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溫度補(bǔ)償輔熱膜及其加工方法與流程

文檔序號:40637696發(fā)布日期:2025-01-10 18:43閱讀:2來源:國知局
溫度補(bǔ)償輔熱膜及其加工方法與流程

本發(fā)明屬于體外診斷,具體的為一種用于pcr熒光定量分析儀用于提高溫度均勻性的溫度補(bǔ)償輔熱膜及其加工方法。


背景技術(shù):

1、pcr過程中,變溫金屬熱井之間的溫度均勻性直接影響到測量的準(zhǔn)確性?,F(xiàn)有技術(shù)中,主要有以下幾種方式來提高熱井之間的溫度均勻性:(1)邊緣保溫;(2)將各個熱井通過筋連接起來以提高熱井之間的熱傳導(dǎo);(3)安裝溫度補(bǔ)償加熱膜。邊緣保溫和增加熱傳導(dǎo)的方式,仍不能完全隔絕變溫金屬與周圍空氣之間的熱交換,導(dǎo)致變溫金屬邊緣區(qū)域的溫度較低。安裝溫度補(bǔ)償加熱膜雖然在一定程度上能夠提高各個熱井的溫度均勻性,但由于變溫金屬的每個熱井所散失的熱量是不均勻的,并且由于每個熱井在不同溫度點與外界溫差的不同,所需補(bǔ)償?shù)臒崃恳膊煌?,現(xiàn)有的利用加熱膜來彌補(bǔ)熱量損失的方式只能做到粗略的溫度補(bǔ)償,而無法對每個熱井進(jìn)行精密的溫度補(bǔ)償?,F(xiàn)有的溫度補(bǔ)償加熱膜一般采用半導(dǎo)體制冷器,半導(dǎo)體制冷器表面的制冷或加熱功率存在一定的不均勻性。有鑒于此,有必要設(shè)計一種能夠?qū)γ總€熱井進(jìn)行獨立溫度補(bǔ)償?shù)臏囟妊a(bǔ)償輔熱膜。

2、目前市場上應(yīng)用最廣泛的電路板主要是pcb線路板,通常,pcb線路板按層數(shù)來分的話分為單面板、雙面板和多層電路板三類。單面板中電子器件層等零件只集中在pcb其中的一面上,導(dǎo)線則集中布設(shè)在另一面上。這種單面板的制作工藝簡單,造價低廉,但是,無法應(yīng)用在太復(fù)雜的產(chǎn)品上。當(dāng)單層布線不能滿足電子產(chǎn)品的需求時,可采用雙面板,雙面板即電路板的正反兩面都有覆銅和走線,并且,可以通過板子上的過孔來導(dǎo)通正反面之間的線路,使之形成所需要的網(wǎng)絡(luò)連接。多層電路板是指具有三層或者以上的導(dǎo)電涂層與其間的絕緣材料以相隔層壓而成。多層電路板容量大、體積小、功能多,但是,造價較高。

3、電路板的加工過程中,主要依靠蝕刻的方法,即用化學(xué)試劑侵蝕掉電路板表面沒有用的銅或者鋁,污染環(huán)境。另外,現(xiàn)有方法制作的電路板,即使是軟板,手感也比較硬,柔韌度較差,尤其是應(yīng)用在產(chǎn)品的電子標(biāo)簽領(lǐng)域時,由于在對電子標(biāo)簽進(jìn)行識別時,需要多次使用電子標(biāo)簽所在的電路,故較硬的電路板容易發(fā)生彎折,甚至損壞。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種溫度補(bǔ)償輔熱膜及其加工方法,能夠滿足溫度補(bǔ)償輔熱膜的生產(chǎn)加工要求。

2、為達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:

3、本發(fā)明首先提出了一種溫度補(bǔ)償輔熱膜加工方法,所述溫度補(bǔ)償輔熱膜包括布線主體,所述布線主體的其中一側(cè)或相對的兩側(cè)間隔設(shè)有輔熱片,所述輔熱片上設(shè)有加熱電路,所述布線主體上與每一塊所述輔熱片上的加熱電路一一對應(yīng)設(shè)有供電電路;

4、所述加工方法包括如下步驟:

5、步驟一:將聚酰亞胺膜加工成具有布線主體和輔熱片的設(shè)定形狀;

6、步驟二:在聚酰亞胺膜上涂覆一層固化膜;

7、步驟三:將導(dǎo)電金屬箔材鋪在布線主體和其中一片輔熱片上;

8、步驟四:對導(dǎo)電金屬箔材進(jìn)行蝕刻,在輔熱片上形成加熱電路,在布線主體上形成供電電路;

9、步驟五:在蝕刻后的導(dǎo)電金屬箔材上涂覆一層固化膜;

10、步驟六:判斷是否所有輔熱片上均加工有加熱電路:若是,則執(zhí)行步驟七;若否,則執(zhí)行步驟二;

11、步驟七:將聚酰亞胺膜加熱至設(shè)定溫度范圍后,折彎輔熱片,使輔熱片與布線主體之間的夾角為60°-110°。

12、進(jìn)一步,所述輔熱片的兩側(cè)分別設(shè)有定位片,相鄰兩片所述定位片之間形成用于定位熱井的定位區(qū);所述步驟一中,將聚酰亞胺膜加工成具有布線主體、輔熱片和定位片的設(shè)定形狀。

13、進(jìn)一步,所述步驟三中,金屬導(dǎo)電箔材通過壓延的方式鋪設(shè)在布線主體和輔熱片上。

14、進(jìn)一步,所述步驟七中,聚酰亞胺膜的加熱溫度范圍為250-300℃。

15、進(jìn)一步,聚酰亞胺膜的加熱溫度為280℃。

16、進(jìn)一步,所述步驟七中,折彎后的輔熱片與布線主體之間的夾角為90°。

17、進(jìn)一步,所述導(dǎo)電金屬箔材采用銅箔、銀箔或金箔。

18、進(jìn)一步,所述加熱電路為環(huán)形電路。

19、進(jìn)一步,所述固化膜采用pes熱熔膜。

20、本發(fā)明還提出了一種溫度補(bǔ)償輔熱膜,采用如上所述溫度補(bǔ)償輔熱膜加工方法加工得到。

21、本發(fā)明的有益效果在于:

22、本發(fā)明的溫度補(bǔ)償輔熱膜加工方法,首先將聚酰亞胺膜加工成包含布線主體和輔熱片的設(shè)定形狀,然后在布線主體和輔熱片之間分別加工供電電路和加熱電路;加工供電電路和加熱電路過程中,利用固化膜一方面可以粘接固定導(dǎo)電金屬箔材,另一方面,還可以隔離與不同輔熱片對應(yīng)的供電電路,使不同輔熱片的供電電路相互獨立;在所有輔熱片上均加工有加熱電路后,最后將聚酰亞胺膜加熱至設(shè)定溫度后折彎輔熱片,使輔熱片與布線主體之間具有設(shè)定的夾角,以便于在使用時使輔熱片與熱井外壁貼合。本發(fā)明的溫度補(bǔ)償輔熱膜加工方法,布線主體上設(shè)有多層供電電路,能夠增加布線主體的結(jié)構(gòu)剛性;輔熱片上僅設(shè)置一層加熱電路,使輔熱片具有足夠的柔韌性以與熱井外表面貼合。

23、如此,加工得到的溫度補(bǔ)償輔熱膜中,每個輔熱片中的加熱電路與供電電路均獨立設(shè)置,如此,可以分別控制每個加熱電路的加熱功率,從而對不同熱井分別采用不同的加熱功率以進(jìn)行溫度補(bǔ)償,提高熱井的溫度均勻性。



技術(shù)特征:

1.一種溫度補(bǔ)償輔熱膜加工方法,其特征在于:所述溫度補(bǔ)償輔熱膜包括布線主體,所述布線主體的其中一側(cè)或相對的兩側(cè)間隔設(shè)有輔熱片,所述輔熱片上設(shè)有加熱電路,所述布線主體上與每一塊所述輔熱片上的加熱電路一一對應(yīng)設(shè)有供電電路;

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償輔熱膜加工方法,其特征在于:所述輔熱片的兩側(cè)分別設(shè)有定位片,相鄰兩片所述定位片之間形成用于定位熱井的定位區(qū);所述步驟一中,將聚酰亞胺膜加工成具有布線主體、輔熱片和定位片的設(shè)定形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償輔熱膜加工方法,其特征在于:所述步驟三中,金屬導(dǎo)電箔材通過壓延的方式鋪設(shè)在布線主體和輔熱片上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償輔熱膜加工方法,其特征在于:所述步驟七中,聚酰亞胺膜的加熱溫度范圍為250-300℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的溫度補(bǔ)償輔熱膜加工方法,其特征在于:聚酰亞胺膜的加熱溫度為280℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償輔熱膜加工方法,其特征在于:所述步驟七中,折彎后的輔熱片與布線主體之間的夾角為90°。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償輔熱膜加工方法,其特征在于:所述導(dǎo)電金屬箔材采用銅箔、銀箔或金箔。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償輔熱膜加工方法,其特征在于:所述加熱電路為環(huán)形電路。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度補(bǔ)償輔熱膜加工方法,其特征在于:所述固化膜采用pes熱熔膜。

10.一種溫度補(bǔ)償輔熱膜,其特征在于:采用如權(quán)利要求1-5任一項所述溫度補(bǔ)償輔熱膜加工方法加工得到。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種溫度補(bǔ)償輔熱膜加工方法,包括如下步驟:步驟一:將聚酰亞胺膜加工成具有布線主體和輔熱片的設(shè)定形狀;步驟二:在聚酰亞胺膜上涂覆一層固化膜;步驟三:將導(dǎo)電金屬箔材鋪在布線主體和其中一片輔熱片上;步驟四:對導(dǎo)電金屬箔材進(jìn)行蝕刻,在輔熱片上形成加熱電路,在布線主體上形成供電電路;步驟五:在蝕刻后的導(dǎo)電金屬箔材上涂覆一層固化膜;步驟六:判斷是否所有輔熱片上均加工有加熱電路:若是,則執(zhí)行步驟七;若否,則執(zhí)行步驟二;步驟七:將聚酰亞胺膜加熱至設(shè)定溫度范圍后,折彎輔熱片,使輔熱片與布線主體之間的夾角為60°?110°。本發(fā)明還公開了一種溫度補(bǔ)償輔熱膜,能夠?qū)γ總€熱井分別進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

技術(shù)研發(fā)人員:王峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者:中元匯吉生物技術(shù)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/9
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