Ito圖案的制備方法、基板的制備方法及基板和終端的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體而言，涉及一種ITO圖案的制備方法。
【背景技術】
[0002]IT0( IndiumTinOxides，銦錫氧化物)是一種透明電極材料，ITO薄膜具有良好的導電性和可見光的透過性，廣泛應用于觸摸屏、LCM等需要作為顯示又有電性功能的產品上，目前制備方法均是在基材上整面性鍍ITO膜，然后通過化學蝕刻制備出所需要的ITO膜圖案。具體地，解析度要求較高的產品均需要黃光制程、覆光阻、曝光、顯影、蝕刻、脫膜、清洗等多個步驟，從而使得傳統(tǒng)制備ITO膜層圖案的工藝比較復雜且成本高。同時，在傳統(tǒng)的制備工藝流程中，需要通過化學刻蝕，而其化學刻蝕所使用的化學試劑王水等都會對環(huán)境造成嚴重污染，進而不符合目前關于節(jié)能、環(huán)保的理念。
[0003]因此，如何設計出一種工藝簡單、成本低且無污染的ITO圖案的制備方法成為目前亟待解決的問題。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明正是基于上述問題，提出了一種工藝簡單、成本低且無污染的ITO圖案的制備方法。
[0005]有鑒于此，本發(fā)明的一方面提出了一種ITO圖案的制備方法，包括:在基板本體的非ITO圖案區(qū)上形成可用第一物質去除的可去除膜層;在形成有所述可去除膜層的基板本體上形成ITO膜層;利用超聲波清洗工藝去除所述基板本體上的所述可去除膜層及所述可去除膜層上的所述ITO膜層，得到所需ITO圖案。
[0006]在該技術方案中，先在基板本體的非ITO圖案區(qū)上利用可去除的制劑制備與所需的ITO膜層圖案相互補的可去除膜層圖案，然后在整個基板本體上形成整層的ITO膜層，接著利用超聲波清洗工藝將可去除膜層清洗掉，具體地，可將第一物質制成的試劑搖擺噴淋到基板本體上，從而可通過溶解的方式將可去除膜層從基板本體上去掉，同時可去除膜層上的ITO膜層由于失去了附體，因此也會隨著可去除膜層的溶解而脫落在第一物質制成的試劑中，從而即可在基板本體的ITO圖案區(qū)上形成所需的ITO圖案。該技術方案通過清除非ITO圖案區(qū)上的膜層的方式得到所需的ITO膜層，相對于傳統(tǒng)的采用掩膜板形成ITO圖案的方式而言，省去了曝光顯影、以及刻蝕剝離等工藝，從而簡化了制備工藝，同時，在該制備工藝中省去了掩膜板的使用，從而降了低ITO膜層圖案的制備成本。此外，該技術方案，利用超聲波清洗工藝清洗掉可去除膜層，相比于傳統(tǒng)的擦拭、溶解而言，能夠提高去除效率，節(jié)約成本。
[0007]在上述技術方案中，優(yōu)選地，所述第一物質為水，所述可去除膜層可溶于水。
[0008]在上述技術方案中，優(yōu)選地，所述超聲波清洗工藝為超聲波水洗工藝。
[0009]在該技術方案中，可去除膜層為可溶于水的物質，因此，再利用超聲波清洗工藝去除可去除膜層時，便可利用超聲波水洗工藝清洗掉可去除膜層。具體地，第一物質為水相比于其它化學試劑而言，具有容易獲得、環(huán)保等優(yōu)點，因此，利用水去除可去除膜層能夠降低ITO圖案的制備成本，且更加符合當前關于節(jié)能環(huán)保的理念。同時，第一物質為水時，便可利用超聲波水洗工藝直接去除掉可去除膜層，從而便可將去除可去除膜層工藝、清洗工藝合二為一，從而簡化了工藝流程，提高了 ITO圖案的制備效率。
[0010]在上述技術方案中，所述在形成有所述可去除膜層的基板本體上形成ITO膜層，包括:利用磁控濺射工藝或蒸發(fā)鍍膜工藝在形成有所述可去除膜層的基板本體上形成所述ITO膜層。
[0011]在該技術方案中，可以采用鍍膜工藝在形成有可去除膜層的基板本體上形成所述ITO膜層，具體地，可優(yōu)選采用磁控濺射工藝、蒸發(fā)鍍膜工藝在形成有可去除膜層的基板本體上形成ITO膜層。優(yōu)選地，為了避免將可去除膜層置于高溫環(huán)境而使得可去除膜層凝固，可以采用其他低溫鍍膜工藝在形成有可去除膜層的基板本體上形成ITO膜層。而具體鍍膜工藝可以根據基板本體和膜層材料的不同而選擇適當的工藝，在此不做限定。
[0012]值得說明的是，本發(fā)明也可采用其它鍍膜工藝或其它方式在基板本體上形成所述ITO膜層。
[0013]在上述技術方案中，所述在基板本體的非ITO圖案區(qū)上形成可用第一物質去除的可去除膜層包括:將所述可去除膜層印刷或繪制在所述基板本體的所述非ITO圖案區(qū)上，以在所述非ITO圖案區(qū)形成所述可去除膜層。
[0014]在該技術方案中，可采用手動或自動控制方式用記號筆在基板本體的非ITO圖案區(qū)上繪制出可去除膜層，同時，也可以采用印刷的方式，在基板本體的非ITO圖案區(qū)上形成可去除膜層。具體地，在具體實施時，可以通過計算機編程設計圖案的方式設計記號筆或噴頭的軌跡以實現該可去除膜層圖案的形成。當然，還可以采用其它類似手段在基板本體上形成可去除膜層，例如，采用絲網印刷、傳統(tǒng)膠印或數碼印刷等方式在基板本體上形成可去除膜層，只需形成的可去除膜層可被第一物質去除即可，而具體的形成方式在此不做限定。
[0015]在上述技術方案中，所述基板本體包括玻璃基板本體、柔性基板本體、彩色濾光片基板本體。
[0016]在該技術方案中，基板本體可以是顯示器面板，如液晶顯示器、LED顯示器的面板，也可以是彩色濾光片基板本體或玻璃基板本體、柔性基板本體，具體地，柔性基板本體包括塑料基板本體等。
[0017]在上述技術方案中，利用磁控濺射工藝或蒸發(fā)鍍膜工藝在形成有所述可去除膜層的基板本體上形成所述ITO膜層時，形成所述ITO膜層的溫度小于200°C。
[0018]在該技術方案中，磁控濺射工藝或蒸發(fā)鍍膜時，溫度不能過高，否則可去除膜層容易凝固而難以清洗掉，因此，優(yōu)選地，溫度小于200°C。
[0019]本發(fā)明第二方面提供一種基板的制備方法，其中，該制備方法中，采用第一方面任一項實施例所述的ITO圖案的制備方法進行基板本體上的ITO圖案制備，同時，在進行ITO圖案制備之如還包括:制備所述基板本體。
[0020]該技術方案采用了第一方面任一項實施例所述的ITO圖案的制備方法來制備ITO圖案，因此，具有第一方面任一項實施例所述的ITO圖案的制備方法的有益效果，在此不再贅述。
[0021]本發(fā)明第三方面提供一種基板，采用上述實施例所述的基板的制備方法制備而成，因此，具有基板的制備方法的有益效果，在此不再贅述。
[0022]本發(fā)明第四方面提供一種終端，該終端包括第三方面所述的基板。
【附圖說明】
[0023]圖1示出了根據本發(fā)明的一個實施例的ITO圖案的制備方法的流程示意圖；
[0024]圖2示出了根據本發(fā)明的一個實施例的基板的制備方法的流程示意圖；
[0025]圖3示出了根據本發(fā)明的一個實施例的基板的結構示意框圖；
[0026]圖4示出了根據本發(fā)明的一個實施例的終端的結構示意框圖；
[0027]圖5至圖8示出了根據本發(fā)明的一個實施例的ITO圖案的制備方法的工藝流程示意圖。
【具體實施方式】
[0028]為了可以更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點，下面結合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明進行進一步的詳細描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0029]在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實施，因此，本發(fā)明的保護范圍并不受下面公開的具體實施例的限制。
[0030]圖1示出了根據本發(fā)明的一個實施例的ITO圖案的制備方法的流程示意圖。
[0031]如圖1所示，本發(fā)明的一方面提出了一種ITO圖案的制備方法，包括以下步驟:
[0032]步驟102，在基板本體的非ITO圖案區(qū)上形成可用第一物質去除的可去除膜層。在該步驟中，基板本體上包括相互互補的ITO圖案區(qū)和非ITO圖案區(qū)，而非ITO圖案區(qū)上的膜層可去除，從而在整個基板本體上形成ITO膜層后，即可利用第一物質擦拭、溶解等方式將可去除膜層去除，以在基板本體上形成所需的ITO圖案。
[0033]步驟104，在形成有所述可去除膜層的基板本體上形成ITO膜層。在該步驟中，在基板本體的整個表面上形成ITO膜層，而由于非ITO圖案區(qū)上形成有可去除膜層，因此，便只有ITO圖案區(qū)上直接附著有ITO膜層，從而在將可去除膜層利用溶解、擦拭等方式去除時，可去除膜層上的ITO膜層由于失去了附體，便會隨著可去除膜層的溶解而脫落在第一物質制成的試劑中，從而便可使非ITO圖案區(qū)上的ITO膜層自然脫落，進而便可在基板本體上形成所需的ITO圖案。
[0034]步驟106，利用超聲波清洗工藝去除所述基板本體上的所述可去除膜層及所述可去除膜層上的所述ITO膜層，得到所需ITO圖案。在該步驟中，在利用超聲波清洗工藝將可去除膜層清洗掉時，可將第一物質制成的試劑搖擺噴淋到基板本體上，從而可通過溶解的方式將可去除膜層從基板本體上去掉。
[0035]該技術方案通過擦拭、溶解等去除非ITO圖案區(qū)上的膜層的方式而得到所需的ITO膜層，相對于傳統(tǒng)的采用掩膜板形成ITO圖案的方式而言，省去了曝光顯影、以及刻蝕剝離等工藝，從而簡化了制備工藝，同時，在該制備工藝中省去了掩膜板的使用，從而降了低ITO膜層圖案的制備成本。此外，該技術方案，利用超聲波清洗工藝清洗掉可去除膜層，相比于傳統(tǒng)的擦拭、溶解而言，能夠提高去除效率，節(jié)約成本。
[0036]在上述技術方案中，優(yōu)選地，所述第一物質為水，所述可去除膜層可溶于水。
[0037]在上述技術方案中，優(yōu)選地，所述超聲波清洗工藝為超聲波水洗工藝。
[0038]在該技術方案中，可去除膜層為可溶于水的物質，因此，再利用超聲波清洗工藝去除可去除膜層時，便可利用超聲波水洗工藝清洗掉可去除膜層。具體地，第一物質為水相比于其它化學試劑而言，具有容易獲得、環(huán)保等優(yōu)點，