具縮減厚度的晶片卡封裝裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明是有關于晶片的封裝結構，尤其是一種具縮減厚度的晶片卡封裝裝置。
【背景技術】
[0002]如圖1所示，現(xiàn)有的S頂卡，或輔助S頂卡(即俗稱的卡貼)封裝結構主要包含下列元件:
一基板10丨;該基板10丨為軟板所構成。
[0003]一上漆層20 ’覆蓋在該基板10 ’的上方。
[0004]一下漆層30 '覆蓋在該基板10 '的下方；該下漆層30 '的中央處形成簍空空間31 1 。
[0005]一晶片50';其上方延伸出數(shù)根柱狀的金屬接點51 '。
[0006]數(shù)根導電柱40'位于該基板10'的下方，而每一導電柱40 '的一端外露到該下漆層30'的簍空空間31'中，該導電柱40'主要為銅導體，且外層鍍上一層金屬所構成；導電柱40'的一端結合該金屬接點51 '，較佳的以錫膏將該導電柱40 '與該金屬接點51 '焊接在一起。
[0007]該導電柱40'可連接外接導電線80'而與外部的其他信號接點相連接，而將晶片50'的訊號，從該晶片50'、該導電柱40'及該導電線80'而傳送到外部的接點，或者是裝外部接點處的訊號傳送入該晶片50 '中。
[0008]在一般制程中，該基板10 ;的厚度為50Mm，該上漆層20 ;及該下漆層30 ;的厚度各為15Pm，該晶片50 ’的厚度約為lOOMm，該導電柱40 ’的厚度約為50Pm，該金屬接點51 '的長度約為lOMm，所以由圖1中，可以計算出本裝置的整體厚度約為15Pm +50Mm +50Mm+10Mm+100Mm?230Mm。大致約為200Mm。此厚度夠寬因此影響到以后的安裝空間。
[0009]所以在制程中希望提出一種嶄新的，以解決先前技術上的缺陷。

【發(fā)明內容】

[0010]所以本發(fā)明的目的是為解決上述現(xiàn)有技術上的問題，本發(fā)明中提出一種具縮減厚度的晶片卡封裝裝置，其能減少整體的厚度。
[0011]為達到上述目的本發(fā)明中提出一種具縮減厚度的晶片卡封裝裝置，其包含下列元件:一基板；該基板為軟板所構成；該基板的中央處簍空形成一簍空空間；使得該基板的上方及下方相連通；一上漆層覆蓋在該基板的上方；該上漆層的中央處也形成簍空空間；其簍空的位置對應該基板的簍空空間；一下漆層覆蓋在該基板的下方；該下漆層的中央處也形成簍空空間；其簍空的位置對應該基板的簍空空間；一晶片；其上方延伸出數(shù)根柱狀的金屬接點；數(shù)根導電柱埋入該基板中，而每一導電柱的一端外露于該基板而延伸到基板的中央簍空空間；一簍空空間的包覆層，充填于該上漆層的簍空空間、該基板的簍空空間、該下漆層的簍空空間，且上下延伸而包覆該晶片的下半部，以固定該晶片、該金屬接點以及該導電柱的外露端，因此可以加強整體的結構強度；其中該導電柱連接外接導電線而與外部的其他信號接點相連接，而將晶片的訊號，從該晶片、該導電柱及該導電線而傳送到外部的接點，或者是將外部接點處的訊號傳送入該晶片中。
[0012]本發(fā)明具縮減厚度的晶片卡封裝裝置，利用將軟板及下漆層簍空的方式，并且將導電柱埋入軟板簍空處的最上端，然后將晶片及對應的接點焊接到該導電柱上。而使得該晶片深入該軟板及該下漆層的簍空處，所以減少了整體的厚度。
[0013]由下文的說明可更進一步了解本發(fā)明的特征及其優(yōu)點，閱讀時并請參考附圖。
【附圖說明】
[0014]圖1顯示現(xiàn)有技術的晶片卡封裝結構剖面圖。
[0015]圖2顯示本發(fā)明的晶片卡封裝裝置分解圖。
[0016]圖3顯示本發(fā)明的晶片卡封裝裝置俯視立體圖。
[0017]圖4顯示本發(fā)明的晶片卡封裝裝置仰視立體圖。
[0018]圖5顯示本發(fā)明的晶片卡封裝裝置剖面圖。
【具體實施方式】
[0019]茲謹就本發(fā)明的結構組成，及所能產(chǎn)生的功效與優(yōu)點，配合圖式，舉本發(fā)明的一較佳實施例詳細說明如下。
[0020]請參考圖2至圖5所示，顯示本發(fā)明的具縮減厚度的晶片卡封裝裝置，該晶片卡如SIM卡，或輔助S頂卡(即俗稱的卡貼)，該結構包含下列元件:
一基板10 (如圖2所示);該基板10為軟板所構成；該基板10的中央處簍空形成一簍空空間11 (如圖2所示)；因此使得該基板10的上方及下方相連通；
一上漆層20(如圖2所示)覆蓋在該基板10的上方；該上漆層20的中央處也形成簍空空間21 (如圖2所示);其簍空的位置對應該基板10的簍空空間11 ;較佳者該上漆層20的簍空空間21的面積大于該基板10的簍空空間11，而且涵蓋該基板10的簍空空間11。
[0021]一下漆層30 (如圖2所示)覆蓋在該基板10的下方；該下漆層30的中央處也形成簍空空間31 (如圖2所示);其簍空的位置對應該基板10的簍空空間31 ;較佳者該下漆層30的簍空空間31的面積大于該基板10的簍空空間11，而且涵蓋該基板10的簍空空間11。
[0022]一晶片50 (如圖2所示)；其上方延伸出數(shù)根柱狀的金屬接點51 (如圖2所示)。
[0023]數(shù)根導電柱40 (如圖2所)埋入該基板10中，而每一導電柱40的一端外露于該基板10而延伸到基板的中央簍空空間11，該導電柱40主要為銅導體，且外層鍍上一層金屬所構成；導電柱40的一端結合該金屬接點51,較佳者以直接熱壓的方式將該導電柱40與該金屬接點51接合在一起。較佳者該導電柱40的位置位于該基板10的最頂端，但是本發(fā)明中該導電柱40的位置并不受限于此一結構，凡是該導電柱40埋入該基板10的結構均落入本發(fā)明的權利范圍內。
[0024]一簍空空間的包覆層60 (如圖3及圖4所示)，其中該簍空空間的包覆層60的材料如環(huán)氧樹脂(Epoxy)，用于充填該上漆層20的簍空空間21、該基板10的簍空空間11、該下漆層30的簍空空間31，且上下延伸而包覆該晶片50的下半部，因此可以固定該晶片50、該金屬接點51以及該導電柱40的外露端，因此可以加強整體的結構強度。
[0025]本發(fā)明中該導電柱40可連接外接導電線而與外部的其他信號接點相連接，而將晶片50的訊號，從該晶片50、該導電柱40及該導電線而傳送到外部的接點，或者是將外部接點處的訊號傳送入該晶片50中。
[0026]圖5中顯示在左側的導電柱