技術特征：
技術總結
一種包括導電棧結構的裝置，包括在Mx層上并且在第一跡線上的在第一方向上延伸的Mx層互連、在My層上的My層互連(其中My層是比Mx層低的層)、耦合在Mx層互連與My層互連之間的第一通孔棧、耦合在Mx層互連與My層互連之間的第二通孔棧、在緊鄰第一跡線的一跡線上的在第一方向上延伸的第二Mx層互連、以及在緊鄰第一跡線的一跡線上的在第一方向上延伸的第三Mx層互連。該Mx層互連在第二Mx層互連與第三Mx層互連之間。第二Mx層互連和第三Mx層互連彼此解耦。
技術研發(fā)人員：X·孟;J·H·鄭;Y·C·潘
受保護的技術使用者：高通股份有限公司
技術研發(fā)日：2015.10.05
技術公布日：2017.09.08