硅基太陽(yáng)能電池及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提出的一種硅基太陽(yáng)能電池，包括依次層疊的空穴傳輸層、第一鈍化層、n型硅片，其特征在于所述空穴傳輸層材料選自碘化亞銅、氯化亞銅、溴化亞銅、氧化鎳、氧化鈷、氧化釩、氧化鎢、氧化鉬中的一種。上述硅基太陽(yáng)能電池，采用高功函數(shù)材料作為空穴傳輸層取代p型摻雜層，低功函數(shù)材料作為電子傳輸層取代n型摻雜層，制備的非摻雜異質(zhì)結(jié)空穴傳輸層與鈍化層或硅片直接接觸，耗盡區(qū)界面會(huì)形成強(qiáng)反型層，通過(guò)能帶平齊與能帶彎曲實(shí)現(xiàn)光生載流子向?qū)?yīng)方向流動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)其有效分離，降低接觸電阻和復(fù)合速度，帶間缺陷態(tài)也會(huì)受到強(qiáng)反型層的屏蔽作用，從而使電池的開路電壓增大，相應(yīng)地電池轉(zhuǎn)換效率升高。
【專利說(shuō)明】
硅基太陽(yáng)能電池及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，特別是涉及一種娃基太陽(yáng)能電池及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 當(dāng)前，生產(chǎn)應(yīng)用最為廣泛的當(dāng)屬硅基太陽(yáng)能電池，其電池轉(zhuǎn)換效率及穩(wěn)定性最高、 技術(shù)也最為成熟，在大規(guī)模應(yīng)用和工業(yè)市場(chǎng)中仍占據(jù)主導(dǎo)地位。1999年，新南威爾士大學(xué)教 授馬丁 ?格林課題組制備的PERL(Passivated Emitter and Rear Locally-diffused，純 化發(fā)射極背面定域擴(kuò)散）太陽(yáng)能電池，電池轉(zhuǎn)換效率高達(dá)24.7 %。2014年，松下制備HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin-layer，超薄本征薄膜層異質(zhì)結(jié))太陽(yáng)能電池，能 量轉(zhuǎn)換效率高達(dá)25.6%。
[0003] 但是，包括上述太陽(yáng)能電池在內(nèi)的摻雜載流子硅基太陽(yáng)能電池，均需要摻雜磷、硼 源等以形成同質(zhì)結(jié)或異質(zhì)結(jié)的載流子傳輸結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)復(fù)雜;現(xiàn)有的制備摻雜的載流子選擇 性傳輸材料工藝主要包括熱擴(kuò)散、離子注入、掩膜法、絲網(wǎng)印刷技術(shù)和PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等離子體化學(xué)氣相沉積)技術(shù)。然而熱擴(kuò)散法、掩 膜法以及離子注入技術(shù)均需要800°C以上高溫工藝，后續(xù)需要光刻、去"死層"、制備掩膜等 工藝，流程復(fù)雜；絲網(wǎng)印刷磷漿技術(shù)，在制備中要確保磷漿的量合適以保證得到合適的結(jié) 深，重?fù)诫s區(qū)域要與電極柵線嚴(yán)格對(duì)齊，生產(chǎn)條件要求高，因此現(xiàn)有技術(shù)不成熟，導(dǎo)致電池 轉(zhuǎn)換效率不高;制備摻雜非晶硅異質(zhì)結(jié)則依賴PECVD技術(shù)，并且制備超薄本征非晶硅的工藝 窗口較窄，導(dǎo)致器件制備流程較為復(fù)雜、產(chǎn)品效率波動(dòng)性較大、硬件設(shè)備投資過(guò)高，限制了 該技術(shù)的大規(guī)模推廣。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 基于此，本發(fā)明的目的在于，針對(duì)現(xiàn)有摻雜同質(zhì)結(jié)、異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，制備工藝 復(fù)雜，投入成本高的問(wèn)題，提處一種改進(jìn)的硅基太陽(yáng)能電池。
[0005] 所述空穴傳輸材料、電子傳輸材料均為寬禁帶材料，寄生吸收減少，飽和電流密度 提高，材料載流子迀移率可調(diào)控。制備工藝簡(jiǎn)單，蒸鍍或旋涂或電子束蒸發(fā)等工藝制備，設(shè) 備投資成本低，效率提升空間大，對(duì)加速光伏應(yīng)用成本的降低具有極為重要的意義。
[0006] 本發(fā)明提供一種硅基太陽(yáng)能電池，包括依次層疊的空穴傳輸層、第一鈍化層、η型 硅片，其中所述空穴傳輸層材料選自碘化亞銅、氯化亞銅、溴化亞銅、氧化鎳、氧化鈷、氧化 釩、氧化鎢、氧化鉬中的一種。
[0007] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述太陽(yáng)能電池還包括電子傳輸層和第二鈍化層，所述第 二鈍化層層疊在所述η型硅片遠(yuǎn)離所述第一鈍化層的一側(cè)，所述電子傳輸層層疊在所述第 二鈍化層遠(yuǎn)離所述η型硅片的一側(cè)，所述電子傳輸層材料選自氧化鈦、氧化鉻、氧化鉿、氧化 鈧、氧化鋯、氧化鉭、氧化釔中的一種。
[0008] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述太陽(yáng)能電池還包括第二空穴傳輸層，所述第二空穴傳 輸層層疊在所述空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述第一鈍化層的一側(cè)，所述第二空穴傳輸層的材料選自 碘化亞銅、氯化亞銅、溴化亞銅、氧化鎳、氧化鈷、氧化釩、氧化鎢、氧化鉬中的一種，所述第 二空穴傳輸層材料的功函數(shù)比所述空穴傳輸層材料的功函數(shù)高〇. 〇1~〇. 5eV。
[0009] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述太陽(yáng)能電池還包括透明導(dǎo)電電極層，所述透明導(dǎo)電電 極層層疊在所述空穴傳輸層或所述電子傳輸層遠(yuǎn)離鈍化層一側(cè)，所述透明導(dǎo)電電極層材料 選自氧化銦錫、氧化鋁鋅、氫化氧化銦/氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅鎵中的一種。
[00?0]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴傳輸層為0.1~200nm，所述電子傳輸層的厚度為 0· 1~10nm，所述第二空穴傳輸層厚度為0· 1~80nm〇
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一鈍化層和所述第二鈍化層的厚度各自為0~20nm， 所述第一鈍化層和所述第二鈍化層材料各自選自氫化非晶硅、氫化非晶氧化硅、氧化硅、氧 化鈦、氧化鋁、氮氧化娃中的一種。
[0012] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述透明導(dǎo)電電極層厚度為60~80nm。
[0013] 本發(fā)明還提供一種硅基太陽(yáng)能電池的制備方法，所述硅基太陽(yáng)能電池包括依次層 疊的空穴傳輸層、第一鈍化層、η型硅片，其特征在于所述制備方法包括以下步驟：
[0014] 對(duì)所述η型硅片進(jìn)行清洗、制絨或拋光；
[0015] 在所述η型硅片一側(cè)制備第一鈍化層；
[0016] 在所述第一鈍化層遠(yuǎn)離所述η型硅片的一側(cè)制備空穴傳輸層，所述空穴傳輸層材 料選自碘化亞銅、氯化亞銅、溴化亞銅、氧化鎳、氧化鈷、氧化釩、氧化鎢、氧化鉬中的一種。
[0017] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述太陽(yáng)能電池還包括第二鈍化層和電子傳輸層，所述第 二鈍化層層疊在所述η型硅片遠(yuǎn)離所述第一鈍化層的一側(cè)，所述電子傳輸層層疊在所述第 二鈍化層遠(yuǎn)離所述η型硅片的一側(cè)，所述制備方法還包括以下步驟：
[0018] 在所述η型硅片遠(yuǎn)離所述第一鈍化層的一側(cè)制備所述第二鈍化層；
[0019] 在所述第二鈍化層遠(yuǎn)離所述η型硅片的一側(cè)制備所述電子傳輸層，所述電子傳輸 層材料選自氧化鈦、氧化鉻、氧化鉿、氧化鈧、氧化鋯、氧化鉭、氧化釔中的一種。
[0020] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述太陽(yáng)能電池還包括第二空穴傳輸層，所述第二空穴傳 輸層層疊在所述空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述第一鈍化層的一側(cè)，所述制備方法還包括以下步驟：
[0021] 在所述空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述第一鈍化層的一側(cè)制備所述第二空穴傳輸層，所述第 二空穴傳輸層的材料同樣選自碘化亞銅、氯化亞銅、溴化亞銅、氧化鎳、氧化鈷、氧化釩、氧 化鎢、氧化鉬中的一種，所述第二空穴傳輸層材料的功函數(shù)比所述空穴傳輸層材料的功函 數(shù)高0.01 ~0.5eV。
[0022] 上述硅基太陽(yáng)能電池，采用高功函數(shù)材料作為空穴傳輸層取代p型摻雜層，低功函 數(shù)材料作為電子傳輸層取代η型摻雜層，制備的非摻雜異質(zhì)結(jié)空穴傳輸層與鈍化層或硅片 直接接觸，耗盡區(qū)界面會(huì)形成強(qiáng)反型層，通過(guò)能帶平齊與能帶彎曲實(shí)現(xiàn)光生載流子向?qū)?yīng) 方向流動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)其有效分離，降低接觸電阻和復(fù)合速度，帶間缺陷態(tài)也會(huì)受到強(qiáng)反型層的 屏蔽作用，從而使電池的開路電壓增大，相應(yīng)地電池轉(zhuǎn)換效率升高。
[0023] 上述娃基太陽(yáng)能電池，具有非摻雜異質(zhì)結(jié)空穴傳輸層和第二空穴傳輸層，ρ-η結(jié)處 內(nèi)建電場(chǎng)增大，開路電壓增大，相應(yīng)地電池效率增大。
[0024] 上述硅基太陽(yáng)能電池選用的空穴傳輸層材料、電子傳輸層材料為寬禁帶材料、通 過(guò)調(diào)控材料空位濃度、摻雜濃度，實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)率與功函數(shù)的平衡。
[0025] 上述硅基太陽(yáng)能電池，相較于傳統(tǒng)摻雜硅基太陽(yáng)能電池，無(wú)需光刻、熱擴(kuò)散、去"死 層"等復(fù)雜工藝，通過(guò)簡(jiǎn)單、低溫工藝即可制備，如熱蒸鍍、旋凃、電子束濺射、磁控濺射、原 子層沉積法(ALD)、化學(xué)氣相沉積法(CVD)、噴霧熱解，太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，顯著降低了成 本。
【附圖說(shuō)明】
[0026]為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所 需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明中記載的一 些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0027]圖1為本發(fā)明提供的太陽(yáng)能電池原理示意圖。
[0028] 圖2為本發(fā)明提供的太陽(yáng)能電池實(shí)施例1太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029] 圖3為本發(fā)明提供的太陽(yáng)能電池實(shí)施例4太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030] 圖4為本發(fā)明提供的太陽(yáng)能電池實(shí)施例6太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031] 圖5為本發(fā)明提供的太陽(yáng)能電池實(shí)施例11太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032] 圖6是圖5的仰視圖。
[0033] 圖7為本發(fā)明提供的太陽(yáng)能電池實(shí)施例15太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034] 圖8為本發(fā)明提供的太陽(yáng)能電池實(shí)施例17太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]為使本發(fā)明技術(shù)方案更佳清楚，以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳 細(xì)的說(shuō)明。
[0036] 本發(fā)明提供的硅基太陽(yáng)能電池，當(dāng)以η型硅片11作襯底時(shí)，包括依次層疊的空穴傳 輸層31、第一鈍化層21、η型硅片11，以及與空穴傳輸層31連接的正極50和與η型硅片11連接 的負(fù)極60,所述空穴傳輸層31的材料選自碘化亞銅、氯化亞銅、溴化亞銅、氧化鎳、氧化鈷、 氧化釩、氧化鎢、氧化鉬中的一種。
[0037] 優(yōu)選的，本發(fā)明的硅基太陽(yáng)能電池還包括依次層疊的空穴傳輸層31、第一鈍化層 21、η型硅片11、第二鈍化層22、電子傳輸層41，以及與空穴傳輸層31連接的正極50和與電子 傳輸層41連接的負(fù)極60。所述電子傳輸層41材料選自氧化鈦、氧化鉻、氧化鉿、氧化鈧、氧化 鋯、氧化鉭、氧化釔中的一種。
[0038]優(yōu)選的，本發(fā)明的硅基太陽(yáng)能電池包括依次層疊的第二空穴傳輸層32、空穴傳輸 層31、第一鈍化層21、η型硅片11、第二鈍化層22、電子傳輸層41，以及與第二空穴傳輸層32 連接的正極50和與電子傳輸層41連接的負(fù)極60。所述第二空穴傳輸層32材料功函數(shù)高于所 述空穴傳輸層31材料的功函數(shù)。
[0039]優(yōu)選的，本發(fā)明的硅基太陽(yáng)能電池包括依次層疊的透明導(dǎo)電電極層、第二空穴傳 輸層32、空穴傳輸層31、第一鈍化層21、η型娃片11、第二鈍化層22、電子傳輸層41、透明導(dǎo)電 電極層，以及與第二空穴傳輸層32遠(yuǎn)離第一鈍化層21外側(cè)透明導(dǎo)電電極層連接的正極50和 與電子傳輸層41遠(yuǎn)離第二鈍化層22透明導(dǎo)電電極層連接的負(fù)極60。所述透明導(dǎo)電電極材料 各自選為氧化銦錫、氧化鋁鋅、氫化氧化銦/氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鎵中的一種。
[0040]優(yōu)選的，所述空穴傳輸層厚度為0.5~100nm，第二空穴傳輸層厚度為0.5~30nm， 電子傳輸層的厚度為〇 · 5~6nm〇
[0041 ]優(yōu)選的，空穴傳輸層材料碘化亞銅、氯化亞銅、溴化亞銅電導(dǎo)率為2~500( Ω · cm)、氧化鎳、氧化鈷、氧化釩、氧化鎢、氧化鉬電導(dǎo)率在102~10-6( Ω · cmt1。優(yōu)選的，所述 第一鈍化層21、所述第二鈍化層22的材料可以各自選自常規(guī)的起鈍化作用的材料，例如氫 化非晶硅、氫化非晶氧化硅、氧化硅、氧化鈦、氧化鋁、氮氧化硅等具有鈍化作用的材料，所 述第一鈍化層21和所述第二鈍化層22的材料可以相同或不同。
[0042]優(yōu)選的，所述第一鈍化層21、所述第二鈍化層22的厚度各自為0~10nm。
[0043] 優(yōu)選的，所述透明導(dǎo)電電極層疊在所述空穴傳輸層、電子傳輸層遠(yuǎn)離鈍化層一側(cè)， 所述透明導(dǎo)電電極材料各自選為氧化銦錫、氧化鋁鋅、氫化氧化銦/氧化銦錫、氧化銦鋅、氧 化鋅鎵中的一種。透明導(dǎo)電電極厚度為60~80nm。
[0044] 優(yōu)選的，所述正極50的材料可以選自常用的太陽(yáng)能電池正極材料，例如Al、Ca/Al、 Mg/Al、Mg/Ag、Cu、Au、Ag、Ti/Pd/Ag。
[0045] 優(yōu)選的，所述負(fù)極60的材料可以選自常用的太陽(yáng)能電池負(fù)極材料，例如Al、Ca/Al、 Mg/Al、Mg/Ag、Cu、Au、Ag、Ti/Pd/Ag。
[0046] 本發(fā)明提供的硅基太陽(yáng)能電池的制備方法，當(dāng)以η型硅片11作襯底時(shí)，包括以下步 驟:對(duì)η型硅片11進(jìn)行制絨清洗或拋光;在η型硅片11 一側(cè)制備第一鈍化層21;在第一鈍化層 21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)制備空穴傳輸層31;所述空穴傳輸層31材料選自碘化亞銅、氯化亞 銅、溴化亞銅、氧化鎳、氧化鈷、氧化釩、氧化鎢、氧化鉬中的一種或兩種，制備與空穴傳輸層 31連接的正極50;制備與η型硅片11連接的負(fù)極60。
[0047] 優(yōu)選的，所述制備方法包括以下步驟:對(duì)η型硅片11進(jìn)行制絨清洗或拋光;在η型硅 片11 一側(cè)制備第一鈍化層21;在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)制備空穴傳輸層31;在 η型硅片遠(yuǎn)離第一鈍化層21的一側(cè)制備第二鈍化層22;在所述第二鈍化層22遠(yuǎn)離η型硅片11 的一側(cè)制備電子傳輸層41;所述電子傳輸層41材料選自氧化鈦、氧化鉻、氧化鉿、氧化鈧、氧 化鋯、氧化鉭、氧化釔中的一種或幾種，制備與空穴傳輸層31連接的正極50;制備與電子傳 輸層41連接的負(fù)極60。
[0048] 優(yōu)選的，所述制備方法包括以下步驟:對(duì)η型硅片11進(jìn)行制絨清洗或拋光;在η型硅 片11 一側(cè)制備第一鈍化層21;在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)制備空穴傳輸層31;在 空穴傳輸層31遠(yuǎn)離所述第一鈍化層21的一側(cè)制備第二空穴傳輸層32,在η型硅片遠(yuǎn)離第一 鈍化層21的一側(cè)制備第二鈍化層22;在所述第二鈍化層22遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)制備電子 傳輸層41;制備與第二空穴傳輸層32連接的正極50;制備與電子傳輸層41連接的負(fù)極60;所 述第二空穴傳輸層32材料功函數(shù)高于所述空穴傳輸層31材料的功函數(shù)。
[0049] 上述步驟中除必須在另一步驟的基礎(chǔ)上實(shí)施的不限定其先后順序。
[0050] 進(jìn)一步的，對(duì)硅片進(jìn)行的預(yù)處理包括但不限于對(duì)硅片的制絨、清洗、拋光。
[0051] 進(jìn)一步的，制備第一鈍化層21、第二鈍化層22、正極50、負(fù)極60的方法可以選自現(xiàn) 有技術(shù)。
[0052]優(yōu)選的，所述空穴傳輸層31、第二空穴傳輸層32、電子傳輸層41、第二電子傳輸層 各自是通過(guò)旋涂法、熱蒸鍍法、磁控濺射法、化學(xué)氣相沉積法、電子束蒸發(fā)法、噴霧熱解法中 的一種制備的。
[0053]請(qǐng)參見圖1，是本發(fā)明提供的太陽(yáng)能電池原理示意圖。
[0054]以η型硅襯底為例，如圖1(a)所示，以Cul作為空穴傳輸層，材料接觸、能帶平齊后， η型硅在擴(kuò)散區(qū)能帶向上彎曲，電子傳輸收到阻礙，空穴可通過(guò)缺陷能級(jí)傳輸，實(shí)現(xiàn)光生載 流子有效分離，從而降低接觸電阻和復(fù)合速度，帶間缺陷態(tài)也會(huì)受到強(qiáng)反型層的屏蔽作用， 從而使電池的內(nèi)建電場(chǎng)、開路電壓增大，相應(yīng)地電池轉(zhuǎn)換效率升高。圖1(b)增加了第二空穴 傳輸層氧化鎢，第二空穴傳輸層功函數(shù)值更高，空穴更易傳輸，并且強(qiáng)反型層的誘導(dǎo)效應(yīng)更 加顯著，能帶平齊后，內(nèi)建電場(chǎng)更高、開路電壓更大，相應(yīng)地電池效率更高。同理，在η型硅片 遠(yuǎn)離空穴傳輸層一側(cè)制備電子傳輸層，可以輔助電子傳輸，阻礙空穴傳輸，而實(shí)現(xiàn)光生載流 子更有效地分離。
[0055] 下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明。
[0056] 實(shí)施例1
[0057]參見圖2所示，本實(shí)施例以η型硅片11作為襯底，對(duì)η型硅片11進(jìn)行制絨處理，可依 次通過(guò)有機(jī)溶劑丙酮、無(wú)水乙醇、去離子水、硅片標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗、氫氟酸、去離子水處理，清除 硅片表面雜質(zhì)以及氧化層;在η型硅片11的兩側(cè)分別通過(guò)PEVCD法制備厚度為5-7nm的氫化 非晶硅層作為第一鈍化層21與第二鈍化層22，；在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通過(guò) 溶膠凝膠法以3500r/s的轉(zhuǎn)速旋涂加熱制備厚度為20nm的氧化鎳層作為空穴傳輸層31，在 第二鈍化層22遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通過(guò)化學(xué)氣相沉積工藝以鈦酸四叔丁酯為前驅(qū)體，在_ l〇°C吸附到硅片表面，再依次經(jīng)歷250Γ加熱，前驅(qū)體分解制備厚度為3nm的氧化鈦層作為 電子傳輸層41;通過(guò)絲網(wǎng)印刷工藝在遠(yuǎn)離空穴傳輸層31的一側(cè)制備銀電極作為正極50,以 及通過(guò)絲網(wǎng)印刷工藝在電子傳輸層41遠(yuǎn)離第二鈍化層22的一側(cè)制備銀電極作為負(fù)極60;制 得太陽(yáng)能電池 A1。
[0058]采用太陽(yáng)能電池伏安特性測(cè)試系統(tǒng)（型號(hào)：SoliA,美國(guó)NewportOrie提供)測(cè)定太 陽(yáng)能電池 A1的開路電壓、轉(zhuǎn)換效率，測(cè)定結(jié)果見表1。
[0059] 實(shí)施例2
[0060]以實(shí)施例1相同的方法制備太陽(yáng)能電池，區(qū)別在于通過(guò)紫外臭氧照射η型硅一側(cè)， 生長(zhǎng)一層1.5nm超薄二氧化硅作為第二鈍化層22，在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通 過(guò)熱蒸鍍以1A/S的速率蒸鍍6〇nm、電導(dǎo)率為80(Ω · cm)-1溴化亞銅作為空穴傳輸層31，在 第二鈍化層22遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通過(guò)電子束蒸發(fā)在9KV電壓下，以0JA/S的速率生長(zhǎng) 2nm氧化鉿電子傳輸層41;制得太陽(yáng)能電池 Α2。
[0061]以與實(shí)施例1相同的方法測(cè)定太陽(yáng)能電池 A3，測(cè)定結(jié)果見表1。
[0062] 實(shí)施例3
[0063]以實(shí)施例1相同的方法制備太陽(yáng)能電池，區(qū)別在于無(wú)第二鈍化層22,通過(guò)原子層沉 積工藝逐層沉積3nm氧化鋁作為第一鈍化層21，在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通過(guò) 磁控濺射工藝生長(zhǎng)l〇〇nm氧化鈷作為空穴傳輸層31，在第二鈍化層22遠(yuǎn)離η型硅片11的一 側(cè)，通過(guò)原子層沉積的工藝制備5nm氧化鈧作為電子傳輸層41，在空穴傳輸層31遠(yuǎn)離η型硅 片一側(cè)通過(guò)磁控濺射生長(zhǎng)70nm氧化銦錫作為透明導(dǎo)電層，在電子傳輸層41遠(yuǎn)離η型硅一側(cè) 通過(guò)磁控濺射生長(zhǎng)70nm氧化鋁鋅作為透明導(dǎo)電層，無(wú)需制備銀正極電極，制得太陽(yáng)能電池 A3；
[0064 ]以與實(shí)施例1相同的方法測(cè)定太陽(yáng)能電池 A4，測(cè)定結(jié)果見表1。
[0065] 實(shí)施例4
[0066] 參見圖3所示，本實(shí)施例以η型硅片11作為襯底，對(duì)η型硅片11進(jìn)行雙面制絨處理， 可依次通過(guò)有機(jī)溶劑丙酮、無(wú)水乙醇、去離子水、硅片標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗、氫氟酸、去離子水處理， 清除硅片表面雜質(zhì)以及氧化層;通過(guò)PEV⑶法在η型硅片11 一側(cè)制備厚度為70nm氮化硅作為 正面鈍化減反層70，通過(guò)PEVCD法在η型硅片11遠(yuǎn)離正面鈍化減反射層70的一側(cè)通過(guò)PEVCD 法制備厚度為15nm的氫化非晶氧化硅氧作為第一鈍化層21，在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片 11的一側(cè)通過(guò)熱蒸鍍法，以0.6 A/S蒸鍍速率制備如圖6所示Μ形狀的厚度150nm為溴化亞銅 層作為空穴傳輸層31;在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通過(guò)電子束蒸發(fā)法制備如圖6 所示W(wǎng)形狀的厚度為8nm氧化鉻層作為電子傳輸層41;在遠(yuǎn)離空穴傳輸層31的一側(cè)通過(guò)熱蒸 鍍工藝制備銀電極作為正極50;在電子傳輸層41遠(yuǎn)離第一鈍化層21的一側(cè)通過(guò)熱蒸鍍工藝 制備銀電極作為負(fù)極60,制得太陽(yáng)能電池 A4。
[0067 ]以與實(shí)施例1相同的方法測(cè)定太陽(yáng)能電池 A4，測(cè)定結(jié)果見表1。
[0068] 實(shí)施例5
[0069] 以實(shí)施例4相同的方法制備太陽(yáng)能電池，區(qū)別在于，在η型硅片11遠(yuǎn)離正面鈍化減 反射層70的一側(cè)生長(zhǎng)1.5nm超薄氧化硅層作為鈍化層21，在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的 一側(cè)通過(guò)電子束蒸發(fā)以0.3A/S速率生長(zhǎng)電導(dǎo)率為1〇 4(Ω · αιιΓΗδηπι氧化鎢，制備如圖6所 示Μ形狀的氧化鎢空穴傳輸層31;在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通過(guò)原子層沉積工 藝制備如圖6所示W(wǎng)形狀的厚度為lnm氧化鈦層作為電子傳輸層41;在電子傳輸層41與空穴 傳輸層31遠(yuǎn)離η型硅一側(cè)通過(guò)磁控濺射生長(zhǎng)70nm氧化銦錫作為透明導(dǎo)電層，在遠(yuǎn)離空穴傳 輸層31的一側(cè)通過(guò)熱蒸鍍工藝制備銀電極作為正極50;在電子傳輸層41遠(yuǎn)離第一鈍化層21 的一側(cè)通過(guò)熱蒸鍍工藝制備銀電極作為負(fù)極60，制得太陽(yáng)能電池 A5。
[0070 ]以與實(shí)施例1相同的方法測(cè)定太陽(yáng)能電池 A5，測(cè)定結(jié)果見表1。
[0071] 實(shí)施例6
[0072]參見圖4所示，本實(shí)施例以η型硅片11作為襯底，對(duì)η型硅片11進(jìn)行制絨處理，可依 次通過(guò)有機(jī)溶劑丙酮、無(wú)水乙醇、去離子水、硅片標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗、氫氟酸、去離子水處理，清除 硅片表面雜質(zhì)以及氧化層;在η型硅片11的兩側(cè)分別通過(guò)PEVCD法制備厚度為5-7nm的本征 非晶硅層作為第一鈍化層21，第二鈍化層22;在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通過(guò)溶 膠凝膠法以5500r/s的轉(zhuǎn)速旋涂加熱制備厚度為10nm的氧化鎳層作為空穴傳輸層31，在空 穴傳輸層31遠(yuǎn)離第一鈍化層21的一側(cè)以溶液法并通過(guò)旋凃制備厚度為10nm的碘化亞銅層 作為第二空穴傳輸層32;在第二鈍化層22遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通過(guò)化學(xué)氣相沉積工藝以 鈦酸四叔丁酯為前驅(qū)體，在_l〇°C吸附到硅片表面，再依次經(jīng)歷250Γ加熱，前驅(qū)體分解制備 厚度為0.5nm的氧化鈦層作為電子傳輸層41;通過(guò)絲網(wǎng)印刷工藝在第二空穴傳輸層32遠(yuǎn)離 空穴傳輸層31的一側(cè)制備銀電極作為正極50,以及通過(guò)絲網(wǎng)印刷工藝在電子傳輸層41遠(yuǎn)離 第二鈍化層22的一側(cè)制備銀電極作為負(fù)極60;制得太陽(yáng)能電池 A6。
[0073 ]以與實(shí)施例1相同的方法測(cè)定太陽(yáng)能電池 A6，測(cè)定結(jié)果見表1。
[0074] 實(shí)施例7
[0075] 以實(shí)施例6相同的方法制備太陽(yáng)能電池，區(qū)別在于通過(guò)化學(xué)氣相沉積工藝制備3nm 氧化鈦?zhàn)鳛榈诙g化層22,在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)以加熱蒸發(fā)法以lA/S制 備厚度為80nm的Cul層作為空穴傳輸層31，在空穴傳輸層31遠(yuǎn)離第一鈍化層21的一側(cè)通過(guò) 電子束蒸發(fā)以較小于1A/S的速率制備厚度為20nm氧化鎢層作為第二空穴傳輸層32;在第 二鈍化層22遠(yuǎn)離η型娃片11的一側(cè)通過(guò)以四氯化鈦?zhàn)鳛榍膀?qū)體與水作為氧化劑在70°C通過(guò) 原子層沉積法制備厚度為6nm氧化鈦層作為電子傳輸層;制得太陽(yáng)能電池 A7。
[0076] 以與實(shí)施例1相同的方法測(cè)定太陽(yáng)能電池 A7,測(cè)定結(jié)果見表1。
[0077] 實(shí)施例8
[0078]以實(shí)施例6相同的方法制備太陽(yáng)能電池，區(qū)別在于通過(guò)原子層沉積以3nm氧化鋁作 為第一鈍化層21，通過(guò)熱硝酸氧化1.3nm二氧化娃作為第二鈍化層22;在第一鈍化層21遠(yuǎn)離 η型硅片11的一側(cè)以熱蒸鍍法小于1A/S的速率制備厚度為60nm，電導(dǎo)率為10( Ω · cm"的 氯化亞銅層作為空穴傳輸層31，在空穴傳輸層31遠(yuǎn)離第一鈍化層21的一側(cè)，通過(guò)熱蒸鍍法 以0.5人/S的速率制備厚度為40nm的氧化鉬層作為第二空穴傳輸層32;在第二鈍化層22遠(yuǎn) 離η型硅片11的一側(cè)通過(guò)施加9KV電壓、以0.4A/S通過(guò)電子束蒸發(fā)法制備厚度為l〇nm的氧 化鋯層作為電子傳輸層41;制得太陽(yáng)能電池 A8。
[0079 ]以與實(shí)施例1相同的方法測(cè)定太陽(yáng)能電池 A8，測(cè)定結(jié)果見表1。
[0080] 實(shí)施例9
[0081] 以實(shí)施例6相同的方法制備太陽(yáng)能電池，區(qū)別在于通過(guò)TOCVD，通過(guò)調(diào)控硅烷、氫 氣、氧氣的流量、功率、壓強(qiáng)、溫度，在η型娃片兩側(cè)分別生長(zhǎng)5-7nm的氫化非晶娃氧作為第一 鈍化層21與第二鈍化層22;在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通過(guò)噴霧熱解工藝制備 厚度為l〇nm氧化鎳層作為空穴傳輸層31，在空穴傳輸層31遠(yuǎn)離第一鈍化層21的一側(cè)以旋涂 法制備厚度為80nm的氧化鈷層作為第二空穴傳輸層32;在第二鈍化層22遠(yuǎn)離η型硅片11的 一側(cè)通過(guò)磁控濺射制備厚度為lnm的鉿薄膜層，再通入氧氣氣氛中，形成氧化鉿層作為電子 傳輸層41;制得太陽(yáng)能電池 A9。
[0082 ]以與實(shí)施例1相同的方法測(cè)定太陽(yáng)能電池 A9，測(cè)定結(jié)果見表1。
[0083] 實(shí)施例10
[0084] 以實(shí)施例6相同的方法制備太陽(yáng)能電池，區(qū)別在于在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11 的一側(cè)以溶膠凝膠法旋涂法制備厚度為5nm溴化亞銅作為空穴傳輸層31，在空穴傳輸層31 遠(yuǎn)離第一鈍化層21的一側(cè)以旋涂法制備厚度為5nm的氧化釩層作為第二空穴傳輸層32;在 第二鈍化層22遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通過(guò)電子束蒸發(fā)法制備厚度為lnm的氧化鉿層作為電 子傳輸層41;在電子傳輸層41與第二空穴傳輸層32遠(yuǎn)離η型硅一側(cè)通過(guò)磁控濺射生長(zhǎng)70nm 氧化銦錫作為透明導(dǎo)電層，制得太陽(yáng)能電池 A10。
[0085 ]以與實(shí)施例1相同的方法測(cè)定太陽(yáng)能電池 A10，測(cè)定結(jié)果見表1。
[0086] 實(shí)施例11
[0087]參見圖5所示，本實(shí)施例以η型硅片11作為襯底，對(duì)η型硅片11進(jìn)行制絨處理，可依 次通過(guò)有機(jī)溶劑丙酮、無(wú)水乙醇、去離子水、硅片標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗、氫氟酸、去離子水處理，清除 硅片表面雜質(zhì)以及氧化層;通過(guò)PEVCD法在η型硅片11 一側(cè)制備厚度為70nm氮化硅作為正面 鈍化減反層70,通過(guò)PEVCD法在η型硅片11遠(yuǎn)離正面鈍化減反射層70的一側(cè)通過(guò)PEVCD法制 備厚度為5nm的本征非晶硅層作為第一鈍化層21，在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通 過(guò)熱蒸鍍法，以0.6A/S制備如圖6所示Μ形狀的厚度為20nm氧化鈷層作為空穴傳輸層31，在 空穴傳輸層31遠(yuǎn)離第一鈍化層21的一側(cè)通過(guò)熱蒸鍍工藝制備厚度為40nm氧化釩層作為第 二空穴傳輸層32;在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通過(guò)電子束蒸發(fā)法制備如圖6所示 W形狀的厚度為lnm氧化鉻層作為電子傳輸層41;在第二空穴傳輸層32遠(yuǎn)離空穴傳輸層31的 一側(cè)通過(guò)熱蒸鍍工藝制備銀電極作為正極50;在電子傳輸層41遠(yuǎn)離第一鈍化層21的一側(cè)通 過(guò)熱蒸鍍工藝制備銀電極作為負(fù)極60，制得太陽(yáng)能電池 Al 1。
[0088 ]以與實(shí)施例1相同的方法測(cè)定太陽(yáng)能電池 A11，測(cè)定結(jié)果見表1。
[0089] 實(shí)施例12
[0090] 以實(shí)施例11相同的方法制備太陽(yáng)能電池，區(qū)別在于在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片 11的一側(cè)通過(guò)電子束蒸發(fā)工藝在9Κν電壓下制備以0.3A/S的速率制備30nm Cu膜，后置于 碘蒸氣中形成如圖6所示Μ形狀的碘化亞銅層作為空穴傳輸層31，在空穴傳輸層31遠(yuǎn)離鈍化 層21的一側(cè)通過(guò)電子束蒸發(fā)法制備厚度為30nm氧化鉬層作為第二空穴傳輸層32;在第一鈍 化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通過(guò)磁控濺射工藝蒸發(fā)制備如圖5所示W(wǎng)形狀的厚度為lnm氧 化鉿層電子傳輸層41，制得太陽(yáng)能電池 A12。
[0091] 以與實(shí)施例1相同的方法測(cè)定太陽(yáng)能電池 A12,測(cè)定結(jié)果見表1。
[0092] 實(shí)施例13
[0093]以與實(shí)施例11相同的方法制備太陽(yáng)能電池，區(qū)別在于熱硝酸氧化在η型硅片11表 面形成1.5nm左右的二氧化硅作為第一鈍化層21，在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通 過(guò)熱蒸鍍工藝，蒸鍍速率在0.8A/S，制備如圖6所示Μ形狀的厚度為O.lnm、電導(dǎo)率為300 (Ω · cmr1的溴化亞銅層作為空穴傳輸層31，空穴傳輸層31遠(yuǎn)離第一鈍化層21的一側(cè)通過(guò) 電子束蒸發(fā)制備厚度為3nm、電導(dǎo)率為10- 3(Ω · cm)-1的氧化鎢層作為第二空穴傳輸層32; 在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通過(guò)電子束蒸發(fā)制備0.5nm鈦薄膜層，置于空氣或氧 氣中形成如圖6所示W(wǎng)形狀的氧化鈦電子傳輸層41，制得太陽(yáng)能電池 A13。
[0094 ]以與實(shí)施例1相同的方法測(cè)定太陽(yáng)能電池 A13，測(cè)定結(jié)果見表1。
[0095] 實(shí)施例14
[0096] 以與實(shí)施例11相同的方法制備太陽(yáng)能電池，區(qū)別在于熱硝酸氧化在η型硅片表面 形成1.5nm的二氧化硅作為第一鈍化層21，在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通過(guò)制備 氧化溶液，通過(guò)噴霧熱解工藝制備如圖6所示Μ形狀的厚度為3nm厚的氧化鎳層作為空穴傳 輸層31;空穴傳輸層31遠(yuǎn)離鈍化層21的一側(cè)同樣通過(guò)噴霧熱解制備厚度為15nm氧化釩層作 為第二空穴傳輸層32;在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通過(guò)化學(xué)氣相沉積工藝，蒸發(fā) 制備如圖6所示W(wǎng)形狀的厚度為5.5nm氧化鈦層作為電子傳輸層41，制得太陽(yáng)能電池 All。
[0097 ]以與實(shí)施例1相同的方法測(cè)定太陽(yáng)能電池 A14，測(cè)定結(jié)果見表1。
[0098] 實(shí)施例15
[0099]參見圖7所示，實(shí)施例以η型硅片11作為襯底，對(duì)η型硅片11進(jìn)行制絨處理，可依次 通過(guò)有機(jī)溶劑丙酮、無(wú)水乙醇、去離子水、硅片標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗、氫氟酸、去離子水處理，清除硅 片表面雜質(zhì)以及氧化層;在η型硅片11的通過(guò)擴(kuò)磷生成厚度為5μπι的磷摻雜η型硅層作為η+ 層81，柵指電極下方通過(guò)濃磷擴(kuò)散形成η ++層82,在η+層81遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通過(guò)熱氧化 形成一層二氧化娃層，再通過(guò)PECVD生成厚度為70nm氮化娃作為正面鈍化減反層70,通過(guò) PECVD生長(zhǎng)5-7nm氫化非晶硅作為第一鈍化層21，在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅一側(cè)通過(guò)熱蒸 鍍工藝制備200nm氯化亞銅作為空穴傳輸層31，在鈍化減反層70-側(cè)制備銀電極作為正極 50，在η型硅片11遠(yuǎn)離第一鈍化層21的一側(cè)通過(guò)熱蒸鍍制備銀電極作為負(fù)極60，制得太陽(yáng)能 電池 Α15。
[0100] 以與實(shí)施例1相同的方法測(cè)定太陽(yáng)能電池 A15，測(cè)定結(jié)果見表1。
[0101] 實(shí)施例16
[0102] 以實(shí)施例15相同的方法制備太陽(yáng)能電池，區(qū)別在于以噴霧熱解的方法制備厚度為 5nm的碘化亞銅層作為空穴傳輸層31，再通過(guò)熱蒸鍍10nm氧化媽作為第二空穴傳輸層，在空 穴傳輸層一側(cè)通過(guò)磁控濺射生長(zhǎng)70nm氧化銦錫透明導(dǎo)電層，制得太陽(yáng)能電池 A16。
[0103] 以與實(shí)施例1相同的方法測(cè)定太陽(yáng)能電池 A16,測(cè)定結(jié)果見表1。
[0104] 實(shí)施例17
[0105] 參見圖8所示，實(shí)施例以η型硅片11作為襯底，對(duì)η型硅片11進(jìn)行氫氧化鈉溶液制 絨，可依次通過(guò)有機(jī)溶劑丙酮、無(wú)水乙醇、去離子水、硅片標(biāo)準(zhǔn)RCA清洗、氫氟酸、去離子水處 理，清除硅片表面雜質(zhì)以及氧化層;通過(guò)PEVCD法在η型硅片11的一側(cè)生長(zhǎng)厚度為5-7nm的氫 化非晶硅層作為第一鈍化層21;在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的一側(cè)通過(guò)電子束蒸法制 備厚度為200nm的氧化釩層作為空穴傳輸層31，通過(guò)熱蒸鍍?cè)诳昭▊鬏攲?1遠(yuǎn)離第一鈍化 層21的一側(cè)制備銀電極作為正極50;在η型硅片11遠(yuǎn)離第一鈍化層21的一側(cè)通過(guò)熱蒸鍍制 備銀電極作為負(fù)極60;制得太陽(yáng)能電池 Α17。
[0106] 以與實(shí)施例1相同的方法測(cè)定太陽(yáng)能電池 Α17,測(cè)定結(jié)果見表3。
[0107] 實(shí)施例18
[0108]以實(shí)施例17相同的方法制備太陽(yáng)能電池，區(qū)別在于通過(guò)紫外/臭氧UV/03方法生長(zhǎng) 1.5nm二氧化硅作為第一鈍化層21，通過(guò)電子束蒸發(fā)方法在第一鈍化層21遠(yuǎn)離η型硅片11的 一側(cè)制備厚度為l〇nm、電導(dǎo)率為10- 2(Ω ·⑶廣1的氧化鎳層作為空穴傳輸層31，再通過(guò)電子 束蒸發(fā)方式生長(zhǎng)l〇nm、電導(dǎo)率為130(Ω · cm)-1的碘化亞銅作為第二空穴傳輸層，在第二空 穴傳輸層一側(cè)通過(guò)磁控濺射生長(zhǎng)50nm氫化氧化銦/10nm氧化銦錫作為透明導(dǎo)電層，制得太 陽(yáng)能電池 A18。
[0109] 以與實(shí)施例1相同的方法測(cè)定太陽(yáng)能電池 A18，測(cè)定結(jié)果見表1。
[0110] 表1實(shí)施例1-18制得的太陽(yáng)能電池測(cè)定結(jié)果
[0113] 其中，空穴傳輸層或電子傳輸層材料由于制備工藝、材料化學(xué)系數(shù)比等不同，功函 數(shù)會(huì)有不同。
[0114] 以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并 不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保 護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種硅基太陽(yáng)能電池，包括依次層疊的空穴傳輸層、第一鈍化層、η型硅片，其特征在 于所述空穴傳輸層材料選自碘化亞銅、氯化亞銅、溴化亞銅、氧化鎳、氧化鈷、氧化釩、氧化 媽、氧化鉬中的一種。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基太陽(yáng)能電池，其特征在于所述太陽(yáng)能電池還包括電子傳 輸層和第二鈍化層，所述第二鈍化層層疊在所述η型硅片遠(yuǎn)離所述第一鈍化層的一側(cè)，所述 電子傳輸層層疊在所述第二鈍化層遠(yuǎn)離所述η型硅片的一側(cè)，所述電子傳輸層材料選自氧 化鈦、氧化鉻、氧化鉿、氧化鈧、氧化鋯、氧化鉭、氧化釔中的一種。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基太陽(yáng)能電池，其特征在于所述太陽(yáng)能電池還包括第二空 穴傳輸層，所述第二空穴傳輸層層疊在所述空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述第一鈍化層的一側(cè)，所述 第二空穴傳輸層的材料選自碘化亞銅、氯化亞銅、溴化亞銅、氧化鎳、氧化鈷、氧化釩、氧化 鎢、氧化鉬中的一種，所述第二空穴傳輸層材料的功函數(shù)比所述空穴傳輸層材料的功函數(shù) 高0·01~0·5eV。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅基太陽(yáng)能電池，其特征在于所述太陽(yáng)能電池還包括透明導(dǎo) 電電極層，所述透明導(dǎo)電電極層層疊在所述空穴傳輸層或所述電子傳輸層遠(yuǎn)離鈍化層一 側(cè)，所述透明導(dǎo)電電極層材料選自氧化銦錫、氧化鋁鋅、氫化氧化銦/氧化銦錫、氧化銦鋅、 氧化鋅鎵中的一種。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的硅基太陽(yáng)能電池，其特征在于所述空穴傳輸層為 0· 1~200nm，所述電子傳輸層的厚度為0· 1~10nm，所述第二空穴傳輸層厚度為0· 1~80nm〇6. 根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的硅基太陽(yáng)能電池，其特征在于所述第一鈍化層和所 述第二鈍化層的厚度各自為〇~20nm，所述第一鈍化層和所述第二鈍化層材料各自選自氫 化非晶硅、氫化非晶氧化硅、氧化硅、氧化鈦、氧化鋁、氮氧化硅中的一種。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的硅基太陽(yáng)能電池，其特征在于所述透明導(dǎo)電電極層 厚度為60~80nm〇8. -種硅基太陽(yáng)能電池的制備方法，所述硅基太陽(yáng)能電池包括依次層疊的空穴傳輸 層、第一鈍化層、η型硅片，其特征在于所述制備方法包括以下步驟： 對(duì)所述η型娃片進(jìn)行制絨、清洗或拋光； 在所述η型硅片一側(cè)制備第一鈍化層； 在所述第一鈍化層遠(yuǎn)離所述η型硅片的一側(cè)制備空穴傳輸層，所述空穴傳輸層材料選 自碘化亞銅、氯化亞銅、溴化亞銅、氯化亞銅、溴化亞銅、氧化鎳、氧化鈷、氧化釩、氧化鎢、氧 化鉬中的一種。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于所述太陽(yáng)能電池還包括第二鈍化層和電子 傳輸層，所述第二鈍化層層疊在所述η型硅片遠(yuǎn)離所述第一鈍化層的一側(cè)，所述電子傳輸層 層疊在所述第二鈍化層遠(yuǎn)離所述η型硅片的一側(cè)，所述制備方法還包括以下步驟： 在所述η型硅片遠(yuǎn)離所述第一鈍化層的一側(cè)制備所述第二鈍化層； 在所述第二鈍化層遠(yuǎn)離所述η型硅片的一側(cè)制備所述電子傳輸層，所述電子傳輸層材 料選自氧化鈦、氧化鉻、氧化鉿、氧化鈧、氧化鋯、氧化鉭、氧化釔中的一種。10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的制備方法，其特征在于所述太陽(yáng)能電池還包括第二空穴 傳輸層，所述第二空穴傳輸層層疊在所述空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述第一鈍化層的一側(cè)，所述制 備方法還包括以下步驟： 在所述空穴傳輸層遠(yuǎn)離所述第一鈍化層的一側(cè)制備所述第二空穴傳輸層，所述第二空 穴傳輸層的材料同樣選自碘化亞銅、氯化亞銅、溴化亞銅、氧化鎳、氧化鈷、氧化釩、氧化鎢、 氧化鉬中的一種，所述第二空穴傳輸層材料的功函數(shù)比所述空穴傳輸層材料的功函數(shù)高 0.01~0.5eV〇
【文檔編號(hào)】H01L31/032GK106024927SQ201610362000
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年5月26日
【發(fā)明人】于靜, 葉繼春, 高平奇, 韓燦, 何堅(jiān)
【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所