制造柔性基底的方法和使用該方法制造顯示裝置的方法
【專利說明】制造柔性基底的方法和使用該方法制造顯示裝置的方法
[0001]本專利申請要求在2013年12月30日提交的第10-2013-0167183號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，出于各種目的通過引用將該申請包含于此，就如同在這里被充分地闡述一樣。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種制造柔性基底的方法和一種使用該方法制造顯示裝置的方法。更具體地，本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種在支撐基底上制造柔性基底的方法和一種使用該方法制造顯示裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0003]近年來，已經(jīng)開發(fā)了包括柔性基底的顯示裝置。響應(yīng)于用戶的需求，具有柔性基底的顯示裝置是彎曲的，因此，顯示裝置為用戶提供移動或手持顯示裝置的過程中改進(jìn)的便利性。塑料基底(例如，具有優(yōu)異的耐熱性和強(qiáng)度的聚酰亞胺基底)和金屬基底被廣泛地用作柔性基底。
[0004]當(dāng)利用柔性基底制造顯示裝置時(shí)，為了確保柔性基底的表面平整性，可以使用諸如玻璃基底的支撐基底來形成柔性基底。例如，在支撐基底上設(shè)置柔性基底，在柔性基底上執(zhí)行薄膜形成工藝以在柔性基底上形成像素。然后，將其上形成有像素的柔性基底與支撐基底分開。然而，在形成像素的同時(shí)柔性基底會變得強(qiáng)有力地附著到支撐基底。因此，將柔性基底與支撐基底分開會是困難的。
[0005]在該【背景技術(shù)】部分公開的上述信息僅為了增強(qiáng)對本發(fā)明的背景的理解，因此它可以包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種制造柔性基底的方法。
[0007]本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種使用所述柔性基底的制造方法制造顯示裝置的方法。
[0008]將在下面的描述中部分地闡述另外的方面，另外的方面部分地通過該描述將是清楚的，或可通過本發(fā)明的實(shí)踐而了解。
[0009]本發(fā)明的示例性實(shí)施例公開了一種制造柔性基底的方法，所述方法包括在支撐基底上形成犧牲層，然后在犧牲層上形成柔性基底。然后，利用微波能加熱犧牲層以從犧牲層產(chǎn)生氣體。然后，利用所述氣體將柔性基底與其上形成有犧牲層的支撐基底分開。
[0010]本發(fā)明的示例性實(shí)施例還公開了一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括在支撐基底上形成犧牲層，然后在犧牲層上形成柔性基底。然后，在柔性基底上形成像素，利用微波能加熱犧牲層以從犧牲層產(chǎn)生氣體。然后，利用所述氣體將包括形成在其上的像素的柔性基底與其上形成有犧牲層的支撐基底分開。
[0011]支撐基底是玻璃基底，柔性基底是聚酰亞胺基底，并且犧牲層包括與氫結(jié)合的碳化娃。
[0012]將理解的是，前面的總體描述和下面的詳細(xì)描述二者是示例性的和解釋性的，且意在提供對要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步的解釋。
【附圖說明】
[0013]包括附圖以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步的理解，附圖被包含在本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0014]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的流程圖。
[0015]圖2A、圖2B、圖2C、圖2D、圖2E、圖2F和圖2G是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的視圖。
[0016]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的柔性基底的制造方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]現(xiàn)在將在下文中參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出本發(fā)明的說明性的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)施且不應(yīng)被解釋為限于這里所闡述的實(shí)施例。而是，提供這些示例性實(shí)施例使得本公開是徹底的，并將本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，同樣的附圖標(biāo)記指示同樣的元件，并且為了清晰可以夸大層和區(qū)域的尺寸和厚度。
[0018]將被理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)由?，直接連接到或直接結(jié)合到另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或?qū)?。相反，?dāng)元件或?qū)颖环Q作“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或“直接結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或?qū)印⒈焕斫獾氖?，為了本公開的目的，“X、Y和Z中的至少一者(個(gè))”可以被解釋為只有X、只有Y、只有Z或者X、Y和Z中的兩項(xiàng)或更多項(xiàng)的任意組合(例如，XYZ、XYY、TL、ZZ)。如這里使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)列出的項(xiàng)的一項(xiàng)或更多項(xiàng)的任意和全部組合。
[0019]將被理解的是，雖然在這里可以使用術(shù)語第一、第二等來描述不同的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅是用來將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分相區(qū)分開。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面所述的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
[0020]為了便于描述，這里可以使用諸如“在..?之下”、“在..?下方”、“下面的”、“在..?上方”和“上面的”等的空間相對術(shù)語來描述如附圖中示出的一個(gè)元件或特征相對于其它元件或特征的關(guān)系。將被理解的是，空間相對術(shù)語意在包含除了在附圖中描繪的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果在附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其它元件或特征“之下”或“下方”的元件或特征隨后將被定位為“在”其它元件或特征的“上方”。因此，示例性的術(shù)語“在..?下方”可以包含上方和下方兩個(gè)方位。所述裝置可以被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位)并相應(yīng)地解釋這里所使用的空間相對描述語。
[0021 ] 這里所使用的術(shù)語僅為了描述具體實(shí)施例的目的，而不意圖限制本發(fā)明。如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式的“一種”、“一個(gè)”、“所述”和“該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包括”和/或“包含”時(shí)，說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或更多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0022]除非另外定義，否則這里所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。還將理解的是，除非這里明確這樣定義，否則術(shù)語(諸如在通用的詞典中定義的術(shù)語)應(yīng)該被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域的環(huán)境中的含義相一致的含義，且將不以理想化的或過于形式化的含義來解釋。
[0023]以下，將參照附圖詳細(xì)解釋本發(fā)明。
[0024]參照圖1，在支撐基底上形成包含結(jié)合有氫的碳化硅(SiC)(氫化碳化硅)的犧牲層(SlO)。例如，支撐基底可以是玻璃基底。另外，可以利用包含硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)的源氣通過化學(xué)氣相沉積方法來形成犧牲層。
[0025]然后，在犧牲層上形成柔性基底(S20)。例如，柔性基底可以為聚酰亞胺基底。通過在犧牲層上提供聚酰胺酸(PAA)作為聚酰亞胺的前驅(qū)物，然后固化聚酰胺酸來形成聚酰亞胺基底。
[0026]隨后，在形成在支撐基底上的柔性基底上形成包括像素的像素部(S30)。當(dāng)顯示裝置是有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置時(shí)，每個(gè)像素包括陽極、陰極以及置于陽極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層。另一方面，當(dāng)顯示裝置是液晶顯示裝置時(shí)，每個(gè)像素包括像素電極、相對電極以及置于像素電極和相對電極之間的液晶層。
[0027]之后，利用微波加熱犧牲層來使?fàn)奚鼘又械臍錃饣?S40)。微波通常具有大約8GHz到大約16GHz的頻率，通過控制微波能輻射到犧牲層上的時(shí)間來在大約400°C至大約500 °C的溫度下加熱犧牲層。
[0028]當(dāng)在大約400°C至大約500°C的溫度下加熱犧牲層時(shí)，包含在犧牲層中的氫氣化，并從犧牲層排出氣體。更具體地，當(dāng)加熱犧牲層時(shí)，在犧牲層中發(fā)生脫氫，氫從犧牲層中包含的碳化硅脫離并作為氣相釋放。因此，從犧牲層排出氣體。
[0029]然后，利用該氣體將柔性基底(包括形成在其上的像素部)與支撐基底分開(S50)。更詳細(xì)地，由于從犧牲層排出氣體，因此降低了柔性基底和犧牲層之間的結(jié)合強(qiáng)度。因此，可以容易地將柔性基底(包括形成在其上的像素部)與支撐基底分開，從而制造包括柔性基底和像素部的顯示裝置。
[0030]圖2A至圖2G是示出顯示裝置的制造方法的視圖。
[0031]參照圖2A，準(zhǔn)備支撐基底10，在支撐基底10中限定了單元區(qū)域CA和設(shè)置在單元區(qū)域CA外部的邊緣區(qū)域EA。例如，支撐基底10可以是玻璃基底或剛性基底，例如晶片。
[0032]在支撐基底10上形成預(yù)犧牲層20以與單元區(qū)域CA和邊緣區(qū)域EA對應(yīng)。
[0033]預(yù)犧牲層20可以由吸收微波能的無機(jī)材料形成。在示例性實(shí)施例中，預(yù)犧牲層20的氫化碳化硅通過吸收微波能來被加熱。
[0034]在本示例性實(shí)施例中，通過化學(xué)氣相沉積(CVD)方法來形成預(yù)犧牲層20。當(dāng)由氫化碳化硅來形成預(yù)犧牲層20時(shí)，在化學(xué)氣相沉積中使用的源氣28可以包括硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)。
[0035]在示例性實(shí)施例中，預(yù)犧牲層20中的氫的重量百分比(wt% )在大約Iwt%到大約50wt%的范圍內(nèi)。當(dāng)預(yù)犧牲層20中的氫的重量百分比小于大約^^%時(shí)，從預(yù)犧牲層20排出的氣體GS(參照圖2F)的量會減少。另外，當(dāng)預(yù)犧牲層20中的氫的重量百分比超過大約50被％時(shí)，預(yù)犧牲層20中包含的碳化硅的重量百分比變得更小。因此，這些情況導(dǎo)致犧牲層對微波MW(參照圖2F)的能量的吸收的劣化，因此，增加了加熱犧牲層所需的時(shí)間。在示例性實(shí)施例中，通過控制源氣28中包含的甲烷(CH4)的濃度來控制預(yù)犧牲層20中的氫的重量百分比。
[0036]參照圖2B和圖2C，去除預(yù)犧牲層20的與邊緣區(qū)域EA對