電致發(fā)光器件、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種電致發(fā)光器件、顯示裝置。所述電致發(fā)光器件的電子傳輸層包括用于傳輸電子的第一膜層和與所述第一膜層接觸設(shè)置的調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)用于調(diào)節(jié)電子傳輸層的電子遷移率，便于實現(xiàn)與空穴傳輸層的空穴遷移率匹配，使空穴傳輸層的材料選擇不會受到限制，降低生產(chǎn)成本，保證器件的發(fā)光效率。
【專利說明】
電致發(fā)光器件、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種電致發(fā)光器件、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]量子點材料作為一種零維納米材料，具有帶隙可調(diào)，比表面積大，光電性能優(yōu)越，近年來在發(fā)光二極管、太陽能電池、光探測器、顯示等領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。特別在顯示領(lǐng)域，電致發(fā)光的量子點器件獲得了較高的發(fā)光效率，產(chǎn)業(yè)化逐漸取得進展。
[0003]對于電致發(fā)光的量子點器件，以CdSe/ZnS、CdS/ZnS等核殼結(jié)構(gòu)量子點發(fā)光材料為例，目前廣泛采用的器件結(jié)構(gòu)為陽極/空穴注入層/空穴傳輸層/量子點發(fā)光層/電子傳輸層/陰極。電子傳輸層通常采用旋涂ZnO量子點等無機材料制得，其電子迀移率通常遠遠大于由有機材料制得的電子傳輸層的電子迀移率，約2-3個數(shù)量級。這就造成了電子電流遠超過空穴電流。為此，空穴傳輸層必須具有低的LUMO能級，空穴傳輸層/量子點層界面的電子勢皇使得多余的電子被限制在量子點發(fā)光層。另外，考慮到溶劑互溶的問題，空穴傳輸層還必須選擇某些特定的材料，比 ^nPoly [N, N'-bis (4-butylphenyl)-N,N'-bis (phenyl)-benzi (4-丁基-N，N-二苯基苯胺均聚物簡稱poIy-TBD)、Poly[ (9,9-d1ctylf Iuoreny1-2,
7-diyl )-co-(4,4'- (N-(4-sec-butylphenyI)diphenylamine)](簡稱TFB)等，這使得空穴傳輸層的材料選擇也受到限制。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型提供一種電致發(fā)光器件、顯示裝置，用以解決電子傳輸層的電子迀移率與空穴傳輸層的空穴迀移率不同時，導(dǎo)致空穴傳輸層的材料選擇受到限制的問題。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型實施例中提供一種電致發(fā)光器件，包括設(shè)置在一基底上的電子傳輸層，所述電子傳輸層包括用于傳輸電子的第一膜層，所述電子傳輸層還包括與所述第一膜層接觸設(shè)置的調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)用于調(diào)節(jié)所述第一膜層的電子迀移率。
[0006]如上所述的電致發(fā)光器件，優(yōu)選的是，所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)為與所述第一膜層接觸設(shè)置的第二膜層。
[0007]如上所述的電致發(fā)光器件，優(yōu)選的是，所述電子傳輸層包括至少兩個所述第一膜層，相鄰兩個所述第一膜層之間具有一所述第二膜層。
[0008]如上所述的電致發(fā)光器件，優(yōu)選的是，所述第二膜層的厚度為I?2nm。
[0009]如上所述的電致發(fā)光器件，優(yōu)選的是，所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)由摻雜在所述第一膜層中的調(diào)節(jié)材料制得。
[0010]如上所述的電致發(fā)光器件，優(yōu)選的是，所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的材料為氧化石墨烯。
[0011]如上所述的電致發(fā)光器件，優(yōu)選的是，所述第一膜層由無機材料制得。
[0012]如上所述的電致發(fā)光器件，優(yōu)選的是，所述第一膜層由ZnO量子點或ZnMgO量子點制得。
[0013]如上所述的電致發(fā)光器件，優(yōu)選的是，所述電致發(fā)光器件還包括:
[0014]設(shè)置在所述基底上的陽極；
[0015]設(shè)置在所述陽極上的空穴傳輸層；
[0016]設(shè)置在所述空穴傳輸層上的電致發(fā)光層；
[0017]設(shè)置在所述電子傳輸層上的陰極；
[0018]所述電子傳輸層位于所述電致發(fā)光層和陰極之間。
[0019]如上所述的電致發(fā)光器件，優(yōu)選的是，所述電致發(fā)光層由量子點材料制得。
[0020]本實用新型實施例中還提供一種顯示裝置，包括如上所述的電致發(fā)光器件。
[0021 ]本實用新型的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0022]上述技術(shù)方案中，電致發(fā)光器件的電子傳輸層的電子迀移率可調(diào)，便于實現(xiàn)與空穴傳輸層的空穴迀移率匹配，使空穴傳輸層的材料選擇不會受到限制，降低生產(chǎn)成本，保證器件的發(fā)光效率。
【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1表示本實用新型實施例中電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0025]圖2表示本實用新型實施例中電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖二。
【具體實施方式】
[0026]下面將結(jié)合附圖和實施例，對本實用新型的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。
[0027]實施例一
[0028]本實施例中提供一種電致發(fā)光器件，包括依次設(shè)置在一基底100上的陽極1、空穴傳輸層2、發(fā)光層3、電子傳輸層4和陰極5。發(fā)光層3由量子點材料、有機發(fā)光材料等電致發(fā)光材料制得，電子和空穴在發(fā)光層3中的復(fù)合能夠激發(fā)發(fā)光層3發(fā)光。為了提高發(fā)光效率，還可以在陽極I和空穴傳輸層2之間設(shè)置空穴注入層(圖中未示出)，在電子傳輸層4和陰極5之間設(shè)置電子注入層(圖中未示出)。
[0029]電子傳輸層4包括用于傳輸電子的第一膜層，還包括與第一膜層接觸設(shè)置的調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)用于調(diào)節(jié)所述第一膜層的電子迀移率。所述第一膜層可以由有機材料制得，也可以由量子點等無機材料制得。
[0030]上述電致發(fā)光器件，通過設(shè)置調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，使電子傳輸層的電子迀移率可調(diào)。當(dāng)電子傳輸層和空穴傳輸層的載流子(包括電子和空穴)迀移率差別較大時，通過所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的調(diào)節(jié)作用能夠?qū)崿F(xiàn)電子傳輸層與空穴傳輸層的載流子迀移率匹配，使得空穴傳輸層的材料選擇不會受到限制，降低生產(chǎn)成本，保證器件的發(fā)光效率。
[0031]其中，所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的電子迀移率可以大于(或小于)第一膜層的電子迀移率，用于增加(或降低)所述第一傳輸層的電子迀移率。所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)也可以選擇導(dǎo)電性很差、電子迀移率很低的材料，以有效降低所述第一膜層的電子迀移率。
[0032]本實用新型通過在電子傳輸層4中增加調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)41來調(diào)節(jié)電子迀移率，下面通過兩個【具體實施方式】來介紹具體的實現(xiàn)結(jié)構(gòu)。
[0033]在一個具體的實施方式中，如圖1所示，電子傳輸層4包括用于傳輸電子的第一膜層40和與第一膜層40接觸設(shè)置的調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)。所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)為與第一膜層40接觸設(shè)置的第二膜層41，用于調(diào)節(jié)第一膜層41的電子迀移率。當(dāng)所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)由導(dǎo)電性很差、電子迀移率很低的材料制得時，設(shè)置第二膜層41的厚度為I?2nm，厚度極薄，利用隧穿效應(yīng)的可調(diào)節(jié)性實現(xiàn)電子傳輸層導(dǎo)電性及電子迀移率的連續(xù)可調(diào)，進而得到更好的載流子平衡度和器件性會K。
[0034]可選的，電子傳輸層4包括至少兩個第一膜層40，相鄰兩個第一膜層40之間具有一第二膜層41，更有效實現(xiàn)電子迀移率的連續(xù)可調(diào)。
[0035]在另一個具體的實施方式中，如圖2所示，電子傳輸層4包括用于傳輸電子的第一膜層和與所述第一膜層接觸設(shè)置的調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)。所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)由摻雜在所述第一膜層中的調(diào)節(jié)材料制得，用于調(diào)節(jié)所述第一膜層的電子迀移率。其中，所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的具體形態(tài)可以為摻雜在所述第一膜層中的細小顆粒狀，并均勻分布。
[0036]以上只是在電子傳輸層中形成調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的兩種具體結(jié)構(gòu)形式，在工藝上便于實現(xiàn)，能夠降低生產(chǎn)成本。實際應(yīng)用過程中，在電子傳輸層中形成調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)形式并不局限于上述兩種，只要與電子傳輸層的第一膜層接觸設(shè)置，能夠調(diào)節(jié)第一膜層的電子迀移率即可。
[0037]本實用新型的技術(shù)方案尤其適用于電子傳輸層4的第一膜層由量子點等無機材料制得，因為量子點材料的電子迀移率遠大于空穴傳輸層的空穴迀移率，導(dǎo)致電子電流遠超過空穴電流，為此，空穴傳輸層必須具有低的LUMO能級，從而發(fā)光層和空穴傳輸層界面的電子勢皇使得多余的電子被限制在發(fā)光層中，保證發(fā)光效率。本實用新型可以通過上述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)來降低電子傳輸層4的電子迀移率，使其與空穴傳輸層的空穴迀移率匹配，克服了空穴傳輸層的材料選擇受到上述限制的問題。具體的，所述第一膜層的材料可以選擇ZnO量子點或ZnMgO量子點。電子傳輸層4的調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)由導(dǎo)電性很差、電子迀移率很低的材料制得，用于降低電子傳輸層的電子迀移率，使其與空穴傳輸層的空穴迀移率匹配。
[0038]本實施例中，當(dāng)電子傳輸層4的第一膜層由量子點等無機材料制得時，電子傳輸層4的調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)由氧化石墨稀制得。因為氧化石墨稀中的Sp2雜化被嚴(yán)重破壞，使得氧化石墨烯基本喪失了導(dǎo)電性，其導(dǎo)電性及電子迀移率很低，能夠降低電子傳輸層4的電子迀移率，使其與空穴傳輸層的空穴迀移率匹配。具體的，氧化石墨烯的LUMO能級僅為1.29eV，這使得其具有極好的電子阻擋能力，所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)由摻雜在電子傳輸層4中的氧化石墨烯制得(參見圖2所示)，可以降低電子傳輸層的導(dǎo)電性及電子迀移率。通過在電子傳輸層4中摻雜不同比例的氧化石墨烯實現(xiàn)電子傳輸層導(dǎo)電性及電子迀移率的連續(xù)可調(diào)，進而得到更好的載流子平衡度和器件性能;氧化石墨烯也可以通過成膜工藝形成厚度很薄(I?2nm)的第二膜層41(參見圖1所示)。第二膜層41與第一膜層40接觸設(shè)置，形成所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，用以降低電子傳輸層2的導(dǎo)電性及電子迀移率。通過在電子傳輸層4中引入若干極薄的氧化石墨烯層(SP第二膜層41)，利用隧穿效應(yīng)的可調(diào)節(jié)性實現(xiàn)電子傳輸層導(dǎo)電性及電子迀移率的連續(xù)可調(diào)，進而得到更好的載流子平衡度和器件性能。進一步地，設(shè)置電子傳輸層4包括至少兩個第一膜層40，相鄰兩個第一膜層40之間具有一氧化石墨烯層41，更有效實現(xiàn)電子迀移率的連續(xù)可調(diào)。
[0039]當(dāng)然，電子傳輸層4的調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的材料并不局限為氧化石墨烯，也可以為其他導(dǎo)電性差，電子迀移率低的材料，具體的實現(xiàn)結(jié)構(gòu)可以參見所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的材料為氧化石墨烯時的實現(xiàn)結(jié)構(gòu)。
[0040]本實施例中的電致發(fā)光器件可以為頂發(fā)射型，底發(fā)射型或雙面發(fā)射型。其中，頂發(fā)射型電致發(fā)光器件的光線從器件的頂部射出，陽極I由反射金屬材料制得，如:銀，陰極5由透明導(dǎo)電材料制得，如:ZnO、IGO、IZO、ITO、IGZO，光線從器件的頂部射出。底發(fā)射型電致發(fā)光器件的光線從基底一側(cè)射出，陽極I由透明導(dǎo)電材料制得，如:ZnO、IGO、IZO、ITO、IGZO，陰極5由反射金屬材料制得，如:銀，基底100為透明基底，光線從基底100的射出。雙面發(fā)射型電致發(fā)光器件的光線既從器件的頂部射出，也從基底一側(cè)射出，陽極I和陰極5的一部分由透明導(dǎo)電材料制得，另一部分由反射金屬材料制得，基底100可以為透明基底。為了防止環(huán)境中的水氧影響電致發(fā)光器件的性能，還需在電致發(fā)光器件上形成封裝層，所述封裝層包括阻隔水氧的無機絕緣層，如:氮化硅層、氧化硅層或兩者的復(fù)合層。
[0041 ]本實施例中還提供一種顯示裝置，包括上述的電致發(fā)光器件，由于克服了空穴傳輸層的材料選擇受到載流子迀移率不同的限制，從而保證了器件的性能，并降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。
[0042]當(dāng)應(yīng)用于顯示裝置上時，電致發(fā)光器件形成在顯示基板的基底上，通過控制電致發(fā)光器件自主發(fā)光來實現(xiàn)顯示，如:有機發(fā)光二極管顯示裝置。
[0043]實施例二
[0044]基于同一實用新型構(gòu)思，本實施例中提供一種實施例一中的電致發(fā)光器件的制作方法，包括:
[0045]在一基底上依次形成陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。所述發(fā)光層可以由量子點材料制得，如:CdSe/ZnS、CdS/ZnS等核殼結(jié)構(gòu)量子點，也可以由熒光材料、磷光材料等有機發(fā)光材料制得。為了提高發(fā)光效率，還可以在陽極和空穴傳輸層之間形成空穴注入層，在電子傳輸層和陰極之間形成電子注入層。
[0046]其中，形成電子傳輸層的步驟包括:
[0047]形成用于傳輸電子的第一膜層。
[0048]形成與所述第一膜層接觸設(shè)置的調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)用于調(diào)節(jié)所述第一膜層的電子迀移率。
[0049]通過上述步驟形成的電子傳輸層包括調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，用于調(diào)節(jié)電子傳輸層的電子迀移率，使其與空穴傳輸層的空穴迀移率匹配，使得空穴傳輸層的材料選擇不會受到載流子迀移率不同的限制，降低生產(chǎn)成本，保證器件的發(fā)光效率。
[0050]本實施例中電子傳輸層的所述第一膜層可以由有機材料制得，也可以由量子點等無機材料制得，用于傳輸電子。所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的電子迀移率可以大于(或小于)所述第一膜層的電子迀移率，用于增加(或降低)第一膜層的電子迀移率。所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)也可以選擇導(dǎo)電性很差、電子迀移率很低的材料，以有效降低所述第一膜層的電子迀移率。
[0051]下面通過兩個具體的實施方式來介紹如何在電子傳輸層中增加調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)來調(diào)節(jié)電子迀移率。
[0052]在一個具體的實施方式中，所述電子傳輸層包括用于傳輸電子的第一膜層，形成與所述第一膜層接觸設(shè)置的調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的步驟具體為:
[0053]形成與所述第一膜層接觸設(shè)置的第二膜層，由所述第二膜層形成所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)。
[0054]上述步驟通過第二膜層形成調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，與第一膜層層疊且接觸設(shè)置。當(dāng)所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)由導(dǎo)電性很差、電子迀移率很低的材料制得時，設(shè)置所述第二膜層的厚度為I?2nm，厚度極薄，利用隧穿效應(yīng)的可調(diào)節(jié)性實現(xiàn)電子傳輸層導(dǎo)電性及電子迀移率的連續(xù)可調(diào)，進而得到更好的載流子平衡度和器件性能?？蛇x的，所述電子傳輸層包括至少兩個所述第一膜層，具體在相鄰兩個所述第一膜層之間形成一所述第二膜層，更有效實現(xiàn)電子迀移率的連續(xù)可調(diào)。
[0055]在另一個具體的實施方式中，電子傳輸層包括用于傳輸電子的第一膜層，形成與所述第一膜層接觸設(shè)置的調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的步驟具體為:
[0056]利用摻雜在所述第一膜層中的調(diào)節(jié)材料形成所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)。
[0057]通過上述步驟形成的調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)由摻雜在所述第一膜層中的調(diào)節(jié)材料制得，與第一膜層接觸設(shè)置。
[0058]該實施方式中，形成電子傳輸層的步驟具體可以包括:
[0059]溶解一導(dǎo)電材料，制備導(dǎo)電溶液，用于形成所述第一膜層；
[0060]溶解所述調(diào)節(jié)材料，制備調(diào)節(jié)溶液；
[0061]按一定比例在所述導(dǎo)電溶液中加入所述調(diào)節(jié)溶液，形成混合溶液；
[0062]利用所述混合溶液形成所述電子傳輸層。
[0063]上述步驟中，所述調(diào)節(jié)溶液和導(dǎo)電溶液可以以1: 1、1:5、1:10等體積比進行混合，
并通過超聲使其混合均勻。
[0064]上述兩個【具體實施方式】中給出了在電子傳輸層中形成調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的兩種具體結(jié)構(gòu)形式，在工藝上便于實現(xiàn)，能夠降低生產(chǎn)成本。實際應(yīng)用過程中，在電子傳輸層中形成調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)形式并不局限于上述兩種，只要與電子傳輸層的第一膜層接觸設(shè)置，能夠調(diào)節(jié)第一膜層的電子迀移率即可。
[0065]本實用新型的技術(shù)方案尤其適用于電子傳輸層的第一膜層由量子點等無機材料制得，因為量子點材料的電子迀移率遠大于空穴傳輸層的空穴迀移率，導(dǎo)致電子電流遠超過空穴電流，為此，空穴傳輸層必須具有低的LUMO能級，從而發(fā)光層和空穴傳輸層界面的電子勢皇使得多余的電子被限制在發(fā)光層中，保證發(fā)光效率。而本實用新型可以通過上述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)降低第一膜層的電子迀移率，使其與空穴傳輸層的空穴迀移率匹配，克服了空穴傳輸層的材料選擇受到上述限制的問題。
[0066]本實施例中，當(dāng)電子傳輸層的第一膜層由量子點(如:ZnO量子點、ZnMgO)等無機材料制得時，利用氧化石墨烯形成所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，由于氧化石墨烯的導(dǎo)電性和電子迀移率很低，能夠降低第一膜層的電子迀移率，使其與空穴傳輸層的空穴迀移率匹配。
[0067]為了便于利用氧化石墨烯形成所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，所述制作方法還包括:
[0068]制備氧化石墨烯溶液。
[0069]則，當(dāng)所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)由摻雜在所述第一膜層中的氧化石墨烯制得時，具體可以在按一定比例制備第一膜層的導(dǎo)電溶液中加入氧化石墨烯溶液，形成混合溶液，并利用所述混合溶液形成所述電子傳輸層；當(dāng)所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)由與所述第一膜層接觸設(shè)置的氧化石墨烯層形成時，具體通過旋涂等成膜工藝在第一膜層上形成氧化石墨烯層，由層疊設(shè)置的第一膜層和氧化石墨烯層形成電子傳輸層。由于氧化石墨烯是單一的原子層，可以隨時在橫向尺寸上擴展到數(shù)十微米，有利于形成極薄的膜層，形成的氧化石墨烯層的厚度可以達到I?2nm?？蛇x的，相鄰的兩個第一膜層之間均形成一氧化石墨烯層，利用隧穿效應(yīng)的可調(diào)節(jié)性有效實現(xiàn)電子傳輸層導(dǎo)電性及電子迀移率的連續(xù)可調(diào)。
[0070]本實施例中，制備氧化石墨烯溶液的步驟包括:
[0071 ]在低溫環(huán)境下，混合石墨粉、硝酸鈉和濃硫酸，并加入催化劑；
[0072]反應(yīng)完成后，分離出氧化石墨；
[0073]利用氧化石墨制備氧化石墨烯溶液。
[0074]上述制備方法的低溫環(huán)境可以通過冰水浴來提供，即將混合有石墨粉、硝酸鈉和濃硫酸的容器置入冰水中。使用的所述催化劑可以為高錳酸鉀，反應(yīng)完成后，加入雙氧水將剩余的高錳酸鉀還原為二氧化錳，經(jīng)過多次過濾洗滌，分離出氧化石墨。然后可以在液相體系中利用超聲的空化效應(yīng)，分散破碎氧化石墨，制備氧化石墨烯溶液。所述液相體系可以為水，因為氧化石墨烯在水中具有優(yōu)越的分散性。
[0075]在制備完成氧化石墨烯溶液和導(dǎo)電溶液后，將所述氧化石墨烯溶液和導(dǎo)電溶液以1: 1、1: 5、1:10等體積比進行混合，并通過超聲使其混合均勻，形成混合溶液，利用所述混合溶液形成電子傳輸層。也可以利用所述導(dǎo)電溶液形成第一膜層，利用氧化石墨烯溶液形成與第一膜層接觸設(shè)置的氧化石墨烯層，由層疊設(shè)置的第一膜層和氧化石墨烯層形成電子傳輸層?？蛇x的，相鄰兩個第一膜層之間均形成一氧化石墨烯層，氧化石墨烯層的厚度為I?2nm0
[0076]本實施例中，結(jié)合圖1和圖2所示，電致發(fā)光器件的具體制作方法包括:
[0077 ] 依次用丙酮，酒精，去離子水清洗一基底100，并用UV光線照射I Omin;
[0078]在基底100上形成陽極I;
[0079]在陽極I上形成空穴注入層(圖中未示出)，厚度約為40nm，制作所述空穴注入層的材料可以通過將3，4-乙撐二氧噻吩單體的聚合物、聚苯乙烯磺酸鹽溶解在水中制得，3，4-乙撐二氧噻吩單體的聚合物和聚苯乙烯磺酸鹽混合在一起極大的提高了3，4_乙撐二氧噻吩單體的聚合物的溶解性，導(dǎo)電性很高；
[0080]在所述空穴注入層上依次形成空穴傳輸層2、發(fā)光層3，并烘干；
[0081]在發(fā)光層3上形成電子傳輸層4，包括形成用于傳輸電子的第一膜層和與第一膜層接觸設(shè)置的調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)用于調(diào)節(jié)所述第一膜層的電子迀移率；
[0082]在電子傳輸層4上形成依次形成電子注入層(圖中未示出)、陰極5。
[0083]至此完成電致發(fā)光器件的制作。
[0084]以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進和替換，這些改進和替換也應(yīng)視為本實用新型的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種電致發(fā)光器件，包括設(shè)置在一基底上的電子傳輸層，所述電子傳輸層包括用于傳輸電子的第一膜層，其特征在于，所述電子傳輸層還包括與所述第一膜層接觸設(shè)置的調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)用于調(diào)節(jié)所述第一膜層的電子迀移率。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)為與所述第一膜層接觸設(shè)置的第二膜層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層包括至少兩個所述第一膜層，相鄰兩個所述第一膜層之間具有一所述第二膜層。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二膜層的厚度為I?2nm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)由摻雜在所述第一膜層中的調(diào)節(jié)材料制得。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的材料為氧化石墨烯。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一膜層由無機材料制得。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一膜層由ZnO量子點或ZnMgO量子點制得。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電致發(fā)光器件還包括: 設(shè)置在所述基底上的陽極； 設(shè)置在所述陽極上的空穴傳輸層； 設(shè)置在所述空穴傳輸層上的電致發(fā)光層； 設(shè)置在所述電子傳輸層上的陰極； 所述電子傳輸層位于所述電致發(fā)光層和陰極之間。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電致發(fā)光層由量子點材料制得。11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-10任一項所述的電致發(fā)光器件。
【文檔編號】H01L51/52GK205564819SQ201620335702
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年4月20日
【發(fā)明人】孟虎
【申請人】京東方科技集團股份有限公司