專利名稱：耦合器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
幸禺合器
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種耦合器，其涉及一種具有金屬外殼的耦合器。背景技術(shù)：
MIL_STD_1553B總線標(biāo)準(zhǔn)為美國國防部武器系統(tǒng)集成和標(biāo)準(zhǔn)化管理的基礎(chǔ)之一， 被廣泛的用于飛機(jī)綜合航電系統(tǒng)、外掛物管理與集成系統(tǒng)，并逐步擴(kuò)展到飛行控制等系統(tǒng) 及坦克、艦船、航天等領(lǐng)域，它最初由美國空軍用于飛機(jī)航空電子系統(tǒng)，目前已廣泛應(yīng)用于 美國和歐洲海、陸、空三軍，而且已經(jīng)成為一種國際標(biāo)準(zhǔn)。155 總線器件的制造工藝滿足 了大范圍溫度變化以及軍標(biāo)的要求。并已經(jīng)廣泛地應(yīng)用在苛刻環(huán)境的項(xiàng)目當(dāng)中。該總線系 統(tǒng)由總線、隔離變壓器、終端(接收器或者發(fā)射器)、隔離電阻、耦合器(根據(jù)適用情況)組 成。耦合器是關(guān)鍵組件。其中，只要使用MIL-STD-155;3B總線就要有與其配套的符合其標(biāo) 準(zhǔn)的用作信號(hào)傳輸、隔離、阻抗匹配用的耦合器。而常見的M53B總線用耦合器的封裝形式 為金屬外殼、環(huán)氧膠灌注密封的形式，該封裝形式雖然能滿足軍工標(biāo)準(zhǔn)要求，但由于采用的 都是有機(jī)材料，其儲(chǔ)存周期更短，不能滿足現(xiàn)在軍工30年儲(chǔ)存周期的及宇航要求，且由于 灌注的環(huán)氧膠及膠木外殼在溫度變化時(shí)會(huì)對(duì)內(nèi)部隔離變壓器及隔離電阻產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力而 造成電參數(shù)的漂移，而所述金屬外殼、環(huán)氧膠灌注密封的形式，還會(huì)影響高頻波形參數(shù)。鑒于上述問題，有必要提供一種耦合器來解決上述不足。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題在于提供一種可靠性更高、儲(chǔ)存周期更長的、波形 參數(shù)更好的新型耦合器。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種耦合器，包括金屬外殼、 蓋于所述金屬外殼上方的金屬蓋板、收容于所述金屬外殼內(nèi)的電路組塊及連接所述電路組塊 的線纜組件，所述金屬外殼上設(shè)有由絕緣材質(zhì)制成的密封端子，所述金屬外殼與所述金屬蓋 板形成一用于收容所述電路組塊的密封收容腔，該密封收容腔內(nèi)填充有惰性氣體。作為本技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述線纜組件包括線纜及包覆于所述線纜上的屏 蔽層，所述屏蔽層上設(shè)有一緊固圈。作為本技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述線纜的一端通過引針與所述密封收容腔內(nèi)的 電路板電性導(dǎo)通，所述密封端子采用玻璃高溫密封所述引針。作為本技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述電路組塊包括一電路板、位于所述電路板上 的隔離變壓器、隔離電阻，所述電路板上設(shè)有若干固定孔及與所述引針連接的電接觸點(diǎn)。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型所述的耦合器通過金屬外殼進(jìn)行氣密性封裝并在其 內(nèi)填入惰性氣體的方式，使得耦合器具有更高的可靠性及更優(yōu)良的波形性能。

圖1為本實(shí)用新型所述耦合器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。[0011]圖2為本實(shí)用新型所述耦合器的內(nèi)單路電路組塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1至圖2所示，本實(shí)用新型提供了一種耦合器100，其具有新型的封 裝形式、更高的可靠性、更具優(yōu)良性能，且符合軍工三防要求，該耦合器100不但滿足 MIL-STD-1553B總線的標(biāo)準(zhǔn)，還利用氣密性金屬外殼6進(jìn)行密封，是MIL-STD-1553總線系統(tǒng) 中的關(guān)鍵組件。請(qǐng)參閱圖1所示，所述耦合器100在總線系統(tǒng)中起故障隔離和阻抗匹配的作用，其 包括線纜1、包覆于所述線纜1表面的屏蔽層2、套設(shè)于所述屏蔽層2上的圓形金屬緊固圈 3、由線纜1內(nèi)引出的引針4、由絕緣材質(zhì)制成的密封端子5、大致呈方形的金屬外殼6、蓋于 所述金屬外殼6上方的金屬蓋板7、位于所述金屬外殼6內(nèi)的電路板8、設(shè)于所述電路板8 上的隔離變壓器9、隔離電阻10、惰性氣體11、外殼固定端12及固定所述電路板8的緊固件 13。所述金屬外殼6與所述金屬蓋板7共同形成一密封的收容腔，用于收容所述電路板8。所述金屬外殼6是通過氣密性封裝方式收容由所述電路板板8、隔離變壓器9、隔 離電阻10組成的電路組塊，為了能使得金屬外殼6的內(nèi)外壓力平衡，同時(shí)也為了對(duì)所述電 路組塊進(jìn)行絕緣和三防保護(hù)，所述金屬外殼6內(nèi)還添加有惰性氣體11，由于所述耦合器100 內(nèi)采用了惰性氣體11填充，使得耦合器100具有更好的高頻特性，按照MIL-STD-155;3B總 線標(biāo)準(zhǔn)要求下的波形的上升時(shí)間和下降時(shí)間都不大于85ns。請(qǐng)參閱圖2所示，所述電路組塊中的電路板8上設(shè)有若干固定孔14及電接觸點(diǎn) 15，所述固定孔14用于固定所述緊固件13，其中，該電路組塊可以有N路，每一路由一個(gè)隔 離變壓器9和與隔離變壓器9初級(jí)串接的兩個(gè)阻值相等的隔離電阻10組成。所述電接觸 點(diǎn)15經(jīng)過導(dǎo)電線纜連接到所述引針4上，所述引針4被所述密封端子5高溫密封固定，且 延伸出外殼并與線纜1焊接連接，該線纜1為IMHz 75 Ω的雙絞線。所述線纜1的屏蔽層 2通過金屬緊固圈3與金屬外殼6夾緊焊接，然后把金屬外殼6內(nèi)部抽成真空后，注入一定 量的所述惰性氣體11 ；然后采用平行縫焊接將一位于所述金屬外殼6頂部的金屬蓋板7與 所述金屬外殼6進(jìn)行氣密熔封。其中，所述密封端子5采用玻璃高溫密封，并設(shè)置于所述金 屬外殼6的側(cè)面，以固定所述引針4。本實(shí)用新型所述的耦合器100可靠性更高、性能參數(shù)更加優(yōu)良，可廣泛應(yīng)用于采 用MIL-STD-155;3B總線系統(tǒng)的軍用、民用飛機(jī)、衛(wèi)星、軍用導(dǎo)彈等裝置中，具體來講，本實(shí)用 新型耦合器100相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的耦合器具有如下優(yōu)點(diǎn)1.耦合器100因?yàn)椴捎煤苌俚挠袡C(jī)材料，因此與現(xiàn)有技術(shù)中的耦合器相比具有更 高的儲(chǔ)存時(shí)間。2.耦合器100由于采用氣密性金屬外殼6封裝形式，使具有更高的環(huán)境試用性，與 現(xiàn)有技術(shù)中的耦合器相比具有更高的抗機(jī)械應(yīng)力、溫度應(yīng)力的能力，同時(shí)，也降低了對(duì)高頻 波形參數(shù)的影響。3.耦合器100內(nèi)殼由于填充惰性氣體11，相比現(xiàn)有填充環(huán)氧膠或硅膠的耦合器，
其重量大大減小。以上所述，僅是本實(shí)用新型的最佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上 的限制。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍情況下，利用上述揭示的方法內(nèi)容對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案做出許多可能的變動(dòng)和修飾，均屬于權(quán)利要求書保 護(hù)的范圍。
權(quán)利要求1.一種耦合器，包括金屬外殼、蓋于所述金屬外殼上方的金屬蓋板、收容于所述金屬外 殼內(nèi)的電路組塊及連接所述電路組塊的線纜組件，其特征在于所述金屬外殼上設(shè)有由絕 緣材質(zhì)制成的密封端子，所述金屬外殼與所述金屬蓋板形成一用于收容所述電路組塊的密 封收容腔，該密封收容腔內(nèi)填充有惰性氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耦合器，其特征在于所述線纜組件包括線纜及包覆于所述 線纜上的屏蔽層，所述屏蔽層上設(shè)有一緊固圈。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的耦合器，其特征在于所述線纜的一端通過引針與所述密封 收容腔內(nèi)的電路板電性導(dǎo)通，所述密封端子采用玻璃高溫密封所述引針。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的耦合器，其特征在于所述電路組塊包括一電路板、位于所述 電路板上的隔離變壓器、隔離電阻，所述電路板上設(shè)有若干固定孔及與所述引針連接的電 接觸點(diǎn)。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種耦合器，包括金屬外殼、蓋于所述金屬外殼上方的金屬蓋板、收容于所述金屬外殼內(nèi)的電路組塊及連接所述電路組塊的線纜組件，所述金屬外殼上設(shè)有由絕緣材質(zhì)制成的密封端子，所述金屬外殼與所述金屬蓋板形成一用于收容所述電路組塊的密封收容腔，該密封收容腔內(nèi)填充有惰性氣體。本實(shí)用新型的有益效果是利用金屬外殼密封而使得耦合器具有更高的可靠性、更長的儲(chǔ)存周期及更優(yōu)良的高頻波形參數(shù)。
文檔編號(hào)H03K19/0175GK201887742SQ20102061926
公開日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2010年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月23日
發(fā)明者李建兵, 馬英楠 申請(qǐng)人:唐山尚新融大電子產(chǎn)品有限公司