技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種絕緣體上半導體結(jié)構(gòu)以及制備方法。該方法包括：(1)在基底的上表面依次形成砷化物過渡層和砷化物半導體層，以便獲得第一復合體；(2)對所述第一復合體進行離子注入處理，所述注入的離子中含氫離子；(3)將所述第一復合體與襯底進行鍵合處理，以便獲得第二復合體，其中，所述襯底的上表面具有絕緣層，并且所述鍵合處理中所述絕緣層與所述砷化物半導體層接觸；以及(4)對所述第二復合體進行剝離處理，以便分別獲得第三復合體和所述緣層上半導體結(jié)構(gòu)。該方法操作步驟簡單，對儀器設(shè)備要求較低，并且可以避免利用砷化物晶片進行制備時，由于晶片尺寸過小而對絕緣體上半導體結(jié)構(gòu)造成的限制。

技術(shù)研發(fā)人員：王敬;孫川川;梁仁榮;許軍
受保護的技術(shù)使用者：清華大學
文檔號碼：201611052552
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.24
技術(shù)公布日：2017.02.15