專利名稱：具有傾斜分隔帶的有機(jī)電致發(fā)光器件以及涂覆制造技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光顯示器，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種利用傾斜分隔帶(sloped banks)和噴嘴涂覆技術(shù)或噴墨涂覆技術(shù)制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光顯示器包括陰極，用于注入電子；陽(yáng)極，用于注入空穴；以及有機(jī)電致發(fā)光層，位于這兩個(gè)電極之間。即，在陽(yáng)極與陰極之間，有機(jī)電致發(fā)光二極管具有多層結(jié)構(gòu)的有機(jī)薄膜。在將正向電流施加到有機(jī)電致發(fā)光二極管時(shí)，因?yàn)樘峁┛昭ǖ年?yáng)極與提供電子的陰極之間的P-N結(jié)，在有機(jī)電致發(fā)光層中使電子-空穴對(duì)(通常稱為激子)組合在一起。電子-空穴對(duì)組合在一起時(shí)的能量比它們分開時(shí)的能量要低。有機(jī)電致發(fā)光單元把組合電子-空穴對(duì)與分開的電子-空穴對(duì)之間的能隙變換為光。即，在電流流過(guò)時(shí)，有機(jī)電致發(fā)光層發(fā)出因?yàn)殡娏髁鲃?dòng)時(shí)電子與空穴重新組合在一起而產(chǎn)生的能量。
根據(jù)以上原理，與液晶顯示器相比，有機(jī)電致發(fā)光器件不需要附加光源。此外，電致發(fā)光器件的厚度薄、重量輕，而且能量效率高。有機(jī)電致發(fā)光器件具有用于顯示圖像的非常有利的條件，例如，功耗低、亮度高、響應(yīng)時(shí)間短以及重量輕。因?yàn)榫哂羞@些有利條件，所以有機(jī)電致發(fā)光器件適用于各種電子裝備，例如移動(dòng)通信設(shè)備，PDA(個(gè)人數(shù)字助理)、攝像錄像機(jī)以及掌上型PC。因?yàn)樵谥圃煊袡C(jī)電致發(fā)光器件時(shí)的制造過(guò)程簡(jiǎn)單，所以與液晶顯示器相比，降低了生產(chǎn)成本。
操作有機(jī)電致發(fā)光顯示器的驅(qū)動(dòng)方法分為無(wú)源矩陣型和有源矩陣型。與有源矩陣型相比，無(wú)源矩陣型的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單而且制造過(guò)程簡(jiǎn)單，但是功耗高。此外，無(wú)源矩陣型難以制造大尺寸的有機(jī)電致發(fā)光顯示器，而且隨著總線數(shù)量的增加，孔徑比降低。
相反，與無(wú)源矩陣型相比，有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度高、顯示質(zhì)量高。有機(jī)電致發(fā)光器件的核心元件是有機(jī)電致發(fā)光(EL)材料，例如低或高分子量有機(jī)EL材料。容易處理高分子量有機(jī)EL材料，而難以處理低分子量有機(jī)EL材料，而且高分子量有機(jī)EL材料具有良好的耐熱性。
圖1是示出根據(jù)背景技術(shù)的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示器的示意剖視圖。
如圖1所示，有機(jī)電致發(fā)光顯示器10包括利用密封劑26連接在一起的第一基板12和第二基板28。在第一基板12上，形成多個(gè)薄膜晶體管(TFT)T和陣列部分14。在TFT T和陣列部分14上順序形成第一電極(即，陽(yáng)極)16、有機(jī)發(fā)光層18以及第二電極(即，陰極)20。此時(shí)，在每個(gè)像素P，有機(jī)發(fā)光層18包括紅(R)、綠(G)或藍(lán)(B)，因此，每個(gè)像素P發(fā)出紅(R)光、綠(G)光或藍(lán)(B)光。即，為了顯示彩色圖像，在每個(gè)像素P中分別設(shè)置有機(jī)彩色發(fā)光圖形。此外，通過(guò)在每個(gè)像素P內(nèi)構(gòu)圖或者印刷彩色有機(jī)材料，形成有機(jī)發(fā)光層18。
仍參考圖1，利用密封劑26連接到第一基板12的第二基板28包括位于其背面上的吸濕劑22。吸濕劑22吸收可能存在于第一基板12與第二基板28之間的單元間隙內(nèi)的濕氣。如果要將吸濕劑22設(shè)置在第二基板28上，則蝕刻部分第二基板28以形成凹槽。此后，將粉末型吸濕劑22設(shè)置在該凹槽內(nèi)，然后，將密封帶25粘附到第二基板28上以使粉末型吸濕劑22固定到該凹槽內(nèi)。
在上述結(jié)構(gòu)和配置中，利用例如噴嘴涂覆技術(shù)形成有機(jī)發(fā)光層。在噴嘴涂覆技術(shù)中，利用隔板(separator)或分隔帶(banks)形成單獨(dú)的紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)有機(jī)發(fā)光層。如果將像素的長(zhǎng)軸定義為縱向，而將像素的短軸定義為橫向，則噴嘴沿縱向以直線、往復(fù)方式移動(dòng)，從而形成彩色有機(jī)EL材料，因此，有機(jī)發(fā)光層是具有希望寬度的直線形狀。因此，排列在縱向上的各像素彼此具有同樣的彩色EL材料，所以發(fā)出同樣顏色的光。此外，排列在橫向的各像素交替具有紅(R)色、綠(G)色和藍(lán)(B)色。此時(shí)，為了防止在紅(R)與綠(G)EL材料、綠(G)與藍(lán)(B)EL材料或藍(lán)(B)與紅(R)EL材料之間產(chǎn)生干擾，在紅(R)有機(jī)發(fā)光層、綠(G)有機(jī)發(fā)光層和藍(lán)(B)有機(jī)發(fā)光層之間，在縱向設(shè)置縱向分隔帶。
例如利用光刻法或印刷方法，可以形成縱向分隔帶。如果利用光刻法形成縱向分隔帶，則首先利用旋涂方法或噴涂方法在該基板上形成有機(jī)材料，然后，在有機(jī)材料上淀積光致抗蝕劑。此后，在光致抗蝕劑上設(shè)置其形狀對(duì)應(yīng)于縱向分隔帶的掩模用于曝光。在利用掩模曝光后，顯影被曝光的光致抗蝕劑以使其具有分隔帶形狀。然后，將有機(jī)材料蝕刻為縱向分隔帶。
圖2是示出根據(jù)背景技術(shù)具有縱向分隔帶的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面示意圖。如圖所示，在縱向設(shè)置多個(gè)縱向分隔帶50。在縱向分隔帶50之間設(shè)置多個(gè)像素60。在每個(gè)像素60中，設(shè)置薄膜晶體管T和像素電極57。當(dāng)在兩個(gè)縱向分隔帶50之間形成彩色有機(jī)發(fā)光層62時(shí)，用于注射有機(jī)EL材料的噴嘴在縱向移動(dòng)，然后，將有機(jī)EL材料涂覆到基板上。此時(shí)，非常難以使彩色有機(jī)發(fā)光層62具有均勻、穩(wěn)定的厚度，因?yàn)樵趪娮煲苿?dòng)期間，噴嘴的掃描速度和有機(jī)EL材料的噴涂量非常不同而且是可變的。
圖3是示出根據(jù)背景技術(shù)在縱向分隔帶之間在基板上形成發(fā)光聚合物的噴嘴注射過(guò)程的示意透視圖。在基板100上形成多個(gè)像素60，并在基板上，在縱向設(shè)置多個(gè)縱向分隔帶50，同時(shí)劃分縱向排列的各像素60。噴嘴80在縱向分隔帶50之間注射發(fā)光聚合物90。當(dāng)在噴嘴注射后使發(fā)光聚合物90平坦化時(shí)，注射的發(fā)光聚合物90會(huì)從位于兩個(gè)縱向分隔帶50之間的溝槽的端部的、基板100的邊緣向下流。因此，注射的發(fā)光聚合物90的厚度變薄，而且非常難以使發(fā)光層90平坦化。此外，在基板100上的各縱向分隔帶50之間，發(fā)光層90的厚度不均勻，而且變化。
為了解決這些問題，有時(shí)要降低噴嘴80的掃描速度。然而，降低掃描速度會(huì)導(dǎo)致從縱向分隔帶溢出，使得發(fā)光聚合物90影響相鄰像素的發(fā)光聚合物。如果提高噴嘴80的掃描速度，則可以在兩條縱向分隔帶50之間的溝槽內(nèi)形成發(fā)光層90，但是可能非常薄。因此，所完成的有機(jī)電致發(fā)光器件的工作特性不好。
此外，縱向分隔帶50的形狀也影響發(fā)光層90的厚度和平坦化。圖4是沿圖3中的線IV-IV取的剖視圖。如圖4所示，縱向分隔帶50具有矩形剖面。這樣，因?yàn)橐合喟l(fā)光聚合物90的表面張力，所以在發(fā)光聚合物90與縱向分隔帶50之間的接觸部分S，發(fā)光聚合物90倚著縱向分隔帶50升高。因此，發(fā)光聚合物90的厚度在接觸縱向分隔帶50的區(qū)域厚，而且平坦化情況差。因此，發(fā)光層90厚度的不均勻性和不平坦化使得有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光度低，而且效率低。此外，還縮短了發(fā)光層90的壽命。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種基本解決了因?yàn)楸尘凹夹g(shù)的局限性和缺陷產(chǎn)生的一個(gè)或者多個(gè)問題、用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種在噴嘴涂覆過(guò)程中，可以使發(fā)光聚合物具有均勻平坦性和厚度、用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法。
在以下的說(shuō)明中將說(shuō)明本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)，而且部分地通過(guò)根據(jù)以下說(shuō)明，本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，或者通過(guò)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明可以得知本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)。利用書面說(shuō)明書及其權(quán)利要求和附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)并獲得本發(fā)明的目的以及其他優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些以及其他優(yōu)點(diǎn)，而且根據(jù)本發(fā)明的目的，正如在此所實(shí)現(xiàn)和廣泛描述的那樣，制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法包括在其上限定了多個(gè)第一、第二以及第三像素的透明基板上形成第一電極；利用掩模，在第一電極上形成多個(gè)縱向分隔帶和橫向分隔帶，其中沿著相鄰像素的邊界在沿著像素的長(zhǎng)軸的縱向設(shè)置縱向分隔帶，而且縱向分隔帶具有傾斜側(cè)壁，而且其中沿著相鄰像素的邊界在沿著像素的短軸的橫向設(shè)置橫向分隔帶，而且橫向分隔帶具有不同的高度和寬度；在各縱向分隔帶之間，在多個(gè)第一、第二以及第三像素中的第一電極上形成有機(jī)發(fā)光聚合物層，有機(jī)發(fā)光聚合物層分別發(fā)出紅光、綠光和藍(lán)光；以及在有機(jī)發(fā)光聚合物層上形成第二電極，第二電極分別設(shè)置在每個(gè)第一、第二以及第三像素內(nèi)。
在另一個(gè)方面中，制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法包括在透明基板上限定多個(gè)第一、第二以及第三像素；在透明基板上形成多個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)第一、第二以及第三像素中的每一個(gè)，每個(gè)薄膜晶體管包括柵極、有源層、源極以及漏極；在整個(gè)基板上形成鈍化層以覆蓋多個(gè)薄膜晶體管，鈍化層具有多個(gè)分別露出漏極的漏極接觸孔；在第一、第二以及第三像素中的每一個(gè)上的鈍化層上分別形成第一電極，第一電極通過(guò)漏極接觸孔接觸漏極；利用掩模，在第一電極上形成多個(gè)縱向分隔帶和橫向分隔帶，其中沿著相鄰像素的邊界在沿著像素的長(zhǎng)軸的縱向設(shè)置縱向分隔帶，而且縱向分隔帶具有傾斜側(cè)壁，而且其中沿著相鄰像素的邊界在沿著像素的短軸的橫向設(shè)置橫向分隔帶，而且橫向分隔帶具有不同的高度和寬度；在各縱向分隔帶之間，在多個(gè)第一、第二以及第三像素上的第一電極上形成有機(jī)發(fā)光聚合物層，有機(jī)發(fā)光聚合物層分別發(fā)出紅光、綠光和藍(lán)光；以及在有機(jī)發(fā)光聚合物層上形成第二電極，第二電極分別設(shè)置在每個(gè)第一、第二以及第三像素內(nèi)。
顯然，以上對(duì)本發(fā)明所做的一般說(shuō)明和以下對(duì)本發(fā)明所做的詳細(xì)說(shuō)明均是典型性和說(shuō)明性的，而且意在進(jìn)一步解釋權(quán)利要求所述的本發(fā)明。


所包括的附圖有助于進(jìn)一步理解本發(fā)明，而且引入本說(shuō)明書作為本說(shuō)明書的一部分，它示出本發(fā)明實(shí)施例而且與說(shuō)明一起用于解釋本發(fā)明原理。附圖包括圖1是示出根據(jù)背景技術(shù)的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示器的示意剖視圖；圖2是示出根據(jù)背景技術(shù)具有縱向分隔帶的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面示意圖；
圖3是示出根據(jù)背景技術(shù)在縱向分隔帶之間在基板上形成發(fā)光聚合物的噴嘴注射過(guò)程的示意透視圖；圖4是沿圖3中的線IV-IV取的剖視圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明具有縱向分隔帶和橫向分隔帶的基板的示意透視圖；圖6A至6C是根據(jù)本發(fā)明的縱向分隔帶和橫向分隔帶的實(shí)施例的剖視圖；圖7是沿圖5中的線VII-VII取的剖視圖；圖8A和8B示出根據(jù)本發(fā)明利用負(fù)性光致抗蝕劑形成分隔帶的各工藝步驟；圖9A和9B示出根據(jù)本發(fā)明利用正性光致抗蝕劑形成分隔帶的各工藝步驟；圖10是沿圖5中的線X-X取的剖視圖，而且示出根據(jù)本發(fā)明在橫向分隔帶上形成有機(jī)發(fā)光聚合物；圖11是根據(jù)本發(fā)明的無(wú)源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件的透視圖；圖12A至12C示出形成圖11所示無(wú)源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件的各工藝步驟；圖13是根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件的透視圖；以及圖14A至14D示出形成圖13所示有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件的各工藝步驟。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，將詳細(xì)說(shuō)明附圖所示的本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例。凡是在可能的地方，附圖中均采用同樣的參考編號(hào)表示同樣或類似的部分。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明具有縱向分隔帶和橫向分隔帶的基板的示意透視圖。如圖所示，在基板110上，在縱向形成多個(gè)縱向分隔帶52，而且在基板110上，在橫向形成多個(gè)橫向分隔帶55。在基板110上，在各縱向分隔帶52之間以及在各橫向分隔帶55之間形成多個(gè)像素62。即，縱向分隔帶52在縱向(即，在列方向)劃分像素62，而橫向分隔帶55在橫向(即，行方向)劃分像素62。利用同樣的彩色有機(jī)發(fā)光聚合物90涂覆以列排列的各像素62。然而，以行排列的各像素62以交替順序具有紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)有機(jī)發(fā)光聚合物90。因此，縱向分隔帶52劃分R、G和B有機(jī)發(fā)光聚合物90，并防止相鄰像素的有機(jī)發(fā)光聚合物的橫向干擾。
正如參考圖4所述，因?yàn)楸砻鎻埩Γ栽诮佑|部分S，有機(jī)發(fā)光聚合物90倚著縱向升高，而且平坦化情況差。為了防止在本發(fā)明中出現(xiàn)這種現(xiàn)象，本發(fā)明的縱向分隔帶52具有各種剖面，如圖6A至6C所示。
圖6A至6C是根據(jù)本發(fā)明的縱向分隔帶和橫向分隔帶的剖視圖。例如，縱向分隔帶52可以具有的形狀有梯形(如圖6A所示)、半拋物線形(如圖6B所示)或三角形(如圖6C所示)。也可以采用其他形狀，以使縱向分隔帶具有傾斜側(cè)壁。根據(jù)各種因素，包括分隔帶材料、蝕刻劑和蝕刻速度以及所使用的特定光致抗蝕劑和顯影劑，來(lái)確定側(cè)壁的形狀。縱向分隔帶52的傾斜面可以與基板成角度φ。角度φ的值可以在0至90度之間變化。此外，還可以根據(jù)所采用的分隔帶是什么形狀以及使用什么類型的有機(jī)發(fā)光聚合物，來(lái)改變縱向分隔帶52的寬度W和高度H。
圖7是沿圖5中的線VII-VII取的剖視圖。在縱向分隔帶52具有如圖7所示的傾斜側(cè)面時(shí)，利用噴嘴(圖5中的參考編號(hào)80)注射的有機(jī)發(fā)光聚合物90沿傾斜側(cè)面下滑。因此，在縱向分隔帶52與有機(jī)發(fā)光聚合物90之間的接觸部分S，有機(jī)發(fā)光聚合物90的厚度不厚，從而在整個(gè)基板110上實(shí)現(xiàn)均勻平坦化。
在圖5所示的橫向分隔帶55具有圖6A至6C所示的剖面形狀時(shí)，在橫向分隔帶55上形成的有機(jī)發(fā)光聚合物90與在縱向分隔帶52之間形成的有機(jī)發(fā)光聚合物90具有同樣的特性。與縱向分隔帶52相同，橫向分隔帶55可以具有例如梯形(如圖6A所示)、半拋物線形(如圖6B所示)或三角形(如圖6C所示)。也可以采用其他形狀，以使橫向分隔帶具有傾斜側(cè)壁。橫向分隔帶55的傾斜側(cè)面可以與基本基板成角度φ。角度φ的值可以在0至90度之間變化。此外，還可以根據(jù)所采用的分隔帶是什么形狀以及使用什么類型的有機(jī)發(fā)光聚合物，來(lái)改變橫向分隔帶的寬度W和高度H。
在同一個(gè)工藝步驟中，一起形成縱向分隔帶52和橫向分隔帶55。在形成縱向分隔帶52和橫向分隔帶55時(shí)，對(duì)縱向分隔帶52進(jìn)行控制以使其具有足以防止所注射的有機(jī)發(fā)光聚合物90溢出的同樣高度。然而，所形成的橫向分隔帶55可以具有各種高度。在對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行掩模工藝期間，利用衍射曝光可以實(shí)現(xiàn)這些高度變化。以下將參考圖8A-8B以及圖9A-9B說(shuō)明衍射曝光過(guò)程。
圖8A和8B示出根據(jù)本發(fā)明利用負(fù)性光致抗蝕劑形成分隔帶的各工藝步驟。
如圖8A所示，在基板115上形成有機(jī)層117。此后，在有機(jī)層117上形成負(fù)性光致抗蝕劑120。在將掩模140設(shè)置到負(fù)性光致抗蝕劑120上方后，通過(guò)掩模140，利用紫外線(UV)輻照光致抗蝕劑120。
在此曝光過(guò)程中，掩模140包括UV線完全通過(guò)的第一部分、UV線被完全阻擋的第二部分以及一些UV線通過(guò)、而一些UV線被阻擋的第三部分。第一部分完全敞開以對(duì)負(fù)性光致抗蝕劑120的相應(yīng)部分輻照UV線。掩模的第二部分完全阻擋UV線，以便在顯影過(guò)程中，去除對(duì)應(yīng)于該第二部分的一部分負(fù)性光致抗蝕劑120。第三部分包括許多用于衍射UV線的隙縫150，以使部分UV線通過(guò)掩模140，并輕微地輻照負(fù)性光致抗蝕劑120的相應(yīng)部分。在通過(guò)掩模140輻照UV后，負(fù)性光致抗蝕劑120被顯影為希望的圖形。對(duì)應(yīng)于第一部分的負(fù)性光致抗蝕劑120的完全曝光部分保持原樣。對(duì)應(yīng)于第二部分的完全不曝光部分被去除，因此有機(jī)層117被露出。而對(duì)應(yīng)于第三部分的負(fù)性光致抗蝕劑120的被輕微曝光部分被稍許去除，而且不具有其原始厚度了，因?yàn)樵撠?fù)性光致抗蝕劑部分被衍射的UV線曝光。
完成顯影過(guò)程之后，對(duì)剩余的光致抗蝕劑和有機(jī)層117進(jìn)行蝕刻處理。在蝕刻對(duì)應(yīng)于第一部分掩模的一部分負(fù)性光致抗蝕劑120時(shí)，對(duì)應(yīng)于第二部分掩模的一部分有機(jī)層117也被蝕刻掉。此外，完全去除對(duì)應(yīng)于第三部分的負(fù)性光致抗蝕劑120的剩余部分，而部分去除有機(jī)層117的上部。因此，最后以不同的厚度形成分隔帶130和135，如圖8B所示。對(duì)應(yīng)于掩模140的第一部分的分隔帶130的厚度厚，因此它可以作為圖5所示縱向分隔帶52，或作為高度高的橫向分隔帶55。而對(duì)應(yīng)于掩模140的第三部分的分隔帶135的厚度薄，因此它可以作為高度低的橫向分隔帶55。
圖9A和9B示出根據(jù)本發(fā)明利用正性光致抗蝕劑形成分隔帶的各工藝步驟。
如圖9A所示，在基板115上形成有機(jī)層117。此后，在有機(jī)層117上形成正性光致抗蝕劑122。在正性光致抗蝕劑122上方設(shè)置了掩模160后，通過(guò)掩模160，對(duì)正性光致抗蝕劑122輻照紫外(UV)線。
在此曝光過(guò)程中，掩模160包括UV線被完全阻擋的第一部分、UV線完全通過(guò)的第二部分以及一些UV線通過(guò)、而一些UV線被阻擋的第三部分。
掩模160的第一部分完全阻擋UV線，以便在顯影過(guò)程中，去除對(duì)應(yīng)于該第一部分的一部分正性光致抗蝕劑122。第二部分完全敞開以對(duì)正性光致抗蝕劑122的相應(yīng)部分輻照UV線。第三部分包括許多用于衍射UV線的隙縫170，以使部分UV線通過(guò)掩模160，并輕微輻照負(fù)性光致抗蝕劑122的相應(yīng)部分。在通過(guò)掩模160輻照UV后，正性光致抗蝕劑122被顯影為希望的圖形。對(duì)應(yīng)于掩模160的第一部分的正性光致抗蝕劑122的完全未曝光部分保持原樣。對(duì)應(yīng)于掩模160的第二部分的光致抗蝕劑122的完全曝光部分被去除，因此有機(jī)層117被露出。而對(duì)應(yīng)于第三部分的正性光致抗蝕劑122的被輕微曝光部分被稍許去除，而且不具有其原始厚度了，因?yàn)樵撜怨庵驴刮g劑部分被衍射的UV線曝光。
完成顯影過(guò)程之后，對(duì)剩余的光致抗蝕劑和有機(jī)層117進(jìn)行蝕刻處理。在蝕刻對(duì)應(yīng)于第一部分掩模的一部分正性光致抗蝕劑122時(shí)，對(duì)應(yīng)于掩模160的第二部分的一部分有機(jī)層117也被蝕刻掉。此外，完全去除對(duì)應(yīng)于第三部分的正性光致抗蝕劑122的剩余部分，并且部分去除對(duì)應(yīng)于第三部分的有機(jī)層117的上部。因此，與圖8A和8B所示的負(fù)性光致抗蝕劑工藝相同，最后以不同的厚度形成分隔帶130和135，如圖9B所示。對(duì)應(yīng)于掩模160的第一部分的分隔帶130的厚度厚，因此它可以作為圖5所示縱向分隔帶52，或作為高度高的橫向分隔帶55。而對(duì)應(yīng)于掩模160的第三部分的分隔帶135的厚度薄，因此它可以作為高度低的橫向分隔帶55。
正如參考圖8A-8B以及9A-9B所述，盡管縱向分隔帶52和橫向分隔帶55具有不同的厚度，但是可以在同一個(gè)掩模工藝中，一起形成縱向分隔帶52和橫向分隔帶55。因?yàn)檠谀?40或160具有隙縫部分150和170而且利用UV線的衍射，所以可以使所形成的橫向分隔帶55具有不同的高度，而且可以使所形成的縱向分隔帶52具有均勻的厚度。
圖10是沿圖5中的線X-X取的剖視圖，而且示出根據(jù)本發(fā)明在橫向分隔帶上形成有機(jī)發(fā)光聚合物的過(guò)程。
在基板110上設(shè)置具有不同高度的橫向分隔帶55，然后，以利用噴嘴80注射的方式，在基板110和橫向分隔帶55上涂覆有機(jī)發(fā)光聚合物90。正如參考圖6A-6C所述，橫向分隔帶55具有傾斜側(cè)壁，因此涂覆的有機(jī)發(fā)光聚合物90可能沿這些側(cè)壁向下滑動(dòng)。因此，可以獲得均勻平坦化的有機(jī)發(fā)光聚合物90。此外，橫向分隔帶55防止所注射的發(fā)光聚合物90在基板110的邊緣向下流。
根據(jù)橫向分隔帶55的高度和寬度，控制所涂覆的有機(jī)發(fā)光聚合物90的厚度。此外，還可以利用噴嘴的注射過(guò)程控制所涂覆的有機(jī)發(fā)光聚合物90的厚度。噴嘴80的掃描速度和有機(jī)發(fā)光聚合物90的注射量確定發(fā)光聚合物90的厚度。為了控制并確定有機(jī)發(fā)光聚合物90的厚度，通過(guò)重復(fù)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，采集實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。在形成橫向分隔帶55之前，在基板110上進(jìn)行噴嘴掃描，然后，量化(datumize)噴嘴掃描速度和注射量，而且還量化所涂覆的有機(jī)發(fā)光聚合物的厚度。根據(jù)量化的數(shù)據(jù)，可以設(shè)計(jì)橫向分隔帶55，使其具有最佳高度和寬度。通過(guò)控制橫向分隔帶的高度和寬度，可以形成具有希望厚度的有機(jī)發(fā)光聚合物90。如果噴嘴80在一些橫向分隔帶上注射少量有機(jī)發(fā)光聚合物90，則可以設(shè)計(jì)這些分隔帶，使其高度高、寬度寬。如果噴嘴80在一些橫向分隔帶上注射大量有機(jī)發(fā)光聚合物90，則可以設(shè)計(jì)這些分隔帶，使其高度低，寬度窄。
此外，如上所述，橫向分隔帶55可以防止所涂覆的有機(jī)發(fā)光聚合物90向下流出到基板110之外。在傳統(tǒng)技術(shù)中，在形成在各縱向分隔帶52之間的溝槽的端部，有機(jī)發(fā)光聚合物90向下流。然而，在本發(fā)明中，由于橫向分隔帶55阻擋向下流，所以所涂覆的有機(jī)發(fā)光聚合物90不再丟失，因此在整個(gè)基板110上實(shí)現(xiàn)良好、均勻厚度的平坦化。
在本發(fā)明中，可以設(shè)計(jì)橫向分隔帶的高度，使其小于縱向分隔帶的高度。橫向分隔帶的最低高度等于或者大于所涂覆的有機(jī)發(fā)光聚合物的厚度。
以下將參考圖11-12以及13-14說(shuō)明包括上述縱向分隔帶和橫向分隔帶的無(wú)源矩陣型和有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件。
圖11是根據(jù)本發(fā)明的無(wú)源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件的透視圖。
如圖11所示，在包括所限定的第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp的基板200上形成第一電極202。在第一電極202上，形成具有同樣高度的各縱向分隔帶204。盡管圖11中未示出，但是還在第一電極202上形成橫向分隔帶(圖12A中的參考編號(hào)206)，然而，橫向分隔帶具有不同的高度和寬度。盡管縱向分隔帶204具有同樣的高度，但是它們可以具有不同的寬度W。
在像素Rp、Gp和Bp上，分別設(shè)置有機(jī)發(fā)光聚合物層210、214以及216。在像素Rp上形成的有機(jī)發(fā)光聚合物層210發(fā)出紅光，在像素Gp上形成的有機(jī)發(fā)光聚合物層216發(fā)出綠光，在像素Bp上形成的有機(jī)發(fā)光聚合物層214發(fā)出藍(lán)光。在每個(gè)有機(jī)發(fā)光聚合物層210、216和214上分別形成第二電極220。第二電極220與相鄰像素的第二電極電隔離，因此每個(gè)像素Rp、Gp和Bp分別包括一個(gè)第二電極220。第一電極202將空穴注入有機(jī)發(fā)光聚合物層210、216和214內(nèi)，因此通常將它稱為陽(yáng)極。第二電極220將電子注入有機(jī)發(fā)光聚合物層210、216和214內(nèi)，因此通常將它稱為陰極。
本發(fā)明的縱向分隔帶204用于將第二電極220獨(dú)立地分成像素Rp、Gp和Bp，防止有機(jī)發(fā)光聚合物層210、216和214擴(kuò)散，以及利用在其傾斜面的向下滑動(dòng)，使有機(jī)發(fā)光聚合物層210、216和214具有均勻的平坦化。此外，當(dāng)在兩個(gè)縱向分隔帶204之間的溝槽內(nèi)利用噴嘴涂覆有機(jī)發(fā)光聚合物時(shí)，橫向分隔帶(圖12A中的參考編號(hào)206)使有機(jī)發(fā)光聚合物具有均勻厚度和平坦化。
仍參考圖11，在有機(jī)發(fā)光聚合物層210、216和214的上表面和下表面上分別形成空穴遷移層203和電子遷移層218。因?yàn)榇嬖诳昭ㄟw移層203和電子遷移層218，所以載流子(空穴和電子)不直接注入有機(jī)發(fā)光聚合物層210、216和214。由于載流子通過(guò)遷移層203和218從電極202和220到達(dá)有機(jī)發(fā)光聚合物層210、216和214(即，兩步注入)，所以可以提高量子效率(注入的每個(gè)電荷放出的光子數(shù)(photo-out perinjected-charge))，并且可以降低驅(qū)動(dòng)電壓。
當(dāng)在有機(jī)發(fā)光聚合物層210、216和214上形成第二電極220時(shí)，控制淀積方向，以在每個(gè)像素Rp、Gp和Bp上分別形成第二電極220。控制淀積方向的一種方式是在淀積第二電極220時(shí)使基板200傾斜?；鍍A斜可以防止第二電極220在淀積過(guò)程中交疊縱向分隔帶204，以便在每個(gè)像素Rp、Gp和Bp上分別形成第二電極220?？刂频矸e方向的另一種方式是控制第二電極220的目標(biāo)位置。通過(guò)移動(dòng)第二電極淀積的目標(biāo)位置，也可以在每個(gè)像素Rp、Gp和Bp上分別形成第二電極220。即，控制淀積方向可以使第二電極220僅形成在有機(jī)發(fā)光聚合物層210、216和214的正上方而且位于縱向分隔帶204的上部和一個(gè)傾斜側(cè)壁上。
通過(guò)如上所述在具有本發(fā)明的縱向分隔帶和橫向分隔帶的基板上利用噴嘴進(jìn)行涂覆，可以形成圖11所示的無(wú)源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件。圖12A至12C示出形成圖11所示無(wú)源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件的各工藝步驟。
參考圖12A，基板200包括第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp。在其上限定了第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp的基板220上形成第一電極202。如上所述，第一電極202是具有高功函數(shù)(work function)的陽(yáng)極。例如，第一電極202可以由錫銦氧化物(ITO)形成。接著，在第一電極202上一起形成縱向分隔帶204和橫向分隔帶206。縱向分隔帶204和橫向分隔帶206由高分子物質(zhì)，例如聚酰亞胺形成。此外，利用參考圖8A-8B以及9A-9B描述的工藝之一形成縱向分隔帶204和橫向分隔帶206。由于利用具有許多隙縫的掩模進(jìn)行衍射曝光，所以縱向分隔帶204具有同樣的高度，而且具有傾斜側(cè)面，而橫向分隔帶206具有不同的高度和寬度，而且也具有傾斜側(cè)面。此后，在第一電極202上形成空穴遷移層203。
接著，在圖12B中，利用噴嘴涂覆的方法，在第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp上分別形成有機(jī)發(fā)光聚合物層210、216和214。有機(jī)發(fā)光聚合物層210、216和214分別發(fā)出紅光、綠光和藍(lán)光。在分別形成有機(jī)發(fā)光聚合物層210、216和214時(shí)，在橫向分隔帶206之上涂覆有機(jī)發(fā)光聚合物，如圖10所示。然而，由于橫向分隔帶206具有傾斜側(cè)壁，所以有機(jī)發(fā)光聚合物向下滑動(dòng)，因此使得第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp均勻平坦化。
在圖12C中，將高分子物質(zhì)涂覆到有機(jī)發(fā)光聚合物層210、216和214上以形成電子遷移層218。可以僅在第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp上，或者在第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp以及橫向分隔帶206上形成電子遷移層218。此后，在整個(gè)基板200上淀積具有低功函數(shù)的導(dǎo)體材料，例如鋁(Al)、鎂(Mg)或鈣(Ca)，從而形成第二電極220(即，陰極)。如上所述，在形成第二電極220時(shí)，控制淀積方向以在第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp上分別形成第二電極220。如圖12C所示，縱向分隔帶206起隔板的作用，它使各層元件分別設(shè)置在第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp上。
圖13是根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件的透視圖。
如圖13所示，在其上具有第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp的基板300上形成薄膜晶體管(TFT)T。每個(gè)TFT T分別設(shè)置在第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp上，而且每個(gè)TFT T具有柵極304、有源層302、源極306以及漏極308。在覆蓋TFT T的同時(shí)，在整個(gè)基板300上設(shè)置鈍化層310。在每個(gè)第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp上的鈍化層310上設(shè)置第一電極312。第一電極312通過(guò)貫穿鈍化層310的漏極接觸孔接觸TFT T的漏極308。此外，在每個(gè)像素Rp、Gp和Bp的第一電極上順序設(shè)置空穴遷移層316、有機(jī)發(fā)光聚合物層322、326或328以及電子遷移層330。第二電極332設(shè)置在位于整個(gè)基板300之上的電子遷移層330上。
仍參考圖13，在鈍化層310上設(shè)置多個(gè)縱向分隔帶314。盡管在圖13中未示出，但是在圖14B中示出了，橫向分隔帶315也設(shè)置在鈍化層310上。沿第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp的邊界設(shè)置縱向分隔帶314和橫向分隔帶315，以便它們將各層元件(第一電極312、空穴遷移層316、有機(jī)發(fā)光聚合物層322、326和328、電子遷移層330)劃分并隔離在第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp內(nèi)。即，縱向分隔帶314和橫向分隔帶315進(jìn)一步防止有機(jī)材料擴(kuò)散到相鄰像素。此外，如上所述，縱向分隔帶314和橫向分隔帶315可以使所涂覆的有機(jī)材料具有均勻的厚度和水平。
圖14A至14D示出形成圖13所示有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光器件的各工藝步驟。
參考圖14A，在透明塑料或玻璃基板300上限定第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp。像素Rp用于發(fā)紅光，像素Gp用于發(fā)綠光，像素Bp用于發(fā)藍(lán)光。在每個(gè)像素Rp、Gp或Bp中，在基板300上形成薄膜晶體管(TFT)T。如上所述，TFT T包括有源層302、柵極304、源極306以及漏極308。此后，為了覆蓋TFT T，在基板300上形成諸如苯并環(huán)丁烯(BCB)或丙烯酸樹脂的有機(jī)材料，從而形成鈍化層310。然后，構(gòu)圖鈍化層310以形成露出TFT T的漏極308的漏極接觸孔。
在圖14B中，在每個(gè)第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp中獨(dú)立地形成第一電極312。第一電極312是具有高功函數(shù)的透明導(dǎo)電電極，例如錫銦氧化物(ITO)。此后，沿第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp的邊界在縱向形成縱向分隔帶314。正如參考圖5-9所述，縱向分隔帶314具有同樣的高度和傾斜側(cè)壁。在形成縱向分隔帶314時(shí)，也形成橫向分隔帶315。由于利用光的衍射形成橫向分隔帶315，正如參考圖8A-8B以及9A-9B所述，所以橫向分隔帶315可以具有不同的高度和寬度。在上下像素的邊界上，在橫向設(shè)置橫向分隔帶315，而且橫向分隔帶315還具有傾斜側(cè)壁。由于縱向分隔帶314和橫向分隔帶315的掩模具有許多隙縫而且利用光的衍射，所以根據(jù)本發(fā)明可以獲得不同高度和寬度的分隔帶。在形成縱向分隔帶314和橫向分隔帶315后，在整個(gè)基板上涂覆有機(jī)材料以形成空穴遷移層316。由于縱向分隔帶314和橫向分隔帶315具有傾斜側(cè)壁，而且所涂覆的有機(jī)材料可以沿傾斜側(cè)壁滑動(dòng)，所以可以在第一、第二以及第三像素Rp、Gp和Bp中形成有機(jī)材料的空穴遷移層316。
現(xiàn)在，在圖14C中，采用參考圖10描述的噴嘴涂覆方法，在空穴遷移層316上形成有機(jī)發(fā)光聚合物層322、326和328。有機(jī)發(fā)光聚合物層322、326和328分別發(fā)紅光、綠光和藍(lán)光。因?yàn)榭v向分隔帶314和橫向分隔帶315具有傾斜側(cè)壁和希望的高度和寬度，所以有機(jī)發(fā)光聚合物層322、326和328變得平坦化而且具有均勻厚度。在形成有機(jī)發(fā)光聚合物層322、326和328后，在有機(jī)發(fā)光聚合物層322、326和328上涂覆有機(jī)材料以形成電子遷移層330。
接著，在圖14D中，在整個(gè)基板300上淀積具有低功函數(shù)的導(dǎo)電材料，例如鋁(Al)、鎂(Mg)或鈣(Ca)，從而形成第二電極332(即，陰極)。
根據(jù)以上描述的本發(fā)明，在形成具有傾斜側(cè)面而且具有不同高度和寬度的縱向分隔帶和橫向分隔帶時(shí)，利用負(fù)性光致抗蝕劑或正性光致抗蝕劑，進(jìn)行衍射曝光。此外，在具有縱向分隔帶和橫向分隔帶的基板上，利用噴嘴涂覆有機(jī)發(fā)光聚合物層。因此，在各像素上形成的有機(jī)發(fā)光聚合物層表現(xiàn)出優(yōu)良的平坦化而且厚度均勻。包括這種有機(jī)發(fā)光聚合物層的有機(jī)電致發(fā)光器件可以具有良好的顯示特性。此外，由于利用同一個(gè)掩模和衍射曝光一起形成橫向分隔帶和縱向分隔帶，不需要用于形成縱向分隔帶或橫向分隔帶的附加工藝，因此降低了生產(chǎn)成本。
應(yīng)該明白，盡管以上對(duì)采用噴嘴涂覆形成有機(jī)電致發(fā)光材料的過(guò)程進(jìn)行了說(shuō)明，但是可以預(yù)計(jì)，可以利用其他涂覆方法使有機(jī)電致發(fā)光材料淀積到基板的像素區(qū)上，例如可以使用“噴墨”涂覆方法。作為一種典型的噴墨涂覆方法，包括儲(chǔ)墨盒和多個(gè)對(duì)準(zhǔn)的噴墨孔的噴墨頭在基板上通過(guò)，從多個(gè)噴墨孔噴射有機(jī)電致發(fā)光材料的墨滴，將墨滴注射到基板的像素區(qū)內(nèi)。
噴墨頭可以具有多個(gè)分別與各噴墨孔相連的腔室，因此在例如通過(guò)對(duì)與腔室相連的壓電晶體施加電流，而對(duì)腔室施加壓力或使其振動(dòng)時(shí)，有機(jī)電致發(fā)光材料的墨滴就從噴墨孔注射到像素區(qū)。通過(guò)改變墨滴的大小、每個(gè)像素的墨滴數(shù)量、噴墨頭的掃描速度或它們的組合，可以控制注射到像素區(qū)中的有機(jī)電致發(fā)光材料的數(shù)量。
噴墨頭最好沿基板上的像素的縱向，以直線往復(fù)方式運(yùn)動(dòng)。作為一種選擇，在淀積有機(jī)電致發(fā)光材料期間，可以使噴墨頭保持靜止，而移動(dòng)基板，或者在淀積有機(jī)電致發(fā)光材料期間，可以互相相對(duì)移動(dòng)噴墨頭和基板。為了利用有機(jī)電致發(fā)光材料填充整個(gè)基板上的各像素，可以使噴墨頭通過(guò)多次。
可以利用聚合物有機(jī)電致發(fā)光材料進(jìn)行噴墨，也可以利用單分子有機(jī)電致發(fā)光材料進(jìn)行噴墨。
盡管參考所示的本發(fā)明實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了具體說(shuō)明和描述，但是，本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員明白，在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)范圍內(nèi)，可以在形式和細(xì)節(jié)方面對(duì)本發(fā)明進(jìn)行以上以及其他修改。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件包括透明基板，至少具有在其上限定的第一、第二以及第三像素；第一縱向分隔帶，位于所述第一像素與所述第二像素之間；第二縱向分隔帶，位于所述第二像素與所述第三像素之間；以及有機(jī)發(fā)光聚合物層，在所述基板上，位于所述第一縱向分隔帶與所述第二縱向分隔帶之間，其中所述第一縱向分隔帶和所述第二縱向分隔帶的側(cè)壁向外傾斜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述側(cè)壁的所述傾斜是線性的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述側(cè)壁的所述傾斜是非線性的，使得所述側(cè)壁是拱形的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述側(cè)壁向著所述縱向分隔帶頂部上的點(diǎn)逐漸變細(xì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述縱向分隔帶的頂部是平坦的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述縱向分隔帶的剖面形狀為梯形剖面、三角形剖面以及半拋物線形剖面之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)一步包括在所述第一縱向分隔帶與所述第二縱向分隔帶之間延伸的第一橫向分隔帶。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述第一橫向分隔帶的側(cè)壁向外傾斜。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述第一橫向分隔帶的高度等于所述第一縱向分隔帶的高度。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述第一橫向分隔帶的高度小于所述第一縱向分隔帶的高度。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)一步包括在所述第一縱向分隔帶與所述第二縱向分隔帶之間延伸的第二橫向分隔帶，其中所述第二像素被所述第一縱向分隔帶、所述第二縱向分隔帶、所述第一橫向分隔帶以及所述第二橫向分隔帶包圍。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)一步包括第一電極，形成在所述基板上；以及多個(gè)第二電極，形成在所述有機(jī)發(fā)光聚合物層上，每個(gè)所述第一、第二以及第三像素分別與一個(gè)相應(yīng)的第二電極相關(guān)聯(lián)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)一步包括多個(gè)第一電極，形成在所述基板上，每個(gè)所述第一、第二以及第三像素分別與一個(gè)相應(yīng)的第一電極相關(guān)聯(lián)；以及第二電極，形成在所述有機(jī)發(fā)光聚合物層上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)一步包括多個(gè)薄膜晶體管，形成在所述基板上，每個(gè)所述第一、第二以及第三像素分別與一個(gè)相應(yīng)的薄膜晶體管相關(guān)聯(lián)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中每個(gè)所述第一、第二以及第三像素分別包括所述有機(jī)發(fā)光聚合物層，并且在所述第一、第二以及第三像素，所述有機(jī)發(fā)光聚合物層分別發(fā)出紅光、綠光和藍(lán)光。
16.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件包括透明基板，至少具有在其上限定的第一、第二以及第三像素；第一縱向分隔帶，位于所述第一像素與所述第二像素之間；第二縱向分隔帶，位于所述第二像素與所述第三像素之間；第一橫向分隔帶，在所述第一縱向分隔帶與所述第二縱向分隔帶之間延伸；以及有機(jī)發(fā)光聚合物層，在所述基板上，位于所述第一縱向分隔帶與所述第二縱向分隔帶之間，其中所述第一橫向分隔帶的高度小于所述第一縱向分隔帶的高度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述第一橫向分隔帶的側(cè)壁向外傾斜。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述側(cè)壁的所述傾斜是線性的。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述側(cè)壁的所述傾斜是非線性的，使得所述側(cè)壁是拱形的。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述側(cè)壁向著所述橫向分隔帶頂部上的點(diǎn)逐漸變細(xì)。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述橫向分隔帶的頂部是平坦的。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述橫向分隔帶的剖面形狀為梯形剖面、三角形剖面以及半拋物線形剖面之一。
23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)一步包括在所述第一縱向分隔帶與所述第二縱向分隔帶之間延伸的第二橫向分隔帶，其中所述第二像素被所述第一縱向分隔帶、所述第二縱向分隔帶、所述第一橫向分隔帶以及所述第二橫向分隔帶包圍。
24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)一步包括第一電極，形成在所述基板上；以及多個(gè)第二電極，形成在所述有機(jī)發(fā)光聚合物層上，每個(gè)所述第一、第二以及第三像素分別與一個(gè)相應(yīng)的第二電極相關(guān)聯(lián)。
25.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)一步包括多個(gè)第一電極，形成在所述基板上，每個(gè)所述第一、第二以及第三像素分別與一個(gè)相應(yīng)的第一電極相關(guān)聯(lián)；以及第二電極，形成在所述有機(jī)發(fā)光聚合物層上。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)一步包括多個(gè)薄膜晶體管，形成在所述基板上，每個(gè)所述第一、第二以及第三像素分別與一個(gè)相應(yīng)的薄膜晶體管相關(guān)聯(lián)。
27.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中每個(gè)所述第一、第二以及第三像素分別包括所述有機(jī)發(fā)光聚合物層，并且在所述第一、第二以及第三像素，所述有機(jī)發(fā)光聚合物層分別發(fā)出紅光、綠光和藍(lán)光。
28.一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，該方法包括步驟提供透明基板，該透明基板至少具有在其上限定的第一、第二以及第三像素；在所述第一像素與所述第二像素之間形成第一縱向分隔帶，使得所述第一縱向分隔帶的側(cè)壁向外傾斜；在所述第二像素與所述第三像素之間形成第二縱向分隔帶，使得所述第二縱向分隔帶的側(cè)壁向外傾斜；以及在所述基板上，在所述第一縱向分隔帶與所述第二縱向分隔帶之間提供有機(jī)發(fā)光聚合物層。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中提供有機(jī)發(fā)光聚合物層的步驟包括利用噴嘴涂覆有機(jī)發(fā)光聚合物層的步驟。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，該方法進(jìn)一步包括控制噴嘴的掃描速度和有機(jī)發(fā)光聚合物的注射量以控制各縱向分隔帶之間的有機(jī)發(fā)光聚合物的淀積量的步驟。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，該方法進(jìn)一步包括在涂覆有機(jī)發(fā)光聚合物層期間使基板傾斜的步驟。
32.根據(jù)權(quán)利要求28所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，該方法進(jìn)一步包括步驟在所述基板上形成第一電極；以及在所述有機(jī)發(fā)光聚合物層上形成多個(gè)第二電極，每個(gè)所述第一、第二以及第三像素分別與一個(gè)相應(yīng)的第二電極相關(guān)聯(lián)。
33.根據(jù)權(quán)利要求28所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，該方法進(jìn)一步包括步驟在所述基板上形成多個(gè)第一電極，每個(gè)所述第一、第二以及第三像素分別與一個(gè)相應(yīng)的第一電極相關(guān)聯(lián)；以及在所述有機(jī)發(fā)光聚合物層上形成第二電極。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，該方法進(jìn)一步包括在所述基板上形成多個(gè)薄膜晶體管的步驟，每個(gè)所述第一、第二以及第三像素分別與一個(gè)相應(yīng)的薄膜晶體管相關(guān)聯(lián)。
35.根據(jù)權(quán)利要求28所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中在所述基板上提供有機(jī)發(fā)光聚合物層的步驟包括對(duì)所述第一、第二以及第三像素分別提供有機(jī)發(fā)光聚合物的步驟，其中在所述第一、第二以及第三像素，該有機(jī)發(fā)光聚合物分別發(fā)出紅光、綠光和藍(lán)光。
36.根據(jù)權(quán)利要求28所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中提供有機(jī)發(fā)光聚合物層的步驟包括利用噴墨涂覆方法來(lái)涂覆有機(jī)發(fā)光聚合物層的步驟。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中涂覆步驟包括在基板上進(jìn)行噴墨，在縱向分隔帶之間把有機(jī)發(fā)光聚合物的墨滴淀積到基板的各個(gè)像素中。
38.一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，該方法包括步驟提供透明基板，該透明基板至少具有在其上限定的第一、第二以及第三像素；在所述第一像素與所述第二像素之間形成第一縱向分隔帶；在所述第二像素與所述第三像素之間形成第二縱向分隔帶；形成在所述第一縱向分隔帶與所述第二縱向分隔帶之間延伸的第一橫向分隔帶，使得所述第一橫向分隔帶的高度小于所述第一縱向分隔帶的高度；以及在所述基板上，在所述第一縱向分隔帶與所述第二縱向分隔帶之間提供有機(jī)發(fā)光聚合物層。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中形成縱向分隔帶和橫向分隔帶的步驟包括步驟在基板上提供有機(jī)層；在有機(jī)層上提供光致抗蝕劑；在光致抗蝕劑上設(shè)置掩模；以及通過(guò)掩模，利用紫外線輻照光致抗蝕劑。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中掩模包括完全透過(guò)紫外線輻射的透射部分、完全阻擋紫外線輻射的阻擋部分以及部分透過(guò)而部分阻擋紫外線輻射的中間部分。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中在對(duì)應(yīng)于掩模的中間部分的位置形成橫向分隔帶。
42.根據(jù)權(quán)利要求38所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中提供有機(jī)發(fā)光聚合物層的步驟包括利用噴嘴涂覆有機(jī)發(fā)光聚合物層的步驟。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，該方法進(jìn)一步包括控制噴嘴的掃描速度和有機(jī)發(fā)光聚合物的注射量以控制各縱向分隔帶之間的有機(jī)發(fā)光聚合物的淀積量的步驟。
44.根據(jù)權(quán)利要求42所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，該方法進(jìn)一步包括在涂覆有機(jī)發(fā)光聚合物層期間使基板傾斜的步驟。
45.根據(jù)權(quán)利要求38所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，該方法進(jìn)一步包括步驟在所述基板上形成第一電極；以及在所述有機(jī)發(fā)光聚合物層上形成多個(gè)第二電極，每個(gè)所述第一、第二以及第三像素分別與一個(gè)相應(yīng)的第二電極相關(guān)聯(lián)。
46.根據(jù)權(quán)利要求38所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，該方法進(jìn)一步包括步驟在所述基板上形成多個(gè)第一電極，每個(gè)所述第一、第二以及第三像素分別與相應(yīng)的一個(gè)第一電極相關(guān)聯(lián)；以及在所述有機(jī)發(fā)光聚合物層上形成第二電極。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，該方法進(jìn)一步包括在所述基板上形成多個(gè)薄膜晶體管的步驟，每個(gè)所述第一、第二以及第三像素分別與一個(gè)相應(yīng)的薄膜晶體管相關(guān)聯(lián)。
48.根據(jù)權(quán)利要求38所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中在所述基板上提供有機(jī)發(fā)光聚合物層的步驟包括對(duì)所述第一、第二以及第三像素分別提供有機(jī)發(fā)光聚合物的步驟，其中在所述第一、第二以及第三像素，該有機(jī)發(fā)光聚合物分別發(fā)出紅光、綠光和藍(lán)光。
49.根據(jù)權(quán)利要求38所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中提供有機(jī)發(fā)光聚合物層的步驟包括利用噴墨涂覆方法涂覆有機(jī)發(fā)光聚合物層的步驟。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中涂覆步驟包括在基板上進(jìn)行噴墨，并且在縱向分隔帶之間把有機(jī)發(fā)光聚合物的墨滴淀積到基板的各個(gè)像素中。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件包括透明基板，至少具有在其上限定的第一、第二以及第三像素；第一縱向分隔帶，位于所述第一像素與所述第二像素之間；第二縱向分隔帶，位于所述第二像素與所述第三像素之間；以及有機(jī)發(fā)光聚合物層，在所述基板上，位于所述第一縱向分隔帶與所述第二縱向分隔帶之間。該器件還包括在第一縱向分隔帶與第二縱向分隔帶之間延伸的橫向分隔帶?？v向分隔帶和橫向分隔帶的側(cè)壁向外傾斜。橫向分隔帶的高度低于縱向分隔帶的高度。制造該器件的方法采用噴嘴涂覆或噴墨涂覆，而且采用用于產(chǎn)生不同高度分隔帶的特殊結(jié)構(gòu)掩模。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1499907SQ20031010381
公開日2004年5月26日 申請(qǐng)日期2003年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月6日
發(fā)明者韓敞旭, 裴晟埈, 方熙皙, 金官洙 申請(qǐng)人:Lg.飛利浦Lcd有限公司