有機發(fā)光顯示裝置及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示裝置及其制備方法，該方法包括：提供基板；在基板上設置第一像素電極、像素限定層、以及發(fā)熱網格；像素限定層設置在第一像素電極的外周；發(fā)熱網格包圍第一像素電極；在基板上設置有機層，有機層覆蓋發(fā)熱網格，并且覆蓋在第一像素電極上；在有機層上設置第二像素電極；加熱發(fā)熱網格，使與發(fā)熱網格接觸的有機層至少達到有機層的閾值溫度。該方法通過發(fā)熱網格升溫至閾值溫度，使得相應部分的有機層處于電絕緣狀態(tài)，從而使得相鄰的像素單元之間不產生串擾現(xiàn)象，并且設置有機層的過程中，無需使用高精度掩模板，減少制備工序，降低成本。該顯示裝置通過該方法制備得到。
【專利說明】
有機發(fā)光顯示裝置及其制備方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及顯示裝置領域，特別是涉及一種有機發(fā)光顯示裝置及其制備方法。
【背景技術】
[0002]有機發(fā)光顯示裝置具有自發(fā)光、視角寬、響應時間短、厚度薄、功耗低等優(yōu)點，其在顯示裝置領域的應用越來越廣泛。
[0003]對于普通的有機發(fā)光顯示裝置，空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層可促進電荷載流子(空穴或電子)移動。這些層可有相對高的導電率以改善自發(fā)光效率。然而，這些層被涂覆在基板上，電荷載流子會產生橫向的移動，當一個像素單元發(fā)光時，會帶動相鄰像素單元跟隨發(fā)光，產生串擾現(xiàn)象。

【發(fā)明內容】

[0004]基于此，有必要提供一種不易產生串擾現(xiàn)象的有機發(fā)光顯示裝置及其制備方法。
[0005]—種有機發(fā)光顯示裝置制備方法，其包括如下步驟:提供基板;在所述基板上設置第一像素電極、像素限定層、以及發(fā)熱網格;所述像素限定層設置在所述第一像素電極的外周;所述發(fā)熱網格包圍所述第一像素電極;在所述基板上設置有機層，所述有機層覆蓋所述發(fā)熱網格，并且覆蓋在所述第一像素電極上;在所述有機層上設置第二像素電極;加熱所述發(fā)熱網格，使與所述發(fā)熱網格接觸的所述有機層至少達到所述有機層的閾值溫度。
[0006]上述有機發(fā)光顯示裝置的制備方法，有機層就不需要高精度掩模板設置在基板上，通過發(fā)熱網格升溫至閾值溫度，使得相應部分的有機層處于電絕緣狀態(tài)，從而使得相鄰的像素單元之間不產生串擾現(xiàn)象，并且設置有機層的過程中，無需使用高精度掩模板，減少制備工序，降低成本。
[0007]在其中一個實施例中，在加熱所述發(fā)熱網格之前還包括:將所述基板放置在加熱腔室中，所述加熱腔室的溫度低于所述閾值溫度。
[0008]在其中一個實施例中，所述發(fā)熱網格為導電導熱網格，通過導通所述導電導熱網格以加熱發(fā)熱網格。
[0009]在其中一個實施例中，所述基板在設置第一像素電極之前設置平坦層，所述第一像素電極和所述發(fā)熱網格都設置在所述平坦層上。
[0010]在其中一個實施例中，所述發(fā)熱網格設置在像素限定層上。
[0011]在其中一個實施例中，所述有機層包括有機發(fā)光層和至少一個電荷傳輸層。
[0012]在其中一個實施例中，所述有機發(fā)光層設置在所述像素限定層內，所述至少一個電荷傳輸層覆蓋所述發(fā)熱網格。
[0013]在其中一個實施例中，所述發(fā)熱網格為導電導熱網格，所述發(fā)熱網格的電導率小于所述至少一個電荷傳輸層的電導率。
[0014]在其中一個實施例中，所述第一像素電極成排成列的設置，所述發(fā)熱網格包括成排成列設置的子網格，所述子網格包圍一個第一像素電極。
[0015]一種有機發(fā)光顯示裝置，其根據如上的有機發(fā)光顯示裝置制備方法制備得到。
【附圖說明】
[0016]圖1至圖4、圖6、圖7為根據本發(fā)明實施例的制造方法中有機發(fā)光顯示裝置的截面圖；
[0017]圖5為圖4中有機發(fā)光顯示裝置的俯視圖。
【具體實施方式】
[0018]以下通過【具體實施方式】來對本發(fā)明進行說明。附圖中所述的組成部件的尺寸和厚度僅僅是為了更好的理解和描述的方便而任意給出的，本發(fā)明并不限于所示的尺寸和厚度。
[0019]請參考圖1-4，圖6、圖7為按順序示出根據本發(fā)明實施例的制備有機發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖。
[°02°]請參考圖1，在基板110上沉積有平坦層120。基板110可以為由Si02作為主要成分的透明玻璃材料制成，基板110可由不透明材料或者諸如塑料部件之類的其它材料制成。然而，對于圖像被體現(xiàn)在基板側的底部發(fā)射有機發(fā)光顯示裝置等來說，基板110必須由透明材料制成。而對于諸如柔性顯示裝置而言，該基板110需為如聚酰亞胺塑料、聚醚醚酮或透明導電滌綸等高分子材料制成，使該基板110具有柔性可彎折的特點，并且該基板110具有重量輕、厚度薄等優(yōu)點。
[0021]在本實施方式中當該有機發(fā)光顯示裝置為有源矩陣有機電致發(fā)光顯示裝置，該基板110可以為薄膜晶體管陣列基板，本領域技術人員可以理解的是，該基板110包括薄膜晶體管Tl、電容Cl以及外圍電路等，該薄膜晶體管Tl包括具有源區(qū)111a、溝道區(qū)111b、漏區(qū)IllC的有源層111、柵極絕緣層112以及柵極113，該薄膜晶體管Tl的源區(qū)Illa和漏區(qū)Illc設置有相應的引出電極114，電容Cl包括下電極115、介質層116以及上電極117，薄膜晶體管Tl和電容Cl各個相應的部分可以在相同的工序中完成。
[0022]在薄膜晶體管陣列基板上沉積平坦層120，使得該薄膜晶體管陣列基板具有平整度較高的沉積表面。
[0023]請參考圖2，在源區(qū)11Ia或漏區(qū)11 Ic的引出電極相應的平坦層120開設有接觸孔，并且沉積并圖案化金屬層形成第一像素電極130，該第一像素電極130通過與源區(qū)Illa或漏區(qū)Illc的引出電極而與相應的薄膜晶體管Tl電性連接。第一像素電極130可以根據薄膜晶體管Tl陣列排列方式、實際需求等原因來設置相應的排列方式。
[0024]請參考圖3，在基板110上設置像素限定層140，像素限定層140設置在第一像素電極130的外周，像素限定層140用以限定有機發(fā)光顯示裝置的像素單元。
[0025]請參考圖4，在基板110上設置發(fā)熱網格150，這些發(fā)熱網格150包圍第一像素電極130。請參考圖5，圖5為圖4的俯視圖，在本實施方式中，第一像素電極130成排成列的設置在平坦層120上，發(fā)熱網格150將這些第一像素電極130——包圍，即該發(fā)熱網格150包括若干成排成列設置的子網格，每一個子網格包圍一個第一像素電極130。
[0026]在本實施方式中，該發(fā)熱網格150為導電導熱網格，可以通過導通該導電導熱網格進行升溫。本領域技術人員可以理解的是，該發(fā)熱網格150也可以為其他具有發(fā)熱功能的材料制備而成，只需其在一定的條件下具有升溫功能即可。
[0027]該發(fā)熱網格120可以設置在平坦層120上，優(yōu)選的，該發(fā)熱網格150可以使用與第一像素電極130相同的材料制備而成。當在平坦層120上沉積金屬層后，將該金屬層圖案化形成相應的第一像素電極130和發(fā)熱網格150，并且兩者之間是絕緣的，這樣可以減少制備工序，降低制備工藝的復雜度。
[0028]當然，該發(fā)熱網格150也可以設置在像素限定層130上，其可以通過掩模蒸鍍或氣相沉積等方式設置在像素限定層130上，可以有效的限制像素單元的發(fā)光區(qū)域設置在像素限定層130限定區(qū)域之內。
[0029]請參考圖6，設置有機層160，該有機層160覆蓋發(fā)熱網格150和第一像素電極130。該有機層160可以不通過掩模板等圖案化工具設置在基板110上，而是直接整面未經圖形化的設置在基板上。在本實施方式中，該有機層160可以包括有機發(fā)光層161和至少一個電荷傳輸層162，該電荷傳輸層162可以為空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等，通過設置電荷傳輸層162可以提高有機發(fā)光層161的發(fā)光效率。有機發(fā)光層161和電荷傳輸層162都可以不經圖案化的設置。優(yōu)選的，有機發(fā)光層161通過與高精度掩模板等配合設置在像素限定層130內，使得發(fā)光區(qū)域限制在像素限定層130所限定的范圍內，而電荷傳輸層162可以不通過掩模板的配合，整面設置在基板110上，并且其覆蓋發(fā)熱網格150，并且根據電荷傳輸層162傳輸類型的不同，設定有機發(fā)光層161和電荷傳輸層162的設置順序。
[0030]請參考圖7，在有機層160設置第二像素電極170，這樣有機層160處于第一像素電極130和第二像素電極170之間，基本形成了有機發(fā)光單元的結構。
[0031 ]有機層160處于高于某溫度時，其會發(fā)生變性或結構破壞，從而不具有載流子傳輸能力，在此定義該溫度為閾值溫度。加熱發(fā)熱網格150使得與其接觸的有機層160的溫度至少上升至有機層的閾值溫度，從而該接觸的部分發(fā)生變形或結構破壞，從而使相鄰像素單元所對應的有機層電絕緣，第一像素電極130上形成相應的像素單元，而相鄰的像素單元之間始終處于絕緣狀態(tài)，不會發(fā)生串擾現(xiàn)象。在本實施方式中，由于有機發(fā)光層161限定在像素定義層130內，有機發(fā)光層161并未與發(fā)熱網格150接觸，而電荷傳輸層162是并未圖案化的設置在基板110上，其與發(fā)熱網格150接觸，發(fā)熱網格150能夠使得電荷傳輸層162與其接觸的部分升溫至閾值溫度，該部分的電荷傳輸層162會發(fā)生變性或結構破壞，該部分電絕緣，載流子不會通過電荷傳輸層162流向相鄰的像素單元。
[0032]在本實施方式中，導電導熱網格的電導率小于電荷傳輸層162的電導率，使得導電導熱網格具有較好的發(fā)熱性能，并且如果電荷傳輸層162由于加熱溫度不夠等原因導致局部區(qū)域絕緣性不佳，載流子也不易從導電導熱網格傳輸至相鄰像素單元，而產生串擾。
[0033]為了降低能耗，在加熱過程中，可以先將基板110放置在加熱腔室中，設置該加熱腔室的溫度低于閾值溫度;然后在加熱腔室中，加熱發(fā)熱網格150至閾值溫度，使得相鄰的像素單元之間處于絕緣狀態(tài)。如該閾值溫度為100攝氏度，而可以設置該加熱腔室的溫度為90攝氏度，而發(fā)熱網格150發(fā)熱的溫度能夠達到10攝氏度以上。
[0034]本實施方式還披露了一種有機發(fā)光顯示裝置，該有機發(fā)光顯示裝置根據上述有機發(fā)光顯示裝置的制備方法制造得到，該有機發(fā)光顯示裝置可以為顯示面板、電視、顯示器、手機、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
[0035]以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。
[0036]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【主權項】
1.一種有機發(fā)光顯示裝置制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供基板； 在所述基板上設置第一像素電極、像素限定層、以及發(fā)熱網格;所述像素限定層設置在所述第一像素電極的外周;所述發(fā)熱網格包圍所述第一像素電極； 在所述基板上設置有機層，所述有機層覆蓋所述發(fā)熱網格，并且覆蓋在所述第一像素電極上； 在所述有機層上設置第二像素電極； 加熱所述發(fā)熱網格，使與所述發(fā)熱網格接觸的所述有機層至少達到所述有機層的閾值溫度。2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在加熱所述發(fā)熱網格之前還包括: 將所述基板放置在加熱腔室中，所述加熱腔室的溫度低于所述閾值溫度。3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述發(fā)熱網格為導電導熱網格，通過導通所述導電導熱網格以加熱發(fā)熱網格。4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板在設置第一像素電極之前設置平坦層，所述第一像素電極和所述發(fā)熱網格都設置在所述平坦層上。5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述發(fā)熱網格設置在像素限定層上。6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述有機層包括有機發(fā)光層和至少一個電荷傳輸層。7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述有機發(fā)光層設置在所述像素限定層內，所述至少一個電荷傳輸層覆蓋所述發(fā)熱網格。8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述發(fā)熱網格為導電導熱網格，所述發(fā)熱網格的電導率小于所述至少一個電荷傳輸層的電導率。9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一像素電極成排成列的設置，所述發(fā)熱網格包括成排成列設置的子網格，所述子網格包圍一個第一像素電極。10.—種有機發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述有機發(fā)光顯示裝置根據權利要求1-9任一項所述的有機發(fā)光顯示裝置制備方法制備得到。
【文檔編號】H01L51/56GK106098738SQ201610541087
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年7月11日
【發(fā)明人】萬陽
【申請人】昆山國顯光電有限公司