專利名稱：器件的制造方法及器件制造裝置、器件以及電子機(jī)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是涉及具有在基板上層疊的材料層的器件的制造方法及器件制造裝置，以及器件及電子機(jī)器。
專利文獻(xiàn)1特開平11-274671號(hào)公告。
專利文獻(xiàn)2特開2000-216330號(hào)公告。
但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，為了制造多層布線的器件，是通過交替地進(jìn)行將液體狀材料配置在基板上的工序、和使用扁平烤盤或電爐對(duì)所述配置的液體狀材料進(jìn)行預(yù)干燥的工序，從而形成多層的材料層。并且，通過對(duì)形成有多層的材料層的基板進(jìn)行燒結(jié)處理，從而形成多層布線器件。
但是，在現(xiàn)有技術(shù)的制造方法中，一直存在以下的問題。
在現(xiàn)有技術(shù)中，在向基板上供給液體狀材料的工序中采用了噴墨裝置等材料供給裝置，基板是在被支承在裝置的臺(tái)架的狀態(tài)下供給液體狀材料。而在對(duì)供給到基板上的液體狀材料進(jìn)行干燥的工序中，采用了扁平烤盤或電爐等干燥裝置，基板被從描畫裝置的臺(tái)架暫時(shí)卸下之后，保持在干燥裝置內(nèi)進(jìn)行干燥。而且，經(jīng)干燥處理后的基板，被再次搬送并支承在描畫裝置的臺(tái)架上，進(jìn)行供給液體狀材料的處理。
這樣，在分別進(jìn)行供給液體狀材料處理與干燥處理時(shí)，基板是在受到不同的臺(tái)架支承下來進(jìn)行的。在這種情況下，基板必須相應(yīng)處理而從臺(tái)架上卸下，例如，每次裝載于材料供給裝置的臺(tái)架時(shí)，材料供給裝置就必須對(duì)基板進(jìn)行定位校正。這樣會(huì)使工作效率下降。
為了解決上述問題，本發(fā)明的器件的制造方法，具有向基板上供給液體狀材料從而在該基板上層疊多層的材料層的工序，其特征在于具有將所述液體狀材料配置在所述基板上的制膜工序、和通過使配置有所述液體狀材料的所述基板與加熱至所定溫度的氣體接觸，從而對(duì)所述液體狀材料進(jìn)行預(yù)干燥的預(yù)干燥工序。
根據(jù)本發(fā)明，由于在對(duì)基板上配置的液體狀材料進(jìn)行預(yù)干燥處理時(shí)，是將配置有所述液體狀材料的所述基板與加熱至所定溫度的氣體接觸，使所述膜狀材料預(yù)干燥，所以在預(yù)干燥處理時(shí)，即使不將基板從為了配置液體狀材料的裝置的臺(tái)架上卸下，也能夠簡(jiǎn)單地進(jìn)行預(yù)干燥處理。
另外，在本發(fā)明的器件的制造方法中，采用了在所述制膜工序與所述預(yù)干燥工序分別進(jìn)行所定的次數(shù)之后，具有對(duì)所述基板進(jìn)行燒結(jié)的燒結(jié)工序的構(gòu)成。
這樣，由經(jīng)預(yù)干燥且層疊的多層材料層可以制造多層布線器件。
另外，在本發(fā)明的器件的制造方法中，采用了所述液體狀材料是將器件形成用材料分散配置在所定的溶劑中的，并根據(jù)所述溶劑來設(shè)定所述所定的溫度的構(gòu)成。
這樣，在預(yù)干燥處理中，可以以適當(dāng)?shù)臏囟雀咝实厝コ后w狀材料中的溶劑。
另外，在本發(fā)明的器件的制造方法中，采用了采用能夠定量滴下所述液體狀材料的液滴噴出裝置進(jìn)行所述制膜工序的構(gòu)成。
這樣，能夠進(jìn)行器件的少量多品種的生產(chǎn)。
另外，本發(fā)明的器件的制造方法，具有向基板上供給液體狀材料從而在該基板上層疊多層的材料層的工序，其特征在于具有將所述液體狀材料配置在所述基板上的制膜工序、和通過使配置有所述液體狀材料的所述基板的表面上的氣體針對(duì)該基板產(chǎn)生相對(duì)移動(dòng)，從而對(duì)所述液體狀材料進(jìn)行預(yù)干燥的預(yù)干燥工序。
根據(jù)該器件的制造方法，由于是在對(duì)配置在基板上的液體狀材料進(jìn)行預(yù)干燥時(shí)，使配置有所述液體狀材料的所述基板的表面上的氣體、相對(duì)于該基板產(chǎn)生相對(duì)移動(dòng)而進(jìn)行預(yù)干燥，所以即使不將基板從為了配置液體狀材料的裝置的臺(tái)架上卸下，也能夠簡(jiǎn)單地進(jìn)行預(yù)干燥處理。也就是說，通過基板的表面上的氣體相對(duì)于該基板的移動(dòng)，使基板表面的氣壓下降，促進(jìn)液體狀材料的蒸發(fā)。而且，由于在預(yù)干燥時(shí)并非一定要對(duì)基板加熱，所以能夠減輕對(duì)基板與材料等的熱負(fù)擔(dān)。
另外，在本發(fā)明的器件的制造方法中，既可以通過使所述氣體接觸所述基板從而進(jìn)行所述預(yù)干燥工序，也可以通過使所述基板移動(dòng)從而進(jìn)行所述預(yù)干燥工序。
在每一種情況下，都是通過基板的表面上的氣體相對(duì)于該基板的移動(dòng)，促進(jìn)液體狀材料的蒸發(fā)。
本發(fā)明中器件的制造裝置，具有可向基板上供給液體狀材料的制膜裝置，其特征在于具有將所述基板與加熱至所定溫度的氣體接觸的預(yù)干燥裝置。
根據(jù)本發(fā)明，由于是使在制膜裝置中對(duì)基板上設(shè)置的液體狀材料進(jìn)行預(yù)干燥的裝置，具有由加熱至所定溫度的氣體與所述基板接觸的構(gòu)成，所以在進(jìn)行預(yù)干燥處理過程中，即使不將基板從為了配置液體狀材料的裝置的臺(tái)架上卸下，也能夠簡(jiǎn)單地進(jìn)行預(yù)干燥處理。
另外，在本發(fā)明的器件的制造方法中，采用了所述預(yù)干燥裝置包括支承所述基板的臺(tái)架、可以向受到所述臺(tái)架支承的所述基板供給所述氣體的氣體供給部、以及使所述臺(tái)架與所述氣體供給部產(chǎn)生相對(duì)移動(dòng)的移動(dòng)裝置的構(gòu)成。
這樣，由于能夠例如在對(duì)基板進(jìn)行掃描的同時(shí)進(jìn)行干燥處理，所以能夠?qū)迦婢鶆虻剡M(jìn)行高效率的干燥。另外，通過在接觸與分離的方向上移動(dòng)臺(tái)架與氣體供給部，能夠容易地改變干燥條件。
另外，在本發(fā)明的器件的制造方法中，采用了所述制膜裝置，包括能夠定量滴下所述液體狀材料的液滴噴出裝置的構(gòu)成。
這樣，能夠進(jìn)行器件的少量多品種的生產(chǎn)。
另外，本發(fā)明中器件的制造裝置，具有可向基板上供給液體狀材料的制膜裝置，其特征在于具有使所述基板表面上的氣體針對(duì)所述基板產(chǎn)生相對(duì)移動(dòng)的預(yù)干燥裝置。
根據(jù)本發(fā)明中器件的制造裝置，由于是使在制膜裝置中對(duì)基板上設(shè)置的液體狀材料進(jìn)行預(yù)干燥的預(yù)干燥裝置，具有由加熱至所定溫度的氣體與所述基板產(chǎn)生相對(duì)移動(dòng)的構(gòu)成，所以即使不將基板從為了配置液體狀材料的裝置的臺(tái)架上卸下，也能夠簡(jiǎn)單地進(jìn)行預(yù)干燥處理。而且，由于在預(yù)干燥時(shí)并非一定要對(duì)基板加熱，所以能夠減輕對(duì)基板與材料等的熱負(fù)擔(dān)。另外，因可以省去加熱裝置所以能實(shí)現(xiàn)低成本化。
本發(fā)明的器件的特征是由所述的器件制造裝置而制造。
根據(jù)本發(fā)明，由于是由本發(fā)明的器件制造裝置所制造，所以能夠提供低成本且廉價(jià)的器件。
本發(fā)明的電子機(jī)器的特征是安裝有所述的器件。
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供低成本且廉價(jià)的電子機(jī)器。
這里，本發(fā)明中的液滴噴出裝置包括設(shè)置有噴頭的噴墨裝置。噴墨裝置的噴頭是，能夠由噴墨法定量地噴出液體狀材料、例如能夠定量、斷續(xù)地滴下1～300納克的液體狀材料(流動(dòng)體)的裝置。
通過采用噴墨法作為材料層的層疊方法，因而能夠以廉價(jià)的設(shè)備在任意位置以任意厚度配置材料層。
此外，作為液滴噴出裝置，也可以是分配器(dispenser)。
作為噴墨的方式，既可以是由壓電體元件的體積變化而引起流動(dòng)體(液體狀材料)噴出的壓電射出方式，也可以是通過施加熱而急劇產(chǎn)生氣泡從而使流動(dòng)體噴出的方式。
這里，所謂流動(dòng)體是指具有從噴頭的噴嘴能夠噴出(能滴下)的粘度的介質(zhì)。與是水性還是油性沒有關(guān)系。只要是滿足了能夠從噴嘴等噴出的粘度就已經(jīng)足夠，即使是混入固體的物質(zhì)，只要作為全體是流動(dòng)體即可。而且，流動(dòng)體中所包含的材料，除了溶劑中作為微粒的被分散物之外，還可以有被加熱到熔點(diǎn)以上而溶解的物質(zhì)，還可以有溶劑以外的染料、顏料等其它所添加的功能性材料。另外，所謂布線圖形(電路)是指構(gòu)成電路元件間的電連接關(guān)系的電路，它具有特定的電特征及一定的電特性等。另外，基板除了是指平面基板之外，也可以是曲面狀的基板。并且，圖形形成面的硬度并不一定是硬的，除了玻璃、塑料、金屬等之外，還可以是具有可撓性的薄膜、紙、橡膠等的表面。
圖2是噴頭的分解立體圖。
圖3是噴頭主要部分的立體圖的局部剖面圖。
圖4是表示本發(fā)明中器件制造方法的一實(shí)施例的流程圖。
圖5是用于說明本發(fā)明中器件制造方法的模式圖。
圖6是表示有源矩陣型有機(jī)EL顯示裝置的電路圖。
圖7是表示圖6的顯示裝置中像素部的平面結(jié)構(gòu)的放大圖。
圖8是表示由本發(fā)明的電光學(xué)裝置的制造方法而制造的有機(jī)EL顯示裝置的層狀結(jié)構(gòu)一例的圖。
圖9是表示本發(fā)明的電光學(xué)裝置的制造方法的一例的說明圖。


圖10是表示本發(fā)明的電光學(xué)裝置的制造方法的一例的說明圖。
圖11是表示設(shè)置有本發(fā)明器件的電子機(jī)器的一例的說明圖。
圖12是表示設(shè)置有本發(fā)明器件的電子機(jī)器的一例的說明圖。
圖13是表示設(shè)置有本發(fā)明器件的電子機(jī)器的一例的說明圖。
圖中10-噴墨裝置(液滴噴出裝置、制膜裝置)；14-第一移動(dòng)裝置(移動(dòng)裝置)；80-預(yù)干燥裝置；81-氣體供給部；83-第三移動(dòng)裝置(移動(dòng)裝置)；DS-器件(有機(jī)ELE裝置)；P-基板；S-器件制造裝置；ST-臺(tái)架。
在圖1中，器件制造裝置S設(shè)置有能夠在基板P上配置液體狀材料的制膜裝置10、以及對(duì)基板上配置的液體狀材料進(jìn)行預(yù)干燥的預(yù)干燥裝置80。制膜裝置10是能夠以所定的圖形供給液體狀材料的液滴噴出裝置(噴墨裝置)。
還有，在以下的說明中是以噴墨裝置為例說明制膜裝置10，但并不特別限于噴墨裝置，只要是能夠在基板上配置液體狀材料即可。例如，也可以采用篩網(wǎng)印刷法在基板上配置液體狀材料。
在圖1中，制膜裝置10包括基底12、設(shè)在基底12上且支承基板P的臺(tái)架ST、介于基底12與臺(tái)架ST之間且將臺(tái)架ST支承為可移動(dòng)狀態(tài)的第一移動(dòng)裝置(移動(dòng)裝置)14、可定量地向受到臺(tái)架ST支承的基板噴出(滴下)包含所定材料的液體狀材料(流動(dòng)體)的噴頭(液滴噴出裝置)20、以及支承噴頭并使其能夠移動(dòng)的第二移動(dòng)裝置16。在基底12上，設(shè)置有作為重量測(cè)量裝置的電子天平(未圖示)、封蓋(capping)單元22、以及清洗單元24。
另外，器件制造裝置S，還具有向受到臺(tái)架ST支承的基板P吹出被加熱至所定溫度的氣體的預(yù)干燥裝置80。在預(yù)干燥裝置80中設(shè)有用于向基板P供給被加熱的氣體的氣體供給部81，該氣體供給部81設(shè)置在受到臺(tái)架ST支承的基板P的對(duì)向的位置。
并且，包括噴頭20的噴出液體狀材料的動(dòng)作、加熱氣體供給部81的氣體供給動(dòng)作、第一移動(dòng)裝置14及第二移動(dòng)裝置16的移動(dòng)動(dòng)作在內(nèi)的器件制造裝置S的動(dòng)作，均受到控制裝置CONT的控制。
這里，圖1中所示的是僅有一個(gè)噴頭20的情況，但實(shí)際上在噴墨裝置中設(shè)置多個(gè)噴頭20，由這些多個(gè)噴頭20分別噴出不同或相同種類的液體狀材料。
第一移動(dòng)裝置14設(shè)置在基底12上，沿Y軸方向決定其位置。第二移動(dòng)裝置16，使用支柱16A、16A，相對(duì)于基底12直立安裝，安裝在基底12的后部12A上。第二移動(dòng)裝置16的X軸方向(第二方向)，是與第一移動(dòng)裝置的Y方向(第一方向)相垂直的方向。這里，Y軸方向是沿著基底12的前部12B與后部12A的方向。而X軸方向是沿著基底12的左右方向，各自為水平。另外，Z軸方向是與X軸及Y軸都垂直的方向。
第一移動(dòng)裝置14，例如可以由線性馬達(dá)構(gòu)成，設(shè)置有導(dǎo)軌40，40、以及設(shè)置在該導(dǎo)軌40上，且可以沿其移動(dòng)的滑塊42。該線性馬達(dá)形式的第一移動(dòng)裝置14的滑塊42，能夠沿著導(dǎo)軌40在Y軸方向上移動(dòng)并可定位。
另外，滑塊42具有用于繞Z軸旋轉(zhuǎn)(θz)的馬達(dá)44。該馬達(dá)44，是例如直接驅(qū)動(dòng)馬達(dá)，馬達(dá)44的轉(zhuǎn)子固定在臺(tái)架ST上。由此，通過對(duì)馬達(dá)44的通電，能夠使轉(zhuǎn)子與臺(tái)架ST沿θz方向旋轉(zhuǎn)對(duì)臺(tái)架ST進(jìn)行檢索(旋轉(zhuǎn)檢索)。也就是說，第一移動(dòng)裝置14，可以使臺(tái)架ST沿Y軸方向及θz方向移動(dòng)。
臺(tái)架ST是用于保持基板P并將它定位在所定的位置的。另外，臺(tái)架ST具有吸附保持裝置50，并通過吸附保持裝置50的動(dòng)作，通過臺(tái)架ST的孔穴46A，將基板P吸附保持在臺(tái)架ST上。
第二移動(dòng)裝置16通過線性馬達(dá)所構(gòu)成，它包括固定在支柱16A、16A上的橫梁16B、支承在該橫梁16B上的導(dǎo)軌62A、以及設(shè)置在該導(dǎo)軌62A上且可以沿X軸方向移動(dòng)的滑塊60?；瑝K60能夠決定沿著導(dǎo)軌62A，在Y軸方向上移動(dòng)的位置。噴頭20安裝在滑塊60上。
噴頭20具有作為搖動(dòng)定位裝置的馬達(dá)62、64、66、68。通過馬達(dá)62的動(dòng)作，噴頭20可以沿Z軸上下移動(dòng)并定位。Z軸方向是與X軸及Y軸都垂直的方向(上下方向)。通過馬達(dá)64的動(dòng)作，能夠使噴頭20沿繞Y軸的β方向搖動(dòng)并定位。通過馬達(dá)66的動(dòng)作，能夠使噴頭20沿圍繞X軸的γ方向搖動(dòng)并定位。通過馬達(dá)68的動(dòng)作，能夠使噴頭20沿圍繞Z軸的α方向上搖動(dòng)并定位。也就是說，第二移動(dòng)裝置16可支承噴頭20并使其能夠在X軸方向(第一方向)及Z軸方向移動(dòng)的同時(shí)，還可以使該噴頭20在θx、θy、θz方向上移動(dòng)。
這樣，在滑塊60中，圖1中的噴頭20，能夠在Z方向直線移動(dòng)并定位，還能夠沿α、β、γ方向上搖動(dòng)并定位。噴頭20的液體狀材料噴出面20P，能夠正確地控制對(duì)于臺(tái)架ST一側(cè)的基板P的位置或姿態(tài)。還有，在噴頭20的液體狀材料噴出面20P上，設(shè)有多個(gè)噴出液體狀材料的噴嘴。
圖2是表示噴頭20的分解立體圖。如圖2所示，噴頭20設(shè)置有具有噴嘴211的噴嘴板210、具有振動(dòng)板230的壓力室基板220、以及鑲嵌支承這些噴嘴板210與振動(dòng)板230的筐體250。如圖3的立體圖的局部剖面圖所示，噴頭20的主要部分的結(jié)構(gòu)，是由噴嘴板210與振動(dòng)板230夾持壓力室基板220的結(jié)構(gòu)。在噴嘴板210中，在與壓力室基板220相貼合時(shí)，在與型腔(壓力室)221相對(duì)應(yīng)的位置上形成噴嘴211。壓力室基板220中，通過對(duì)單晶硅基板等進(jìn)行蝕刻，設(shè)置了多個(gè)能夠起到各個(gè)壓力室作用的型腔221。型腔221與型腔221之間由側(cè)壁(隔離壁)222所分離。各型腔221經(jīng)供給口224與作為共同流路的備用腔(reserve)223相連。振動(dòng)板230，例如可以由熱氧化膜等所構(gòu)成。振動(dòng)板230上設(shè)有液體狀材料罐口231，構(gòu)成能夠從未圖示的罐(流動(dòng)體收容部)經(jīng)管道(流路)供給任意液體狀材料的結(jié)構(gòu)。在振動(dòng)板230上的相當(dāng)于型腔221的位置，形成有壓電體元件240。壓電體元件240設(shè)置有由上部電極與下部電極(未圖示)夾持PZT元件等壓電陶瓷晶體的構(gòu)造。壓電體元件240能夠根據(jù)來自控制裝置CONT供給的噴出信號(hào)而發(fā)生體積變化。
為了使噴頭20能夠噴出液體狀材料，首先，控制裝置CONT將用于使液體狀材料噴出的噴出信號(hào)供給到噴頭20，液體狀材料流入噴頭20的型腔221中，在被供給了噴出信號(hào)的噴頭20中，由于上部電極與下部電極之間施加的電壓而使壓電體元件240發(fā)生體積變化。該體積變化使振動(dòng)板230變形，使型腔221的容積發(fā)生變化。其結(jié)果是液體狀材料就從該型腔221的噴嘴孔211噴出。在噴出了液體狀材料的型腔221中因噴出而減少的液體狀材料又從罐得到新的補(bǔ)充。
另外，上述噴頭是具有由于壓電體體積發(fā)生的變化而使液體狀材料噴的結(jié)構(gòu)，但也可以是由發(fā)熱體對(duì)液體狀材料加熱使其膨脹而使液體狀材料噴的結(jié)構(gòu)。
電子天平(未圖示)為了測(cè)量由噴頭20的噴嘴所噴出的液滴中的一滴的重量并進(jìn)行管理，例如，從噴頭20的噴嘴接受5000滴的液滴。電子天平通過對(duì)該5000滴的重量用數(shù)字5000去除，就可以正確地測(cè)量一滴液滴的重量?；谠撘旱蔚臏y(cè)定量，能夠?qū)婎^20所噴出液滴的量進(jìn)行最佳控制。
清洗單元24，可以在器件制造工序中或待機(jī)時(shí)，定期或隨時(shí)地對(duì)噴頭20的噴嘴進(jìn)行清洗。封蓋單元22，是為了不使噴頭20的噴出面P干燥，在器件制造工序中或待機(jī)時(shí)，對(duì)該噴頭20的噴出面P進(jìn)行覆蓋。
通過由第二移動(dòng)裝置16使噴頭20在X軸方向上的移動(dòng)，能夠在電子天平、清洗單元24、或封蓋單元22的上部，有選擇地決定噴頭20的位置。也就是說，即使是在器件制造操作的過程中，例如如果噴頭20向電子天平一側(cè)移動(dòng)，就能夠測(cè)定液滴的重量。而且，如果噴頭20向清洗單元24一側(cè)移動(dòng)，就能夠?qū)婎^20進(jìn)行清洗。如果噴頭20向封蓋單元22一側(cè)移動(dòng)，就能夠?qū)婎^20加蓋，防止其干燥。
也就是說，這些電子天平、清洗單元24、以及封蓋單元22，都在基底12上的后端側(cè)，在噴頭20的移動(dòng)所經(jīng)路徑的下方，離開臺(tái)架ST而配置。為了使對(duì)于臺(tái)架ST的基板P的給料操作及排料操作能夠在基底12的前端側(cè)進(jìn)行，這些電子天平、清洗單元24、或封蓋單元22，都不對(duì)操作帶來障礙。
在基板P的上面具有形成布線圖形(電路)的圖形形成區(qū)域。而且，為了形成布線圖形，對(duì)基板P上形成了圖形的區(qū)域由噴頭20噴出液體狀的材料。為了形成布線圖形，將金屬材料等器件形成用材料分散于所定的溶劑構(gòu)成液體狀的材料。
再回到圖1，預(yù)干燥裝置80具有支柱82A，82A、與固定在支柱82A上的橫梁82B。氣體供給部81是通過橫梁82B下的第三移動(dòng)裝置(移動(dòng)裝置)83所支承。第三移動(dòng)裝置，例如可以由氣動(dòng)汽缸所構(gòu)成，支承氣體供給部81并可使其沿Z軸方向移動(dòng)。氣體供給部81把X軸方向作為長(zhǎng)邊方向，沿所述長(zhǎng)邊方向設(shè)有多個(gè)朝下(-Z軸方向)的氣體供給噴嘴。因此，來自氣體供給部81的氣體被向下排出。
第一移動(dòng)裝置14的導(dǎo)軌40，延伸到預(yù)干燥裝置80的氣體供給部81的下方，支承基板P的臺(tái)架ST，被設(shè)置成可以移動(dòng)到氣體供給部81的下方。因此，通過臺(tái)架ST將基板P移動(dòng)到氣體供給部81的下方，從而可以使來自氣體供給部8 1的氣體能夠從基板P的上方(從正上方)接觸到基板P。
氣體供給部81的氣體供給噴嘴，通過具有橡膠等的可撓性的配管(流路)與氣體供給源(未圖示)相接續(xù)。氣體供給源中設(shè)置有加熱裝置，氣體供給源將由加熱裝置加熱到所定溫度的氣體供給到氣體供給部81。加熱裝置由控制裝置CONT所控制，由加熱裝置加熱到所定溫度的氣體，從氣體供給部81的氣體供給噴嘴，吹拂到臺(tái)架ST所支承的基板P上。
接著，對(duì)使用所述器件制造裝置S在基板P上層疊多層材料層的順序，參照?qǐng)D4的流程圖加以說明。
首先，將基板P裝載于臺(tái)架ST。臺(tái)架ST是通過吸附保持裝置50而將基板P吸附與保持?？刂蒲b置CONT，對(duì)支承基板P的臺(tái)架ST與噴頭20進(jìn)行定位校正(步驟SP1)。
也就是說，控制裝置CONT，在利用第一移動(dòng)裝置14或馬達(dá)44等將臺(tái)架ST確定在所定的位置的同時(shí)，利用第二移動(dòng)裝置或馬達(dá)62、64、66、68等來確定噴頭20的位置。使支承基板P的臺(tái)架ST，配置在噴頭20的下方。
控制裝置CONT，通過噴頭20將第一液體狀材料噴到經(jīng)過定位校正處理的基板P上(步驟SP2)。
控制裝置CONT，使臺(tái)架ST相對(duì)于噴頭20移動(dòng)，并從噴頭20噴出第一液體狀材料，在基板P上以所定的圖形配置第一液體狀材料。在基板P上形成第一液體狀材料的圖形(制膜)。
控制裝置CONT，從氣體加熱部81放出加熱的氣體。此時(shí)來自氣體加熱部81的氣體的溫度，是根據(jù)第一液體狀材料的溶劑而設(shè)定(步驟SP3)。
也就是說，氣體的溫度，是根據(jù)將其吹拂到第一液體狀材料時(shí)，能夠使第一液體狀材料所含的溶劑去除而預(yù)先設(shè)定的。在控制裝置CONT中預(yù)先記憶有關(guān)于工藝的信息，即，關(guān)于第一液體狀材料中所使用的溶劑的沸點(diǎn)的信息，控制裝置CONT根據(jù)所記憶的信息，來設(shè)定氣體的溫度。
在本實(shí)施例中，從氣體加熱部81所供給的加熱氣體的溫度設(shè)定約為100℃。而且，在第一液體狀材料中所使用的溶劑的沸點(diǎn)較高的情況下，從氣體加熱部81所供給的加熱氣體的溫度可以根據(jù)溶劑而設(shè)定得較高。而在第一液體狀材料中所使用的溶劑的沸點(diǎn)較低的情況下，從氣體加熱部81所供給的加熱氣體的溫度也可以根據(jù)溶劑而設(shè)定得較低。氣體的溫度可以根據(jù)溶劑而設(shè)置得盡可能的低，能夠減輕對(duì)于基板或材料等的負(fù)擔(dān)。
接著，控制裝置CONT，通過第一移動(dòng)裝置14，將支承配置有液體狀材料的基P的臺(tái)架ST沿Y軸方向移動(dòng)，移動(dòng)到預(yù)干燥裝置80的氣體供給部81的下方。而且，控制裝置CONT將臺(tái)架ST沿Y軸方向移動(dòng)的同時(shí)，由氣體供給部81將加熱到所定溫度的氣體從基板的正上方吹拂，進(jìn)行對(duì)第一液體狀材料的預(yù)干燥(預(yù)燒結(jié))(步驟SP4)。
也就是說，基板P沿Y方向掃描的同時(shí)，受到被加熱的氣體的吹拂。這樣，能夠使基板P全面均勻地與加熱氣體接觸。這里，在從第一液體狀材料的制膜工序(步驟SP2)向第一液體狀材料的預(yù)干燥工序(步驟SP4)移動(dòng)的過程中，基板P沒有被從臺(tái)架ST上卸下(參照?qǐng)D5的模式圖)。
在對(duì)第一液體狀材料進(jìn)行預(yù)干燥的工序中，臺(tái)架ST的移動(dòng)速度(即基板P的掃描速度)可以由控制裝置CONT進(jìn)行最佳控制?？刂蒲b置CONT可以根據(jù)材料和基板等的材質(zhì)而設(shè)定最佳掃描速度，也就是設(shè)定對(duì)基板P吹拂氣體的時(shí)間。而且，吹向基板的氣體的風(fēng)速也根據(jù)材料和基板等進(jìn)行最佳設(shè)定。此時(shí)，控制裝置CONT，是根據(jù)吹拂的氣體不至于使基板上設(shè)置的液體狀材料發(fā)生位移的程度，而進(jìn)行風(fēng)速與送風(fēng)時(shí)間的最佳設(shè)定。
也就是說，控制裝置CONT能夠?qū)εc基板P接觸的氣體的溫度、風(fēng)速、時(shí)間、以及風(fēng)量等參數(shù)，根據(jù)液體狀材料的溶劑、材料物性、以及基板等進(jìn)行控制?？刂蒲b置CONT是基于記憶的關(guān)于工藝的信息(使用溶劑的物性、材料的物性、基板的物性等)進(jìn)行控制。
這里，由于氣體供給部81能夠由第三移動(dòng)裝置83而沿著Z軸方向移動(dòng)，所以控制裝置CONT能夠根據(jù)基板P的厚度、液體狀材料的溶劑、材料的物性等，利用第三移動(dòng)裝置83對(duì)氣體供給部81與基板P之間的距離進(jìn)行調(diào)節(jié)，例如達(dá)到不造成材料損害的程度，或者不至于使基板上設(shè)置的液體狀材料發(fā)生位移的程度，進(jìn)行預(yù)干燥。
對(duì)于第一液體狀材料實(shí)行第一預(yù)干燥之后，控制裝置CONT使臺(tái)架ST向+Y軸方向移動(dòng)，利用噴頭20對(duì)基板P進(jìn)行第二液體狀材料的制膜工序(描畫工序)(步驟SP5)。
這里，在從第一液體狀材料的預(yù)干燥工序(步驟SP4)向第二液體材料的制膜工序(步驟SP5)移動(dòng)的過程中，基板P沒有從臺(tái)架ST上卸下。
完成第二液體狀材料的制膜工序后，控制裝置CONT將臺(tái)架ST移動(dòng)到預(yù)干燥裝置80中，進(jìn)行邊沿Y軸方向移動(dòng)臺(tái)架ST邊對(duì)第二液體狀材料的預(yù)干燥工序(步驟SP6)。
在此，在從第二液體狀材料的制膜工序(步驟SP5)向第二液體狀材料的預(yù)干燥工序(步驟SP6)的轉(zhuǎn)換過程中，基板P沒有從臺(tái)架ST上卸下。
控制裝置CONT能夠根據(jù)第二液體狀材料的溶劑、材料物性、以及基板等，對(duì)與基板P接觸的氣體的溫度、風(fēng)速、時(shí)間(臺(tái)架ST的掃描速度)、以及風(fēng)量等參數(shù)，進(jìn)行控制?？刂蒲b置CONT是基于所述記憶的有關(guān)工藝信息而進(jìn)行控制。
另外，在這種情況下，控制裝置CONT也能夠利用第三移動(dòng)裝置83，邊調(diào)節(jié)氣體供給部81與基板P之間的距離，邊進(jìn)行預(yù)干燥。
這樣，多次進(jìn)行將液體狀材料配置到基板上的制膜工序、和通過使配置有液體狀材料的基板與加熱到所定溫度的氣體接觸從而從液體狀材料中去除溶劑的工序之后，對(duì)該基板實(shí)施燒結(jié)工序(步驟SP7)。
在燒結(jié)工序中，將基板P從臺(tái)架ST取下，搬入扁平烤盤、電爐或紅外線爐等燒結(jié)裝置中?；錚是由所述燒結(jié)裝置，例如在300℃以上的溫度，加熱30分鐘以上進(jìn)行燒結(jié)。另外，燒結(jié)裝置將最初的溫度設(shè)定為室溫(25℃)，將要燒結(jié)的基板P放置于室溫狀態(tài)的燒結(jié)裝置內(nèi)。而且，對(duì)基板P的升溫速度，例如設(shè)置為10℃/分以下，到達(dá)300℃以上時(shí)設(shè)為固定的溫度，例如加熱30分鐘。其后，將冷卻速度例如設(shè)置為10℃/分以下，到達(dá)室溫時(shí)，將基板從燒結(jié)裝置搬出。
這樣，在基板P上就被層疊多層的材料層，而形成了多層布線圖形。
如以上的說明，由于在為了將基板上配置的液體狀材料中的溶劑去除而進(jìn)行預(yù)干燥處理時(shí)，是對(duì)設(shè)置有液體狀材料的基板P吹拂加熱到所定溫度的氣體而進(jìn)行預(yù)干燥，所以在預(yù)干燥時(shí)，即使不將基板P從臺(tái)架ST取下，也能夠以簡(jiǎn)易的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單地進(jìn)行預(yù)干燥。所以，在提高工作效率的同時(shí)，還能夠?qū)崿F(xiàn)底成本化。
而且，在所述實(shí)施例中，說明的是氣體供給部81的噴嘴為固定的形式，但噴嘴的取向也可以變動(dòng)，對(duì)基板P吹拂氣體的角度也可以改變。而且，也可以配置多孔體來取代噴嘴(或噴嘴的前端部)，通過該多孔體向基板P吹拂氣體。這樣做，能夠使氣體均勻的接觸基板P。
在所述實(shí)施例中，說明的是通過臺(tái)架ST使基板P移動(dòng)而接觸氣體。當(dāng)然，也可以移動(dòng)預(yù)干燥裝置80一側(cè)，也可以使臺(tái)架ST與預(yù)干燥裝置80雙雙移動(dòng)。進(jìn)而，說明的是通過氣體供給部81沿Z軸方向上的移動(dòng)而調(diào)節(jié)基板P與氣體供給部81之間的距離，但也可以將臺(tái)架ST設(shè)置為可沿Z軸方向移動(dòng)，通過臺(tái)架ST沿Z軸方向上的移動(dòng)而調(diào)節(jié)基板P與氣體供給部81之間的距離。當(dāng)然，也可以使臺(tái)架ST與氣體供給部81雙雙可沿Z軸方向上的移動(dòng)。
而且，在所述實(shí)施例中，是將由加熱裝置加熱的氣體吹拂到基板上而進(jìn)行的預(yù)干燥，但預(yù)干燥并非一定需要熱。也就是說，在對(duì)基板上配置的液體狀材料進(jìn)行干燥處理時(shí)，也可以不對(duì)基板加熱，而是利用在配置有液體狀材料的基板上氣體對(duì)于基板的相對(duì)移動(dòng)而進(jìn)行預(yù)干燥。
具體說來，例如可以將未加熱的氣體吹拂到基板上。作為供給到基板上的氣體，例如，除了空氣之外，還可以采用氮?dú)獾葘?duì)液體狀材料不具有活性的惰性氣體。氣體的溫度。例如可以是與基板配置的環(huán)境溫度大體相同。這樣，基板表面上氣體(空氣)相對(duì)于基板移動(dòng)，使基板表面的蒸汽壓降低，促進(jìn)液體狀材料的蒸發(fā)。
或者是，也可以單是基板在裝置上移動(dòng)。即，通過基板的所定范圍內(nèi)的往復(fù)移動(dòng)，使基板表面上氣體(空氣)相對(duì)于基板移動(dòng)，使基板表面的蒸汽壓降低，促進(jìn)液體狀材料的蒸發(fā)。當(dāng)然，也可以在將未加熱氣體吹拂到基板的同時(shí)，使基板移動(dòng)。由此促進(jìn)液體狀材料的蒸發(fā)。而且，還可以通過基板表面上氣氛的減壓而促進(jìn)液體狀材料的蒸發(fā)。
這樣，利用在配置有液體狀材料的基板上氣體對(duì)于基板的相對(duì)移動(dòng)，就回避了預(yù)干燥時(shí)對(duì)基板的加熱。在預(yù)干燥中，是以重疊配置液體狀材料為目的，可以只要是能夠?qū)⑸弦淮卧诨迳吓渲玫囊后w狀材料的溶劑進(jìn)行一定程度的去除就已足夠，所以，即使不使用熱，也能夠在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行干燥處理。
由于回避了預(yù)干燥時(shí)對(duì)基板的加熱，所以能夠減輕對(duì)基板或材料等的負(fù)擔(dān)。例如，基板溫度的上升，容易導(dǎo)致基板的熱變形，成為圖形尺寸誤差的原因，有引起品質(zhì)下降的可能性。所以，減輕器件處理過程中需要加熱的工藝，就能夠控制由于熱引起的制品的品質(zhì)下降。特別是在基板為大型的情況下，容易產(chǎn)生大的熱變形(應(yīng)變彎曲等)，所述非加熱干燥就更為有利?；蛘呤窃诒仨氝M(jìn)行嚴(yán)格的溫度控制而處理的情況下，通過所述非加熱干燥，也能夠減輕控制的負(fù)擔(dān)。而且，由于環(huán)境溫度不發(fā)生大的變化，能夠減輕由于工藝上的熱而引起的不良現(xiàn)象。
而且，由于在干燥處理時(shí)不需要加熱，所以可省去加熱裝置，能夠使裝置緊湊，并能夠?qū)崿F(xiàn)低成本化。
接著，對(duì)通過使用具有所述結(jié)構(gòu)的器件制造裝置S，由噴頭20對(duì)基板P噴出液體狀材料，在基板P上疊層多層材料層，而在基板P上形成疊層布線圖形的方法的一例加以說明。
在以下的說明中，作為一例，表示的是制造EL(電發(fā)光)表示器件以及驅(qū)動(dòng)該器件的的TFT(薄膜晶體管)的制造順序。
EL表示器件，具有將含有熒光性的無機(jī)及有機(jī)化合物的薄膜，夾在陰極與陽極之間的結(jié)構(gòu)，在所述薄膜上注入電子及孔穴，通過再結(jié)合而生成激發(fā)子，利用該激發(fā)子的去激作用而放出的光(熒光、磷光)的發(fā)光元件。
這里，如上所述，在噴摸裝置10上設(shè)置有多個(gè)噴頭20各噴頭分別噴出含有不同材料的液體狀材料。液體狀材料是將材料制成微細(xì)顆粒狀，并利用溶劑及粘結(jié)劑使之成為膏狀的物質(zhì)，并設(shè)定有能夠從噴頭20噴出的粘度(例如50cps以下)。這樣，在對(duì)于基板P的這些多個(gè)噴頭中，從第一噴頭噴出含有第一材料的液體狀材料后進(jìn)行預(yù)干燥(預(yù)燒結(jié))，再從第二噴頭噴出含有第二材料的液體狀材料后進(jìn)行預(yù)干燥(預(yù)燒結(jié))，以下使用多個(gè)噴頭進(jìn)行同樣的處理，在基板P上疊層多層的材料，形成多層布線圖形。
圖6、圖7、圖8是表示使用有機(jī)電發(fā)光元件的有源矩陣型顯示裝置的一例。圖6是表示有機(jī)EL裝置的電路圖，圖7是將對(duì)向電極及有機(jī)電發(fā)光裝置元件去除狀態(tài)下的像素部的放大俯視圖。
如圖6中所示的電路圖，該有機(jī)EL顯示裝置DS，在基板上，多條掃描線131、在對(duì)于這些掃描線131的交叉方向上延長(zhǎng)的多條信號(hào)信號(hào)線132、以及與這些信號(hào)線132相并列延長(zhǎng)的多條共同給電線133分別布線，在每個(gè)掃描線131與信號(hào)線132的交叉點(diǎn)設(shè)置像素AR而構(gòu)成。
對(duì)于信號(hào)線132，設(shè)置著備有移位寄存器、電平移動(dòng)器、視頻線路、以及模擬開關(guān)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路90。
而對(duì)于掃描線131，設(shè)置了具有移位寄存器以及電平移動(dòng)器的掃描驅(qū)動(dòng)電路100。而且，在各個(gè)像素AR的區(qū)域設(shè)置有通過掃描線131在柵電極上供給有掃描信號(hào)的第一薄膜晶體管322、保持通過該第一薄膜晶體管322而由信號(hào)線132供給的圖像信號(hào)的保持容量cap、在柵電極上供給有由保持容量cap所保持的圖像信號(hào)的第二薄膜晶體管324、當(dāng)通過該第二薄膜晶體管324而與共同給電線133電接續(xù)時(shí)從共同給電線133流入驅(qū)動(dòng)電流的像素電極323、以及夾在該像素電極(陽極)323與對(duì)向電極(陰極)522之間的發(fā)光部(發(fā)光層)366。
在這樣的結(jié)構(gòu)中，驅(qū)動(dòng)掃描線131，使第一薄膜晶體管322處于ON狀態(tài)，此時(shí)信號(hào)線132的電位由保持容量cap所保持，根據(jù)該保持容量cap的狀態(tài)，而決定第二薄膜晶體管324的導(dǎo)通狀態(tài)。這樣，通過第二薄膜晶體管324的電路從共同給電線133像素電極323流入電流，進(jìn)而電流又通過發(fā)光層360而流到對(duì)向電極522，發(fā)光層360則根據(jù)所流過的電流的量而發(fā)光。
這里，如圖7所示，各像素AR的平面結(jié)構(gòu)配置成，平面形狀為長(zhǎng)方形的像素電極323的四邊，被信號(hào)線132、共同給電線133、掃描線131、以及圖中未表示的其它像素電極用掃描線所包圍。
圖8是沿圖7中A-A箭頭所示的剖面圖。這里，如圖8所示的有機(jī)EL顯示裝置，是從與配置有薄膜晶體管的基板P一側(cè)相反的一側(cè)將光取出的形態(tài)，即頂部發(fā)射型。
作為基板P的形成材料，可以列舉出玻璃、石英、藍(lán)寶石、聚酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚醚酮等合成樹脂等例子。這里，在有機(jī)EL顯示裝置為頂部發(fā)射型的情況下，基板P也可以是不透明，在這種情況下，也可以使用氧化鋁等陶瓷、在不銹鋼等金屬的表面實(shí)施氧化等絕緣處理的板，熱固性樹脂、熱塑性樹脂等。
而在從配置TFT的基板一側(cè)取出光的形態(tài)，即在背發(fā)射型中，作為基板應(yīng)使用透明的物質(zhì)，即能夠使光透過的透明或半透明的材料，例如可以舉出透明玻璃、石英、藍(lán)寶石，或聚酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚醚酮等透明合成樹脂等例子。特別是，作為基板的形成材料，廉價(jià)的蘇打玻璃最為合適。
如圖8所示，頂部發(fā)射型的有機(jī)EL顯示裝置DS，具有基板P、由銦錫氧化物(ITO)等透明電極材料所構(gòu)成的陽極(像素電極)323、能夠從陽極323輸送孔穴的孔穴輸送層370、含有一種電發(fā)光物質(zhì)即有機(jī)EL物質(zhì)的發(fā)光層(有機(jī)EL層、電光學(xué)元件)360、在發(fā)光層360的上部設(shè)置的電子輸送層350、在電子輸送層350的上面設(shè)置的由鋁(Al)、金(Au)、鎂(Mg)、銀(Ag)、鈣(Ca)等所構(gòu)成的陰極(對(duì)向電極)522、在基板P上形成，作為控制是否向像素電極323寫入數(shù)據(jù)信號(hào)的通電電極的薄膜晶體管(以下稱“TFT”)324。TFT324，是基于來自掃描線驅(qū)動(dòng)電路100以及數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路90的動(dòng)作指令而動(dòng)作，進(jìn)行控制向像素電極323的通電。
TFT324，是通過以SiO2為主體的基底保護(hù)層581而設(shè)置在基板P的表面。該TFT324具有，在基底保護(hù)層581的上層形成的硅層541、在基底保護(hù)層581的上層設(shè)置的覆蓋硅層541的柵絕緣層582、在柵絕緣層582的上面中與硅層541相對(duì)面的部分設(shè)置的柵電極542、在柵絕緣層582的上層設(shè)置的覆蓋柵電極542的第一層間絕緣膜583、通過涉及到柵絕緣層582及第一層間絕緣膜583而開口的接觸孔而與硅層541相接續(xù)的源電極543、夾持柵電極542，設(shè)置在源電極543的對(duì)面位置，通過涉及到柵絕緣層582及第一層間絕緣膜583而開口的接觸孔而與硅層541相接續(xù)的漏電極(第一材料層)544、設(shè)置在第一層間絕緣膜583的上層，覆蓋源電極543與漏電極544的第二層間絕緣膜(第二材料層)584。
而且，在第二層間絕緣膜584的上面配置有像素電極323，像素電極323與漏電極(第一材料層)544，通過設(shè)置在第二層間絕緣膜584上的接觸孔323a而接續(xù)。而且，在第二層間絕緣膜584的表面中設(shè)置著有機(jī)EL元件之外的部分與陰極522之間，設(shè)置有由合成樹脂等構(gòu)成的第三層間絕緣層521(隔柵層)。
還有，硅層541內(nèi)，夾持柵絕緣層582，與柵電極542相重合的區(qū)域?yàn)闇系绤^(qū)域。而且，在硅層541內(nèi)溝道區(qū)域的源一側(cè)設(shè)置有源區(qū)域，而在溝道區(qū)域的漏一側(cè)設(shè)置有漏區(qū)域。其中源區(qū)域通過貫穿柵絕緣層582及第一層間絕緣膜583而開口的接觸孔，與源電極543相接續(xù)。而漏區(qū)域則通過貫穿柵絕緣層582及第一層間絕緣膜583而開口的接觸孔，與由同源電極543同一層形成的漏電極544相接續(xù)，像素電極323則通過漏電極544與硅層541的漏區(qū)域相接續(xù)。
下面參照?qǐng)D9及圖10，對(duì)圖8所示的有機(jī)EL顯示裝置的制造工藝加以說明。
最初，在基板P上形成硅層541。在形成硅層541時(shí)，首先，如圖9(a)所示，在基板P的表面以TEOS(四乙氧基硅烷)或氧氣等為原料，用等離子體CVD(化學(xué)氣相沉積)法，形成厚度約為200～500nm的非晶硅膜，構(gòu)成基底保護(hù)層581。
接著，如圖9(b)所示，設(shè)定基板的溫度約為350℃，在基底保護(hù)層581的表面，用等離子體CVD或ICVD法，形成由厚度約為30～70nm的非晶硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體層541A。接著，對(duì)半導(dǎo)體層541A實(shí)行激光退火法、急速加熱法、或固相生長(zhǎng)法等晶化工序，使半導(dǎo)體層541A晶化，成為多晶硅層。在激光退火法中，例如使用激元激光器發(fā)出的長(zhǎng)尺寸為400mm的線形光束，該輸出強(qiáng)度例如設(shè)定為200mJ/cm2。關(guān)于線形光束，使線形光束進(jìn)行掃描的方式為在相當(dāng)于其短尺寸方向的激光強(qiáng)度峰值的90％的部分在每個(gè)區(qū)域重疊。
接著，如圖9(c)所示，對(duì)半導(dǎo)體層(多晶硅層)514A進(jìn)行圖形化而形成島狀的硅層514之后，對(duì)于其表面，以TEOS(四乙氧基硅烷)或氧氣等為原料，用等離子體CVD(化學(xué)氣相沉積)法，形成厚度約為60～150nm的硅的氧化膜或氮化膜，形成柵絕緣膜582。還有，硅層541，成為如圖6所示的第二薄膜晶體管324的溝道區(qū)域、及源·漏區(qū)域，但在不同的截面位置，也形成構(gòu)成第一薄膜晶體管322的溝道區(qū)域、及源·漏區(qū)域的半導(dǎo)體膜。也就是說，兩種類的晶體管322、324同時(shí)形成，但由于是由同樣的順序形成，所以在以下的說明中，關(guān)于晶體管，僅對(duì)第二薄膜晶體管324加以說明，而將第一薄膜晶體管322的說明省略。
另外，柵絕緣膜582也可以是具有多孔性的硅的氧化膜。由具有多孔性的SiO2膜所構(gòu)成的柵絕緣膜582，可以使用作為反應(yīng)氣體的Si2H6與O3，由CVD法所形成。使用這些反應(yīng)氣體，氣相中能夠形成顆粒大的SiO2，該顆粒大的SiO2，堆積在硅層541或基底保護(hù)層581上。因此，柵絕緣膜582斷層中就有很多孔隙，形成多孔體。而且，柵絕緣膜582成為多孔體使其具有底的介電率。
另外，還可以對(duì)柵絕緣膜582的表面進(jìn)行H(氫)等離子體處理。由此使孔隙表面的Si-O結(jié)合中的搖擺結(jié)合置換為Si-H結(jié)合，使膜的耐吸濕性變好。而且，在經(jīng)該等離子體處理的柵絕緣膜582的表面，還可以設(shè)置別的SiO2層。這樣，能夠形成低介電率的絕緣膜。
另外，由CVD法形成柵絕緣膜582時(shí)的反應(yīng)氣體，除了Si2H6+O3之外，還可以是Si2H6+O2、Si3H8+O3、Si3H8+O2等。進(jìn)而，還可以使用在上述氣體中加入含硼(B)的反應(yīng)氣體、含氟(F)的反應(yīng)氣體等。
進(jìn)而，還可以用噴墨法形成柵絕緣膜582。作為為了形成柵絕緣膜582而從噴頭20噴的液體狀材料，可以是將上述SiO2等材料在適當(dāng)?shù)娜軇┲蟹稚⒍酄罨奈镔|(zhì)，或者是含有絕緣性材料的溶膠等。作為含有絕緣性材料的溶膠，可以是將四乙氧基硅烷等硅烷化合物在適當(dāng)?shù)娜軇┲腥芙舛玫降奈镔|(zhì)，或者是將含有鋁的螯化鹽、有機(jī)堿金屬鹽、或有機(jī)堿土金屬鹽的組成物，經(jīng)燒結(jié)調(diào)劑而得到僅無機(jī)氧化物。用噴墨法形成的柵絕緣膜582，其后進(jìn)行預(yù)干燥。
在用噴墨法形成的柵絕緣膜582時(shí)，在為了形成柵絕緣膜582的噴動(dòng)作之前，還可以對(duì)基底保護(hù)層581或硅層541等進(jìn)行能夠控制液體狀材料親和性的表面處理。在這種情況下的表面處理，是UV、等離子體處理等親液處理。這樣做，使為了形成柵絕緣膜582的液體狀材料能夠更密切地與基底保護(hù)層581接觸，并平坦化。
接著，如圖9(d)所示，在柵絕緣膜582上由濺射法形成含有鋁、鉭、鉬、鎢等金屬的導(dǎo)電膜，其后，再將其圖形化，形成柵電極542。接著，在這種狀態(tài)下，注入高濃度的磷離子，在硅層541上，形成對(duì)于柵電極542能夠自我調(diào)整的源區(qū)域541s及漏區(qū)域541d。在這種情況下，柵電極542作為形成圖形用的掩模。還有，未導(dǎo)入不純物的部分成為導(dǎo)通區(qū)域541c。
接下來，如圖9(e)所示，形成第一層間絕緣膜583。第一層間絕緣膜583與柵絕緣膜582同樣，是由硅的氧化膜或氮化膜、具有多孔性的硅的氧化膜等所構(gòu)成，以與形成柵絕緣膜582相同的順序，在柵絕緣膜582的上層形成。
進(jìn)而，與柵絕緣膜582的形成工序相同，第一層間絕緣膜583也可以由噴墨法來形成。作為為了形成第一層間絕緣膜583而從噴頭20噴出的液體狀材料，與柵絕緣膜582同樣，可以是將上述SiO2等材料在適當(dāng)?shù)娜軇┲蟹稚⒍酄罨奈镔|(zhì)，或者是含有絕緣性材料的溶膠等。作為含有絕緣性材料的溶膠，可以是將四乙氧基硅烷等硅烷化合物在適當(dāng)?shù)娜軇┲腥芙舛玫降奈镔|(zhì)，或者是將含有鋁的螯化鹽、有機(jī)堿金屬鹽、或有機(jī)堿土金屬鹽的組成物，經(jīng)燒結(jié)調(diào)劑而得到僅無機(jī)氧化物。用噴墨法形成的第一層間絕緣膜583，其后進(jìn)行預(yù)干燥。
在用噴墨法形成的第一層間絕緣膜583時(shí)，在為了形成第一層間絕緣膜583的噴出動(dòng)作之前，還可以對(duì)柵絕緣膜582的上面進(jìn)行能夠控制液體狀材料親和性的表面處理。在這種情況下的表面處理，是UV、等離子體處理等的親液處理。這樣做，是為了形成第一層間絕緣膜583的液體狀材料能夠更密切地與柵絕緣膜582，并平坦化。
而且，通過使用光刻法對(duì)該第一層間絕緣膜583及柵絕緣膜582進(jìn)行形成圖形的處理，形成與源電極及漏電極相對(duì)應(yīng)的接觸孔。接著，在形成由鋁、鉻、鉭等金屬所構(gòu)成的覆蓋第一層間絕緣膜583的導(dǎo)電層之后，在該導(dǎo)電層中，設(shè)置圖形形成用掩模以覆蓋應(yīng)該形成源電極及漏電極的區(qū)域，同時(shí)，通過對(duì)導(dǎo)電層實(shí)行形成圖形，形成源電極543與漏電極544。
接著，在第一層間絕緣膜583上形成信號(hào)線、共同給電線、以及掃描線(圖中未表示)。此時(shí)，由于它們所包圍的場(chǎng)所成為如后面要敘述的那樣形成反光層等的像素，所以例如在背發(fā)射型的情況下，TFT324就不在所述各布線所包圍區(qū)域的正下方而形成各布線。
接著，如圖10(a)所示，形成第二層間絕緣膜584，覆蓋第一層間絕緣膜583、各電極543、544、以及所述未圖示的各布線。
第一層間絕緣膜583由噴膜法形成。器件制造裝置IJ的控制裝置CONT，如圖10(a)所示，在漏電極(第一材料層)544的上面設(shè)定非噴區(qū)域(非滴下區(qū)域)H，在漏電極544的非噴出區(qū)域以外的部分，噴出為形成第二層間絕緣膜584的液體狀材料，覆蓋源電極543及第一層間絕緣膜583，形成第二層間絕緣膜584。通過這樣做，形成接觸孔323a?；蛘呤?，也可以用光刻法法形成接觸孔323a。
這里，作為為了形成第二層間絕緣膜584而從噴頭20噴的液體狀材料，與第一層間絕緣膜583同樣，可以是將上述SiO2等材料在適當(dāng)?shù)娜軇┲蟹稚⒍酄罨奈镔|(zhì)，或者是含有絕緣性材料的溶膠等。作為含有絕緣性材料的溶膠，可以是將四乙氧基硅烷等硅烷化合物在適當(dāng)?shù)娜軇┲腥芙舛玫降奈镔|(zhì)，或者是將含有鋁的螯化鹽、有機(jī)堿金屬鹽、或有機(jī)堿土金屬鹽的組成物，經(jīng)燒結(jié)調(diào)劑而得到僅無機(jī)氧化物。用噴墨法形成的第二層間絕緣膜584，其后進(jìn)行預(yù)干燥。
在用噴墨法形成的第二層間絕緣膜584時(shí)，在為了形成第二層間絕緣膜584的噴動(dòng)作之前，還可以對(duì)漏電極544的非噴區(qū)域H進(jìn)行能夠控制液體狀材料親和性的表面處理。在這種情況下的表面處理，是防液處理。這樣做，是為了在非噴區(qū)域H上不配置液體狀材料，以穩(wěn)定地形成接觸孔323a。而且，在非噴區(qū)域H以外的漏電極544上面、源電極543上面、第一層間絕緣膜583上面，通過預(yù)先實(shí)施親液處理，使為了形成第二層間絕緣膜584的液體狀材料能夠更密切地與第一層間絕緣膜583、源電極543、以及漏電極544的非噴區(qū)域H以外的部分更緊密地接觸，并平坦化。
這樣，在第二層間絕緣膜584中與漏電極544相對(duì)應(yīng)的部分形成接觸孔323a，同時(shí)在漏電極(第一材料層、導(dǎo)電材料層)544的上層形成第二絕緣層(第二材料層、絕緣性材料層)584，這樣，就能夠如圖8(b)所示，形成像素電極(陽極)323，在接觸孔323a中填充導(dǎo)電性材料，即通過接觸孔323a而形成與漏電極544相接續(xù)的導(dǎo)電性材料的圖形。
與有機(jī)EL元件相接續(xù)的陽極323，由攙雜ITO或氟等的SnO2，進(jìn)而ZnO、聚胺等透明電極材料所構(gòu)成，通過接觸孔323a與TFT324的漏電極544相接續(xù)。在陽極323的形成中，在第二層間絕緣膜584上形成3所述透明電極材料所構(gòu)成的喔，再通過對(duì)該膜的形成圖形而形成。
陽極523形成之后，如圖10(c)所示，形成有機(jī)隔柵膜521，覆蓋第二層間絕緣膜584的所定位置及陽極323的一部分。第三絕緣膜521，由丙烯樹脂、聚酰亞胺樹脂等合成樹脂所構(gòu)成。具體的第三絕緣膜521的形成方法，例如，可以將由丙烯樹脂、聚酰亞胺樹脂等保護(hù)膜溶于溶劑中得到的溶液，用旋轉(zhuǎn)噴涂等方法進(jìn)行涂敷而形成絕緣層。還有，絕緣層的構(gòu)成材料，只要是不溶解于后述液體狀材料的溶劑，且通過侵蝕容易得到圖形，什么樣的物質(zhì)都可以。進(jìn)而，使用光刻法法對(duì)絕緣層同時(shí)侵蝕，通過形成開口部521a，形成具有開口部521a的第三絕緣膜521。
這里，在第三絕緣膜521的表面，形成顯示親液性的區(qū)域、與顯示防液性的區(qū)域。在本實(shí)施例中，通過等離子體處理工序，而形成各工序。具體地講，離子體處理工序具有與加熱工序、使開口部521a的壁面及像素電極323的電極面成為親液性的親液化工序、使第三絕緣層521的上面成為防液性的防液化工序、以及冷卻工序。
也就是說，將基材(包含第三絕緣層等的基板P)加熱到所定的溫度(例如70～80度左右)，接著進(jìn)行作為親液化工序的，在大氣氣氛中以氧氣作為反應(yīng)氣體的等離子體處理(氧氣等離子體處理)，接著進(jìn)行作為防液化工序的，在大氣氣氛中以四氟化甲烷作為反應(yīng)氣體的等離子體處理(CF4等離子體處理)，將為了進(jìn)行等離子體處理而加熱的基板冷卻到室溫，就在所定的場(chǎng)所給予了親液性與防液性。還有，關(guān)于像素電極323的電極面，雖然也受到若干該CF4等離子體處理的影響，但由于像素電極323的出來缺乏對(duì)氟的親和性，所以在親液化處理工序中賦予的氫氧基就不能置換氟氫基，所以能夠保持親液性。
接著，如圖10(d)所示，在陽極323的上面形成孔穴輸送層370。這里，對(duì)孔穴輸送層370的形成材料，并無特別的限制，可以使用共知的材料，例如可以由三苯胺介電體(TPD)、吡唑啉介電體、丙烯胺介電體、二苯乙烯介電體、三苯二胺介電體等所構(gòu)成。具體地講，可以給出特開昭63-70257號(hào)、同63-175860號(hào)、特開平2-135359號(hào)、同2-135361號(hào)、同2-209988號(hào)、同3-37992號(hào)、同3-152184號(hào)等專利中所記載的例子，但希望是三苯二胺介電體，其中更為希望的是4，4′-二(N(3-甲苯)-N-氨基苯)聯(lián)苯。
還有，也可以形成孔穴注入層以取代孔穴輸送層，進(jìn)而，也可以同時(shí)形成孔穴注入層與孔穴輸送層。在這種情況下，作為孔穴注入層的材料，例如可以是銅酞菁染料(CuPc)、聚四氫苯硫基亞苯，即聚亞苯亞乙烯基、1，1′-二(-N，N-二三氨基苯)環(huán)己烷、三(8-偏苯三酚亞油酸)鋁等，特別希望的是銅酞菁染料CuPc)。
在形成孔穴注入/輸送層370時(shí)，使用噴墨法。即，將含有所述孔穴注入/輸送層材料的組成物液體狀材料噴在陽極323的電極面上之后，通過實(shí)施預(yù)干燥處理，在陽極323上形成孔穴注入/輸送層370。還有，在該形成孔穴注入/輸送層370的工序之后，應(yīng)該防止孔穴注入/輸送層370以及發(fā)光層(有機(jī)EL層)的氧化，希望能夠在氮?dú)?、氬氣等惰性氣體中進(jìn)行。例如，在噴頭(未圖示)中填充含有所述孔穴注入/輸送層材料的組成物液體狀材料，將噴頭的噴嘴對(duì)向陽極323的電極面，在噴頭相對(duì)于基材(基板P)移動(dòng)的同時(shí)，由噴頭的噴嘴將控制為一滴的墨滴噴到電極面。接著，對(duì)噴出的液滴接著干燥處理，使液體狀材料中所含的溶劑揮發(fā)，形成孔穴注入/輸送層370。
還有，作為組成物液體狀材料，例如，可以使用將聚乙烯、二氧化、四氫噻吩、介電體與聚苯乙烯、砜、酸等的混合物，溶解于異丙醇、等極性溶劑中所得到的溶液。這里，噴出的液滴，在經(jīng)親液處理的陽極323的電極面上擴(kuò)展，充滿開口部521a的底部近旁。另一方面，液滴并不會(huì)粘附于經(jīng)防液處理的第三絕緣層521上。所以，即使是液滴從所應(yīng)該噴出的位置發(fā)生了偏離，噴到了第三絕緣層521的上面也不會(huì)發(fā)生液滴對(duì)該上面的潤濕，不與第三絕緣層521向粘附的液滴就會(huì)流入第三絕緣層521的開口部521a內(nèi)。
接著，在孔穴注入/輸送層370上形成發(fā)光層360。作為發(fā)光層360形成材料，并無特別的限制，可以是低分子的有機(jī)發(fā)光色素或該分子發(fā)光體，即可以使用由各種熒光物質(zhì)或磷光物質(zhì)所構(gòu)成的發(fā)光物質(zhì)。在構(gòu)成發(fā)光物質(zhì)的共扼系高分子中，特別希望有包含亞芳香基亞乙烯結(jié)構(gòu)的物質(zhì)。在低分子熒光中，例如可以使用萘介電體、蒽介電體、二萘嵌苯介電體、聚甲炔染料系、咕噸系、鄰吡喃酮系、藍(lán)色素系等色素類，8-氫喹啉以及該介電體的金屬錯(cuò)體、芳香族胺、四苯基環(huán)戊二烯介電體等，或者是專利特開昭57-51781、同59-19439號(hào)公報(bào)等中所記載的公知的物質(zhì)。
發(fā)光層360，是用與孔穴注入/輸送層370同樣的方法所形成。即噴墨法將含有發(fā)光層材料的組成物液體狀材料噴在孔穴注入/輸送層370上之后，通過預(yù)干燥處理，在第三絕緣層521上形成的開口部521a內(nèi)部的孔穴注入/輸送層370上形成發(fā)光層360。該發(fā)光層的形成工序，也在如上所述的惰性氣體中進(jìn)行。由于噴出的組成物液體狀材料受到經(jīng)防液處理區(qū)域的排斥，所以即使是從所應(yīng)噴出的位置發(fā)生了偏離，被排斥的液體也會(huì)流入第三絕緣層521上形成的開口部521a內(nèi)。
接著，在發(fā)光層360上形成電子輸送層350。電子輸送層350是與發(fā)光層360相同，使用噴墨法所形成。作為電子輸送層350的形成材料，并無特別的限制，可以舉出的例子有，二唑啉硫酮介電體、蒽醌地麥威及其介電體、苯醌及其介電體、萘醌及其介電體、蒽醌及其介電體、四tetra氰基蒽醌地麥威及其介電體、芴酮介電體、聯(lián)苯雙乙烯及其介電體、苯乙哌啶介電體、8-氫喹啉以及該介電體的金屬錯(cuò)體等。具體地講，與前面的孔穴輸送層的形成材料同樣，有在特開昭63-70257號(hào)、同63-175860號(hào)、特開平2-135359號(hào)、同2-135361號(hào)、同2-209988號(hào)、同3-37992號(hào)、同3-152184號(hào)等專利中所記載的例子，特別希望是2-(4-聯(lián)苯)-5-(4-t-丁基butyl苯基phenyl)-1，3，4-二唑啉硫酮、苯醌、蒽醌、三(8-氧喹啉(8-キノリノル))鋁。由噴墨法將組成物液體狀材料噴出后，進(jìn)行預(yù)干燥。
還有，在將所述孔穴注入/輸送層370的形成材料與電子輸送層350的形成材料混合入發(fā)光層360的形成材料，作為發(fā)光層材料而使用的情況下，關(guān)于孔穴注入/輸送層形成材料與電子輸送層形成材料的使用量，盡管根據(jù)所使用的化合物的種類而有所不同，但可以在具有充分的成膜性與不阻礙發(fā)光特性的范圍內(nèi)，做適當(dāng)?shù)臎Q定。通常取發(fā)光層形成材料的1～40重量％，進(jìn)而希望的是2～30重量％。
接著，如圖10(e)所示，在電子輸送層350及第三絕緣層521的上面形成陰極522。陰極522，是在電子輸送層350及第三絕緣層521的全面上，或者是以條紋狀而形成。關(guān)于陰極522，當(dāng)然可以是由鋁、鎂、鋰、鈣等單體材料或鎂∶銀(1∶10合金)的合金材料所構(gòu)成的一層材料所形成，也可以形成二層或三層的金屬(合金)層。具體地講，可以使用鋰20(20nm左右)/鋁或LiF(0.5nm左右)/鋁，MgF2/鋁的疊層結(jié)構(gòu)。陰極222是由上述金屬所構(gòu)成的薄膜，可使光透過。
還有，在所述實(shí)施例中，各絕緣層的形成時(shí)使用的是噴墨法。但在源電極543及漏電極544、或者是陽極323及陰極522的形成時(shí)，也可以使用噴墨法。預(yù)干燥處理是在組成物液體狀材料分別噴出后而進(jìn)行的。
還有，作為構(gòu)成導(dǎo)電性材料層的導(dǎo)電性材料(器件形成用材料)，可以是所定的金屬，或者是導(dǎo)電性聚合物。
作為金屬，根據(jù)金屬漿料的用途可以列舉出，銀、金、鎳、銦、錫、鉛、鋅、鈦、銅、鉻、鉭、鎢、鈀、鉑、鐵、鈷、硼、硅、鋁、鎂、鈧、銠、銥、釩、釕、鋨、鈮、鉍、鋇等中的至少一種或由這些金屬構(gòu)成的合金。而且，還可以列舉出氧化銀(AgO或Ag2O)或氧化銅等。
而且，作為將上述導(dǎo)電性材料成為能夠從噴頭噴出的漿狀物的有機(jī)溶劑，只要是含有碳的數(shù)量在5以上的乙醇類(例如松油醇、香茅醇、香葉醇、橙花醇、苯乙基醇)中的一種，或者是含有有機(jī)酯(例如醋酸乙荃、油酸乙荃、醋酸丁基、甘油酯)中的一種的溶劑即可，可根據(jù)瑣事使用的金屬或非金屬漿狀物的用途而適當(dāng)?shù)剡x擇。進(jìn)而，還可以使用礦物酒精、正十三(碳)烷或者它們的混合物、碳原子數(shù)在5以上的碳?xì)浠衔?例如松萜蒎烯等)、醇類(例如n-庚醇等)、乙醚(例如乙荃ethy苯甲基乙醚等)、酯(例如n-丁基硬脂酸鹽等)、酮(例如二異丁基甲酮等)、有機(jī)耽化物(例如三異丁胺等)、有機(jī)硅化物(例如硅油等)、有機(jī)硫化物及其混合物。還有，在有機(jī)溶劑中還可以根據(jù)需要添加有機(jī)物。而且，可以根據(jù)這些溶劑來設(shè)定預(yù)干燥處理時(shí)氣體的溫度。
下面對(duì)設(shè)置有所述實(shí)施例的EL顯示裝置的電子機(jī)器的例子加以說明。
圖11是表示手機(jī)的一例的立體圖。在圖11中，符號(hào)1000表示手機(jī)的本體，1001表示使用所述有機(jī)EL裝置的表示部。
圖12是表示手表型電子機(jī)器一例的立體圖。在圖12中，符號(hào)1100表示手表的本體，1101表示使用所述有機(jī)EL裝置的表示部。
圖13是表示文字處理器、個(gè)人電腦等攜帶型信息處理裝置一例的立體圖。在圖13中，符號(hào)1200表示信息處理裝置，1202表示鍵盤等輸入部，1204表示信息處理裝置本體，1206表示使用所述有機(jī)EL裝置的表示部。
圖11～圖13所示的電子機(jī)器，由于設(shè)置有所述實(shí)施例的有機(jī)EL顯示裝置，所以能夠?qū)崿F(xiàn)設(shè)置有表示品質(zhì)優(yōu)良、具有明亮圖像的有機(jī)EL顯示裝置部的電子機(jī)器。
在所述實(shí)施例中，本發(fā)明的器件的制造方法，是適用于有機(jī)EL顯示裝置器件的驅(qū)動(dòng)用TFT的布線圖形的形成，但并不限于有機(jī)EL顯示裝置，也可以適用于PDP(等離子體顯示面板)器件布線圖形的制造，液晶表示器件布線圖形的制造。而且，在制造各種多層布線器件時(shí)，導(dǎo)電性材料層及絕緣性材料層中任意材料層的形成時(shí)，都能夠適用噴墨法。
還有，本發(fā)明的技術(shù)范圍也不限于上述實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)，能夠添加各種的變更，在實(shí)施例中所列舉的具體的材料或?qū)拥慕Y(jié)構(gòu)僅僅是一例，可以進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖兏?br> 如以上的說明，在對(duì)基板上配置的液體狀材料進(jìn)行預(yù)干燥處理時(shí)，由于是使用加熱到一定溫度的氣體與配置有液體狀材料的基板相接觸而進(jìn)行的干燥，所以在預(yù)干燥處理時(shí)，即使不將基板從為配置液體狀材料的裝置臺(tái)架上取下，也能夠簡(jiǎn)單地進(jìn)行預(yù)干燥。所以能夠使工作效率提高，實(shí)現(xiàn)低成本化。
權(quán)利要求
1.一種器件的制造方法，具有向基板上供給液體狀材料從而在該基板上層疊多層的材料層的工序，其特征在于具有將所述液體狀材料配置在所述基板上的制膜工序、和通過使配置有所述液體狀材料的所述基板與加熱至所定溫度的氣體接觸，從而對(duì)所述液體狀材料進(jìn)行預(yù)干燥的預(yù)干燥工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件的制造方法，其特征在于具有在分別進(jìn)行所定的次數(shù)的所述制膜工序與所述預(yù)干燥工序之后，對(duì)所述基板進(jìn)行燒結(jié)的燒結(jié)工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的器件的制造方法，其特征在于所述液體狀材料是將器件形成用材料分散配置在所定的溶劑中的，并根據(jù)所述溶劑來設(shè)定所述所定的溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的器件的制造方法，其特征在于采用能夠定量滴下所述液體狀材料的液滴噴出裝置進(jìn)行所述制膜工序。
5.一種器件的制造方法，具有向基板上供給液體狀材料從而在該基板上層疊多層的材料層的工序，其特征在于具有將所述液體狀材料配置在所述基板上的制膜工序、和通過使配置有所述液體狀材料的所述基板的表面上的氣體針對(duì)該基板產(chǎn)生相對(duì)移動(dòng)，從而對(duì)所述液體狀材料進(jìn)行預(yù)干燥的預(yù)干燥工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件的制造方法，其特征在于通過使所述氣體接觸所述基板從而進(jìn)行所述預(yù)干燥工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件的制造方法，其特征在于通過使所述基板移動(dòng)從而進(jìn)行所述預(yù)干燥工序。
8.一種器件的制造裝置，具有可向基板上供給液體狀材料的制膜裝置，其特征在于具有將所述基板與加熱至所定溫度的氣體接觸的預(yù)干燥裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件的制造裝置，其特征在于所述預(yù)干燥裝置包括支承所述基板的臺(tái)架、可以向受到所述臺(tái)架支承的所述基板供給所述氣體的氣體供給部、以及使所述臺(tái)架與所述氣體供給部產(chǎn)生相對(duì)移動(dòng)的移動(dòng)裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的器件的制造裝置，其特征在于所述制膜裝置，包括能夠定量滴下所述液體狀材料的液滴噴出裝置。
11.一種器件的制造裝置，具有可向基板上供給液體狀材料的制膜裝置，其特征在于具有使所述基板表面上的氣體針對(duì)所述基板產(chǎn)生相對(duì)移動(dòng)的預(yù)干燥裝置。
12.一種器件，其特征在于由權(quán)利要求9～11中任一項(xiàng)所述的器件制造裝置而制造。
13.一種電子機(jī)器，其特征在于安裝有權(quán)利要求12所述的器件。
全文摘要
一種器件的制造方法及器件制造裝置，其中，器件制造裝置(S)包括能夠在基板P上配置液體狀材料的噴墨裝置(10)、以及能夠使加熱到一定溫度的氣體與基板相接觸的預(yù)干燥裝置(80)。能夠在對(duì)多層布線器件進(jìn)行預(yù)干燥處理時(shí)，保持高的工作效率，及低成本。
文檔編號(hào)H05K3/10GK1444424SQ0312041
公開日2003年9月24日 申請(qǐng)日期2003年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月13日
發(fā)明者長(zhǎng)谷井宏宣, 平井利充 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社