本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池制備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種太陽(yáng)能電池硅片的擴(kuò)散方法。

背景技術(shù)：

太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝比較復(fù)雜，簡(jiǎn)單說來(lái)，目前的太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)過程主要包括：制絨、擴(kuò)散、刻蝕、鍍膜、印刷和燒結(jié)等。而PN結(jié)相當(dāng)于是太陽(yáng)能電池片的心臟，也是電池質(zhì)量好壞的關(guān)鍵之一，因此，擴(kuò)散是制作太陽(yáng)能電池片的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。

擴(kuò)散制作PN結(jié)是太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的關(guān)鍵步驟，PN結(jié)的質(zhì)量則直接決定著太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率?，F(xiàn)有的擴(kuò)散方法中，在向擴(kuò)散爐中通入含三氯氧磷的氮?dú)夂脱鯕膺M(jìn)行沉積后，將擴(kuò)散爐內(nèi)溫度升至一定溫度，同時(shí)向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氧氣一步推結(jié)磷的擴(kuò)散，持續(xù)一段時(shí)間后直接對(duì)擴(kuò)散爐進(jìn)行降溫，直至完成擴(kuò)散工藝。

降低表面摻雜濃度，最常用的方法是降低磷源的通量，但這種方法會(huì)使磷源在擴(kuò)散氣體中混合不夠充分，進(jìn)而造成擴(kuò)散后硅片內(nèi)方阻不均勻；同時(shí)，由于磷源含量少，所以在很大程度上擴(kuò)散爐的磷源進(jìn)氣口和排氣口磷源的濃度相差較大，這種濃度差會(huì)造成擴(kuò)散硅片片間方阻存在較大差異，即片間方阻均勻性變差。另外，由于磷源濃度較小，在保證所需摻雜量足夠的前提下，需要增加擴(kuò)散工藝時(shí)間或者提高擴(kuò)散溫度；而在低磷源的情況下，高溫?cái)U(kuò)散將會(huì)進(jìn)一步影響到方阻的均勻性。

但現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的硅片PN結(jié)的均勻性較差，導(dǎo)致產(chǎn)品的性能穩(wěn)定性較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對(duì)以上問題提供一種處理后PN結(jié)的均勻性較好及使得產(chǎn)品的性能穩(wěn)定性較好的太陽(yáng)能電池硅片的擴(kuò)散方法。

本發(fā)明解決以上問題所用的技術(shù)方案是：提供一種太陽(yáng)能電池硅片的擴(kuò)散方法，先將硅片放置在擴(kuò)散爐中，所述擴(kuò)散爐設(shè)有五個(gè)溫區(qū)，五個(gè)溫區(qū)分別為溫度Ⅰ、溫度Ⅱ、溫度Ⅲ、溫度Ⅳ和溫度Ⅴ，且五個(gè)溫區(qū)沿高度方向分別，所述擴(kuò)散爐的控制方法包括以下步驟：

(1)開始：時(shí)間為25～45s，溫度設(shè)置為770～790℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為8000～12000SCCM，小氮和氧氣的流量均為0SCCM，壓力為1000～2000Pa；

(2)進(jìn)舟：時(shí)間為600～800s，溫度設(shè)置為770～790℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為4500～8000SCCM，小氮和氧氣的流量為0SCCM，壓力為1000～2000Pa；

(3)升溫：時(shí)間為500～700s，溫度設(shè)置為770～790℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮、小氮和氧氣的流量均為0SCCM，壓力為180～300Pa；

(4)前氧化：時(shí)間為250～450s，溫度設(shè)置為770～790℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為400～600SCCM，小氮流量為0SCCM，氧氣流量為400～800SCCM，壓力為180～300Pa；

(5)擴(kuò)散：時(shí)間為480～580s，溫度設(shè)置為770～790℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為500～900SCCM，小氮流量為100～240SCCM，氧氣流量為100～500SCCM，壓力為180～300Pa；

(6)第一次推結(jié)：時(shí)間為100～200s，溫度設(shè)置為770～790℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為200～600SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為20～80Pa；

(7)第二次推結(jié)：時(shí)間為400～800s，溫度設(shè)置為800～840℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為1500～2500SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為100～300Pa；

(8)第三次推結(jié)：時(shí)間為500～600s，溫度Ⅰ設(shè)置為820～860℃，溫度Ⅱ的溫度比溫度Ⅰ的溫度高2～4℃，溫度Ⅲ與溫度Ⅰ的溫度相同，溫度Ⅳ的溫度比溫度Ⅰ的溫度低8～12℃，溫度Ⅴ與溫度Ⅳ的溫度相同，大氮流量為1500～2500SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為100～300Pa；

(9)后氧化：時(shí)間為600～1000s，溫度設(shè)置為700～780℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為800～1200SCCM，小氮流量為0SCCM，氧氣流量為800～1200SCCM；

(10)恒溫：時(shí)間為100～140s，溫度與步驟(9)中的設(shè)置相同，大氮流量為8000～12000SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM；

(11)出舟：時(shí)間為1000～1400s，溫度與步驟(9)中的設(shè)置相同，大氮流量為4500～8000SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM；

(12)結(jié)束：時(shí)間為5～15s，溫度設(shè)置為770～790℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為4500～8000SCCM，小氮和氧氣的流量為0SCCM；

(13)冷卻：上述硅片冷卻至室溫，即得所要求的硅片。

作為優(yōu)選，所述步驟(1)的溫度為780℃。

作為優(yōu)選，所述步驟(2)～步驟(6)的溫度均與步驟(1)的溫度相同。

作為優(yōu)選，所述步驟(3)～步驟(5)的壓力相同，步驟(7)～步驟(9)的壓力相同，步驟(10)～步驟(12)的壓力相同，且步驟(3)與步驟(7)的壓力及步驟(7)與步驟(10)的壓力均不相同。

作為優(yōu)選，所述步驟(1)的大氮流量與步驟(10)的大氮流量相同。

作為優(yōu)選，所述步驟(2)的大氮流量、步驟(11)的大氮流量與步驟(12)的大氮流量均相同。

采用以上方法后，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

由于通過一擴(kuò)散、三推結(jié)的方法，即在低于600℃的溫度下沉積擴(kuò)散來(lái)制備低濃度的摻雜層，然后進(jìn)行三推結(jié)，分別為先低溫(與擴(kuò)散溫度相同)推結(jié)，再升溫后恒溫推結(jié)，最后升溫到高溫(且高溫還分不同溫度的溫區(qū)，使得磷原子擴(kuò)散更加活躍)推結(jié)，為高溫推結(jié)后溫度降到780℃及以下，可以使磷原子由硅片向氧化層擴(kuò)散，即實(shí)現(xiàn)與高溫條件下相反的逆向擴(kuò)散，已經(jīng)擴(kuò)散到硅片的磷原子，特別是硅片最表面層的磷原子將會(huì)向氧化層運(yùn)動(dòng)，而使硅片表面雜質(zhì)濃度降低，這樣不但可以增加PN結(jié)深度和均勻度，還可增加表面磷的濃度的同時(shí)增加結(jié)深，以便與金屬柵線形成良好的歐姆接觸(與現(xiàn)有技術(shù)的硅片相比，方阻要高6Ω/□～12Ω/□)，增強(qiáng)電池的藍(lán)光響應(yīng)，使得產(chǎn)品的使用穩(wěn)定性較好。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步描述。

實(shí)施例一

一種太陽(yáng)能電池硅片的擴(kuò)散方法，先將硅片放置在擴(kuò)散爐中，所述擴(kuò)散爐設(shè)有五個(gè)溫區(qū)，五個(gè)溫區(qū)分別為溫度Ⅰ、溫度Ⅱ、溫度Ⅲ、溫度Ⅳ和溫度Ⅴ，且五個(gè)溫區(qū)沿高度方向分別，所述擴(kuò)散爐的控制方法包括以下步驟：

(1)開始：時(shí)間為25s，溫度設(shè)置為790℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為12000SCCM，小氮和氧氣的流量均為0SCCM，壓力為2000Pa；

(2)進(jìn)舟：時(shí)間為600s，溫度設(shè)置為790℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為8000SCCM，小氮和氧氣的流量為0SCCM，壓力為2000Pa；

(3)升溫：時(shí)間為500s，溫度設(shè)置為790℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮、小氮和氧氣的流量均為0SCCM，壓力為300Pa；

(4)前氧化：時(shí)間為250s，溫度設(shè)置為790℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為600SCCM，小氮流量為0SCCM，氧氣流量為800SCCM，壓力為300Pa；

(5)擴(kuò)散：時(shí)間為480s，溫度設(shè)置為790℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為900SCCM，小氮流量為240SCCM，氧氣流量為500SCCM，壓力為300Pa；

(6)第一次推結(jié)：時(shí)間為100s，溫度設(shè)置為790℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為600SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為80Pa；

(7)第二次推結(jié)：時(shí)間為400s，溫度設(shè)置為840℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為2500SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為300Pa；

(8)第三次推結(jié)：時(shí)間為500s，溫度Ⅰ設(shè)置為860℃，溫度Ⅱ的溫度比溫度Ⅰ的溫度高4℃，溫度Ⅲ與溫度Ⅰ的溫度相同，溫度Ⅳ的溫度比溫度Ⅰ的溫度低8℃，溫度Ⅴ與溫度Ⅳ的溫度相同，大氮流量為2500SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為300Pa；

(9)后氧化：時(shí)間為600s，溫度設(shè)置為780℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為1200SCCM，小氮流量為0SCCM，氧氣流量為1200SCCM，壓力為300Pa；

(10)恒溫：時(shí)間為100s，溫度與步驟(9)中的設(shè)置相同，大氮流量為12000SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為2000Pa；

(11)出舟：時(shí)間為1000s，溫度與步驟(9)中的設(shè)置相同，大氮流量為8000SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為2000Pa；

(12)結(jié)束：時(shí)間為5s，溫度設(shè)置為790℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為8000SCCM，小氮和氧氣的流量為0SCCM，壓力為2000Pa；

(13)冷卻：上述硅片冷卻至室溫，即得所要求的硅片。

實(shí)施例二

一種太陽(yáng)能電池硅片的擴(kuò)散方法，先將硅片放置在擴(kuò)散爐中，所述擴(kuò)散爐設(shè)有五個(gè)溫區(qū)，五個(gè)溫區(qū)分別為溫度Ⅰ、溫度Ⅱ、溫度Ⅲ、溫度Ⅳ和溫度Ⅴ，且五個(gè)溫區(qū)沿高度方向分別，所述擴(kuò)散爐的控制方法包括以下步驟：

(1)開始：時(shí)間為45s，溫度設(shè)置為770℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為8000SCCM，小氮和氧氣的流量均為0SCCM，壓力為1000Pa；

(2)進(jìn)舟：時(shí)間為800s，溫度設(shè)置為770～790℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為4500～8000SCCM，小氮和氧氣的流量為0SCCM，壓力為1000Pa；

(3)升溫：時(shí)間為700s，溫度設(shè)置為770℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮、小氮和氧氣的流量均為0SCCM，壓力為180Pa；

(4)前氧化：時(shí)間為450s，溫度設(shè)置為770～790℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為400～600SCCM，小氮流量為0SCCM，氧氣流量為400SCCM，壓力為180Pa；

(5)擴(kuò)散：時(shí)間為580s，溫度設(shè)置為770℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為500～900SCCM，小氮流量為100SCCM，氧氣流量為100SCCM，壓力為180Pa；

(6)第一次推結(jié)：時(shí)間為200s，溫度設(shè)置為770℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為200SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為20Pa；

(7)第二次推結(jié)：時(shí)間為800s，溫度設(shè)置為800℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為1500～2500SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為100Pa；

(8)第三次推結(jié)：時(shí)間為600s，溫度Ⅰ設(shè)置為820℃，溫度Ⅱ的溫度比溫度Ⅰ的溫度高2℃，溫度Ⅲ與溫度Ⅰ的溫度相同，溫度Ⅳ的溫度比溫度Ⅰ的溫度低12℃，溫度Ⅴ與溫度Ⅳ的溫度相同，大氮流量為1500SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為100Pa；

(9)后氧化：時(shí)間為1000s，溫度設(shè)置為700～780℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為800SCCM，小氮流量為0SCCM，氧氣流量為800SCCM，壓力為100Pa；

(10)恒溫：時(shí)間為140s，溫度與步驟(9)中的設(shè)置相同，大氮流量為8000SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為1000Pa；

(11)出舟：時(shí)間為1400s，溫度與步驟(9)中的設(shè)置相同，大氮流量為4500SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為1000Pa；

(12)結(jié)束：時(shí)間為15s，溫度設(shè)置為770℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為4500SCCM，小氮和氧氣的流量為0SCCM，壓力為1000Pa；

(13)冷卻：上述硅片冷卻至室溫，即得所要求的硅片。

實(shí)施例三

一種太陽(yáng)能電池硅片的擴(kuò)散方法，先將硅片放置在擴(kuò)散爐中，所述擴(kuò)散爐設(shè)有五個(gè)溫區(qū)，五個(gè)溫區(qū)分別為溫度Ⅰ、溫度Ⅱ、溫度Ⅲ、溫度Ⅳ和溫度Ⅴ，且五個(gè)溫區(qū)沿高度方向分別，所述擴(kuò)散爐的控制方法包括以下步驟：

(1)開始：時(shí)間為35s，溫度設(shè)置為780℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為11000SCCM，小氮和氧氣的流量均為0SCCM，壓力為1500Pa；

(2)進(jìn)舟：時(shí)間為700s，溫度設(shè)置為780℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為6000SCCM，小氮和氧氣的流量為0SCCM，壓力為1500Pa；

(3)升溫：時(shí)間為600s，溫度設(shè)置為780℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮、小氮和氧氣的流量均為0SCCM，壓力為260Pa；

(4)前氧化：時(shí)間為320s，溫度設(shè)置為780℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為500SCCM，小氮流量為0SCCM，氧氣流量為600SCCM，壓力為260Pa；

(5)擴(kuò)散：時(shí)間為540s，溫度設(shè)置為780℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為500～900SCCM，小氮流量為170SCCM，氧氣流量為300SCCM，壓力為260Pa；

(6)第一次推結(jié)：時(shí)間為150s，溫度設(shè)置為780℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為400SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為50Pa；

(7)第二次推結(jié)：時(shí)間為600s，溫度設(shè)置為820℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為1900SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為200Pa；

(8)第三次推結(jié)：時(shí)間為550s，溫度Ⅰ設(shè)置為840℃，溫度Ⅱ的溫度比溫度Ⅰ的溫度高3℃，溫度Ⅲ與溫度Ⅰ的溫度相同，溫度Ⅳ的溫度比溫度Ⅰ的溫度低10℃，溫度Ⅴ與溫度Ⅳ的溫度相同，大氮流量為2000SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為200Pa；

(9)后氧化：時(shí)間為800s，溫度設(shè)置為740℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為900SCCM，小氮流量為0SCCM，氧氣流量為1000SCCM，壓力為200Pa；

(10)恒溫：時(shí)間為120s，溫度與步驟(9)中的設(shè)置相同，大氮流量為11000SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為1500Pa；

(11)出舟：時(shí)間為1200s，溫度與步驟(9)中的設(shè)置相同，大氮流量為6000SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為1500Pa；

(12)結(jié)束：時(shí)間為5～15s，溫度設(shè)置為770～790℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為6000SCCM，小氮和氧氣的流量為0SCCM，壓力為1500Pa；

(13)冷卻：上述硅片冷卻至室溫，即得所要求的硅片。

實(shí)施例四

一種太陽(yáng)能電池硅片的擴(kuò)散方法，先將硅片放置在擴(kuò)散爐中，所述擴(kuò)散爐設(shè)有五個(gè)溫區(qū)，五個(gè)溫區(qū)分別為溫度Ⅰ、溫度Ⅱ、溫度Ⅲ、溫度Ⅳ和溫度Ⅴ，且五個(gè)溫區(qū)沿高度方向分別，所述擴(kuò)散爐的控制方法包括以下步驟：

(1)開始：時(shí)間為35s，溫度設(shè)置為785℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為9000SCCM，小氮和氧氣的流量均為0SCCM，壓力為1700Pa；

(2)進(jìn)舟：時(shí)間為750s，溫度設(shè)置為785℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為7000SCCM，小氮和氧氣的流量為0SCCM，壓力為1700Pa；

(3)升溫：時(shí)間為650s，溫度設(shè)置為785℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮、小氮和氧氣的流量均為0SCCM，壓力為200Pa；

(4)前氧化：時(shí)間為400s，溫度設(shè)置為785℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為500SCCM，小氮流量為0SCCM，氧氣流量為500SCCM，壓力為200Pa；

(5)擴(kuò)散：時(shí)間為500s，溫度設(shè)置為785℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為800SCCM，小氮流量為180SCCM，氧氣流量為400SCCM，壓力為200Pa；

(6)第一次推結(jié)：時(shí)間為180s，溫度設(shè)置為785℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為500SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為60Pa；

(7)第二次推結(jié)：時(shí)間為700s，溫度設(shè)置為830℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為2200SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為180Pa；

(8)第三次推結(jié)：時(shí)間為580s，溫度Ⅰ設(shè)置為850℃，溫度Ⅱ的溫度比溫度Ⅰ的溫度高3℃，溫度Ⅲ與溫度Ⅰ的溫度相同，溫度Ⅳ的溫度比溫度Ⅰ的溫度低11℃，溫度Ⅴ與溫度Ⅳ的溫度相同，大氮流量為2200SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為180Pa；

(9)后氧化：時(shí)間為900s，溫度設(shè)置為760℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為1100SCCM，小氮流量為0SCCM，氧氣流量為1100SCCM，壓力為180Pa；

(10)恒溫：時(shí)間為130s，溫度與步驟(9)中的設(shè)置相同，大氮流量為9000SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為1700Pa；

(11)出舟：時(shí)間為1300s，溫度與步驟(9)中的設(shè)置相同，大氮流量為7000SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為1700Pa；

(12)結(jié)束：時(shí)間為5～15s，溫度設(shè)置為785℃℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為7000SCCM，小氮和氧氣的流量為0SCCM，壓力為1700Pa；

(13)冷卻：上述硅片冷卻至室溫，即得所要求的硅片。

實(shí)施例五

一種太陽(yáng)能電池硅片的擴(kuò)散方法，先將硅片放置在擴(kuò)散爐中，所述擴(kuò)散爐設(shè)有五個(gè)溫區(qū)，五個(gè)溫區(qū)分別為溫度Ⅰ、溫度Ⅱ、溫度Ⅲ、溫度Ⅳ和溫度Ⅴ，且五個(gè)溫區(qū)沿高度方向分別，所述擴(kuò)散爐的控制方法包括以下步驟：

(1)開始：時(shí)間為27s，溫度設(shè)置為775℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為8500SCCM，小氮和氧氣的流量均為0SCCM，壓力為1400Pa；

(2)進(jìn)舟：時(shí)間為650s，溫度設(shè)置為775℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為4800SCCM，小氮和氧氣的流量為0SCCM，壓力為1400Pa；

(3)升溫：時(shí)間為550s，溫度設(shè)置為775℃且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮、小氮和氧氣的流量均為0SCCM，壓力為200Pa；

(4)前氧化：時(shí)間為270s，溫度設(shè)置為775℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為450SCCM，小氮流量為0SCCM，氧氣流量為450SCCM，壓力為200Pa；

(5)擴(kuò)散：時(shí)間為490s，溫度設(shè)置為775℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為600SCCM，小氮流量為135SCCM，氧氣流量為200SCCM，壓力為200Pa；

(6)第一次推結(jié)：時(shí)間為120s，溫度設(shè)置為775℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為300SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為30Pa；

(7)第二次推結(jié)：時(shí)間為500s，溫度設(shè)置為810℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為1600SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為160Pa；

(8)第三次推結(jié)：時(shí)間為520s，溫度Ⅰ設(shè)置為830℃，溫度Ⅱ的溫度比溫度Ⅰ的溫度高3℃，溫度Ⅲ與溫度Ⅰ的溫度相同，溫度Ⅳ的溫度比溫度Ⅰ的溫度低9℃，溫度Ⅴ與溫度Ⅳ的溫度相同，大氮流量為1600SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為160Pa；

(9)后氧化：時(shí)間為700s，溫度設(shè)置為720℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為900SCCM，小氮流量為0SCCM，氧氣流量為900SCCM，壓力為160Pa；

(10)恒溫：時(shí)間為110s，溫度與步驟(9)中的設(shè)置相同，大氮流量為8500SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為1400Pa；

(11)出舟：時(shí)間為1100s，溫度與步驟(9)中的設(shè)置相同，大氮流量為4800SCCM，小氮和氧氣流量均為0SCCM，壓力為1400Pa；

(12)結(jié)束：時(shí)間為7s，溫度設(shè)置為775℃，且五個(gè)溫區(qū)的溫度相同，大氮流量為4800SCCM，小氮和氧氣的流量為0SCCM，壓力為1400Pa；

(13)冷卻：上述硅片冷卻至室溫，即得所要求的硅片。

以上實(shí)施例僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，本發(fā)明不僅限于以上實(shí)施例還允許有其它結(jié)構(gòu)變化，凡在本發(fā)明獨(dú)立權(quán)要求范圍內(nèi)變化的，均屬本發(fā)明保護(hù)范圍。