一種igbt并聯(lián)母排的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及母排技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種能夠均流的IGBT并聯(lián)母排。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的母排一般為平面形狀，在母排使用時(shí)，將各IGBT管通過母排上的緊固件通孔固定在母排上，各IGBT管的輸入電流則經(jīng)過母排的同一電流輸出端輸出。由于各IGBT管的緊固件通孔與母排的電流輸出端的距離不同，故與各IGBT管連接的母排部分的電阻阻值是不相等的，所以存在各IGBT管上的電流不均衡的問題，容易造成靠近母排電流輸出端的IGBT管過熱，嚴(yán)重地，還會導(dǎo)致靠近母排電流輸出端的IGBT管燒毀，從而影響相應(yīng)器件或者設(shè)備的整體使用性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種IGBT并聯(lián)母排，旨在解決由于與各IGBT管連接的母排部分的電阻阻值不相等而造成各IGBT管上的電流不均衡的問題。
[0004]本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種IGBT并聯(lián)母排，所述母排設(shè)計(jì)為四級階梯，分別為第一級階梯、第二級階梯、第三級階梯和第四級階梯；
所述第一級階梯的母排上設(shè)置有若干個(gè)用于連接IGBT和輸入電流的緊固件通孔；所述第二級階梯下方設(shè)置有若干個(gè)被掏空至母排底部的“U”型凹槽，所述“U”型凹槽位于相鄰的兩個(gè)所述IGBT之間；
所述第三級階梯下方設(shè)置有一個(gè)“T”型鏤空，所述“T”型鏤空下方母排的中心位置上設(shè)置有用于連接IGBT和輸入電流的緊固件通孔，所述“T”型鏤空位于母排底部相鄰的兩個(gè)所述“U”型凹槽之間；
所述第四級階梯的母排上設(shè)置有四個(gè)用于輸出電流的緊固件通孔；
所述“T”型鏤空下方母排厚度為第二級階梯或者第二級階梯下方母排厚度的二分之一，所述第三極階梯母排厚度為“T”型鏤空下方母排厚度和第二級階梯或者第二級階梯下方母排厚度的總和。
[0005]進(jìn)一步地，所述母排的材質(zhì)為銅或者鋁。
[0006]本發(fā)明的有益效果是:與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的IGBT并聯(lián)母排的四級階梯設(shè)計(jì)使與各IGBT管連接的母排部分的電阻阻值都相等，解決了在母排使用過程中，各IGBT管上電流不均衡的問題，避免了 IGBT管的燒毀，提高了相應(yīng)器件或者設(shè)備的整體使用性能。
【附圖說明】
[0007]圖1為本發(fā)明提供的一種IGBT并聯(lián)母排的整體結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明提供的IGBT并聯(lián)母排的俯視圖；
圖3為本發(fā)明提供的IGBT并聯(lián)母排沿圖2的A-A方向的剖面圖；
圖4為本發(fā)明提供的IGBT并聯(lián)母排上IGBTl和IGBT2的電流流過IGBT并聯(lián)母排的路徑示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0009]如圖1所示為本發(fā)明提供的一種IGBT并聯(lián)母排的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為本發(fā)明提供的IGBT并聯(lián)母排的俯視圖，圖3為本發(fā)明提供的IGBT并聯(lián)母排沿圖2的A-A方向的剖面圖，結(jié)合圖1、圖2和圖3，本發(fā)明提供的一種IGBT并聯(lián)母排，其設(shè)計(jì)為四級階梯，分別為第一級階梯1、第二級階梯2、第三級階梯3和第四級階梯4 ；
第一級階梯I的母排上設(shè)置有若干個(gè)用于連接IGBT和輸入電流的緊固件通孔5 ；
第二級階梯2下方設(shè)置有若干個(gè)被掏空至母排底部的“U”型凹槽，“U”型凹槽位于相鄰的兩個(gè)所述IGBT之間；
第三級階梯3下方設(shè)置有一個(gè)“T”型鏤空，“T”型鏤空下方母排的中心位置上設(shè)置有用于連接IGBT和輸入電流的緊固件通孔5，前述“T”型鏤空位于母排底部相鄰的兩個(gè)所述“U”型凹槽之間；
第四級階梯4的母排上設(shè)置有四個(gè)用于輸出電流的緊固件通孔；
上述“T”型鏤空下方母排6厚度為第二級階梯或者第二級階梯下方母排7厚度的二分之一，上述第三級階梯母排8厚度為“T”型鏤空下方母排6厚度和第二級階梯或者第二級階梯下方母排7厚度的總和。
[0010]如圖4所示為本發(fā)明提供的IGBT并聯(lián)母排上IGBTl和IGBT2的電流流過IGBT并聯(lián)母排的路徑示意圖，其中IGBTl上流過IGBT并聯(lián)母排的電流9是IGBT2上流過IGBT并聯(lián)母排的電流10和電流11之和；且IGBT2上流過IGBT并聯(lián)母排的電流10和電流11的大小相等，即為IGBTl上流過IGBT并聯(lián)母排的電流9的二分之一，第三級階梯3上流過的電流為IGBTl上流過IGBT并聯(lián)母排的電流9和IGBT2上流過IGBT并聯(lián)母排的電流10之和。
[0011]本發(fā)明實(shí)施例中，上述母排的材質(zhì)可以為銅或者鋁。
[0012]本發(fā)明的一種IGBT并聯(lián)母排的四級階梯設(shè)計(jì)使與各IGBT管連接的母排部分的電阻阻值都相等，解決了在母排使用過程中，各IGBT管上電流不均衡的問題，避免了 IGBT管的燒毀，提高了相應(yīng)器件或者設(shè)備的整體使用性能。
[0013]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容做出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)，在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，對以上實(shí)施例所作的任何簡單的修改、等同替換與改進(jìn)等，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種IGBT并聯(lián)母排，其特征在于:所述母排設(shè)計(jì)為四級階梯，分別為第一級階梯、第二級階梯、第三級階梯和第四級階梯； 所述第一級階梯的母排上設(shè)置有若干個(gè)用于連接IGBT和輸入電流的緊固件通孔；所述第二級階梯下方設(shè)置有若干個(gè)被掏空至母排底部的“U”型凹槽，所述“U”型凹槽位于相鄰的兩個(gè)所述IGBT之間； 所述第三級階梯下方設(shè)置有一個(gè)“T”型鏤空，所述“T”型鏤空下方母排的中心位置上設(shè)置有用于連接IGBT和輸入電流的緊固件通孔，所述“T”型鏤空位于母排底部相鄰的兩個(gè)所述“U”型凹槽之間； 所述第四級階梯的母排上設(shè)置有四個(gè)用于輸出電流的緊固件通孔； 所述“T”型鏤空下方母排厚度為第二級階梯或者第二級階梯下方母排厚度的二分之一，所述第三極階梯母排厚度為“T”型鏤空下方母排厚度和第二級階梯或者第二級階梯下方母排厚度的總和。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT并聯(lián)母排，其特征在于:所述母排的材質(zhì)為銅或者鋁。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種IGBT并聯(lián)母排，所述母排設(shè)計(jì)為四級階梯，分別為第一級階梯、第二級階梯、第三級階梯和第四級階梯；所述第一級階梯的母排上設(shè)置有若干個(gè)用于連接IGBT和輸入電流的緊固件通孔；所述第二級階梯下方設(shè)置有若干個(gè)被掏空至母排底部的“U”型凹槽；所述第三級階梯下方設(shè)置有一個(gè)“T”型鏤空；所述第四級階梯的母排上設(shè)置有四個(gè)用于輸出電流的緊固件通孔；所述“T”型鏤空下方母排厚度為第二級階梯或者第二級階梯下方母排厚度的二分之一。本發(fā)明解決了各IGBT管電流不均衡的問題，避免了IGBT管的燒毀，提高了相應(yīng)器件或者設(shè)備的整體使用性能。
【IPC分類】H01R25/16
【公開號】CN105281152
【申請?zhí)枴緾N201410276106
【發(fā)明人】姜朋喬, 劉炳柱, 李發(fā)軍, 顧志強(qiáng)
【申請人】深圳中德世紀(jì)新能源有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2014年6月20日