本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2014年05月21日，申請(qǐng)?zhí)枮?01410216898.6，發(fā)明名稱為“數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置、數(shù)字傳送裝置與數(shù)字轉(zhuǎn)換方法”的專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

本發(fā)明是關(guān)于一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置、一數(shù)字傳送裝置與一數(shù)字轉(zhuǎn)換方法，尤指具有較大動(dòng)態(tài)功率范圍的一數(shù)字傳送裝置及與其相關(guān)的數(shù)字轉(zhuǎn)換方法。

背景技術(shù)：

在無(wú)線通信系統(tǒng)(例如第三代的移動(dòng)通信系統(tǒng))中，其輸出信號(hào)的功率具有高的動(dòng)態(tài)范圍是必要的條件。舉例而言，一手機(jī)所要求的輸出功率的動(dòng)態(tài)范圍是-78分貝(dbm)。一般而言，若一單芯片的傳送器要能夠傳送范圍從0dbm至-78dbm的功率的話，則該傳送器會(huì)包含有多個(gè)功能元件，例如一數(shù)模轉(zhuǎn)換器、低通濾波器、可編程增益放大器、調(diào)制器以及前級(jí)驅(qū)動(dòng)器(pre-driver)。該些元件的構(gòu)造都是非常復(fù)雜且會(huì)占據(jù)較大的芯片面積。因此，利用一射頻功率數(shù)模轉(zhuǎn)換器(rfpowerdac)來(lái)取代一傳送器可降低該傳送器的元件復(fù)雜度。舉例而言，該射頻功率數(shù)模轉(zhuǎn)換器可以用一切換模式的功率放大器來(lái)實(shí)施。但是，數(shù)字式的傳送器的動(dòng)態(tài)功率范圍常常會(huì)受限于其半導(dǎo)體制造工藝所能支持的最小面積。舉例而言，當(dāng)一切換式的功率放大器具有最小的面積時(shí)，其所能產(chǎn)生的一最小功率為-45dbm。因此，該最小功率依然遠(yuǎn)大于第三代的移動(dòng)通信系統(tǒng)所要求的-78dbm。因此，如何使得一切換式功率放大器能夠產(chǎn)生更小的功率來(lái)使得一數(shù)字傳送器具有更寬的動(dòng)態(tài)功率范圍是本領(lǐng)域技術(shù)人員所亟需解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的一目的在于提供具有較大動(dòng)態(tài)功率范圍的一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置、數(shù)字傳送裝置與數(shù)字轉(zhuǎn)換方法，以使得數(shù)字傳送器能具有更寬的動(dòng)態(tài)功率范圍。

本發(fā)明一實(shí)施例提供一種數(shù)字轉(zhuǎn)換方法，包含有：根據(jù)一時(shí)鐘信號(hào)來(lái)對(duì)一數(shù)字信號(hào)進(jìn)行高頻取樣以產(chǎn)生一高頻取樣信號(hào)；產(chǎn)生一可調(diào)整電壓；根據(jù)該可調(diào)整電壓來(lái)調(diào)整該高頻取樣信號(hào)的一電壓電平來(lái)產(chǎn)生一調(diào)整后高頻取樣信號(hào)；根據(jù)該調(diào)整后高頻取樣信號(hào)來(lái)產(chǎn)生該轉(zhuǎn)換信號(hào)。

本發(fā)明一實(shí)施例提供一種數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置，其包括：數(shù)據(jù)取樣電路，用于根據(jù)一時(shí)鐘信號(hào)來(lái)對(duì)一數(shù)字信號(hào)進(jìn)行高頻取樣以產(chǎn)生一高頻取樣信號(hào)；電壓電平產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生一可調(diào)整電壓；調(diào)整電路，用于根據(jù)該可調(diào)整電壓來(lái)調(diào)整該高頻取樣信號(hào)的一電壓電平來(lái)產(chǎn)生一調(diào)整后高頻取樣信號(hào)；信號(hào)轉(zhuǎn)換電路，用于根據(jù)該調(diào)整后高頻取樣信號(hào)來(lái)產(chǎn)生該轉(zhuǎn)換信號(hào)。

本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種數(shù)字轉(zhuǎn)換方法，包含有：根據(jù)一時(shí)鐘信號(hào)來(lái)對(duì)一數(shù)字信號(hào)進(jìn)行高頻取樣以產(chǎn)生一高頻取樣信號(hào)；產(chǎn)生一可調(diào)整電壓；以及根據(jù)該可調(diào)整電壓以及該高頻取樣信號(hào)來(lái)產(chǎn)生一轉(zhuǎn)換信號(hào)；其中，根據(jù)該可調(diào)整電壓以及該高頻取樣信號(hào)來(lái)產(chǎn)生該轉(zhuǎn)換信號(hào)的步驟包含有：利用一第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管來(lái)根據(jù)該可調(diào)整電壓來(lái)產(chǎn)生一第一電壓；利用一第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一柵極端接收該高頻取樣信號(hào)，一第一連接端點(diǎn)接收該第一電壓，以及一第二連接端點(diǎn)輸出一第二電壓。

本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置，包括：數(shù)據(jù)取樣電路，用于根據(jù)一時(shí)鐘信號(hào)來(lái)對(duì)一數(shù)字信號(hào)進(jìn)行高頻取樣以產(chǎn)生一高頻取樣信號(hào)；電壓電平產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生一可調(diào)整電壓；信號(hào)轉(zhuǎn)換電路，該信號(hào)轉(zhuǎn)換電路具有一第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管和一第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管；第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管，用于根據(jù)該可調(diào)整電壓來(lái)產(chǎn)生一第一電壓；所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一柵極端接收該高頻取樣信號(hào)，一第一連接端點(diǎn)接收該第一電壓，以及一第二連接端點(diǎn)輸出一第二電壓。

本發(fā)明又一實(shí)施例提供一種數(shù)字轉(zhuǎn)換方法，包括：根據(jù)一時(shí)鐘信號(hào)來(lái)對(duì)一數(shù)字信號(hào)進(jìn)行高頻取樣以產(chǎn)生一高頻取樣信號(hào)；產(chǎn)生一可調(diào)整電壓；以及根據(jù)該可調(diào)整電壓以及該高頻取樣信號(hào)來(lái)產(chǎn)生一轉(zhuǎn)換信號(hào)；其中，產(chǎn)生該可調(diào)整電壓包含有：利用一電流式數(shù)模轉(zhuǎn)換器來(lái)產(chǎn)生一電流；以及利用一場(chǎng)效應(yīng)晶體管來(lái)根據(jù)該電流來(lái)產(chǎn)生該可調(diào)整電壓。

本發(fā)明又一實(shí)施例提供一種數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置，包括：數(shù)據(jù)取樣電路，用于根據(jù)一時(shí)鐘信號(hào)來(lái)對(duì)一數(shù)字信號(hào)進(jìn)行高頻取樣以產(chǎn)生一高頻取樣信號(hào)；電壓電平產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生一可調(diào)整電壓；信號(hào)轉(zhuǎn)換電路，用于根據(jù)該可調(diào)整電壓以及該高頻取樣信號(hào)來(lái)產(chǎn)生一轉(zhuǎn)換信號(hào)；其中，該電壓電平產(chǎn)生電路包括：電流式數(shù)模轉(zhuǎn)換器和場(chǎng)效應(yīng)晶體管；所述電流式數(shù)模轉(zhuǎn)換器用來(lái)產(chǎn)生一電流；所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管，用來(lái)根據(jù)電流產(chǎn)生可調(diào)整電壓。

因此，本發(fā)明的實(shí)施例的打破了利用一半導(dǎo)體制造工藝來(lái)制造一數(shù)字傳送器的動(dòng)態(tài)功率范圍的限制。本發(fā)明利用該全碼數(shù)據(jù)來(lái)對(duì)一電流式數(shù)模轉(zhuǎn)換器所產(chǎn)生的一可變電壓進(jìn)行取樣，以調(diào)整該些延伸位的啟動(dòng)電阻值來(lái)以產(chǎn)生較低的功率電平，如此就可以將最小有效位的動(dòng)態(tài)功率延伸至更小的范圍。由于本發(fā)明利用了一可變電壓來(lái)反映出溫度的變化，因此本發(fā)明的最小有效位之間就會(huì)具有較佳的溫度追蹤能力，以最小化位至位之間的不匹配現(xiàn)象。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明一種數(shù)字傳送裝置的一實(shí)施例示意圖。

圖2是本發(fā)明一第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置的一實(shí)施例示意圖。

圖3是本發(fā)明多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置中的其中一個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置的一實(shí)施例示意圖。

圖4是本發(fā)明對(duì)應(yīng)不同的可調(diào)整電壓的一第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管所分別造成的不同電壓降的一實(shí)施例時(shí)序圖。

圖5是本發(fā)明多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置中的其中一個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置的另一實(shí)施例示意圖。

圖6是本發(fā)明一第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置的一數(shù)字轉(zhuǎn)換方法的一實(shí)施例流程圖。

圖7是本發(fā)明一第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置的一數(shù)字轉(zhuǎn)換方法的另一實(shí)施例流程圖。

符號(hào)說(shuō)明：

100數(shù)字傳送裝置；

102_(m+1)～102_(m+n)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置；

102_1～102_m第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置；

104負(fù)載電路；

1042電感；

1044電容；

102_m_1、302、502數(shù)據(jù)取樣電路；

304、504電壓電平產(chǎn)生電路；

3042、5042電流式數(shù)模轉(zhuǎn)換器；

3044、5044場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

306、508信號(hào)轉(zhuǎn)換電路；

102_m_2、3062、5082第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

102_m_3、3064、5084第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

3066第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

402、404、406曲線；

506調(diào)整電路；

5062反相器；

5064第一傳輸門(mén)；

5066第二傳輸門(mén)；

600、700數(shù)字轉(zhuǎn)換方法；

602～604、702～708步驟。

具體實(shí)施方式

在說(shuō)明書(shū)及所附的權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來(lái)表示特定的元件。所屬領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)可理解，硬件制造商可能會(huì)用不同的名詞來(lái)稱呼同一個(gè)元件。本說(shuō)明書(shū)及所附的權(quán)利要求并不以名稱的差異來(lái)作為區(qū)分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來(lái)作為區(qū)分的準(zhǔn)則。在通篇說(shuō)明書(shū)及所附的權(quán)力要求項(xiàng)當(dāng)中所提及的“包含”為一開(kāi)放式的用語(yǔ)，故應(yīng)解釋成“包含但不限定于”。此外，“耦接”一詞在此包含任何直接及間接的電連接手段，因此，若文中描述一第一裝置耦接于一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電連接于該第二裝置，或者通過(guò)其他裝置或連接手段間接地電連接至該第二裝置。

請(qǐng)參考圖1，其是根據(jù)本發(fā)明一種數(shù)字傳送裝置(digitaltransmittingapparatus)100的一實(shí)施例示意圖。數(shù)字傳送裝置100是用來(lái)直接對(duì)多個(gè)數(shù)字信號(hào)d[1]～d[m+n]進(jìn)行提升轉(zhuǎn)換(up-convert)至一射頻信號(hào)(即以下所述的輸出信號(hào)rfout)。數(shù)字傳送裝置100包含有多個(gè)第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置(dataconvertingdevice)102_1～102_m、多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置(dataconvertingdevice)102_(m+1)～102_(m+n)以及一負(fù)載電路104。多個(gè)第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_1～102_m是用來(lái)根據(jù)多個(gè)第一數(shù)字信號(hào)d[1]～d[m]來(lái)分別產(chǎn)生多個(gè)第一轉(zhuǎn)換信號(hào)so_1～so_m。多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)是用來(lái)根據(jù)多個(gè)第二數(shù)字信號(hào)d[m+1]～d[m+n]來(lái)分別產(chǎn)生多個(gè)第二轉(zhuǎn)換信號(hào)so_(m+1)～so_(m+n)。負(fù)載電路104是用來(lái)根據(jù)多個(gè)第一轉(zhuǎn)換信號(hào)so_1～so_m以及多個(gè)第二轉(zhuǎn)換信號(hào)so_(m+1)～so_(m+n)來(lái)產(chǎn)生一輸出信號(hào)rfout。請(qǐng)注意，上述的m以及n可以是任何的正整數(shù)。

在本實(shí)施例中，多個(gè)第二數(shù)字信號(hào)d[m+1]～d[m+n]相對(duì)于多個(gè)第一數(shù)字信號(hào)d[1]～d[m]具有較低的有效性(lesssignificant)。換句話說(shuō)，第一數(shù)字信號(hào)d[1]是最大有效位(mostsignificantbit)，而第二數(shù)字信號(hào)d[m+n]是最小有效位(leastsignificantbit)。

進(jìn)一步而言，多個(gè)第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_1～102_m是利用多個(gè)第一時(shí)鐘信號(hào)lo_1～lo_m來(lái)對(duì)多個(gè)第一數(shù)字信號(hào)d[1]～d[m]進(jìn)行高頻取樣或提升轉(zhuǎn)換來(lái)分別產(chǎn)生多個(gè)第一轉(zhuǎn)換信號(hào)so_1～so_m。多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)是利用多個(gè)第二時(shí)鐘信號(hào)lo_(m+1)～lo_(m+n)來(lái)對(duì)多個(gè)第二數(shù)字信號(hào)d[m+1]～d[m+n]進(jìn)行高頻取樣或提升轉(zhuǎn)換來(lái)分別產(chǎn)生多個(gè)第二轉(zhuǎn)換信號(hào)so_(m+1)～so_(m+n)。在本實(shí)施例中，多個(gè)第一時(shí)鐘信號(hào)lo_1～lo_m以及多個(gè)第二時(shí)鐘信號(hào)lo_(m+1)～lo_(m+n)是相同的時(shí)鐘信號(hào)。

此外，本實(shí)施例假設(shè)由多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)所分別產(chǎn)生的多個(gè)第二轉(zhuǎn)換信號(hào)so_(m+1)～so_(m+n)的功率電平小于一特定功率電平。該特定功率電平低于用來(lái)接收第一數(shù)字信號(hào)d[m]的第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_m所產(chǎn)生的功率電平。請(qǐng)注意，第一數(shù)字信號(hào)d[m]是多個(gè)第一數(shù)字信號(hào)d[1]～d[m]中的最小有效位。進(jìn)一步而言，請(qǐng)參照?qǐng)D2，其是依據(jù)本發(fā)明第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_m的一實(shí)施例示意圖。第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝102_m包含有一數(shù)據(jù)取樣電路102_m_1、一第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管102_m_2以及一第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管102_m_3。第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管102_m_2堆疊(cascaded)于第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管102_m_3。第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管102_m_2以及第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管102_m_3都具有該半導(dǎo)體制造工藝所支持的最小寬長(zhǎng)比，即w/l。數(shù)據(jù)取樣電路102_m_1是用來(lái)根據(jù)第一時(shí)鐘信號(hào)lo_m對(duì)第一數(shù)字信號(hào)d[m]進(jìn)行高頻取樣以產(chǎn)生一高頻取樣信號(hào)su_m。第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管102_m_2接收高頻取樣信號(hào)su_m。第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管102_m_3由調(diào)整電壓vt所控制以產(chǎn)生第一轉(zhuǎn)換信號(hào)so_m。請(qǐng)注意，在本實(shí)施例中，第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管102_m_3是本發(fā)明實(shí)施例中舉例的隔離元件，并不是一個(gè)必要的元件，其可依據(jù)實(shí)際需求而由vt或vdd所控制。

從圖2可以得知，利用上述的堆疊的架構(gòu)，第一轉(zhuǎn)換信號(hào)so_m的功率會(huì)具有最低的功率電平，這是因?yàn)榈谝粓?chǎng)效應(yīng)晶體管102_m_2以及第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管102_m_3都具有最小的寬長(zhǎng)比，即w/l。舉例而言，第一轉(zhuǎn)換信號(hào)so_m的功率電平大致上是-45dbm。

因此，為了將數(shù)字傳送裝置100的功率延伸至比第一轉(zhuǎn)換信號(hào)so_m更低的功率電平，本發(fā)明所提出的多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)可用來(lái)解決此問(wèn)題。在本實(shí)施例中，多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)的功率電平小于第一轉(zhuǎn)換信號(hào)so_m的功率電平，且多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)分別的功率電平會(huì)依次減小。換句話說(shuō)，第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)會(huì)具有最小的功率電平。舉例來(lái)說(shuō)，第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的功率電平可以是-78dbm。

請(qǐng)參考圖3，其是依據(jù)本發(fā)明多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)中的其中一個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置(例如第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n))的一實(shí)施例示意圖。第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)會(huì)包含有一數(shù)據(jù)取樣電路302、一電壓電平產(chǎn)生電路304以及一信號(hào)轉(zhuǎn)換電路306。圖3中另繪示出負(fù)載電路104。數(shù)據(jù)取樣電路302是一數(shù)字正交相位差轉(zhuǎn)換器(digitalquadratureconverter,dqc)，其是用來(lái)根據(jù)一時(shí)鐘信號(hào)lo_(m+n)對(duì)第二數(shù)字信號(hào)d[m+n]進(jìn)行高頻取樣以產(chǎn)生一高頻取樣信號(hào)su_(m+n)。電壓電平產(chǎn)生電路304是用來(lái)產(chǎn)生一可調(diào)整電壓vb。信號(hào)轉(zhuǎn)換電路306是用來(lái)根據(jù)可調(diào)整電壓vb以及高頻取樣信號(hào)su_(m+n)來(lái)產(chǎn)生第二轉(zhuǎn)換信號(hào)so_(m+n)。負(fù)載電路104是用來(lái)接收第二轉(zhuǎn)換信號(hào)so_(m+n)。

電壓電平產(chǎn)生電路304包含有一電流式數(shù)模轉(zhuǎn)換器(idac)3042以及一場(chǎng)效應(yīng)晶體管3044。電流式數(shù)模轉(zhuǎn)換器3042是用來(lái)產(chǎn)生一電流id。場(chǎng)效應(yīng)晶體管3044是用來(lái)根據(jù)電流id產(chǎn)生可調(diào)整電壓vb。場(chǎng)效應(yīng)晶體管3044是一二極管方式連接(diode-connected)的晶體管，其中其漏極端連接至其柵極端，而可調(diào)整電壓vb由其漏極端與柵極端的一共同端點(diǎn)所輸出。場(chǎng)效應(yīng)晶體管3044可以是一n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

信號(hào)轉(zhuǎn)換電路306包含有一第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管3062、一第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管3064以及一第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管3066。第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管3062具有一柵極端用來(lái)接收可調(diào)整電壓vb，一第一連接端點(diǎn)(例如源極端)連接至一接地電壓vgnd，以及一第二連接端點(diǎn)(例如漏極端)用來(lái)根據(jù)可調(diào)整電壓vb來(lái)輸出一第一電壓v1。第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管3064具有一柵極端接收高頻取樣信號(hào)su_(m+n)，一第一連接端點(diǎn)(例如源極端)接收第一電壓v1，以及一第二連接端點(diǎn)(例如漏極端)輸出一第二電壓v2。第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管3066具有一柵極端接收一調(diào)整電壓vt，一第一連接端點(diǎn)(例如源極端)接收第二電壓v2，以及一第二連接端點(diǎn)(例如漏極端)輸出轉(zhuǎn)換信號(hào)so_(m+n)。在本實(shí)施例中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管3062、3064與3066可以是n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。請(qǐng)注意，在本實(shí)施例中，第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管3066是本發(fā)明實(shí)施例中舉例的隔離元件，并不是一個(gè)必要的元件，其可以根據(jù)設(shè)計(jì)所需而由vt或vdd所控制。場(chǎng)效應(yīng)晶體管3062與3066都具有最小的寬長(zhǎng)比，即w/l，而場(chǎng)效應(yīng)晶體管3064的寬長(zhǎng)比是2*w/l。但是，上述晶體管的寬長(zhǎng)比只是舉例，而不是本發(fā)明的限制特征。

此外，負(fù)載電路104耦接至一供應(yīng)電壓(即vdd)，以及負(fù)載電路會(huì)包含有一電感1042以及一電容1044。電感1042并聯(lián)于電容1044，如圖3所示。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例所示，第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的可調(diào)整電壓vb是一個(gè)預(yù)定電壓。但是，其他的第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置則可以分別具有不同的可調(diào)整電壓。換句話說(shuō)，依據(jù)多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)所輸出的功率電平，多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)可以分別具有不同的可調(diào)整電壓vb。在本實(shí)施例中，多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)的可調(diào)整電壓會(huì)從第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)往第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的方向依次減小，這是因?yàn)槎鄠€(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)的功率電平被設(shè)計(jì)從第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)往第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的方向依次減小的。

簡(jiǎn)言之，可調(diào)整電壓vb會(huì)影響第一電壓v1，第一電壓v1影響第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管3064的柵極端與源極端之間的壓降(即vgs)，該壓降vgs則影響第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的輸出電阻值(即ron_(m+n))，而該輸出電阻值ron_(m+n)則影響第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的輸出功率。因此，可調(diào)整電壓vb可用來(lái)決定第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的功率電平。舉例而言，當(dāng)可調(diào)整電壓vb減小時(shí)，第一電壓v1會(huì)提升以減小該壓降vgs，接著該輸出電阻值ron_(m+n)會(huì)增加以減小第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)輸出功率。請(qǐng)注意，高頻取樣信號(hào)su_(m+n)是一時(shí)鐘信號(hào)，該時(shí)鐘信號(hào)的高電壓電平是vdd(即電源電壓)，而其低電壓電平則是vgnd(即接地電壓)。

請(qǐng)參考圖4，其是依據(jù)本發(fā)明對(duì)應(yīng)不同可調(diào)整電壓vb的第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管3064所分別造成的不同電壓降vgs的一實(shí)施例時(shí)序圖。電壓降vgs是一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，其高電壓電平由可調(diào)整電壓vb所決定，而其低電壓電平則是接地電壓。因此，當(dāng)可調(diào)整電壓vb是供應(yīng)電壓vdd時(shí)，電壓降vgs的該高電壓電平就是vdd，即曲線402。當(dāng)可調(diào)整電壓vb低于供應(yīng)電壓vdd時(shí)，電壓降vgs的該高電壓電平也會(huì)低于vdd，例如曲線404或406。換句話說(shuō)，可調(diào)整電壓vb正比于電壓降vgs的該高電壓電平。因此，通過(guò)提供不同的可調(diào)整電壓vb給多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)，多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)就會(huì)產(chǎn)生分別具有不同功率電平的多個(gè)第二轉(zhuǎn)換信號(hào)so_(m+1)～so_(m+n)。

此外，多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)對(duì)于溫度的變化也比較不敏感。以第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)以及102_(m+n-1)為例，第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)以及102_(m+n-1)的功率電平延伸可以用以下方程式(1)～(7)來(lái)說(shuō)明：

請(qǐng)參考圖1～圖3。rl是負(fù)載電路104的負(fù)載電阻值。輸出信號(hào)rfout的輸出功率p反比于多個(gè)第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_1～102_m以及多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)的等效輸出電阻值req，其中ron_1是第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_1的輸出電阻值，ron_2是第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_2的輸出電阻值，以此類(lèi)推。id是流經(jīng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管3044的電流。(w/l)vb是場(chǎng)效應(yīng)晶體管3044的寬長(zhǎng)比。vth_b是場(chǎng)效應(yīng)晶體管3044的臨界電壓。ron_m0_(m+n)是第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管3062的啟動(dòng)電阻值。(w/l)m0是第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管3062的寬長(zhǎng)比。vg0是vb。vth0是第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管3062的臨界電壓。ron_m1_(m+n)是第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管3064的啟動(dòng)電阻值。(w/l)m1是第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管3064的寬長(zhǎng)比。vth1是第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管3064的臨界電壓。本實(shí)施例假設(shè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n-1)與第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)具有相同的特征，除了電流id’以及ron_m1_(m+n-1)之外。id’是第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n-1)中流經(jīng)該二極管式連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流(即與第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管3044具有相同位置的該場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。ron_m1_(m+n-1)是第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n-1)中的該第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的啟動(dòng)電阻值(即與第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管3064具有相同位置的該場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。

根據(jù)上述的方程式(5)、(6)，ron_m1_(m+n)只會(huì)受電流id影響，而ron_m1_(m+n-1)只會(huì)受電流id’影響。由于溫度變化會(huì)造成電流id與id’具有相同的變化趨勢(shì)，因此當(dāng)環(huán)境溫度變化時(shí)，ron_m1_(m+n)與ron_m1_(m+n-1)之間的比值可以大致上維持不變(即方程式(7))。因此，當(dāng)環(huán)境溫度變化時(shí)，第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)與102_(m+n-1)之間的功率電平差就可以大致上維持不變。換句話說(shuō)，第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)與102_(m+n-1)之間的位至位之間的變化對(duì)于溫度的變化也比較不敏感。

如此以來(lái)，由于多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)對(duì)于溫度的變化比較不敏感，因此多個(gè)第二數(shù)字信號(hào)d[m+1]～d[m+n]的位至位之間的變化對(duì)于溫度的變化就可以最小化了。

從上述描述可以得知，根據(jù)本發(fā)明所提供的追蹤臨界電壓(即vb)，本發(fā)明的最小有效位之間就會(huì)具有較佳的溫度追蹤能力，因此位至位之間對(duì)于溫度的變化就可以最小化了。此外，多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)內(nèi)的多個(gè)電流式數(shù)模轉(zhuǎn)換器之間的不匹配也可以經(jīng)由內(nèi)部電路的校正方式來(lái)解決。

請(qǐng)參照?qǐng)D5，其是依據(jù)本發(fā)明多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)中的其中一個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置(例如第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n))的另一實(shí)施例示意圖。第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)包含有一數(shù)據(jù)取樣電路502、一電壓電平產(chǎn)生電路504、一調(diào)整電路506以及一信號(hào)轉(zhuǎn)換電路508。圖5中另繪示出負(fù)載電路104。數(shù)據(jù)取樣電路502是一數(shù)字正交相位差轉(zhuǎn)換器(digitalquadratureconverter,dqc)，其是用來(lái)根據(jù)一時(shí)鐘信號(hào)lo’_(m+n)對(duì)第二數(shù)字信號(hào)d’[m+n]進(jìn)行高頻取樣以產(chǎn)生一高頻取樣信號(hào)su’_(m+n)。電壓電平產(chǎn)生電路504是用來(lái)產(chǎn)生一可調(diào)整電壓vb’。信號(hào)轉(zhuǎn)換電路506是用來(lái)根據(jù)可調(diào)整電壓vb’來(lái)調(diào)整高頻取樣信號(hào)su’_(m+n)的一電壓電平來(lái)產(chǎn)生一調(diào)整后高頻取樣信號(hào)sau’_(m+n)。信號(hào)轉(zhuǎn)換電路508是用來(lái)根據(jù)調(diào)整后高頻取樣信號(hào)sau’_(m+n)產(chǎn)生第二轉(zhuǎn)換信號(hào)so’_(m+n)。負(fù)載電路104是用來(lái)接收第二轉(zhuǎn)換信號(hào)so’_(m+n)。

電壓電平產(chǎn)生電路504包含有一電流式數(shù)模轉(zhuǎn)換器(idac)5042以及一場(chǎng)效應(yīng)晶體管5044。電流式數(shù)模轉(zhuǎn)換器5042是用來(lái)產(chǎn)生一電流id’。場(chǎng)效應(yīng)晶體管5044是用來(lái)根據(jù)電流id’產(chǎn)生可調(diào)整電壓vb’。場(chǎng)效應(yīng)晶體管5044是一二極管方式連接的晶體管，其中其漏極端連接至其柵極端，而可調(diào)整電壓vb’由其漏極端與柵極端的一共同端點(diǎn)所輸出。場(chǎng)效應(yīng)晶體管5044可以是一n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

調(diào)整電路506包含有一反相器5062、一第一傳輸門(mén)5064以及一第二傳輸門(mén)5066。反相器5062是用來(lái)對(duì)高頻取樣信號(hào)su’_(m+n)進(jìn)行反相以產(chǎn)生一反相高頻取樣信號(hào)su’_(m+n)_bar。當(dāng)高頻取樣信號(hào)su’_(m+n)是一第一電壓電平時(shí)，例如供應(yīng)電壓vdd，第一傳輸門(mén)5064用來(lái)輸出可調(diào)整電壓vb’至一輸出端nb’。當(dāng)高頻取樣信號(hào)su’_(m+n)是不同于該第一電壓的一第二電壓電平時(shí)，例如接地電壓vgnd，第二傳輸門(mén)5066會(huì)用來(lái)輸出一參考電壓至輸出端nb’。在本實(shí)施例中，輸出端nb’上的一信號(hào)是調(diào)整后高頻取樣信號(hào)sau’_(m+n)。進(jìn)一步而言，第一傳輸門(mén)5064只有在高頻取樣信號(hào)su’_(m+n)的電壓電平是供應(yīng)電壓vdd時(shí)才會(huì)開(kāi)啟(turnedon)，以及第二傳輸門(mén)5066只有在高頻取樣信號(hào)su’_(m+n)的電壓電平是接地電壓vgnd時(shí)才會(huì)開(kāi)啟。因此，調(diào)整后高頻取樣信號(hào)sau’_(m+n)會(huì)隨高頻取樣信號(hào)su’_(m+n)調(diào)準(zhǔn)(align)，且調(diào)整后高頻取樣信號(hào)sau’_(m+n)與高頻取樣信號(hào)su’_(m+n)會(huì)具有相同的工作周期。它們之間唯一的差別是調(diào)整后高頻取樣信號(hào)sau’_(m+n)的高電壓電平是可調(diào)整電壓vb’，而高頻取樣信號(hào)su’_(m+n)的高電壓電平則是供應(yīng)電壓vdd。

信號(hào)轉(zhuǎn)換電路508包含有一第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管5082以及一第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管5084。第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管5082具有一柵極端用來(lái)接收調(diào)整后高頻取樣信號(hào)sau’_(m+n)，一第一連接端點(diǎn)(例如源極端)連接至一接地電壓vgnd，以及一第二連接端點(diǎn)(例如漏極端)用來(lái)根據(jù)調(diào)整后高頻取樣信號(hào)sau’_(m+n)來(lái)輸出一第一電壓v1’。第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管5084具有一柵極端接收一調(diào)整電壓vt’，一第一連接端點(diǎn)(例如源極端)接收第一電壓v1’，以及一第二連接端點(diǎn)(例如漏極端)輸出轉(zhuǎn)換信號(hào)so’_(m+n)。第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管3066具有一柵極端接收一調(diào)整電壓vt，一第一連接端點(diǎn)(例如源極端)接收第二電壓v2，以及一第二連接端點(diǎn)(例如漏極端)輸出轉(zhuǎn)換信號(hào)so_(m+n)。在本實(shí)施例中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管5082與5084可以是n型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管5082與5084都具有最小的寬長(zhǎng)比，即w/l。

相似于圖3，第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的可調(diào)整電壓vb’是一個(gè)預(yù)定電壓。但是，其他的第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置則可以分別具有不同的可調(diào)整電壓。換句話說(shuō)，依據(jù)多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)所輸出的功率電平，多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)可以分別具有不同的可調(diào)整電壓vb’。在本實(shí)施例中，多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)的可調(diào)整電壓會(huì)從第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)往第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的方向依次減小，這是因?yàn)槎鄠€(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)的功率電平被設(shè)計(jì)從第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)往第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的方向依次減小的。

簡(jiǎn)言之，可調(diào)整電壓vb’會(huì)影響第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管5082的柵極端與源極端之間的電壓降(即vgs’)，該電壓降vgs’則影響第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的輸出電阻值(即ron_(m+n)’)，而該輸出電阻值ron_(m+n)’則影響第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的輸出功率。因此，可調(diào)整電壓vb’可用來(lái)決定第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的功率電平。舉例而言，當(dāng)可調(diào)整電壓vb’減小時(shí)，電壓降vgs’也會(huì)減小，接著該輸出電阻值ron_(m+n)’會(huì)增加以減小第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)輸出功率。

相似于圖4，可調(diào)整電壓vb’正比于電壓降vgs’的該高電壓電平。因此，通過(guò)提供不同的可調(diào)整電壓vb’給多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)，多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)就會(huì)產(chǎn)生分別具有不同功率電平的多個(gè)第二轉(zhuǎn)換信號(hào)so_(m+1)’～so_(m+n)’。

同樣的，在本實(shí)施例中，多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)對(duì)于溫度的變化也比較不敏感。以第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)以及102_(m+n-1)為例，第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)以及102_(m+n-1)的功率電平延伸可以用以下方程式(8)～(13)來(lái)說(shuō)明：

請(qǐng)參考圖1、圖2以及圖5。rl是負(fù)載電路104的負(fù)載電阻值。輸出信號(hào)rfout的輸出功率p’是反比于多個(gè)第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_1～102_m以及多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)的等效輸出電阻值req’，其中ron_1’是第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_1的輸出電阻值，ron_2’是第一數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_2的輸出電阻值，以此類(lèi)推。id’是流經(jīng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管5044的電流。(w/l)vb’是場(chǎng)效應(yīng)晶體管5044的寬長(zhǎng)比。vth_b是場(chǎng)效應(yīng)晶體管5044的臨界電壓。ron_m0_(m+n)’是第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管5082的啟動(dòng)電阻值。(w/l)m1是第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管5082的寬長(zhǎng)比。vg0是vb’。vth0是第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管5082的臨界電壓。本實(shí)施例假設(shè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n-1)與第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)具有相同的特征，除了電流id”以及ron_m1_(m+n-1)’之外。id”是第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n-1)中流經(jīng)該二極管式連接的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電流(即與第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管5044具有相同位置的該場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。ron_m1_(m+n-1)’是第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n-1)中的該第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的啟動(dòng)電阻值(即與第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管5082具有相同位置的該場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。

根據(jù)上述的方程式(11)、(12)，ron_m1_(m+n)’只會(huì)受電流id’影響，而ron_m1_(m+n-1)’只會(huì)受電流id”影響。由于溫度變化會(huì)造成電流id’與id”具有相同的變化趨勢(shì)，因此當(dāng)環(huán)境溫度變化時(shí)，ron_m1_(m+n)’與ron_m1_(m+n-1)’之間的比值可以大致上維持不變(即方程式(13))。因此，當(dāng)環(huán)境溫度變化時(shí)，第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)與102_(m+n-1)之間的功率電平差就可以大致上維持不變。換句話說(shuō)，第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)與102_(m+n-1)之間的位至位之間的變化對(duì)于溫度的變化也比較不敏感。

如此以來(lái)，由于多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)對(duì)于溫度的變化比較不敏感，因此多個(gè)第二數(shù)字信號(hào)d[m+1]～d[m+n]的位至位之間的變化對(duì)于溫度的變化就可以最小化了。

從上述描述可以得知，根據(jù)本發(fā)明所提供的追蹤臨界電壓(即vb’)，本發(fā)明的最小有效位之間就會(huì)具有較佳的溫度追蹤能力，因此位至位之間對(duì)于溫度的變化就可以最小化了。此外，多個(gè)第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+1)～102_(m+n)內(nèi)的多個(gè)電流式數(shù)模轉(zhuǎn)換器之間的不匹配也可以經(jīng)由內(nèi)部電路的校正方式來(lái)解決。

簡(jiǎn)言之，上述圖3所示的第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置(即102_(m+1)～102_(m+n))的方法可以簡(jiǎn)化為圖6的步驟。圖6所示是依據(jù)本發(fā)明第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的一數(shù)字轉(zhuǎn)換方法(dataconvertingmethod)600的一實(shí)施例流程圖。此外，倘若大體上可達(dá)到相同的結(jié)果，并不需要一定照?qǐng)D6所示的流程中的步驟順序來(lái)進(jìn)行，且圖6所示的步驟不一定要連續(xù)進(jìn)行，亦即其他步驟亦可插入其中。數(shù)字轉(zhuǎn)換方法600包含有：

步驟602：根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)lo_(m+n)對(duì)第二數(shù)字信號(hào)d[m+n]進(jìn)行高頻取樣以產(chǎn)生高頻取樣信號(hào)su_(m+n)；

步驟604：產(chǎn)生可調(diào)整電壓vb；以及

步驟606：根據(jù)可調(diào)整電壓vb以及高頻取樣信號(hào)su_(m+n)產(chǎn)生轉(zhuǎn)換信號(hào)so_(m+n)。

此外，上述圖5所示的第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置(即102_(m+1)～102_(m+n))的方法可以簡(jiǎn)化為圖7的步驟。圖7所示是依據(jù)本發(fā)明第二數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換裝置102_(m+n)的一數(shù)字轉(zhuǎn)換方法700的另一實(shí)施例流程圖。此外，倘若大體上可達(dá)到相同的結(jié)果，并不需要一定照?qǐng)D7所示的流程中的步驟順序來(lái)進(jìn)行，且圖7所示的步驟不一定要連續(xù)進(jìn)行，亦即其他步驟亦可插入其中。數(shù)字轉(zhuǎn)換方法700包含有：

步驟702：根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)lo’_(m+n)對(duì)第二數(shù)字信號(hào)d’[m+n]進(jìn)行高頻取樣以產(chǎn)生高頻取樣信號(hào)su’_(m+n)；

步驟704：產(chǎn)生可調(diào)整電壓vb’；

步驟706：根據(jù)可調(diào)整電壓vb’調(diào)整高頻取樣信號(hào)su’_(m+n)的電壓電平來(lái)產(chǎn)生調(diào)整后高頻取樣信號(hào)sau’_(m+n)；

步驟708：根據(jù)調(diào)整后高頻取樣信號(hào)sau’_(m+n)產(chǎn)生轉(zhuǎn)換信號(hào)so’_(m+n)。

綜上所述，從以上實(shí)施例的描述可以得知本發(fā)明打破了利用一半導(dǎo)體制造工藝來(lái)制造一數(shù)字傳送器的動(dòng)態(tài)功率范圍的限制。本發(fā)明是利用該全碼數(shù)據(jù)(即su_(m+1)～su_(m+n))來(lái)對(duì)一電流式數(shù)模轉(zhuǎn)換器所產(chǎn)生的一可變電壓(即vb)進(jìn)行取樣，以調(diào)整該些延伸位(即d[m+1]～d[m+n])的啟動(dòng)電阻值以產(chǎn)生較低的功率電平，如此就可以將最小有效位的動(dòng)態(tài)功率延伸至更小的范圍。由于本發(fā)明利用了一可調(diào)電壓(即vb)來(lái)反映出溫度的變化，因此本發(fā)明的最小有效位之間就會(huì)具有較佳的溫度追蹤能力，以最小化位至位之間的不匹配現(xiàn)象。此外，本發(fā)明的多個(gè)電流式數(shù)模轉(zhuǎn)換器之間的不匹配也可以通過(guò)內(nèi)部電路的校正方式來(lái)解決。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的同等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。