專利名稱：設(shè)置有復(fù)合透明上電極的、應(yīng)用于照明或顯示圖像的發(fā)光面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括由基板支撐的有機(jī)發(fā)光二極管陣列的照明或圖像顯示面板。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)描述了上述面板，其中每個(gè)二極管包括夾置在接觸基板的下電 極與對有機(jī)電致發(fā)光層發(fā)射的光透明的上電極之間的有機(jī)電致發(fā)光層。因此 這就是所謂的"頂發(fā)射"面板。這種情況下，上電極是陰極(對于"常規(guī)" 二極管結(jié)構(gòu))或陽極(對于"反"結(jié)構(gòu))。
一般而言，在電極之間有其它有才幾層，例如用于注入和傳輸空穴或電子 的層和/或用于優(yōu)化光提取的層，尤其利用了電極之間光學(xué)腔中的共振效應(yīng)。
現(xiàn)有技術(shù)還描述了這樣的面板，其中至少 一個(gè)上電極是對于多個(gè)二極管
共用的且包括導(dǎo)電氧化物層，其通常是混合的錫銦氧化物(ITO)或混合的 錫鋅氧化物(IZO)。
制造這種面板需要在有機(jī)層頂上沉積ITO導(dǎo)電氧化物層。然而，公知的 是，這種沉積的通常條件，特別是熱條件或》茲控濺射等離子體的應(yīng)用，會(huì)存 在惡化下面的有機(jī)層的風(fēng)險(xiǎn)。
為了避免或限制這種風(fēng)險(xiǎn)，現(xiàn)有技術(shù)給出了許多方案。 文件US5969474提議在二極管的有機(jī)層和透明導(dǎo)電氧化物層之間插入 緩沖層。這個(gè)緩沖層旨在在沉積導(dǎo)電氧化物層過程中保護(hù)有機(jī)層，尤其防止 它的氧化。作為緩沖層材料，所述文件提出基于鈦、鉻或鉭的金屬導(dǎo)電材料， 或者這種金屬的氮化物。因此，在該文件描述的面板中，上電極是多個(gè)二極 管公用的且包括厚度等于或小于20nm的金屬第一導(dǎo)電層以及由ITO或IZO 制成且與該第一層接觸的第二導(dǎo)電層。該第二層通常具有等于或大于50 nm 的厚度，且因此大于第一層的厚度。應(yīng)注意的是緩沖層的厚度仍非常小，即 小于20 nm。特別當(dāng)采用氮化物時(shí)(所述文件的實(shí)例2 )，厚度只有5nm, 以保持足夠高的透明度和導(dǎo)電率。
文件WO2004/049465指出這種金屬緩沖層必須足夠的厚度(>30 nm ) 以實(shí)現(xiàn)有效的保護(hù)，但是，由于這個(gè)大厚度，上電極損失了大量透明度，這 對發(fā)光效率不利。為了使緩沖層更具保護(hù)性且更透明，該文件提議用SiO摻
雜金屬緩沖層。
文件US6172459和US6140763公開了基于卟啉(porphyrinic )有才幾化合 物的用于相對厚的緩沖層的材料，其具有導(dǎo)電、保護(hù)和透明的優(yōu)點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供 一 種不同且更經(jīng)濟(jì)的方案從而限制在沉積透明上 電極時(shí)惡化有機(jī)層的風(fēng)險(xiǎn)。
為了這個(gè)目的，本發(fā)明的主題是一種照明或圖像顯示面板，其包括由基 板支撐的有機(jī)發(fā)光二極管陣列，與基板和上電極陣列接觸的至少一個(gè)下電極 陣列，其中每個(gè)二極管都包括夾置在下電極和上電極之間的有機(jī)電致發(fā)光 層，其自身對該二極管發(fā)射的光透明，在該二極管中至少一個(gè)所述的上電極 對于多個(gè)二極管是公用的并且包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，透明絕緣緩沖
層夾置在這兩個(gè)導(dǎo)電層之間，且其中，在每個(gè)二極管的有源區(qū)域被限定為與 下電極和上電極均直接接觸的該二極管的有才兒電致發(fā)光層區(qū)域的情形，對于 多個(gè)二極管公用的每個(gè)所述上電極(3),所述緩沖層由窗口穿透，該窗口為 該公共電極的兩個(gè)導(dǎo)電層之間直接接觸提供了直接接觸區(qū)域，這些接觸區(qū)域 與所述多個(gè)二極管的有源區(qū)域分開。
緩沖層的窗口通常是在該層中形成的開口或"孔"。應(yīng)注意的是，在文 件US6172459和US6140763中所述的面板中，緩沖層沒有窗口或開口 ，因 此其也不具有其中上電極的兩個(gè)導(dǎo)電層直接彼此接觸而沒有中間緩沖層的 區(qū)域。這是因?yàn)閷τ诮?dǎo)電橋，這種直接接觸是不必要的，緩沖層本身就 是導(dǎo)電的。在如文件US5739545所述的緩沖層中形成窗口或開口是沒有優(yōu)勢 的，尤其是緩沖層由ZnSe或ZnS制成的情況，因?yàn)榫彌_層通過它的晶界導(dǎo) 電。
幾個(gè)二極管公用的每個(gè)上電極的第一導(dǎo)電層與有機(jī)電致發(fā)光層接觸。每 個(gè)二極管的有源區(qū)域被更精確地限定為該二極管的下電極和上電極之間重 疊的區(qū)域。因此當(dāng)二極管開啟且發(fā)光時(shí)只有在該重疊區(qū)域中有機(jī)電致發(fā)光層 才經(jīng)受電場；在這些有源區(qū)域外部，沒有光發(fā)射。
因此下電極和上電極的每個(gè)交疊區(qū)域，即每個(gè)交叉或重疊區(qū)域，對應(yīng)一 個(gè)二極管。因此該二極管的有源區(qū)域?qū)?yīng)于該二極管的有機(jī)電致發(fā)光層與該 下電極和上電極均直接接觸的區(qū)域，且能夠透射該二極管發(fā)射的光。
優(yōu)選地，對于每個(gè)上電極，所述直接接觸區(qū)域不與具有公共上電極的二 極管的任意有源區(qū)域重疊。這意味著對應(yīng)于所討論的上電極的兩個(gè)導(dǎo)電層之 間的接觸區(qū)域的、在緩沖層中形成的窗口或開口位于有源區(qū)域之外。因此， 如果在這些接觸區(qū)域中沉積第二導(dǎo)電層會(huì)引起下方有機(jī)層的惡化，那么這種 惡化不是問題，因?yàn)樗l(fā)生在二極管的有源區(qū)域之外。
二極管的有機(jī)電致發(fā)光層可以對于幾個(gè)二極管是公用的。上電極陣列可 以只有單電極，其公用于所有二極管。
面板的二極管是"頂發(fā)射"二極管，因?yàn)樯想姌O至少在二極管的位置處 是透明的。這些電極還可以是半透明的，例如改變二極管的內(nèi)在發(fā)射色度和 /或調(diào)節(jié)電極之間的光學(xué)腔效應(yīng)從而提高光提取。
優(yōu)選地，緩沖層具有絕緣特性。優(yōu)選地，對于每個(gè)所述上電極，緩沖層 的表面導(dǎo)電率小于該上電極的第二導(dǎo)電層表面導(dǎo)電率的十分之一。層的表面
導(dǎo)電率是指該層的方形表面元件的導(dǎo)電率。因此，在文件US5969474的實(shí)例 2中由氮基材料形成緩沖層的情況下，緩沖層的厚度將顯著大于5nm。正是 因?yàn)榫彌_層的低表面導(dǎo)電率，為了確保導(dǎo)電橋，在上電極的兩個(gè)導(dǎo)電層之間 接觸的直接接觸區(qū)域是必要的。應(yīng)注意的是，文件US5739545中，通過如本 發(fā)明的中間(具體而言ZnSe)緩沖層而不通過直接接觸區(qū)域，提供上電極 的兩個(gè)導(dǎo)電層之間的導(dǎo)電橋。優(yōu)選地，對于每個(gè)公共上電極，緩沖層的表面 導(dǎo)電率小于該電極的第一導(dǎo)電層的表面導(dǎo)電率。優(yōu)選地，緩沖層的表面導(dǎo)電 率小于第一導(dǎo)電層的表面導(dǎo)電率的十分之一。有機(jī)材料可以用于緩沖層，如 果它們達(dá)到所述的低導(dǎo)電率的標(biāo)準(zhǔn)的話。例如，可以采用spiro-TAD、 spiro-TTB、 NPB、 TPD、 BCP或Bphen。有機(jī)材料必須要足夠厚以確保保護(hù) 下方有機(jī)層的功能有效。優(yōu)選地，對于每個(gè)公共上電極，緩沖層的材料是無 機(jī)的，由此提供了有助于密封二極管的優(yōu)點(diǎn)。優(yōu)選地，該材料選自于由氧化 硅、氮化珪、氧氮化硅和氧化鉭形成的組，其中0<x《2, (Ky《1.33和0〈z 《2.5。
因?yàn)榫彌_層是絕緣的，所以電流經(jīng)由直接接觸區(qū)域在一個(gè)相同的上電極 的兩個(gè)導(dǎo)電層之間傳輸，依照本發(fā)明，該直接接觸區(qū)域位于二極管之間，更精確地位于二極管的有源或發(fā)射區(qū)域之間。
因?yàn)榻^緣緩沖層覆蓋住二極管的有機(jī)電致發(fā)光層和下電極之間的接觸 區(qū)域，在沉積上電極的第二導(dǎo)電層期間，特別地當(dāng)該沉積是在沒有保護(hù)而具 有惡化有機(jī)層風(fēng)險(xiǎn)的能量條件下進(jìn)行時(shí)，該緩沖層能夠有效地保護(hù)有機(jī)層的 有源區(qū)域，即發(fā)射區(qū)域。
因?yàn)榻^緣緩沖層夾置在上電極的兩個(gè)導(dǎo)電層之間，第一導(dǎo)電層可以與有 機(jī)層的整個(gè)區(qū)域直接接觸，由此在這些層內(nèi)在該整個(gè)區(qū)域上提供了均勻電場 從而在該區(qū)域獲得均勻電致發(fā)光發(fā)射。
依照本發(fā)明的優(yōu)勢變化，緩沖層分割為分離的緩沖元件，使得緩沖層中 的窗口或開口相反地形成為連續(xù)的表面。
優(yōu)選地，對于每個(gè)公共上電極，所述第二導(dǎo)電層的材料是氧化物基的，
因此它是透明導(dǎo)電氧化物(TCO)。優(yōu)選地，使用混合錫銦氧化物(ITO)或 混合錫鋅氧化物(IZO )。沉積這些氧化物的條件將在沒有由緩沖元件提供的 保護(hù)下具有惡化有機(jī)層的風(fēng)險(xiǎn)。此外，使用這些混合氧化物的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它 們?yōu)槎O管的有機(jī)電致發(fā)光層提供了抵抗惡化、尤其由環(huán)境中的氧氣和/或水 蒸汽？i起的惡化風(fēng)險(xiǎn)的有效保護(hù)，和因此提供了密封功能。
優(yōu)選地，第二導(dǎo)電層的厚度等于或大于100 nm。這個(gè)厚度使得能夠增強(qiáng) 由第二導(dǎo)電層提供的密封功能。
優(yōu)選地，對于每個(gè)公共上電極，所述第一導(dǎo)電層的材料是金屬。優(yōu)選地， 該第一導(dǎo)電層的厚度大于1 nm當(dāng)不超過20 nm。這個(gè)小厚度確保透明度， 尤其是當(dāng)該層的材料是金屬時(shí)。這個(gè)小厚度通常會(huì)確保一個(gè)二極管或一些二 極管的足夠的表面電導(dǎo)，但是當(dāng)整個(gè)上電極公用于大量二極管時(shí)， 一般不允 許該第一層單獨(dú)具有足夠的電導(dǎo)用于整個(gè)上電極，由此使得第二導(dǎo)電層更加 有用。
優(yōu)選地，對于每個(gè)公共上電極，第二導(dǎo)電層的厚度大于第一導(dǎo)電層的厚度。
優(yōu)選地，對于每個(gè)公共上電極，第二導(dǎo)電層的表面導(dǎo)電率大于第一導(dǎo)電 層的表面導(dǎo)電率。由于該更高的導(dǎo)電率，第二層確保電流均勻地分布在面板
的整個(gè)表面上。
表述"層表面導(dǎo)電率"可以理解為該層的方形表面元件的導(dǎo)電率。這一 標(biāo)準(zhǔn)加入到用于第一層的高導(dǎo)電金屬材料以及用于第二層的低導(dǎo)電率的導(dǎo)
電氧化物基材料的選擇中，意味著第二層的厚度遠(yuǎn)大于第一層的厚度。


通過閱讀以無限制實(shí)例給出以下的說明書，以及參考圖1,將更好地理 解本發(fā)明，圖1描述了依照本發(fā)明一實(shí)施例的面板的部分剖面圖，其中緩沖 層被分割為分離的緩沖元件。
具體實(shí)施例方式
該結(jié)構(gòu)以這里整合了公知的有源矩陣的基板1開始，在此將不會(huì)詳細(xì)描
述其的制造過程由絕緣材料制成的剛性板11支撐被稱為"像素電路，，的 用于二極管的控制/供應(yīng)電路網(wǎng)絡(luò)，每個(gè)都具有連接到下電極15的輸出14， 下電極15優(yōu)選為金屬且具反射性。該剛性板一般支撐幾個(gè)電絕緣層，包括 特別用于使像素電路的組件彼此隔離的第一絕緣層12和用于分離二極管且 在二極管的發(fā)射區(qū)域之外使得下電極與上電極隔離的第二絕緣層13。在二極 管的位置處，該第二絕緣層13由窗口穿透，暴露了下電極15的表面。最后， 該基板集成電極、尤其是用于驅(qū)動(dòng)例如選擇和尋址像素電路的電極的其它陣 列(未顯示)。
根據(jù)在面板上將形成的二極管的排列，下電極15 —般以行和列排列。 采用物理沉積法例如真空蒸鍍，在所有下電極15上方沉積有機(jī)電致發(fā) 光層。為了在二極管的列上得到不同顏色，在相鄰的列上沉積不同的有機(jī)層 2、 2'。為該目的使用掩模。實(shí)際上，如圖1所示，由使用掩模引起的沉積 層定位不精確和為了避免短路以覆蓋由絕緣層13中形成的窗口暴露的下電 極15的整個(gè)表面的需求導(dǎo)致了有機(jī)層2、 2'的沉積顯著超過了這些窗口的 邊界。
一般而言，有機(jī)層2、 2'再分為幾個(gè)子層，特別地用于注入和傳輸電荷 (電子或空穴)的子層、實(shí)際電致發(fā)光子層和合適時(shí)的電荷阻擋子層以限制 非輻射電荷復(fù)合。優(yōu)選地，摻雜的有機(jī)材料用于電荷注入和傳輸子層，這些 材料擴(kuò)展了能用于電極的材料的范圍和增大了厚度從而獲得平面化效果。
在沉積了有機(jī)層之后，第一全金屬導(dǎo)電層31沉積了等于或小于20 nm 但大于1 nm的厚度，從而覆蓋基板的整個(gè)有源區(qū)域。該第一導(dǎo)電層是連續(xù) 的，厚度近似恒定，且沒有故意形成的孔或窗口。
接著，再次使用沉積掩模，在第一導(dǎo)電層31上的每個(gè)二極管位置，沉
積緩沖層32的絕緣元件。對所用的掩模進(jìn)行設(shè)計(jì)使得
緩沖層32的元件的位置和表面再次覆蓋由絕緣層13中形成的窗口暴露 的下電極15的整個(gè)表面；
緩沖層32的絕緣元件的面積足夠小以在二極管之間，即行之間和/或列 之間，留下不被第一導(dǎo)電層31的表面覆蓋的寬區(qū)域。
為了這個(gè)目的，可以使用與沉積有機(jī)層所用的掩模相同的掩模，該沉積 需要三個(gè)沉積操作。也可以使用特殊掩模，其能夠在一個(gè)操作中實(shí)現(xiàn)該沉積。 該掩?？梢跃哂懈采w幾個(gè)二極管、或甚至二極管的整列或整行的開口。在掩 模對每個(gè)二極管只具有一個(gè)開口的情況下，根據(jù)想要保護(hù)的有機(jī)層面積，該 開口可以大于或小于用于沉積有機(jī)層的開口 。
對于緩沖層32的這些元件，選擇在第二導(dǎo)電層的后續(xù)沉積期間適于獲 得有機(jī)層2、 2'的有效保護(hù)的電絕緣透明材料。緩沖層32的元件厚度也適 應(yīng)于該目的，而沒有任何降低透明度的風(fēng)險(xiǎn)，因?yàn)樗玫牟牧鲜峭该鞯?。術(shù) 語"透明材料"理解為指的是一種材料，其能透射至少部分的其覆蓋的有機(jī) 層的電致發(fā)光放射光語。依照本發(fā)明的一個(gè)變體，該材料還可以作為濾光片， 特別地適于二極管的發(fā)射光譜和色度。
對于為緩沖層32的這些元件選擇的材料也很重要的是，能夠被沉積而 沒有使下方有機(jī)層2、 2'惡化的風(fēng)險(xiǎn)。
優(yōu)選選擇礦物材料作為緩沖層32的這些元件的材料，其比有機(jī)材料給 下方有機(jī)層提供了更好的保護(hù)。優(yōu)選地，選擇可以在所謂的"溫和"條件下 沉積的材料，而不會(huì)出現(xiàn)惡化下方有機(jī)層的風(fēng)險(xiǎn)，也就是說一種材料，對于 它的沉積，其不需要大于50。C的基板溫度且對于這種材料，沉積在基板上的 顆粒的能量在沉積過程鐘小于100eV。優(yōu)選地，優(yōu)選折射率大于2的材料， 從而提高上電極的光提取水平。
因此，作為緩沖層32的元件所用的材料，優(yōu)選選擇分子式SiOx的氧化 硅，其中(Kx《2，或氮化硅SiNy，其中0<y《1.33,或氧氮化硅或氧化鉭TaOz。 優(yōu)選地，以已知的方式調(diào)整指數(shù)x、 y或z的值使得緩沖材料具有大于2的 折射率。因此，優(yōu)選選擇硒化鋅(ZnSe)，其具有大于2的折射率且還具有 易于通過加熱蒸鍍的優(yōu)點(diǎn)。
其它透明絕緣無機(jī)材料可以用于緩沖層32而不背離本發(fā)明的范圍，例如堿或石咸土金屬卣化物或硫化物。
關(guān)于惡化下方有機(jī)層的風(fēng)險(xiǎn)，以已知的方式調(diào)整緩沖層的厚度從而獲得
理想的保護(hù)水平。實(shí)際上，其通常意味著厚度大于20nm,和該緩沖層的表 面導(dǎo)電率將小于隨后沉積的第二導(dǎo)電層33的表面導(dǎo)電率，由此使得那里必 須為依照本發(fā)明的在上電極的兩個(gè)導(dǎo)電層之間的直接接觸區(qū)域。優(yōu)選地，該 緩沖層的表面導(dǎo)電率將小于第二導(dǎo)電層33的表面導(dǎo)電率的十分之一。
在沉積了緩沖層32的元件之后，第二全導(dǎo)電層33沉積了大于20 nm的 厚度從而覆蓋基板的整個(gè)有源區(qū)域。該第二導(dǎo)電層也是連續(xù)的，厚度近似恒 定，且沒有任何故意的孔和窗口。
由于緩沖層32提供的保護(hù)，可以采用高能量沉積方法而沒有惡化下方 有機(jī)層的風(fēng)險(xiǎn)。
優(yōu)選地，基于ITO或IZO的材料用于該第二導(dǎo)電層33，該材料通過真 空濺射沉積。
如圖l所示，沒有被第一導(dǎo)電層31表面的緩沖層32的元件覆蓋的寬區(qū) 域直接與第二導(dǎo)電層33接觸，這些區(qū)域由此接觸區(qū)域4。
因此第一導(dǎo)電層31、緩沖層32和第二導(dǎo)電層33在這里形成上電極3， 其對于基板1支撐的面板的所有二極管都是公用的。
該上電極的第二導(dǎo)電層33旨在經(jīng)由第一導(dǎo)電層32和這些層之間的接觸 區(qū)域4分配電流以供應(yīng)給每個(gè)二極管，接觸區(qū)域4對應(yīng)于緩沖層32的窗口 或開口 。
優(yōu)選地，第二導(dǎo)電層33的厚度大于第一導(dǎo)電層31的厚度。優(yōu)選地，調(diào) 整第二導(dǎo)電層33的厚度使得該層的表面導(dǎo)電率至少為第一層31的厚度十倍 大，由此確保供應(yīng)給二極管的電流的有效且均勻的分配。
由此獲得了依照本發(fā)明的發(fā)光二極管的面板。該面板的每個(gè)二極管5、5' 都具有發(fā)射區(qū)域，其通過上電極3對應(yīng)于面板的下電極15的交疊區(qū)域，在 該區(qū)域中，上電極3對該二極管發(fā)射的光透明，和每個(gè)二極管包括 在該區(qū)域中且在這些電極之間的有機(jī)電致發(fā)光層2、 2';和 在該區(qū)域中且在上電極3的第一導(dǎo)電層31和第二導(dǎo)電層33之間的緩沖 層32的元件，其絕緣且透明。
緩沖層32的絕緣元件的表面導(dǎo)電率通常小于第一導(dǎo)電層的十分之一。 在不背離本發(fā)明的范圍的情況下，緩沖層的元件可以分布為分離的墊，
每個(gè)二極管一個(gè)墊，或一組二極管一個(gè)元件，或分布為連續(xù)帶，每個(gè)覆蓋一 行或一列二極管，或者為在其它構(gòu)造，只要緩沖層的這些元件排列在二極管 接觸區(qū)域之間留下足夠區(qū)域以確保有效且均勻的電流分布，如上所述。在不 背離本發(fā)明的范圍的情況下，取代如上所述的沉積緩沖層的分離元件，還能 夠設(shè)想沉積"全，，緩沖層，其設(shè)置有存在于二極管之間的窗口，以提供與第 一接觸層31直接接觸的區(qū)域。
已經(jīng)參考有源矩陣發(fā)光面板描述本發(fā)明。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員明顯的
是，本發(fā)明能夠應(yīng)用于其它類型的顯示或照明面板，特別地?zé)o源矩陣面板， 而不背離權(quán)利要求的范圍。在無源矩陣的情況下，通常每個(gè)下電極都是一行
二極管公用的，和每個(gè)上電極都是一列二極管公用的，或反之亦然。本發(fā)明 同樣好地應(yīng)用于下電極是陽極和上電極是陰極的情況，以及相反的情況，即 下電極是陰極和上電極是陽極。
權(quán)利要求
1.一種照明或圖像顯示面板，包括由基板(1)支撐的有機(jī)發(fā)光二極管的陣列(5、5’)，與該基板和上電極(3)的陣列接觸的至少一個(gè)下電極(15)的陣列，其中，每個(gè)二極管(5、5’)包括有機(jī)電致發(fā)光層(2、2’)，其夾置在下電極(15)和上電極(3)之間，其自身對于由該二極管發(fā)射的光透明，且其中所述上電極的至少一個(gè)(3)對于多個(gè)二極管(5、5’)公用并且包括與有機(jī)電致發(fā)光層(2、2’)接觸的第一導(dǎo)電層(3 1)和第二導(dǎo)電層(33)，在這兩個(gè)導(dǎo)電層(31、33)之間夾置有透明緩沖層(32)，其特征在于，對于多個(gè)二極管公用的每個(gè)所述上電極(3)，所述緩沖層(32)被窗口穿透，該窗口提供直接接觸區(qū)域(4)用于該公共電極(3)的第一和第二導(dǎo)電層(31、33)之間的直接接觸。
2. 如權(quán)利要求1所述的面板，其特征在于，在每個(gè)二極管的該有源區(qū)域 被限定為該二極管的該下電極和上電極之間的重疊區(qū)域，對于每個(gè)所述上電 極(3)，所述直接接觸區(qū)域(4)不與具有公共的所述上電極的二極管的任 意有源區(qū)域重疊。
3. 如前面任一權(quán)利要求所述的面板，其特征在于，對于每個(gè)所述上電極 (3),所述緩沖層的表面導(dǎo)電率小于所述上電極(3)的第二導(dǎo)電層(33)表面導(dǎo)電率的十分之一。
4. 如前面任一權(quán)利要求所述的面板，其特征在于，對于每個(gè)所述上電極 (3)，所述緩沖層(32)的表面導(dǎo)電率小于所述上電極(3)的所述第一導(dǎo)電層(31 )的表面導(dǎo)電率。
5. 如前面任一權(quán)利要求所述的面板，其特征在于，對于每個(gè)所述上電極 (3)，所述緩沖層的材料從由氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和氧化鉭形成的組中選擇。
6. 如前面任一權(quán)利要求所述的面板，其特征在于，對于每個(gè)所述上電極 (3)，所述第二導(dǎo)電層(33)的材料是氧化物基的。
7. 如權(quán)利要求6所述的面板，其特征在于，所述氧化物從由混合錫銦氧 化物(ITO)和混合錫鋅氧化物(IZO)形成的組中選"l奪。
8. 如權(quán)利要求6或7所述的面板，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層(33)的厚度等于或大于100 nm。
9. 如前面任一權(quán)利要求所述的面板，其特征在于，對于每個(gè)所述上電極 (3),所述第一導(dǎo)電層(31)的材料是金屬。
10. 如權(quán)利要求9所述的面板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層(31)的 厚度大于1 nm但不超過20 nm。
11. 如前面任一權(quán)利要求所述的面板，其特征在于，對于每個(gè)所述上電 極(3),所述第二導(dǎo)電層(33)的厚度大于所述第一導(dǎo)電層(31)的厚度。
12. 如前面任一權(quán)利要求所述的面板，其特征在于，對于每個(gè)所述上電 極(3)，所述第二導(dǎo)電層(33)的表面導(dǎo)電率大于所述第一導(dǎo)電層(31)的
全文摘要
本發(fā)明涉及一種面板，其至少一個(gè)上電極對于多個(gè)二極管(5、5’)是公用的并且包括第一導(dǎo)電層(31)和第二導(dǎo)電層(33)，和在所述兩個(gè)導(dǎo)電層(31、33)之間夾置的透明絕緣緩沖層(32)，透明絕緣緩沖層(32)被窗口穿透，該窗口提供了該公共電極(3)的兩個(gè)導(dǎo)電層(31、33)之間的直接接觸區(qū)域，所述接觸區(qū)域(4)與二極管(5、5’)的有源區(qū)域分離。兩個(gè)導(dǎo)電層之間的所述直接接觸區(qū)域的存在使得當(dāng)中間緩沖層是絕緣的時(shí)，由上電極提供的電流能夠具有良好的分布。
文檔編號H05B33/26GK101180922SQ200680018114
公開日2008年5月14日 申請日期2006年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月23日
發(fā)明者岡瑟·哈斯, 戴維·沃弗雷, 貝努瓦·拉西尼 申請人:湯姆森特許公司