本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體組件的方法，并且涉及一種半導(dǎo)體組件。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體組件(如晶體管)被制造為分層式組件，所述分層式組件包括如半導(dǎo)體管芯、管芯座、引線和包封體等部件。包封體提供保護(hù)功能，并且至少部分地環(huán)繞半導(dǎo)體管芯和形成半導(dǎo)體組件的部分的其他部件。包封體也可被稱為外殼或殼體。

2、半導(dǎo)體組件的制造通常包括：使用光刻形成半導(dǎo)體管芯；然后將半導(dǎo)體管芯附接到管芯座。管芯座被形成為從引線框延伸的陣列。一旦半導(dǎo)體管芯已附接到管芯座，便在半導(dǎo)體管芯的與管芯座相對(duì)的側(cè)上提供引線。然后在每個(gè)半導(dǎo)體管芯和其他部件之上形成包封體。管芯座的一部分和引線的一部分可從包封體延伸出來。半導(dǎo)體管芯、其他部件和包封體可被稱為半導(dǎo)體組件。形成半導(dǎo)體組件陣列，每個(gè)半導(dǎo)體組件附接到引線框。最后，將半導(dǎo)體組件與引線框分離。這可被稱為單體化。

3、上述方法的缺點(diǎn)在于：可能難以針對(duì)每個(gè)半導(dǎo)體管芯形成包封體。已提出：形成覆蓋一排半導(dǎo)體管芯的單個(gè)包封體，并且然后切穿所述單個(gè)包封體以形成單獨(dú)的包封體。這可使包封體的形成更容易。所提出的這種方法的缺點(diǎn)在于：用于切割包封體的鋸將遭受相當(dāng)大的磨損。另一個(gè)缺點(diǎn)在于：一旦包封體被切割，半導(dǎo)體組件將從引線框脫落，并且可能難以處理以這種方式形成的半導(dǎo)體組件。

4、需要克服與現(xiàn)有半導(dǎo)體組件及相關(guān)制造方法相關(guān)的缺點(diǎn)，無論是否在本文件中提及。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種制造半導(dǎo)體組件的方法，所述方法包括：形成半導(dǎo)體組件陣列，所述半導(dǎo)體組件包括包封體，所述包封體在相鄰的半導(dǎo)體組件之間具有脆弱連接部；以及向所述半導(dǎo)體組件施加力以斷開所述脆弱連接部，并由此對(duì)所述半導(dǎo)體組件進(jìn)行單體化。

2、有利的是，半導(dǎo)體組件保持連接，直到脆弱連接部斷開，由此使半導(dǎo)體組件的處理更容易。

3、所述包封體可被形成為不具有脆弱連接部，并且其中使用切割來切入所述包封體中并由此形成所述脆弱連接部。

4、可從半導(dǎo)體組件上方實(shí)行所述切割?？蓮陌雽?dǎo)體組件下方實(shí)行所述切割。

5、所述包封體可被形成為具有脆弱連接部。

6、所述脆弱連接部可為厚度至少0.1mm的突片。

7、所述脆弱連接部可為厚度高達(dá)3mm的突片。

8、可使用模具來形成所述包封體。

9、所述包封體的非引線承載側(cè)可包括向內(nèi)逐漸變細(xì)的上側(cè)。

10、所述包封體的下表面可通過彎曲邊緣或倒角邊緣而連接到所述包封體的非引線承載側(cè)。

11、所述包封體的非引線承載側(cè)可包括從脆弱連接部延伸的垂直側(cè)。

12、根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種半導(dǎo)體組件，所述半導(dǎo)體組件包括固定在包封體中的管芯，引線延伸出所述包封體，其中所述包封體的非引線承載側(cè)包括已通過斷開脆弱連接部而形成的部分。

13、有利的是，半導(dǎo)體組件的制造可能比使用常規(guī)方法更容易實(shí)行，而對(duì)半導(dǎo)體組件無不利影響。

14、通過斷開脆弱連接部而形成的所述部分可具有比所述包封體的其他部分粗糙的表面。

15、通過斷開脆弱連接部而形成的所述部分可包括從所述包封體的非引線承載側(cè)突出的斷開的脆弱突片。

16、通過斷開脆弱連接部而形成的所述部分可包括斷開的脆弱突片，所述斷開的脆弱突片一般與所述包封體的非引線承載側(cè)齊平。

17、所述包封體的上部非引線承載側(cè)可包括向內(nèi)逐漸變細(xì)的上側(cè)。

18、本文闡述的本發(fā)明的每個(gè)方面的可選和/或優(yōu)選特征也適用于本發(fā)明的任何其他方面(如適用)。

技術(shù)特征：

1.一種制造半導(dǎo)體組件的方法，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述包封體被形成為不具有脆弱連接部，并且其中使用切割來切入所述包封體中并由此形成所述脆弱連接部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中從所述半導(dǎo)體組件上方實(shí)行所述切割。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述包封體被形成為具有脆弱連接部。

5.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中所述脆弱連接部是厚度至少0.1mm的突片。

6.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中所述脆弱連接部是厚度高達(dá)3mm的突片。

7.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中使用模具來形成所述包封體。

8.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中所述包封體的非引線承載側(cè)包括向內(nèi)逐漸變細(xì)的上側(cè)。

9.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中所述包封體的下表面通過彎曲邊緣或倒角邊緣連接到所述包封體的非引線承載側(cè)。

10.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中所述包封體的非引線承載側(cè)包括從所述脆弱連接部延伸的垂直側(cè)。

11.一種半導(dǎo)體組件，包括固定在包封體中的管芯，引線延伸出所述包封體，其中所述包封體的非引線承載側(cè)包括已通過斷開脆弱連接部而形成的部分。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體組件，其中通過斷開所述脆弱連接部而形成的所述部分具有比所述包封體的其他部分粗糙的表面。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體組件，其中通過斷開所述脆弱連接部而形成的所述部分包括從所述包封體的非引線承載側(cè)突出的斷開的脆弱突片。

14.根據(jù)權(quán)利要求11或權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體組件，其中通過斷開所述脆弱連接部而形成的所述部分包括斷開的脆弱突片，所述斷開的脆弱突片一般與所述包封體的非引線承載側(cè)齊平。

15.根據(jù)權(quán)利要求11至14中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體組件，其中所述包封體的上部非引線承載側(cè)包括向內(nèi)逐漸變細(xì)的上側(cè)。

技術(shù)總結(jié)
一種制造半導(dǎo)體組件的方法，所述方法包括：形成半導(dǎo)體組件陣列，所述半導(dǎo)體組件包括包封體，所述包封體在相鄰的半導(dǎo)體組件之間具有脆弱連接部；以及向所述半導(dǎo)體組件施加力以斷開所述脆弱連接部，并由此對(duì)所述半導(dǎo)體組件進(jìn)行單體化。

技術(shù)研發(fā)人員：林曉希,葉樹明,梁志豪,楊順迪
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安世有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2