1.一種陣列基板，其特征在于，包括：襯底基板和設(shè)置于襯底基板上的若干條驅(qū)動信號線、若干條信號檢測線和若干個溫度感測模塊；
所述溫度感測模塊與對應(yīng)的所述驅(qū)動信號線和信號檢測線連接；
所述驅(qū)動信號線用于向溫度感測模塊輸出驅(qū)動信號，以驅(qū)動溫度感測模塊進行工作；
所述溫度感測模塊用于感測溫度，并輸出相應(yīng)的電流信號；
所述信號檢測線用于讀取所述溫度感測模塊輸出的所述電流信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述溫度感測模塊包括：感測薄膜晶體管，所述感測薄膜晶體管的第一柵極與對應(yīng)的所述驅(qū)動信號線連接，所述感測薄膜晶體管的第一漏極與對應(yīng)的所述信號檢測線連接，所述感測薄膜晶體管的第一源極與固定電源端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述溫度感測模塊包括：感測薄膜晶體管和溫敏電阻；
所述感測薄膜晶體管的第一柵極與對應(yīng)的所述驅(qū)動信號線連接，所述感測薄膜晶體管的第一源極與所述溫敏電阻的第一端連接，所述感測薄膜晶體管的第一漏極與對應(yīng)的所述信號檢測線連接，所述溫敏電阻的第二端與固定電源端連接；
或者，所述感測薄膜晶體管的第一柵極與對應(yīng)的所述驅(qū)動信號線連接，所述感測薄膜晶體管的第一漏極與所述溫敏電阻的第二端連接，所述感測薄膜晶體管的第一源極與固定電源端連接，所述溫敏電阻的第一端與對應(yīng)的所述信號檢測線連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述感測薄膜晶體管包括：所述第一柵極、第一有源層、所述第一源極和所述第一漏極，所述溫敏電阻與所述第一有源層同層設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：若干條柵線和若干條數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定出若干個像素單元，所述像素單元內(nèi)設(shè)置有顯示薄膜晶體管；
所述驅(qū)動信號線、所述信號檢測線、所述溫度感測模塊、所述柵線和所述數(shù)據(jù)線位于顯示面板的同一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，至少部分所述像素單元內(nèi)設(shè)置有所述溫度感測模塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述驅(qū)動信號線與所述柵線同層設(shè)置，所述信號檢測線與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述信號檢測線與所述數(shù)據(jù)線為同一條信號走線；
或者，所述驅(qū)動信號線與所述柵線為同一條信號走線。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一所述的陣列基板，其特征在于，還包括：信號處理單元，所述信號處理單元與所述信號檢測線連接，用于接收所述信號檢測線中的所述電流信號，并對所述電流信號進行處理，以得到所述電流信號對應(yīng)的溫度值。
10.一種顯示面板，其特征在于，包括：如上述權(quán)利要求1-9中任一所述的陣列基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板，其特征在于，還包括：觸控模塊，所述觸控模塊用于在所述顯示面板的表面存在觸控操作時，識別所述觸控操作對應(yīng)的位置。
12.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板包括：襯底基板、若干條驅(qū)動信號線、若干條信號檢測線和若干個溫度感測模塊，所述驅(qū)動信號線用于向溫度感測模塊輸出驅(qū)動信號，以驅(qū)動溫度感測模塊進行工作，所述溫度感測模塊用于感測溫度，并輸出相應(yīng)的電流信號，所述信號檢測線用于讀取所述溫度感測模塊輸出的所述電流信號，所述制備方法包括：
在襯底基板上形成所述驅(qū)動信號線、所述信號檢測線和所述溫度感測模塊，其中，所述溫度感測模塊與對應(yīng)的所述驅(qū)動信號線和信號檢測線連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板還包括：若干條柵線和若干條數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定出若干個像素單元，所述像素單元內(nèi)設(shè)置有顯示薄膜晶體管；
所述溫度感測模塊包括：感測薄膜晶體管；
所述在襯底基板上形成所述驅(qū)動信號線、所述信號檢測線和所述溫度感測模塊的步驟具體包括：
在襯底基板上形成第一柵極、第二柵極、所述柵線和所述驅(qū)動信號線，所述第一柵極與所述驅(qū)動信號線連接，所述第二柵極與所述柵線連接；
在所述第一柵極、所述第二柵極、所述柵線和所述驅(qū)動信號線的上方形成柵絕緣層；
在所述柵絕緣層的上方形成第一有源層和第二有源層，所述第一有源層與所述第一柵極對應(yīng)設(shè)置，所述第二有源層與所述第二柵極對應(yīng)設(shè)置；
在所述第一有源層的上方形成第一源極和第一漏極，以及在所述第二有源層的上方形成第二源極和第二漏極，以及在所述柵絕緣層的上方形成所述數(shù)據(jù)線和所述信號檢測線，其中，所述信號檢測線與所述第一漏極連接，所述第一源極與固定電源端連接，所述數(shù)據(jù)線與所述第二源極連接，所述第一柵極、所述第一有源層、所述第一源極和第一漏極構(gòu)成所述感測薄膜晶體管，所述第二柵極、所述第二有源層、所述第二源極和第二漏極構(gòu)成所述顯示薄膜晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板還包括：若干條柵線和若干條數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定出若干個像素單元，所述像素單元內(nèi)設(shè)置有顯示薄膜晶體管；
所述溫度感測模塊包括：感測薄膜晶體管和溫敏電阻；
所述在襯底基板上形成所述驅(qū)動信號線、所述信號檢測線和所述溫度感測模塊的步驟具體包括：
在襯底基板上形成第一柵極、第二柵極、所述柵線和所述驅(qū)動信號線，所述第一柵極與所述驅(qū)動信號線連接，所述第二柵極與所述柵線連接；
在所述第一柵極、所述第二柵極、所述柵線和所述驅(qū)動信號線的上方形成柵絕緣層；
在所述柵絕緣層的上方形成第一有源層和第二有源層，所述第一有源層與所述第一柵極對應(yīng)設(shè)置，所述第二有源層與所述第二柵極對應(yīng)設(shè)置；
在所述柵絕緣層的上方形成所述溫敏電阻；
在所述第一有源層的上方形成第一源極和第一漏極，以及在所述第二有源層的上方形成第二源極和第二漏極，以及在所述柵絕緣層的上方形成所述數(shù)據(jù)線和所述信號檢測線；
其中，所述第一源極與所述溫敏電阻的第一端連接，所述第一漏極與所述信號檢測線連接，所述溫敏電阻的第二端與固定電源端連接，或者，所述第一漏極與所述溫敏電阻的第二端連接，所述第一源極與固定電源端連接，所述溫敏電阻的第一端與所述信號檢測線連接；
所述數(shù)據(jù)線與所述第二源極連接，所述第一柵極、所述第一有源層、所述第一源極和第一漏極構(gòu)成所述感測薄膜晶體管，所述第二柵極、所述第二有源層、所述第二源極和第二漏極構(gòu)成所述顯示薄膜晶體管。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述信號檢測線與所述數(shù)據(jù)線為同一條信號走線；
或者，所述驅(qū)動信號線與所述柵線為同一條信號走線。