技術編號：11136480
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體技術以及半導體制造領域，具體而言，本發(fā)明涉及絕緣體上半導體結構以及制備方法。背景技術隨著半導體技術的發(fā)展，金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)的特征尺寸不斷縮小，其工作速度也不斷提高。然而，基于“摩爾定律”(Moore’slaw)的硅集成電路已快速發(fā)展數十年，對于基于Si材料本身而言，目前的MOSFET器件已經接近于物理與技術的雙重極限。因而，為了進一步提升MOSFET器件的性能，本領域技術人員提出了各種提升MOSFET器件性能的方法。例如，將III-V族砷化物半導體...
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