1.一種壓電雙極型晶體管，其特征在于：包括依次設置在半導體基板上的為n型的發(fā)射區(qū)、為p型的基區(qū)和為n型的集電區(qū)；所述基區(qū)為壓電半導體，所述發(fā)射區(qū)的摻雜濃度高于所述基區(qū)的摻雜濃度；所述基區(qū)與集電區(qū)之間的形成有一npn結或pnp結。
2.根據(jù)權利要求1所述的壓電雙極型晶體管，其特征在于：所述發(fā)射區(qū)的為非壓電半導體或壓電系數(shù)與所述基區(qū)壓電系數(shù)不同的壓電半導體。
3.根據(jù)權利要求1所述的壓電雙極型晶體管，其特征在于：所述集電區(qū)包括壓電半導體和非壓電半導體。
4.根據(jù)權利要求1所述的壓電雙極型晶體管，其特征在于：由所述發(fā)射區(qū)注入所述基區(qū)中的電子數(shù)目大于所述基區(qū)中平衡電子的數(shù)目。
5.根據(jù)權利要求1~4任一項所述的壓電雙極型晶體管，其特征在于：所述發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的發(fā)射結上位于基區(qū)一側邊界處設有非平衡少子累積區(qū)。
6.根據(jù)權利要求5所述的壓電雙極型晶體管，其特征在于：所述基區(qū)的寬度小于所述非平衡少子的擴散長度。
7.根據(jù)權利要求1或6所述的壓電雙極型晶體管，其特征在于：所述基區(qū)與所述發(fā)射區(qū)之間形成有耗盡層。
8.根據(jù)權利要求1所述的壓電雙極型晶體管，其特征在于：所述壓電半導體的材質為ZnO，GaN，InN，GaAs，MoS2或CdS。
9.根據(jù)權利要求1所述的壓電雙極型晶體管，其特征在于：所述發(fā)射區(qū)與所述基區(qū)相接觸，所述基區(qū)與所述集電區(qū)相隔。
10.根據(jù)權利要求1所述的壓電雙極型晶體管，其特征在于：所述半導體基板包括背面層、設置在所述背面層表面的埋入絕緣膜、設置在所述埋入絕緣膜表面的半導體層；所述發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)位于所述半導體層上。