本發(fā)明涉及觸控技術領域，特別涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術：

在現有技術中，為實現溫度檢測功能，一般會在顯示面板中的對盒基板的外側設置的若干個溫度檢測芯片,通過溫度檢測芯片進進行溫度檢測。

然而，現有的這種溫度檢測方式，為避免溫度檢測芯片的損壞，溫度檢測芯片的上方往往需要覆蓋保護層，此時會使得顯示面板的整體厚度增加；此外考慮到溫度檢測芯片的尺寸因素，為不影響顯示面板的正常顯示，溫度檢測芯片僅能設置在位于顯示面板邊緣的非顯示區(qū)域，即液晶顯示面板上僅非顯示區(qū)域具有溫度檢測功能，因而具有一定的局限性。

技術實現要素：

本發(fā)明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

為實現上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括：襯底基板和設置于襯底基板上的若干條驅動信號線、若干條信號檢測線和若干個溫度感測模塊；

所述溫度感測模塊與對應的所述驅動信號線和信號檢測線連接；

所述驅動信號線用于向溫度感測模塊輸出驅動信號，以驅動溫度感測模塊進行工作；

所述溫度感測模塊用于感測溫度，并輸出相應的電流信號；

所述信號檢測線用于讀取所述溫度感測模塊輸出的所述電流信號。

可選地，所述溫度感測模塊包括：感測薄膜晶體管，所述感測薄膜晶體管的第一柵極與對應的所述驅動信號線連接，所述感測薄膜晶體管的第一漏極與對應的所述信號檢測線連接，所述感測薄膜晶體管的第一源極與固定電源端連接。

可選地，所述溫度感測模塊包括：感測薄膜晶體管和溫敏電阻；

所述感測薄膜晶體管的第一柵極與對應的所述驅動信號線連接，所述感測薄膜晶體管的第一源極與所述溫敏電阻的第一端連接，所述感測薄膜晶體管的第一漏極與對應的所述信號檢測線連接，所述溫敏電阻的第二端與固定電源端連接；

或者，所述感測薄膜晶體管的第一柵極與對應的所述驅動信號線連接，所述感測薄膜晶體管的第一漏極與所述溫敏電阻的第二端連接，所述感測薄膜晶體管的第一源極與固定電源端連接，所述溫敏電阻的第一端與對應的所述信號檢測線連接。

可選地，所述感測薄膜晶體管包括：所述第一柵極、第一有源層、所述第一源極和所述第一漏極，所述溫敏電阻與所述第一有源層同層設置。

可選地，所述陣列基板還包括：若干條柵線和若干條數據線，所述柵線和所述數據線限定出若干個像素單元，所述像素單元內設置有顯示薄膜晶體管；

所述驅動信號線、所述信號檢測線、所述溫度感測模塊、所述柵線和所述數據線位于顯示面板的同一側。

可選地，至少部分所述像素單元內設置有所述溫度感測模塊。

可選地，所述驅動信號線與所述柵線同層設置，所述信號檢測線與所述數據線同層設置。

可選地，所述信號檢測線與所述數據線為同一條信號走線；

或者，所述驅動信號線與所述柵線為同一條信號走線。

可選地，還包括：信號處理單元，所述信號處理單元與所述信號檢測線連接，用于接收所述信號檢測線中的所述電流信號，并對所述電流信號進行處理，以得到所述電流信號對應的溫度值。

為實現上述目的，本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括：陣列基板，所述陣列基板采用上述的陣列基板。

可選地，還包括：觸控模塊，所述觸控模塊用于在所述顯示面板的表面存在觸控操作時，識別所述觸控操作對應的位置。

為實現上述目的，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板包括：襯底基板、若干條驅動信號線、若干條信號檢測線和若干個溫度感測模塊，所述驅動信號線用于向溫度感測模塊輸出驅動信號，以驅動溫度感測模塊進行工作，所述溫度感測模塊用于感測溫度，并輸出相應的電流信號，所述信號檢測線用于讀取所述溫度感測模塊輸出的所述電流信號，所述制備方法包括：

在襯底基板上形成所述驅動信號線、所述信號檢測線和所述溫度感測模塊，其中，所述溫度感測模塊與對應的所述驅動信號線和信號檢測線連接。

可選地，所述陣列基板還包括：若干條柵線和若干條數據線，所述柵線和所述數據線限定出若干個像素單元，所述像素單元內設置有顯示薄膜晶體管；

所述溫度感測模塊包括：感測薄膜晶體管；

所述在襯底基板上形成所述驅動信號線、所述信號檢測線和所述溫度感測模塊的步驟具體包括：

在襯底基板上形成第一柵極、第二柵極、所述柵線和所述驅動信號線，所述第一柵極與所述驅動信號線連接，所述第二柵極與所述柵線連接；

在所述第一柵極、所述第二柵極、所述柵線和所述驅動信號線的上方形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層的上方形成第一有源層和第二有源層，所述第一有源層與所述第一柵極對應設置，所述第二有源層與所述第二柵極對應設置。

在所述第一有源層的上方形成第一源極和第一漏極，以及在所述第二有源層的上方形成第二源極和第二漏極，以及在所述柵絕緣層的上方形成所述數據線和所述信號檢測線，其中，所述信號檢測線與所述第一漏極連接，所述第一源極與固定電源端連接，所述數據線與所述第二源極連接，所述第一柵極、所述第一有源層、所述第一源極和第一漏極構成所述感測薄膜晶體管，所述第二柵極、所述第二有源層、所述第二源極和第二漏極構成所述顯示薄膜晶體管。

可選地，所述陣列基板還包括：若干條柵線和若干條數據線，所述柵線和所述數據線限定出若干個像素單元，所述像素單元內設置有顯示薄膜晶體管；

所述溫度感測模塊包括：感測薄膜晶體管和溫敏電阻；

所述在襯底基板上形成所述驅動信號線、所述信號檢測線和所述溫度感測模塊的步驟具體包括：

在襯底基板上形成第一柵極、第二柵極、所述柵線和所述驅動信號線，所述第一柵極與所述驅動信號線連接，所述第二柵極與所述柵線連接；

在所述第一柵極、所述第二柵極、所述柵線和所述驅動信號線的上方形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層的上方形成第一有源層和第二有源層，所述第一有源層與所述第一柵極對應設置，所述第二有源層與所述第二柵極對應設置；

在所述柵絕緣層的上方形成所述溫敏電阻；

在所述第一有源層的上方形成第一源極和第一漏極，以及在所述第二有源層的上方形成第二源極和第二漏極，以及在所述柵絕緣層的上方形成所述數據線和所述信號檢測線；

其中，所述第一源極與所述溫敏電阻的第一端連接，所述第一漏極與所述信號檢測線連接，所述溫敏電阻的第二端與固定電源端連接，或者，所述第一漏極與所述溫敏電阻的第二端連接，所述第一源極與固定電源端連接，所述溫敏電阻的第一端與所述信號檢測線連接；

所述數據線與所述第二源極連接，所述第一柵極、所述第一有源層、所述第一源極和第一漏極構成所述感測薄膜晶體管，所述第二柵極、所述第二有源層、所述第二源極和第二漏極構成所述顯示薄膜晶體管。

可選地，所述信號檢測線與所述數據線為同一條信號走線；

或者，所述驅動信號線與所述柵線為同一條信號走線。

本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板，其中該陣列基板包括：襯底基板和設置于襯底基板上的若干條驅動信號線、信號檢測線和溫度感測模塊，其中，溫度感測模塊與對應的驅動信號線和信號檢測線連接，驅動信號線用于向溫度感測模塊輸出驅動信號，以驅動溫度感測模塊進行工作，溫度感測模塊用于感測溫度，并輸出相應的電流信號，信號檢測線用于讀取溫度感測模塊輸出的電流信號。本發(fā)明的技術方案通過將用于進行溫度感測的驅動信號線、信號檢測線和溫度感測模塊集成在陣列基板中，從而可有效解決現有技術中將溫度檢測芯片置于對盒基板的外側導致顯示面板整體厚度增加的技術問題。此外，本發(fā)明中的溫度感測模塊不僅可以位于陣列基板的邊緣區(qū)域，還可以位于陣列基板的中間區(qū)域，從而實現對陣列基板上各區(qū)域的溫度感測。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種陣列基板的結構示意圖；

圖2為圖1中設置有感測薄膜晶體管的像素單元的截面示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例二提供的一種陣列基板的結構示意圖；

圖4為圖3中設置有感測薄膜晶體管和溫敏電阻的像素單元的截面示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例三提供的一種陣列基板的結構示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例四提供的一種陣列基板的結構示意圖；

圖7為本發(fā)明實施例六提供的一種陣列基板的制備方法的流程圖；

圖8為本發(fā)明中步驟S1的一種具體流程圖；

圖9為本發(fā)明中步驟S1的又一種具體流程圖。

具體實施方式

為使本領域的技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結合附圖對本發(fā)明提供的陣列基板及其制備方法、顯示面板進行詳細描述。

實施例一

圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種陣列基板的結構示意圖，如圖1所示，該陣列基板包括：襯底基板8和設置于襯底基板8上的若干條驅動信號線1、若干條信號檢測線3和若干個溫度感測模塊2，其中，溫度感測模塊2與對應的驅動信號線1和信號檢測線3連接，驅動信號線1用于向溫度感測模塊2輸出驅動信號，以驅動溫度感測模塊2進行工作，溫度感測模塊2用于感測溫度，并輸出相應的電流信號，信號檢測線3用于讀取溫度感測模塊2輸出的電流信號。

需要說明的是，附圖中驅動信號線1沿水平方向延伸、信號檢測線3沿豎直方向延伸、每條驅動信號線1對應一行溫度感測模塊2、每條信號檢測線3對應一列溫度感測模塊2的情況，僅起到示例性作用，其不會對本發(fā)明的技術方案產生限制。

本發(fā)明的技術方案通過將用于進行溫度感測的驅動信號線1、信號檢測線3和溫度感測模塊2集成在陣列基板中，從而可有效解決現有技術中將溫度檢測芯片置于對盒基板的外側導致顯示面板整體厚度增加的技術問題。此外，本發(fā)明中的溫度感測模塊2不僅可以位于陣列基板的邊緣區(qū)域，還可以位于陣列基板的中間區(qū)域，從而實現對陣列基板上各區(qū)域的溫度感測。

可選地，溫度感測模塊2包括：感測薄膜晶體管T1，感測薄膜晶體管T1的第一柵極9a與對應的驅動信號線1連接，感測薄膜晶體管T1的第一漏極13a與對應的信號檢測線3連接，感測薄膜晶體管T1的第一源極12a與固定電源端連接，其中固定電源端輸入有固定的電壓。

在本實施例中，當驅動信號線1中輸入有驅動信號，感測薄膜晶體管T1開啟，感測薄膜晶體管T1的第一漏極13a輸出有感應電流(電流信號)，且該感應電流的大小受到感測薄膜晶體管T1中溝道電阻的影響。其中，當溝道感測到的溫度降低時，該溝道電阻的阻值增大，感測薄膜晶體管T1輸出的感應電流減小；當溝道感測到的溫度升高時，該溝道電阻的阻值減小，感測薄膜晶體管T1輸出的感應電流增大。

在本發(fā)明中，可以預先通過實驗來生成相應的感應電流與溫度的對應關系表，在實際檢測過程中，通過采集信號檢測線3中的電流信號，并進行查表，從而可確定其對應的感測溫度的大小。

作為本實施例中的一種可選方案，可在陣列基板上的邊緣區(qū)域設置信號處理單元7，信號處理單元7與信號檢測線3連接，用于接收信號檢測線3中的電流信號，并對電流信號進行處理，以得到電流信號對應的溫度值。

與現有技術中利用溫度檢測芯片的技術方案相比，本發(fā)明中采用感測薄膜晶體管T1來進行溫度感測，其所需要的驅動電壓較低，因此功耗也相應較低。此外，由于感測薄膜晶體管T1的制備成本遠小于溫度檢測芯片的制備成本，因此本發(fā)明的技術方案可有效降低生產成本。

本領域技術人員知曉的是，為實現顯示面板的顯示功能，陣列基板上一般會設置有若干條柵線4和若干條數據線6，其中，柵線4和數據線6限定出若干個像素單元5，像素單元5內設置有顯示薄膜晶體管T2。

圖2為圖1中設置有感測薄膜晶體管的像素單元的截面示意圖，如圖2所示，在本實施例中，用于進行溫度感測的驅動信號線1、信號檢測線3、溫度感測模塊2，與用于進行像素顯示的柵線4、數據和顯示薄膜晶體管T2位于襯底基板8的同一側，此時，可最大程度的避免陣列基板的厚度增加。

優(yōu)選地，驅動信號線1與柵線4同層設置，信號檢測線3與數據線6同層設置。相應地，驅動信號線1與柵線4可通過一次構圖工藝得以制備，信號檢測線3與數據線6可通過一次構圖工藝得以制備，即可采用現有的陣列基板制備工藝流程來完成驅動信號線1、信號檢測線3和感測薄膜晶體管T1的制備。

在實際應用中，可根據實際需要在至少部分像素單元5內設置溫度感測模塊2，以對相應區(qū)域進行溫度感測。需要說明的是，附圖中各像素單元5內均設置有溫度感測模塊2的情況僅起到示例性作用。

需要說明的是，在本實施例中，由于進行溫度感測的感測系統(tǒng)作為一個獨立結構而存在，因此該陣列基板可在任意時刻進行溫度感測。

實施例二

圖3為本發(fā)明實施例二提供的一種陣列基板的結構示意圖，圖4為圖3中設置有感測薄膜晶體管和溫敏電阻的像素單元的截面示意圖，如圖3和圖4所示，與上述實施例一不同的是，本實施例中溫度感測模塊2不僅包括感測薄膜晶體管T1，還包括一個與感測薄膜晶體管T1串聯的溫敏電阻St。

具體地，感測薄膜晶體管T1的第一柵極9a與對應的驅動信號線1連接，感測薄膜晶體管T1的第一源極12a與溫敏電阻St的第一端連接，感測薄膜晶體管T1的第一漏極13a與對應的信號檢測線3連接，溫敏電阻St的第二端與固定電源端連接，即溫敏電阻St位于感測薄膜晶體管T1與固定電源端之間(參見圖3和圖4)。

或者，感測薄膜晶體管T1的第一柵極9a與對應的驅動信號線1連接，感測薄膜晶體管T1的第一漏極13a與溫敏電阻St的第二端連接，感測薄膜晶體管T1的第一源極12a與固定電源端連接，溫敏電阻St的第一端與對應的信號檢測線3連接，即溫敏電阻St位于感測薄膜晶體管T1與信號檢測線3之間(此種情況未給出相應附圖)。

在實際應用中發(fā)現，當用于驅動感測薄膜晶體管T1的驅動信號所對應的電壓指較大(大于6V)時，則驅動感測薄膜晶體管T1所輸出的電流信號隨溫度變化而發(fā)生微弱變化，甚至不變化，此時感測薄膜晶體管T1難以進行溫度感測。

為解決上述技術問題，本發(fā)明在該感測薄膜晶體管T1的一端串聯一個溫敏電阻St，以供在驅動信號為高電壓信號時，替代感測薄膜晶體管T1來感測溫度。其中，當溫敏電阻St感測到的溫度降低時，該溫敏電阻St的阻值增大，溫度感測模塊2輸出的感應電流減??；當溝道感測到的溫度升高時，該溫敏電阻St的阻值減小，溫度感測模塊2輸出的感應電流增大。

具體地，當驅動信號線1中的驅動電壓為低電壓(小于6V)驅動信號時，溫度感測模塊2中的所輸出的電流信號的大小主要取決于感測薄膜晶體管T1的溝道電阻；當驅動信號線1中的驅動電壓為高電壓(大于或等于6V)驅動信號時，溫度感測模塊2中的所輸出的電流信號的大小主要取決于溫敏電阻St。

可選地，感測薄膜晶體管T1包括：第一柵極9a、第一有源層、第一源極12a和第一漏極13a，溫敏電阻St與第一有源層同層設置。

由上述內容可見，在本實施例中，溫度感測模塊2無論是低電壓驅動，還是高電壓驅動，其均可進行溫度感測。

實施例三

圖5為本發(fā)明實施例三提供的一種陣列基板的結構示意圖，如圖5所示，與上述實施例一和實施例二中的陣列基板不同是，本實施例中的驅動信號線1與柵線4為同一條信號走線。

與上述實施例一和實施例二的技術方案相比，本實施例提供的技術方案可有效減小陣列基板上信號走線的數量，從而有利于提高開口率。

在本實施例中，當柵極驅動單元逐行對柵線4(驅動信號線1)加載驅動信號時，對應行的顯示薄膜晶體管T2和溫度感測模塊2(感測薄膜晶體管T1)同時被驅動，數據線6中的數據信號通過顯示薄膜晶體管T2寫入至相應的像素電極，以供進行像素顯示；與此同時，溫度感測模塊2(感測薄膜晶體管T1、溫敏電阻St)根據感測到的溫度輸出相應的電流信號，并通過對應的信號檢測線3傳輸至信號處理單元7，以供信號處理單元7進行處理。

由上述內容可見，本實施例提供的陣列基板的像素顯示階段與溫度感測階段，兩者同步進行。

實施例四

圖6為本發(fā)明實施例四提供的一種陣列基板的結構示意圖，如圖6所示，與上述實施例一中的陣列基板不同是，本實施例中的信號檢測線3與數據線6為同一條信號走線。

與上述實施例一和實施例二的技術方案相比，本實施例提供的技術方案可有效減小陣列基板上信號走線的數量，從而有利于提高開口率。

在本實施例中，數據線6將會被分時復用。具體地，當處于像素顯示階段時，陣列基板上的柵線4中加載有驅動信號(驅動信號線1中無驅動信號)，數據線6中的數據信號通過顯示薄膜晶體管T2寫入至相應的像素電極；當處于溫度感測階段時，陣列基板上的驅動信號線1中加載有驅動信號(柵線4中無驅動信號)，溫度感測模塊2(感測薄膜晶體管T1、溫敏電阻St)根據感測到的溫度輸出相應的電流信號，并通過對應的數據線6(信號檢測線3)傳輸至信號處理單元7，以供信號處理單元7進行處理。

由上述內容可見，本實施例提供的陣列基板的像素顯示階段與溫度感測階段，兩者可交替進行。

實施例五

本發(fā)明實施例五提供了一種顯示面板，包括陣列基板和對盒基板，其中，該陣列基板采用上述實施例一～實施例四中任一提供的陣列基板，具體描述可見參見上述實施例一～實施例四中的內容，此處不再贅述。

本實施例提供的顯示面板不僅能進行像素顯示，還能進行溫度感測。

在本實施例中，可選地，該顯示面板還包括：觸控模塊，觸控模塊用于在顯示面板的表面存在觸控操作時，識別觸控操作對應的位置。需要說明的是，本實施例中的觸控模塊可采用現有技術中中常用的用于實現觸控功能的結構，該觸控模塊可采用外掛方式、In-Cell方式或On-Cell方式與顯示面板進行結合，以構成具備觸控功能的顯示面板。

在實際應用中，當利用該顯示面板感測環(huán)境溫度時，顯示面板中的各溫度感測模塊測得的溫度差異不大，此時將感測出的溫度取平均值即可；當需要感測與顯示面板接觸的觸控物的溫度時，位于觸控區(qū)域的溫度感測模塊測得的溫度與位于非觸控區(qū)域的溫度感測模塊測得的溫度差異較大，只需要計算位于觸控區(qū)域的溫度感測模塊測得的溫度的平均溫度即可；此外，也可先利用觸控模塊檢測觸控位置，再開啟相應位置的溫度感測模塊，以進行相應檢測。

實施例六

圖7為本發(fā)明實施例六提供的一種陣列基板的制備方法的流程圖，如圖7所示，該陣列基板的制備方法用于制備上述實施例一～實施例四中的陣列基板，具體地，陣列基板包括：襯底基板、若干條驅動信號線、若干條信號檢測線和若干個溫度感測模塊，驅動信號線用于向溫度感測模塊輸出驅動信號，以驅動溫度感測模塊進行工作，溫度感測模塊用于感測溫度，并輸出相應的電流信號，信號檢測線用于讀取溫度感測模塊輸出的電流信號。

該制備方法包括：

步驟S1、在襯底基板上形成驅動信號線、信號檢測線和溫度感測模塊，其中，溫度感測模塊與對應的驅動信號線和信號檢測線連接。

圖8為本發(fā)明中步驟S1的一種具體流程圖，如圖8所示，可選地，陣列基板還包括：若干條柵線和若干條數據線，柵線和數據線限定出若干個像素單元，像素單元內設置有顯示薄膜晶體管，溫度感測模塊包括：感測薄膜晶體管，步驟S1具體包括：

步驟S101、在襯底基板上形成第一柵極、第二柵極、柵線和驅動信號線。

繼續(xù)參見圖1和圖2，在步驟S101中，可通過一次構圖工藝以同時形成第一柵極9a、第二柵極9b、柵線4和驅動信號線1，其中，第一柵極9a與驅動信號線1連接，第二柵極9b與柵線4連接。

需要說明的是，本發(fā)明中的構圖工藝具體是指包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。

步驟S102、在第一柵極、第二柵極、柵線和驅動信號線的上方形成柵絕緣層。

在步驟S102中，可通過在步驟S101所得到的基板上沉積一層柵絕緣材料，以形成柵絕緣層10。

步驟S103、在柵絕緣層的上方形成第一有源層和第二有源層。。

在步驟103中，可通過一次構圖工藝以同時形成第一有源層11a和第二有源層11b，其中，第一有源層11a與第一柵極9a對應設置，第二有源層11b與第二柵極9b對應設置。

步驟S104、在第一有源層的上方形成第一源極和第一漏極，以及在第二有源層的上方形成第二源極和第二漏極，以及在柵絕緣層的上方形成數據線和信號檢測線。

在步驟104中，可通過一次構圖工藝以同時形成第一源極12a、第一漏極13a、第二源極12b、第二漏極13b、數據線6和信號檢測線3，其中，信號檢測線3與第一漏極13a連接，第一源極12a與固定電源端連接，數據線6與第二源極12b連接，第一柵極9a、第一有源層11a、第一源極12a和第一漏極13a構成感測薄膜晶體管T1，第二柵極9b、第二有源層11b、第二源極12b和第二漏極13b構成顯示薄膜晶體管T2。

圖9為本發(fā)明中步驟S1的又一種具體流程圖，如圖9所示，可選地，溫度感測模塊2不僅包括感測薄膜晶體管T1，還包括：溫敏電阻St，此時步驟S1不僅包括上述步驟S101～步驟S104，且在步驟S103和步驟S104之間還包括：

步驟S103a、在柵絕緣層的上方形成溫敏電阻。

繼續(xù)參見圖3和圖4所示，需要說明的是，本實施例中步驟S103a也可位于步驟102和步驟103之間執(zhí)行；此外，當溫敏電阻St的材料與第一有源層11a和第二有源層11b的材料相同時，也可通過一次構圖工藝同時制備出第一有源層11a、第二有源層11b和溫敏電阻St。

此外，在步驟S104中制備第一源極12a、第一漏極13a、第二源極12b、第二漏極13b、數據線6和信號檢測線3時，第一源極12a與溫敏電阻St的第一端連接，第一漏極13a與信號檢測線3連接，溫敏電阻St的第二端與固定電源端連接(溫敏電阻St位于感測薄膜晶體管T1和固定電源端之間)，或者，第一漏極13a與溫敏電阻St的第二端連接，第一源極12a與固定電源端連接，溫敏電阻St的第一端與信號檢測線3連接(溫敏電阻St位于感測薄膜晶體管T1和信號檢測線3之間)；數據線6與第二源極12b連接，第一柵極9a、第一有源層11a、第一源極12a和第一漏極13a構成感測薄膜晶體管T1，第二柵極9b、第二有源層11b、第二源極12b和第二漏極13b構成顯示薄膜晶體管T2。

本實施例中，為減小陣列基板上的信號走線，可將柵線4復用為驅動信號線1，即驅動信號線1與柵線4為同一條信號走線，此時無需單獨制備驅動信號線1，具體情況可參見上述實施例三的內容。或者，將數據線6復用為信號檢測線3，即信號檢測線3與數據線6為同一條信號走線，此時無需單獨制備信號檢測線3，具體情況可參見上述實施例四的內容。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。