本發(fā)明實施例關于半導體裝置的形成方法。

背景技術：

半導體集成電路(ic)產(chǎn)業(yè)已快速成長一段時日。ic設計與材料的技術進展，使每一代的ic均比前一代的ic具有更小且更復雜的電路。在ic進化中，功能密度(如單位芯片所具有的內(nèi)連線裝置數(shù)目)越來越大，而幾何尺寸(如工藝所能形成的最小構件或線路)則越來越小。

上述尺寸縮小的工藝的好處在于增加產(chǎn)能并降低相關成本。尺寸縮小也增加ic工藝的復雜性。為了實現(xiàn)這些進展，需要發(fā)展ic工藝。雖然制作ic裝置的現(xiàn)有方法一般已適用于其發(fā)展目的，但無法完全符合所有需求。舉例來說，目前亟需改良膜層的圖案化方法，以形成關鍵尺寸較小的結構。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明一實施例提供的半導體裝置的形成方法，包括：形成第一圖案化硬掩模于材料層上，且第一圖案化硬掩模定義開口；形成直接自組裝層于開口中，且直接自組裝層具有第一部分與第二部分；移除直接自組裝層的第一部分；沿著直接自組裝層的第二部分的側壁形成間隔物；以及移除直接自組裝層的第二部分，其中間隔物形成第二圖案化硬掩模于材料層上。

附圖說明

圖1為一些實施例中，制作半導體裝置的方法的流程圖。

圖2、圖3、圖4a、圖4b、圖4c、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9a、與圖9b為一些實施例中，半導體裝置的剖視圖。

其中，附圖標記說明如下：

p間距

s空間寬度

w1第一寬度

w2第二寬度

w3第三寬度

100方法

102、104、106、108、110、112、114、116步驟

200半導體裝置

210基板

220材料層

310第一圖案化硬掩模

316空間

410直接自組裝層

412第一聚合物嵌段

414第二聚合物嵌段

510間隔物

515第二空間

520第二圖案化硬掩模

610材料結構

具體實施方式

下述內(nèi)容提供的不同實施例可實施本發(fā)明的不同結構。特定構件與排列的實施例是用以簡化本發(fā)明而非局限本發(fā)明。舉例來說，形成第一構件于第二構件上的敘述包含兩者直接接觸，或兩者之間隔有其他額外構件而非直接接觸。此外，本發(fā)明的多種例子中可重復標號，但這些重復僅用以簡化與清楚說明，不代表不同實施例及/或設置之間具有相同標號的單元之間具有相同的對應關系。

此外，空間性的相對用語如“下方”、“其下”、“較下方”、“上方”、“較上方”、或類似用語可用于簡化說明某一元件與另一元件在附圖中的相對關系?？臻g性的相對用語可延伸至以其他方向使用的元件，而非局限于附圖中的方向。元件也可轉動90°或其他角度，因此方向性用語僅用以說明附圖中的方向。

圖1為一些實施例中，制作一或多個半導體裝置的方法100的流程圖。方法100將搭配圖2、圖3、圖4a、圖4b、圖4c、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9a、與圖9b所示的半導體裝置200說明如下。

如圖1與圖2所示，方法100的步驟102形成材料層220于基板210上?；?10包含硅。在其他或額外實施例中，基板210可包含其他半導體元素如鍺?；?10還可包含半導體化合物如碳化硅、砷化鎵、砷化銦、或磷化銦?；?10可包含半導體合金如硅鍺、碳化硅鍺、磷化鎵砷、或磷化鎵銦。在一實施例中，基板210包含磊晶層。舉例來說，基板210可具有磊晶層于半導體基體上。此外，基板210可包含絕緣層上半導體基板。舉例來說，基板210可包含埋置氧化物層，其形成工藝可為注入氧隔離或其他合適工藝如晶片接合與研磨。

基板210還可包含多種p型摻雜區(qū)及/或n型摻雜區(qū)，其注入工藝可為離子注入及/或擴散。這些摻雜區(qū)包含n型井、p型井、輕摻雜區(qū)、與多種通道摻雜輪廓，設置以形成多種集成電路裝置如互補式金氧半場效晶體管、影像感測器、及/或發(fā)光二極管。基板210還可包含其他功能結構如電阻或電容，形成于基板之中或之上。

基板210還可包含多種隔離區(qū)。隔離區(qū)分隔基板210中的多種裝置區(qū)。隔離區(qū)包含不同工藝技術形成的不同結構。舉例來說，隔離區(qū)可包含淺溝槽隔離區(qū)。淺溝槽隔離區(qū)的形成方法可包含蝕刻溝槽于基板210中，并將絕緣材料如氧化硅、氮化硅、及/或氮氧化硅填滿溝槽。填滿的溝槽可具有多層結構如熱氧化物襯墊層與填滿溝槽的氮化硅。接著可進行化學機械研磨以回研磨多余的絕緣材料，并平坦化隔離結構的上表面。

基板210還可包含多個層間介電層如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低介電常數(shù)介電物、碳化硅、及/或其他合適層狀物。層間介電層的沉積方法可為熱氧化、化學氣相沉積、原子層沉積、物理氣相沉積、熱氧化、上述的組合、或其他合適技術。

基板210可包含介電層與電極層組成的閘極堆迭。介電層可包含界面層與高介電常數(shù)介電層，其沉積方法可為合適技術如化學氣相沉積、原子層沉積、物理氣相沉積、熱氧化、上述的組合、及/或其他合適技術。界面層可包含氧化物、hfsio、或氮氧化物，而hk介電層可包含lao、alo、zro、tio、ta2o5、y2o3、srtio3(sto)、batio3(bto)、bazro、hfzro、hflao、hfsio、lasio、alsio、hftao、hftio、(ba,sr)tio3(bst)、al2o3、si3n4、氮氧化物(sion)、及/或其他合適材料。電極層可包含單層或多層結構，比如具有功函數(shù)以增進裝置效能的金屬層(功函數(shù)金屬層)、襯墊層、濕潤層、粘著層、與金屬導電層(如金屬、金屬合金、或金屬硅化物)的多種組合。金屬閘極電極可包含ti、ag、al、tialn、tac、tacn、tasin、mn、zr、tin、tan、ru、mo、al、wn、cu、w、任何合適材料、及/或上述的組合。

基板210還可包含源極/漏極結構，其可包含鍺(ge)、硅(si)、砷化鎵(gaas)、砷化鋁鎵(algaas)、硅鍺(sige)、磷化鎵砷(gaasp)、鎵銻(gasb)、銦銻(insb)、砷化銦鎵(ingaas)、砷化銦(inas)、或其他合適材料。源極/漏極結構的形成方法可為磊晶成長工藝如化學氣相沉積技術(如氣相磊晶及/或超高真空化學氣相沉積)、分子束磊晶、及/或其他合適工藝。

基板210還可包含與基板210中的ild層整合的導電結構以形成內(nèi)連線結構，其設置以耦接多種p型摻雜區(qū)與n型摻雜區(qū)至其他功能結構(如閘極)，即形成功能集成電路。在一例中，基板210可包含部分的內(nèi)連線結構，且內(nèi)連線結構包含多層內(nèi)連線結構及與多層內(nèi)連線結構整合的層間介電層于基板210上，以提供電性線路耦接基板210中的多種裝置至輸入/輸出電源與信號。內(nèi)連線結構包含多種金屬線路、接點、與通孔結構(或通孔插塞)。這些金屬線路提供水平的電性線路。接點提供硅基板與金屬線路之間的垂直連接，而通孔結構提供不同金屬層中的金屬線路之間的垂直連接。

材料層220可包含介電層如氧化硅、氮化硅、氮氧化物、碳化硅、及/或其他介電層。材料層還可包含半導體層如鍺、硅、砷化鎵、砷化鋁鎵、砷磷化硅鍺鎵、鎵銻、銦銻、砷化銦鎵、砷化銦、及/或其他合適的半導體材料。材料層220還可包含導電層如多晶硅、氧化鈦、氮化鈦、氧化鉭、氮化鉭、鈦、鋁、氮化鈦鋁、碳化鉭、碳氮化鉭、氮化鉭硅、錳、鋯、釕、鉬、銅、鎢、氮化鎢、及/或任何合適的導電材料。材料層220的沉積方法可為化學氣相沉積、原子層沉積、物理氣相沉積、及/或其他合適方法。

如圖1與圖3所示，方法100的步驟104形成第一圖案案化的硬掩模如第一圖案化硬掩模310于材料層220上。第一圖案化硬掩模310具有多個開口或空間316露出材料層220。每一空間316沿著x方向具有預定的空間寬度s，且x方向垂直于第一圖案化硬掩模310的高度方向(如圖3所示的z方向)。第一圖案化硬掩模310又稱作引導硬掩模，因其可引導用于嵌段共聚物層的組裝工藝的結構，如下述內(nèi)容。

第一圖案化硬掩模310的形成方法可包含沉積、圖案化、蝕刻、及/或上述的組合。在一些實施例中，第一圖案化硬掩模310的形成方法可包含沉積硬掩模材料層、形成光致抗蝕劑圖案并以光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模以蝕刻硬掩模材料層，以形成第一圖案化硬掩模310。光致抗蝕劑圖案包含對射線束敏感的光致抗蝕劑材料，且其形成方法為光刻工藝。在一例中，光刻工藝包含涂布光致抗蝕劑層于硬掩模材料層上、依據(jù)ic布局對光致抗蝕劑層進行光刻曝光工藝、顯影曝光后的光致抗蝕劑層以形成光致抗蝕劑圖案。蝕刻工藝包含濕蝕刻、干蝕刻、及/或上述的組合。硬掩模材料層可包含氧化硅、氮化硅、氮氧化物、碳化硅、氧化鈦、氮化鈦、氧化鉭、氮化鉭、及/或任何合適材料。硬掩模材料層可包含多層結構。硬掩模材料層的沉積方法可為合適技術如化學氣相沉積、原子層沉積、物理氣相沉積、旋轉涂布、及/或其他合適技術。

如圖1與圖4a所示，方法100的步驟106形成高規(guī)則的周期性聚合物納米結構(比如第一聚合物嵌段(納米結構)412與第二聚合物嵌段(納米結構)414于第一圖案化硬掩模310定義的空間316中。在此實施例中，直接自組裝層410沉積于多個空間316中。如前所述，第一圖案化硬掩模310作為引導結構，其可用于直接自組裝層410的自組裝工藝。

如圖4b與圖4c所示的一實施例中，直接自組裝層410包含嵌段共聚物。嵌段共聚物為包含至少兩個不同鏈段的長鏈分子，且這些鏈段在特定條件(比如暴露至升高的溫度)下可組裝成高規(guī)則結構。直接自組裝層410包含下述之一或多個：聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙二醇-嵌段-聚異戊二烯、聚乙二醇-嵌段-聚丁二烯、聚乙二醇-嵌段-聚苯乙烯、聚乙二醇-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙二醇-嵌段-聚乙基乙烯、聚苯乙烯-嵌段-聚乙烯基吡啶、聚苯乙烯-嵌段-聚異戊二烯、聚苯乙烯-嵌段-聚丁二烯、聚苯乙烯-嵌段-聚二茂鐵二甲基硅烷、聚丁二烯-嵌段-聚乙烯基吡啶、以及聚異戊二烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯。直接自組裝層410的沉積方法可為旋轉涂怖、噴涂、浸涂、及/或其他合適沉積法，如圖4b所示。在一實施例中，直接自組裝層410包含雙嵌段共聚物聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯，且其沉積方法為旋轉涂布。

此外，在沉積直接自組裝層410之前，可沉積中和層于多個空間316中的材料層220上，通過調(diào)整空間316中露出的材料層220的表面條件，以增強形成直接自組裝層410。中和層包含的材料其表面能，介于嵌段共聚物中兩個組成的表面能之間。舉例來說，中和層包含氧化硅或旋轉涂布玻璃。中和層的沉積方法可為原子層沉積、化學氣相沉積、或旋轉涂布。

在沉積直接自組裝層410之后，對直接自組裝層410施加升溫回火，以形成高規(guī)則性周期性聚合物結構于空間316中，如圖4c所示。在一實施例中，直接自組裝層410具有兩種聚合物單元，其經(jīng)升溫回火后形成兩個高規(guī)則性自組裝聚合物納米結構(聚合物嵌段)，層狀型態(tài)中的第一聚合物嵌段412與第二聚合物嵌段414沿著y方向。上述y方向垂直于x方向。第一聚合物嵌段412與第二聚合物嵌段414，沿著x方向呈重復的周期性圖案且彼此對準。第一聚合物嵌段412與第二聚合物嵌段414分別具有第一寬度w1與第二寬度w2，其取決于直接自組裝層410的材料特性如聚合物鏈的回轉半徑、分子量、與界面張力。在一實施例中，聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯的直接自組裝層410經(jīng)回火后，形成聚合物嵌段如第一聚合物嵌段412(如聚甲基丙烯酸甲酯)與第二聚合物嵌段414(如聚苯乙烯)，且上述嵌段沿著x方向排列成周期性的重復圖案于個別的空間316中。第一寬度w1與第二寬度w2為約30nm。在另一實施例中，第一寬度w1與第二寬度w2小于20nm。

如圖1與圖5所示，方法100的步驟108移除預定性態(tài)的聚合物納米結構(如第一聚合物嵌段412)。在此實施例中，選擇性分解第一聚合物嵌段412。選擇性分解的步驟包含干蝕刻、濕蝕刻、或上述的組合。在一例中，聚甲基丙烯酸甲酯的第一聚合物嵌段412其分解方法為氧等離子體蝕刻。

如圖1與圖6所示，方法100的步驟110移除第一圖案化硬掩模310。在此實施例中，第一圖案化硬掩模310的移除方法為選擇性蝕刻工藝。蝕刻工藝可包含選擇性濕蝕刻、選擇性干蝕刻、及/或上述的組合。在一例中，選擇性濕蝕刻溶液可包含hno3、nh4oh、koh、hf、hcl、naoh、h3po4、tmah、及/或其他合適的選擇性濕蝕刻溶液、及/或上述的組合。在其他實施例中，選擇性干蝕刻工藝可采用含氯氣體(如cl2、chcl3、ccl4、及/或bcl3)、含溴氣體(如hbr及/或chbr3)、含碘氣體、含氟氣體(如cf4、sf6、ch2f2、chf3、及/或c2f6)、及/或其他合適氣體及/或等離子體、及/或上述的組合。

值得注意的是，在移除第一圖案化硬掩模310后，預定型態(tài)的聚合物納米結構如第二聚合物嵌段414將保留于材料層220上，以作為后續(xù)工藝的芯(具有第二寬度w2)。在此實施例中，第二聚合物嵌段414(芯)其第二寬度w2由直接自組裝層410的材料性質(zhì)定義，而非由光刻工藝定義。

如圖1與圖7所示，方法100的步驟112沿著第二聚合物嵌段414形成間隔物510。間隔物510的形成方法可為沉積間隔物材料層于第二聚合物嵌段414上，接著非等向蝕刻間隔物材料層。間隔物材料層可包含氧化硅、氮化硅、氮氧化物、碳化硅、氧化鈦、氮化鈦、氧化鉭、氮化鉭、及/或任何合適材料。在此實施例中，間隔物材料層包含的材料不同于第二聚合物嵌段414與材料層220，以達后續(xù)蝕刻所需的蝕刻選擇性。間隔物材料層的沉積方法可為化學氣相沉積、原子層沉積、物理氣相沉積、及/或其他合適技術。在一實施例中，間隔物材料層的沉積方法為原子層沉積，以順應性覆蓋膜于第二聚合物嵌段414上。通過控制間隔物材料層的厚度，間隔物510的第三寬度w3可小于約10nm。此外，通過間隔物工藝，可讓不同區(qū)域的間隔物510具有相對一致的第三寬度w3，即使不同區(qū)域的圖案密度不同。

如圖1與圖8所示，方法100的步驟114選擇性分解(或移除)保留的其他型態(tài)的聚合物納米結構(如第二聚合物嵌段414)，以保留兩相鄰之間隔物510之間的第二空間515。如此一來，第二空間515的寬度即第二聚合物嵌段414其第二寬度w2。選擇性分解包含回火、干蝕刻、濕蝕刻、及/或任何其他合適工藝。在一實施例中，聚苯乙烯的第二聚合物嵌段414的分解步驟為回火工藝，其溫度高于步驟106中形成聚合物嵌段的回火溫度。在一例中，分解回火溫度為約350℃，而形成回火溫度為約250℃。在另一實施例中，聚苯乙烯的第二聚合物嵌段414其分解方法為采用溶液如硫酸與雙氧水的濕蝕刻。

如此一來，以第二空間515分隔的間隔物510構成第二圖案化硬掩模520。第二圖案化硬掩模520之間距p等于間隔物510的第三寬度w3加上第二間隔物515的第二寬度w2，如圖8所示。值得注意的是，間距p的尺寸來自于間隔物510與第二聚合物嵌段414之間的差異。換言之，間距p的尺寸來自于非光刻工藝。經(jīng)由非光刻工藝所形成的微小尺寸，可具有更小的關鍵尺寸。關鍵尺寸縮小光刻工藝的挑戰(zhàn)，也是技術世代或節(jié)點的限制條件。如此一來，本發(fā)明實施例提供形成小關鍵尺寸的方法，即形成第二圖案化硬掩模520以達較寬松的光刻工藝。

如圖1與圖9a所示，方法100的步驟116以第二圖案化硬掩模520作為蝕刻掩模，蝕刻材料層220。如此一來，在第二空間515延伸至材料層220時，間隔物510將轉移至材料層220中的材料結構610。在一些實施例中，蝕刻工藝可包含非等向蝕刻如等離子體非等向蝕刻。綜上所述，材料結構610具有垂直輪廓。如此一來，材料結構610具有寬度w3，且與另一材料結構610之間隔有第二寬度w2。換言之，第二圖案化硬掩模520之間距p轉移至材料層220。非等向蝕刻可采用含氯氣體(如cl2、chcl3、ccl4、及/或bcl3)、含溴氣體(如hbr及/或chbr3)、含碘氣體、含氟氣體(如cf4、sf6、ch2f2、chf3、及/或c2f6)、及/或其他合適氣體及/或等離子體、及/或上述的組合。

在蝕刻材料層220后，可采用適當蝕刻工藝移除第二圖案化硬掩模520，如圖9b所示。如此一來，圖案化的材料層220具有間距p(等同第二寬度w2+第三寬度w3)。

在方法100之前、之中、與之后可進行額外步驟，且其他實施例中的上述某些步驟可省略或置換為其他步驟。

半導體裝置200可進行額外互補式金氧半或金氧半技術工藝，以形成本技術領域已知的多種結構與區(qū)域。舉例來說，后續(xù)工藝可形成多層內(nèi)連線，其包含垂直內(nèi)連線如常用通孔或接點，以及水平內(nèi)連線如金屬線路。多種內(nèi)連線結構可采用多種導電材料如銅、鎢、及/或硅化物，可提供電性線路以耦接基板210中的多種裝置至輸入/輸出電源與信號。

綜上所述，本發(fā)明實施例提供圖案化硬掩模的形成方法。此方法并非采用光刻工藝，而是形成引導硬掩模，以及形成嵌段共聚物于引導硬掩模及側壁間隔物上，以定義圖案化硬掩模的目標間距。此方法也將圖案化硬掩模的間距轉移至材料層。此方法為強大、彈性、及擬非光刻的方法，可用以圖案化材料層并使其具有較小間距。

本發(fā)明提供許多不同實施例以形成半導體裝置，其與現(xiàn)有方式相較具有一或多種改良。在一實施例中，半導體裝置的形成方法包括形成第一圖案化硬掩模于材料層上。第一圖案化硬掩模定義開口。此方法還包含形成直接自組裝層于開口中，且直接自組裝層具有第一部分與第二部分；移除直接自組裝層的第一部分；沿著直接自組裝層的第二部分的側壁形成間隔物；以及移除直接自組裝層的第二部分。間隔物形成第二圖案化硬掩模于材料層上。

在一實施例中，上述方法形成直接自組裝層于第一圖案化硬掩模上，且直接自組裝層具有第一部分與第二部分的步驟包括：沉積嵌段共聚物層于第一圖案化硬掩模上；以及在第一溫度回火嵌段共聚物層。

在一實施例中，嵌段共聚物層為下述之一或多個：聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙二醇-嵌段-聚異戊二烯、聚乙二醇-嵌段-聚丁二烯、聚乙二醇-嵌段-聚苯乙烯、聚乙二醇-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙二醇-嵌段-聚乙基乙烯、聚苯乙烯-嵌段-聚乙烯基吡啶、聚苯乙烯-嵌段-聚異戊二烯、聚苯乙烯-嵌段-聚丁二烯、聚苯乙烯-嵌段-聚二茂鐵二甲基硅烷、聚丁二烯-嵌段-聚乙烯基吡啶、以及聚異戊二烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯。

在一實施例中，上述方法的第一部分包含聚甲基丙烯酸甲酯嵌段，而第二部分包含聚苯乙烯嵌段。

在一實施例中，上述方法移除直接自組裝層的第一部分的步驟包含以氧等離子體蝕刻工藝分解聚甲基丙烯酸甲酯嵌段。

在一實施例中，上述方法移除直接自組裝層的第二部分的步驟包含以第二溫度回火聚苯乙烯嵌段，且第二溫度高于第一溫度。

在一實施例中，上述方法更包含在移除直接自組裝層的第一部分之后，移除第一圖案化硬掩模。

在一實施例中，上述方法更包含經(jīng)由第二圖案化硬掩模蝕刻材料層。

在一實施例中，上述方法的材料層的間距尺寸由間隔物的寬度與直接自組裝層的第二部分的寬度所定義。

在另一實施例中，半導體裝置的形成方法包含形成圖案化硬掩模于材料層上。圖案化硬掩模具有多個開口。此方法還包含沉積嵌段共聚物層于開口中、在第一溫度回火嵌段共聚物層以形成第一聚合物嵌段與第二聚合物嵌段于開口中、移除第一聚合物嵌段、沿著第二聚合物嵌段的側壁形成間隔物、以及移除第二聚合物嵌段。間隔物形成第二圖案化硬掩模于材料層上。

在一實施例中，上述方法的嵌段共聚物層為下述之一或多個：聚苯乙烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙二醇-嵌段-聚異戊二烯、聚乙二醇-嵌段-聚丁二烯、聚乙二醇-嵌段-聚苯乙烯、聚乙二醇-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙二醇-嵌段-聚乙基乙烯、聚苯乙烯-嵌段-聚乙烯基吡啶、聚苯乙烯-嵌段-聚異戊二烯、聚苯乙烯-嵌段-聚丁二烯、聚苯乙烯-嵌段-聚二茂鐵二甲基硅烷、聚丁二烯-嵌段-聚乙烯基吡啶、以及聚異戊二烯-嵌段-聚甲基丙烯酸甲酯。

在一實施例中，上述方法的第一聚合物嵌段包含聚甲基丙烯酸甲酯嵌段，而第二聚合物嵌段包含聚苯乙烯嵌段。

在一實施例中，上述方法移除第一聚合物嵌段的步驟包含以氧等離子體蝕刻工藝分解聚甲基丙烯酸甲酯嵌段。

在一實施例中，上述方法移除第二聚合物簽段的步驟包含以第二溫度回火分解聚苯乙烯嵌段，且第二溫度高于第一溫度。

在一實施例中，上述方法更包含在移除嵌段共聚物層的第一聚合物嵌段后，移除第一圖案化硬掩模。

在一實施例中，上述方法更包含經(jīng)第二圖案化硬掩模蝕刻材料層。

在一實施例中，上述方法的材料層其間距尺寸由間隔物的寬度與第二聚合物嵌段的寬度所定義。

在又一實施例中，半導體裝置的形成方法包括形成圖案化硬掩模于材料層上。圖案化硬掩模具有開口。此方法還包含形成第一納米結構與第二納米結構于開口中。第一納米結構與第二納米結構的材料不同。此方法還包含移除第一納米結構、移除圖案化硬掩模、沿著第二納米結構的側壁形成間隔物、移除第二納米結構、以及以間隔物作為蝕刻掩模并蝕刻材料層。

在一實施例中，上述方法形成第一納米結構與第二納米結構于開口中的步驟，包括形成直接自組裝層于開口中。

在一實施例中，上述方法形成層于開口中的步驟包括沉積嵌段共聚物于開口中，以及回火嵌段共聚物層。

上述實施例的特征有利于本領域技術人員理解本發(fā)明。本領域技術人員應理解可采用本發(fā)明作基礎，設計并變化其他工藝與結構以完成上述實施例的相同目的及/或相同優(yōu)點。本領域技術人員應理解，這些等效置換并未脫離本發(fā)明精神與范疇，并可在未脫離本發(fā)明的精神與范疇的前提下進行改變、替換、或更動。