技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種壓電雙極型晶體管，其包括依次設(shè)置在半導(dǎo)體基板上的為n型的發(fā)射區(qū)、為p型的基區(qū)和為n型的集電區(qū)；基區(qū)為壓電半導(dǎo)體，發(fā)射區(qū)的摻雜濃度高于基區(qū)的摻雜濃度；基區(qū)與集電區(qū)之間的形成有一npn結(jié)或pnp結(jié)；該壓電雙極型晶體管采用npn結(jié)或pnp結(jié)的結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)中壓電半導(dǎo)體pn結(jié)相比，能夠在相同的應(yīng)變下產(chǎn)生更大的電流增益，進(jìn)而增大其信號(hào)的輸出，從而大幅度提高應(yīng)變傳感靈敏度，可提高3到4個(gè)量級(jí)，或在同比靈敏度下大幅降低器件功耗，降低3?4個(gè)量級(jí)；其基區(qū)為壓電半導(dǎo)體，可通過向壓電半導(dǎo)體施加外界應(yīng)變力，在基區(qū)產(chǎn)生壓電電荷，調(diào)控基區(qū)集電結(jié)多子空穴的濃度，增大晶體管的輸出電流的變化，進(jìn)而提高可控電流的靈敏度。

技術(shù)研發(fā)人員：張巖;趙子銘
受保護(hù)的技術(shù)使用者：電子科技大學(xué)
文檔號(hào)碼：201610853624
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.27
技術(shù)公布日：2017.01.11