安裝有水冷容器8,水冷容器8與物料承接板6銜接處填充有硅膠,能夠在設(shè)備在涂層期間,更好吸附真空室5內(nèi)的溫度,物料承接板6左右兩側(cè)連接輸送裝置9,其輸送裝置9下部設(shè)有電機(jī)10,且輸送裝置9右側(cè)末端設(shè)有出料口11,陽(yáng)極接地導(dǎo)線12上端連接真空室5,且其下端連接地面,陰極導(dǎo)線13上端連接物料承接板6,且其下端連接控制開(kāi)關(guān)14,控制開(kāi)關(guān)14為螺旋調(diào)節(jié)形式,且其電壓調(diào)節(jié)范圍0-1KV,其電流調(diào)節(jié)范圍0-75A,可以根據(jù)不同的物料,來(lái)選擇涂層顆粒物的大小和數(shù)量。

工作原理:在使用該地磚多弧離子磁控鍍膜機(jī)時(shí),先給設(shè)備接通電源,然后從進(jìn)料口1放入所需要涂層的物料,輸送裝置9在電機(jī)10的作用下,對(duì)物料進(jìn)行運(yùn)輸,在物料運(yùn)輸至瓷磚監(jiān)測(cè)頭2下部時(shí),瓷磚監(jiān)測(cè)頭2檢測(cè)到物料,然后把信息傳送給閥門控制器3,閥門4在閥門控制器3的作用下開(kāi)啟,隨后物料被輸送裝置9運(yùn)輸至真空室5內(nèi),然后通過(guò)控制開(kāi)關(guān)14給物料承接板6接通電流,物料在負(fù)偏壓的作用下,表面的空氣和污染物被去除,真空室5內(nèi)的陰極離子向著物料吸附,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)物料表面涂層鍍膜的目的,物料鍍膜結(jié)束后,從出料口11運(yùn)輸至設(shè)備外。

盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明,對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō),其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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