本發(fā)明涉及：在半導(dǎo)體元件的制造工序中至少抑制低介電常數(shù)層間絕緣膜、選自包含鈦的材料和包含鎢的材料中的1種以上材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣和光致抗蝕劑的清洗液；和，使用其的清洗方法。

背景技術(shù)：

經(jīng)過高集成化的半導(dǎo)體元件的制造通常如下：在硅晶圓等元件上形成作為導(dǎo)電用布線原材料的金屬膜等導(dǎo)電薄膜、用于進行導(dǎo)電薄膜間的絕緣的層間絕緣膜，然后在其表面上均勻地涂布光致抗蝕劑而設(shè)置光敏層，對其實施選擇性的曝光、顯影處理，制作期望的光致抗蝕圖案。接著，以該光致抗蝕圖案作為掩模，對層間絕緣膜實施干蝕刻處理，從而在該薄膜上形成期望的圖案。而且，一般采用的是，將光致抗蝕圖案和通過干蝕刻處理而產(chǎn)生的殘渣物(以下，稱為“干蝕刻殘渣”)等利用基于氧等離子體的灰化、清洗液等完全去除之類的一系列的工序。

近年來，設(shè)計規(guī)則的微細(xì)化推進，信號傳導(dǎo)延遲逐漸支配高速度演算處理的限度。因此，導(dǎo)電用布線原材料從鋁向電阻更低的銅轉(zhuǎn)移，層間絕緣膜從硅氧化膜向低介電常數(shù)膜(相對介電常數(shù)小于3的膜。以下，稱為“l(fā)ow-k膜”)的轉(zhuǎn)移正在推進。對于0.2μm以下的圖案，膜厚1μm的光致抗蝕劑中的圖案的長徑比(將光致抗蝕劑膜厚除以光致抗蝕劑線寬而得到的比)變得過大，而產(chǎn)生圖案崩潰等問題。為了解決該問題，有時使用如下硬掩模法：向?qū)嶋H想要形成的圖案膜與光致抗蝕劑膜之間插入鈦系、硅系的膜(以下，稱為“硬掩?！?，利用干蝕刻將光致抗蝕圖案暫時轉(zhuǎn)印至硬掩模，之后，以該硬掩模作為蝕刻掩模，利用干蝕刻將圖案轉(zhuǎn)印至實際想要形成的膜。該方法有如下優(yōu)點：可以更換將硬掩模進行蝕刻時的氣體和將實際想要形成的膜進行蝕刻時的氣體，將硬掩模進行蝕刻時，可以選擇采用與光致抗蝕劑的選擇比的氣體，將實際的膜進行蝕刻時，可以選擇采用與硬掩模的選擇比的氣體，因此，可以利用薄的光致抗蝕劑形成圖案。另外，進行與基板的連接的接觸插頭使用包含鎢的材料。

伴隨著設(shè)計規(guī)則的微細(xì)化，晶體管的柵極絕緣膜的薄膜化接近極限，柵極絕緣膜開始使用高介電常數(shù)膜。該高介電常數(shù)膜的柵極材料中，利用以往使用的多晶硅難以控制閾值電壓，因此有時使用包含鈦、鎢的材料。另外，鋁布線中，連接不同層的布線的接觸插頭使用包含鎢的材料。

如此，去除干蝕刻殘渣、光致抗蝕劑的工序中，硬掩模、low-k膜、包含鎢的材料、銅、銅合金露出，因此，用氧等離子體去除干蝕刻殘渣、光致抗蝕劑的情況下，硬掩模、low-k膜、包含鎢的材料、銅、銅合金暴露于氧等離子體等而受到損傷，產(chǎn)生電特性的明顯劣化、之后的制造工序中產(chǎn)生不良情況。因此，要求抑制這些材料的損傷、且與氧等離子體工序同等程度地去除干蝕刻殘渣、光致抗蝕劑。

利用清洗液的處理中，已知通過使用強堿系的清洗液、包含氧化劑的清洗液，從而可以去除干蝕刻殘渣、光致抗蝕劑。強堿系的化學(xué)溶液也有時能夠去除殘渣，但與包含氧化劑的清洗液相比時，干蝕刻殘渣、光致抗蝕劑的去除性差。另一方面，包含氧化劑的清洗液在干蝕刻殘渣、光致抗蝕劑的去除性方面優(yōu)異，但與包含鈦、鎢的材料發(fā)生液體接觸時，會對包含鈦、鎢的材料激烈地造成損傷。因此，期望能夠有效地去除干蝕刻殘渣、光致抗蝕劑、且對包含鈦的材料或包含鎢的材料不造成損傷的包含氧化劑的清洗液。進而，期望在包含鈦、鎢的材料的基礎(chǔ)上、對銅、銅合金不造成損傷的包含氧化劑的清洗液。

專利文獻(xiàn)1中提出了，利用包含氧化劑、季銨氫氧化物、烷醇胺、堿金屬氫氧化物和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠抑制low-k膜的損傷、且去除殘渣，但是無法抑制包含鈦的材料的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鈦的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例19、20)。

專利文獻(xiàn)2中提出了，利用包含氧化劑、金屬蝕刻劑和表面活性劑、且ph值為10～14的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠抑制low-k膜的損傷、且去除殘渣，但是無法抑制包含鈦的材料的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鈦的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例21、22)。

專利文獻(xiàn)3中提出了，利用包含清洗劑、堿性有機化合物、酸性有機化合物、咪唑類和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠抑制包含鈦的材料的損傷，但是無法去除殘渣也無法抑制low-k膜的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鈦的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例23)。

專利文獻(xiàn)4中提出了，利用包含清洗劑、堿性有機化合物、酸性有機化合物、含氮非芳香族環(huán)狀化合物和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠抑制包含鈦的材料的損傷，但是無法去除殘渣也無法抑制low-k膜的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鈦的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例24)。

專利文獻(xiàn)5中提出了，利用包含羥胺系化合物、胺、水溶性有機溶劑、金屬防腐劑和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠抑制包含鈦的材料的損傷，但是無法去除殘渣也無法抑制low-k膜的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鈦的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例25)。

專利文獻(xiàn)6中提出了，利用包含磷酸、鹽酸、胺、丙氨酸型表面活性劑和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠抑制包含鎢的材料的損傷，但是無法去除殘渣也無法抑制low-k膜的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例26)。

專利文獻(xiàn)7中提出了，利用包含過氧化氫、三唑類和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠去除殘渣、且抑制low-k膜的損傷，但是無法抑制包含鎢的材料的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例27、28)。

專利文獻(xiàn)8中提出了，利用包含過氧化氫、季銨氫氧化物、季銨鹽和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠去除殘渣、且抑制low-k膜的損傷，但是無法抑制包含鎢的材料的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例29、30)。

專利文獻(xiàn)9中提出了，包含無機堿、季銨氫氧化物、有機溶劑、唑和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠抑制包含鎢的材料的損傷，但是無法去除殘渣也無法抑制low-k膜的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例31)。

專利文獻(xiàn)10中提出了，利用包含過氧化氫、氫氟酸、有機溶劑、唑和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠去除殘渣，但是無法抑制包含鎢的材料的損傷和low-k膜的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例32、33)。

專利文獻(xiàn)11中提出了，利用包含氫氟酸、有機溶劑、唑和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠抑制包含鎢的材料的損傷，但是無法去除殘渣也無法抑制low-k膜的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例34)。

專利文獻(xiàn)12中提出了，利用包含氫氟酸、含硅化合物、表面活性劑、羧酸、防腐劑和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠抑制包含鎢的材料的損傷，但是無法去除殘渣也無法抑制low-k膜的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例35)。

專利文獻(xiàn)13中提出了，利用包含糖類、羥胺類、季銨化合物、有機酸和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠抑制low-k膜的損傷，但是無法去除殘渣也無法抑制包含鎢的材料的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例36)。

專利文獻(xiàn)14和專利文獻(xiàn)15中提出了，利用包含酸或其鹽、包含氮原子的螯合劑、有機溶劑和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠抑制包含鎢的材料的損傷，但是無法去除殘渣也無法抑制low-k膜的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例37)。

專利文獻(xiàn)16中提出了，利用包含n,n-二乙基羥胺、羥胺、水溶性有機溶劑、金屬防腐劑和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠抑制包含鎢的材料的損傷，但是無法去除殘渣也無法抑制銅、銅合金、low-k膜、包含鈦的材料的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鈦的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗、和抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗、以及抑制包含鈦的材料、包含鎢的材料、銅、銅合金和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例39)。

專利文獻(xiàn)17中提出了，利用包含烷醇胺、n,n-二乙基羥胺、二乙二醇單烷基醚、糖類和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠抑制包含鎢的材料、銅、銅合金、包含鈦的材料的損傷，但是無法去除殘渣也無法抑制low-k膜的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鈦的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗、和抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗、以及抑制包含鈦的材料、包含鎢的材料、銅、銅合金和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例40)。

專利文獻(xiàn)18中提出了，利用包含氫氧化鉀、季銨氫氧化物、有機溶劑、吡唑和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠抑制包含鎢的材料、銅、銅合金、包含鈦的材料的損傷，但是無法去除殘渣也無法抑制low-k膜的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鈦的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗、和抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗、以及抑制包含鈦的材料、包含鎢的材料、銅、銅合金和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例41)。

專利文獻(xiàn)19中提出了，利用包含氟化合物、金屬防腐劑、鈍化劑和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠抑制包含鎢的材料、銅、銅合金、包含鈦的材料的損傷，但是無法去除殘渣也無法抑制low-k膜的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鈦的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗、和抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗、以及抑制包含鈦的材料、包含鎢的材料、銅、銅合金和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例42)。

專利文獻(xiàn)20中提出了，利用包含氟化銨、葡萄糖酸和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠抑制包含鎢的材料、銅、銅合金、包含鈦的材料的損傷，但是無法去除殘渣也無法抑制low-k膜的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鈦的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗、和抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗、以及抑制包含鈦的材料、包含鎢的材料、銅、銅合金和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例43)。

專利文獻(xiàn)21中提出了，利用包含胺化合物、羥胺的鹽、季銨化合物、有機酸、水溶性有機溶劑和水的清洗液進行的布線形成方法。然而，利用該清洗液雖然能夠抑制包含鎢的材料、包含鈦的材料的損傷，但是無法去除殘渣也無法抑制銅、銅合金和low-k膜的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鈦的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗、和抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗、以及抑制包含鈦的材料、包含鎢的材料、銅、銅合金和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例44)。

專利文獻(xiàn)22中提出了，利用包含堿、wzmxy(式中，m為選自由si、ge、sn、pt、p、b、au、ir、os、cr、ti、zr、rh、ru和sb組成的組中的金屬；x為選自由f、cl、br和i組成的組中的鹵化物；w選自h、堿金屬或堿土金屬和不含金屬離子的氫氧化物的堿部分；y根據(jù)鹵化金屬而為4至6的數(shù)；而且，z為1、2或3的數(shù))的清洗液進行的布線形成方法。利用專利文獻(xiàn)22記載的清洗液無法去除干蝕刻殘渣，無法抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例46)。另外，對于配混專利文獻(xiàn)22的實施例中記載的wzmxy代替本發(fā)明的清洗液中為了抑制包含鈦、鎢的材料的損傷而配混的堿土金屬化合物的清洗液，無法抑制包含鈦的材料和包含鎢的材料的損傷，對low-k膜造成損傷(參照比較例47)。

專利文獻(xiàn)23中提出了，使用包含碳酸鹽和酸性化合物、且ph值低于7.5的清洗液的半導(dǎo)體基板的清洗方法。作為該清洗液中所含的碳酸鹽的具體例，可以舉出包含堿土金屬的碳酸鹽，該清洗液抑制氮化鈦的腐蝕。然而，利用專利文獻(xiàn)23記載的清洗液無法去除干蝕刻殘渣，無法抑制包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅的損傷。因此，該清洗液無法用于抑制包含鈦的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗、和抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗、以及抑制包含鈦的材料、包含鎢的材料、銅、銅合金和low-k膜的損傷、去除干蝕刻殘渣的本申請目的的半導(dǎo)體元件的清洗(參照比較例48)。另外，對于配混專利文獻(xiàn)23的實施例中記載的碳酸鹽代替本發(fā)明的清洗液中為了抑制包含鈦、鎢的材料的損傷而配混的堿土金屬化合物的清洗液，無法抑制包含鈦的材料和包含鎢的材料的損傷(參照比較例49)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2009-75285號公報

專利文獻(xiàn)2：日本特開2009-231354號公報

專利文獻(xiàn)3：日本特開2012-046685號公報

專利文獻(xiàn)4：日本特開2012-060050號公報

專利文獻(xiàn)5：日本特開平9-96911號公報

專利文獻(xiàn)6：日本特開2003-316028號公報

專利文獻(xiàn)7：日本特開2001-026890號公報

專利文獻(xiàn)8：日本特開2008-285508號公報

專利文獻(xiàn)9：日本特開2011-118101號公報

專利文獻(xiàn)10：日本特開2009-21516號公報

專利文獻(xiàn)11：日本特開2009-209431號公報

專利文獻(xiàn)12：日本特開2009-527131號公報

專利文獻(xiàn)13：日本特開2012-009513號公報

專利文獻(xiàn)14：日本特開2003-257922號公報

專利文獻(xiàn)15：日本特開2003-223010號公報

專利文獻(xiàn)16：日本特開平8-334905號公報

專利文獻(xiàn)17：日本特開平9-152721號公報

專利文獻(xiàn)18：國際公開第2013/187313號

專利文獻(xiàn)19：日本特表2013-533631號公報

專利文獻(xiàn)20：日本特開2007-298930號公報

專利文獻(xiàn)21：日本特開2011-243610號公報

專利文獻(xiàn)22：日本特表2007-510307號公報

專利文獻(xiàn)23：日本特開2011-228365號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問題

本發(fā)明的目的在于，提供：在半導(dǎo)體元件的制造工序中至少抑制low-k膜和包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣和光致抗蝕劑的清洗液；和，使用其的清洗方法。

另外，本發(fā)明的其他目的在于，提供：在半導(dǎo)體元件的制造工序中至少抑制low-k膜和包含鎢的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣和光致抗蝕劑的清洗液；和，使用其的清洗方法。

進而，本發(fā)明的其他目的在于，提供：在半導(dǎo)體元件的制造工序中至少抑制low-k膜、包含鈦的材料和包含鎢的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣和光致抗蝕劑的清洗液；和，使用其的清洗方法。

用于解決問題的方案

根據(jù)本發(fā)明，能夠解決上述課題。即，本發(fā)明如以下所述。

<1>一種去除半導(dǎo)體元件表面的干蝕刻殘渣和光致抗蝕劑的清洗液，所述半導(dǎo)體元件具有：低介電常數(shù)膜(low-k膜)、以及選自包含10原子％以上的鈦的材料和包含10原子％以上的鎢的材料中的1種以上，所述清洗液包含選自由過氧化物、高氯酸和高氯酸鹽組成的組中的1種以上的氧化劑0.002～50質(zhì)量％、堿土金屬化合物0.000001～5質(zhì)量％和水。

<2>根據(jù)上述<1>所述的清洗液，其中，前述清洗液的ph值為3～14。

<3>根據(jù)上述<1>或<2>所述的清洗液，其中，前述過氧化物為選自由過氧化氫、過氧化脲、間氯過氧苯甲酸、叔丁基氫過氧化物、過氧乙酸、二叔丁基過氧化物、過氧化苯甲酰、過氧化丙酮、過氧化甲乙酮、六亞甲基三過氧化物和氫過氧化枯烯組成的組中的至少1種以上。

<4>根據(jù)上述<1>或<2>所述的清洗液，其中，前述高氯酸鹽為選自由高氯酸銨、高氯酸鉀、高氯酸鈣、高氯酸鎂、高氯酸銀、高氯酸鈉、高氯酸鋇、高氯酸鋰、高氯酸鋅、高氯酸乙酰膽堿、高氯酸鉛、高氯酸銣、高氯酸銫、高氯酸鎘、高氯酸鐵、高氯酸鋁、高氯酸鍶、四丁基高氯酸銨、高氯酸鑭、高氯酸銦和四正己基高氯酸銨組成的組中的至少1種以上。

<5>根據(jù)上述<1>所述的清洗液，其中，前述氧化劑為過氧化氫，前述清洗液的ph為3～14。

<6>根據(jù)上述<1>至<5>中任一項所述的清洗液，其中，前述清洗液的ph值為7～14。

<7>根據(jù)上述<1>至<6>中任一項所述的清洗液，其中，前述包含10原子％以上的鈦的材料包含選自由氧化鈦、氮化鈦、鈦和硅化鈦組成的組中的至少1種以上。

<8>根據(jù)上述<1>至<6>中任一項所述的清洗液，其中，前述包含10原子％以上的鎢的材料包含選自由氧化鎢、氮化鎢、鎢和硅化鎢組成的組中的至少1種以上。

<9>根據(jù)上述<1>至<8>中任一項所述的清洗液，其中，前述堿土金屬化合物為選自由鈣化合物、鍶化合物和鋇化合物組成的組中的至少1種以上。

<10>一種去除半導(dǎo)體元件表面的干蝕刻殘渣和光致抗蝕劑的清洗方法，所述半導(dǎo)體元件具有：低介電常數(shù)膜(low-k膜)、以及選自包含10原子％以上的鈦的材料和包含10原子％以上的鎢的材料中的1種以上，其特征在于，使用上述<1>至<9>中任一項所述的清洗液。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明的清洗液和使用其的清洗方法，在半導(dǎo)體元件的制造工序中能夠至少抑制low-k膜、以及選自包含鈦的材料和包含鎢的材料中的1種以上材料的損傷、選擇性地去除被處理物表面的干蝕刻殘渣和光致抗蝕劑，能夠成品率良好地制造高精度、高品質(zhì)的半導(dǎo)體元件。

附圖說明

圖1為示出含有干蝕刻殘渣去除前的半導(dǎo)體元件的包含鈦的材料和low-k膜的結(jié)構(gòu)的一例的概要截面圖。

圖2為示出含有干蝕刻殘渣去除前的半導(dǎo)體元件的包含鎢的材料和low-k膜的結(jié)構(gòu)的一例的概要截面圖。

圖3為示出含有干蝕刻殘渣去除前的半導(dǎo)體元件的包含鈦的材料和包含鎢的材料的結(jié)構(gòu)的一例的概要截面圖。

圖4為示出含有干蝕刻殘渣去除前的半導(dǎo)體元件的包含鈦的材料、和銅、銅合金布線的結(jié)構(gòu)的一例的概要截面圖。

圖5為示出含有干蝕刻殘渣、光致抗蝕劑去除前的半導(dǎo)體元件的包含鈦的材料和low-k膜的結(jié)構(gòu)的一例的概要截面圖。

圖6為示出含有干蝕刻殘渣、光致抗蝕劑去除前的半導(dǎo)體元件的包含鎢的材料和low-k膜的結(jié)構(gòu)的一例的概要截面圖。

圖7為示出含有干蝕刻殘渣、光致抗蝕劑去除前的半導(dǎo)體元件的包含鈦的材料和包含鎢的材料的結(jié)構(gòu)的一例的概要截面圖。

圖8為示出含有干蝕刻殘渣、光致抗蝕劑去除前的半導(dǎo)體元件的包含鈦的材料、和銅、銅合金布線的結(jié)構(gòu)的一例的概要截面圖。

具體實施方式

本發(fā)明的清洗液在制造半導(dǎo)體元件的清洗工序中使用，此時以能夠充分滿足的程度將干蝕刻殘渣和光致抗蝕劑清洗、去除，且至少能夠抑制low-k膜、以及選自包含鈦的材料和包含鎢的材料中的1種以上材料的損傷。本發(fā)明的清洗液能夠?qū)τ诰哂邪伒牟牧系陌雽?dǎo)體元件使用，也能夠?qū)τ诰哂邪u的材料的半導(dǎo)體元件使用，進而還能夠?qū)τ诰哂邪伒牟牧虾桶u的材料這兩者的半導(dǎo)體元件使用。具有鈦和鎢這兩者時，鈦和鎢無需包含于構(gòu)成一個半導(dǎo)體元件的同一層，只要在構(gòu)成一個半導(dǎo)體元件的各個層中分別包含即可。根據(jù)本發(fā)明，利用一個清洗液，對于包含鈦的層能夠?qū)︹伔栏g，對于包含鎢的其他層能夠?qū)︽u防腐蝕，因此，便利性極其良好。本發(fā)明的清洗液所應(yīng)用的半導(dǎo)體元件只要包含鈦和鎢中的至少一種即可，也可以包含除了鈦和鎢之外的金屬。

本發(fā)明的清洗液所應(yīng)用的半導(dǎo)體元件中所含的包含鈦的材料為包含10原子％以上的鈦的材料，其鈦的原子組成百分率優(yōu)選為15原子％以上、更優(yōu)選為20原子％以上、進一步優(yōu)選為25原子％以上、特別優(yōu)選為30原子％以上。

本發(fā)明中，鈦的含量利用x射線光電子能譜法(xps)的離子濺射法，測定作為對象的包含鈦的材料的鈦原子的構(gòu)成比，從而可以進行考察。有時因包含鈦的材料的表面附近被氧化，而使氧原子的構(gòu)成比高于材料的內(nèi)部。因此，利用離子濺射對包含鈦的材料的表面進行蝕刻直至鈦和氧的原子的構(gòu)成比達(dá)到一定，測定因離子濺射而露出的包含鈦的材料內(nèi)部的鈦原子的構(gòu)成比。作為測定裝置，可以使用全自動xps分析裝置k-alpha(thermofisherscientific株式會社制)。

包含鈦的材料的具體例為氧化鈦、氮化鈦、鈦和硅化鈦，優(yōu)選為氧化鈦、氮化鈦和鈦。然而，包含鈦的材料只要為包含10原子％以上的鈦的材料即可不限定于這些。

本發(fā)明的清洗液所應(yīng)用的半導(dǎo)體元件中所含的包含鎢的材料為包含10原子％以上的鎢的材料，其鎢的原子組成百分率優(yōu)選為15原子％以上、更優(yōu)選為20原子％以上、進一步優(yōu)選為25原子％以上、進一步更優(yōu)選為30原子％以上、特別優(yōu)選為35原子％以上、最優(yōu)選為40原子％以上。

本發(fā)明中，鎢的含量如前述那樣利用xps的離子濺射法，測定作為對象的包含鎢的材料的鎢原子的構(gòu)成比，從而可以進行考察。作為測定裝置，可以使用全自動xps分析裝置k-alpha(thermofisherscientific株式會社制)。

包含鎢的材料的具體例為氧化鎢、氮化鎢、鎢和硅化鎢，優(yōu)選為氧化鎢、氮化鎢和鎢。然而，包含鎢的材料只要為包含10原子％以上的鎢的材料即可，不限定于這些。

本發(fā)明的清洗液所應(yīng)用的半導(dǎo)體元件也可以包含銅或銅合金。銅、銅合金的具體例為銅、鋁銅、錳銅、鎳銅、鈦銅、金銅、銀銅、鎢銅、硅化銅、鈷銅和鋅銅，優(yōu)選為銅、鋁銅、錳銅、鎳銅和鈦銅。然而，不限定于這些。

本發(fā)明的清洗液中所含的堿土金屬化合物的濃度范圍為0.000001～5質(zhì)量％、優(yōu)選為0.000005～1質(zhì)量％、進一步優(yōu)選為0.00005～0.7質(zhì)量％、特別優(yōu)選為0.0005～0.5質(zhì)量％。為上述范圍內(nèi)時，可以有效地防止選自包含鈦的材料和包含鎢的材料中的1種以上材料腐蝕。堿土金屬化合物的濃度范圍超過5質(zhì)量％時，有時干蝕刻殘渣的去除性降低。

本發(fā)明人等首次發(fā)現(xiàn)：清洗液中所含的堿土金屬化合物對于選自包含鈦的材料和包含鎢的材料中的1種以上材料顯示出防腐蝕效果。其機制尚不清楚，但認(rèn)為，堿土金屬化合物吸附于鈦或鎢的表面，防止清洗液中所含的過氧化氫等氧化劑、堿對鈦或鎢進行腐蝕。

堿土金屬化合物的具體例為鈣化合物、鍶化合物和鋇化合物。更具體而言，可以舉出：硝酸鋇、氫氧化鋇、氯化鋇、乙酸鋇、氧化鋇、溴化鋇、碳酸鋇、氟化鋇、碘化鋇、硫酸鋇、磷酸鋇、硝酸鈣、氯化鈣、乙酸鈣、氧化鈣、溴化鈣、碳酸鈣、氟化鈣、碘化鈣、硫酸鈣、磷酸鈣、硝酸鍶、氯化鍶、乙酸鍶、氧化鍶、溴化鍶、碳酸鍶、氟化鍶、碘化鍶、硫酸鍶、磷酸鍶等，但不限定于這些。其中，更優(yōu)選硝酸鋇、氫氧化鋇、氯化鋇、硝酸鈣和氯化鍶，特別優(yōu)選硝酸鋇、氫氧化鋇、氯化鋇和硝酸鈣。這些堿土金屬化合物可以單獨配混或組合2種以上配混。

本發(fā)明的清洗液中所含的選自由過氧化物、高氯酸和高氯酸鹽組成的組中的1種以上的氧化劑的濃度范圍為0.002～50質(zhì)量％、優(yōu)選為0.01～30質(zhì)量％、進一步優(yōu)選為0.1～25質(zhì)量％、特別優(yōu)選為0.3～25質(zhì)量％。為上述范圍內(nèi)時，可以有效地去除干蝕刻殘渣。

本發(fā)明中使用的過氧化物為具有(-o-o-)的結(jié)構(gòu)的化合物(o為氧原子)。過氧化物的具體例為過氧化氫、過氧化脲、間氯過氧苯甲酸、叔丁基氫過氧化物、過氧乙酸、二叔丁基過氧化物、過氧化苯甲酰、過氧化丙酮、過氧化甲乙酮、六亞甲基三過氧化物、氫過氧化枯烯等，但不限定于這些。其中，更優(yōu)選過氧化氫、間氯過氧苯甲酸和叔丁基氫過氧化物。另外，它們可以單獨配混或組合2種以上配混。

無機過氧化物與水發(fā)生反應(yīng)而在清洗液中產(chǎn)生過氧化氫，因此實質(zhì)上與過氧化氫同等。因此，為了在清洗液中產(chǎn)生過氧化氫，也可以添加無機過氧化物。無機過氧化物的具體例為過氧化鋰、過氧化鉀、過氧化鈉、過氧化銣、過氧化銫、過氧化鈹、過氧化鎂、過氧化鈣、過氧化鍶、過氧化鋇、過氧化鋅、過氧化鎘、過氧化銅，但不限定于這些。

本發(fā)明中使用的高氯酸或高氯酸鹽的具體例為高氯酸、高氯酸銨、高氯酸鉀、高氯酸鈣、高氯酸鎂、高氯酸銀、高氯酸鈉、高氯酸鋇、高氯酸鋰、高氯酸鋅、高氯酸乙酰膽堿、高氯酸鉛、高氯酸銣、高氯酸銫、高氯酸鎘、高氯酸鐵、高氯酸鋁、高氯酸鍶、四丁基高氯酸銨、高氯酸鑭、高氯酸銦、和四正己基高氯酸銨，但不限定于這些。其中，更優(yōu)選高氯酸銨。它們可以單獨配混或組合2種以上配混。

本發(fā)明中使用的水優(yōu)選利用蒸餾、離子交換處理、過濾器處理、各種吸附處理等去除了金屬離子、有機雜質(zhì)、微粒顆粒等而得到的水，特別優(yōu)選純水、超純水。水的濃度為減去各種藥劑的余量。

對于本發(fā)明的清洗液，為了抑制low-k膜和包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣，ph值可以在0～14的任意的范圍內(nèi)使用。優(yōu)選的ph值為0.2～14，更優(yōu)選為0.6～13.1、進一步優(yōu)選為1.5～12.8、特別優(yōu)選為2～12.5。為該范圍的ph值時，可以抑制low-k膜和包含鈦的材料的損傷，選擇性地去除被處理物表面的干蝕刻殘渣。

另外，為了抑制low-k膜和包含鎢的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣，ph值可以在0～14的任意的范圍內(nèi)使用。優(yōu)選的ph值為3～14，更優(yōu)選為5～13.1、進一步優(yōu)選為7.7～12.8、特別優(yōu)選為8～12。為該范圍的ph值時，可以抑制low-k膜和包含鎢的材料的損傷，選擇性地去除被處理物表面的干蝕刻殘渣。

另外，為了抑制low-k膜、包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅或銅合金的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣，ph值可以在3～14的任意的范圍內(nèi)使用。優(yōu)選的ph值為4～14，更優(yōu)選為5～12.8、進一步優(yōu)選為7.7～12.8、特別優(yōu)選為8～12。為該范圍的ph值時，可以抑制low-k膜、包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅或銅合金的損傷，選擇性地去除被處理物表面的干蝕刻殘渣。

光致抗蝕劑可以在任意的ph下去除。優(yōu)選的ph值為7～14，更優(yōu)選為7.5～14、進一步優(yōu)選為7.7～13.1、進一步更優(yōu)選為8.6～12.8、特別優(yōu)選為9～12.8。

本發(fā)明的清洗液也可以包含ph調(diào)節(jié)劑。ph調(diào)節(jié)劑可以使用任意的無機酸、有機酸、無機堿和有機堿。具體而言，可以使用硫酸、硝酸、磷酸、氫氟酸、鹽酸、乙酸、檸檬酸、甲酸、丙二酸、乳酸、草酸、氫氧化鉀、乙酸鉀、碳酸鉀、磷酸鉀、氫氧化鈉、氫氧化鋰、氫氧化銫、三乙胺、氨、四甲基氫氧化銨、乙醇胺和1-氨基-2-丙醇等，但不限定于這些。這些ph調(diào)節(jié)劑可以單獨配混或組合2種以上配混。

根據(jù)期望，在不有損本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)，可以在本發(fā)明的清洗液中配混以往半導(dǎo)體用清洗液中使用的添加劑。例如可以加入除了過氧化物、高氯酸和高氯酸鹽之外的氧化劑、金屬防腐劑、水溶性有機溶劑、氟化合物、還原劑、螯合劑、表面活性劑、消泡劑等。

使用本發(fā)明的清洗液的溫度為10～85℃，優(yōu)選為20～70℃的范圍，可以根據(jù)蝕刻的條件、使用的半導(dǎo)體元件而適當(dāng)選擇。

本發(fā)明的清洗方法根據(jù)需要可以組合使用超聲波。

使用本發(fā)明的清洗液的時間為0.1～120分鐘，優(yōu)選為0.5～60分鐘的范圍，可以根據(jù)蝕刻的條件、使用的半導(dǎo)體元件而適當(dāng)選擇。

作為使用本發(fā)明的清洗液后的沖洗液，也可以使用醇那樣的有機溶劑，但用水進行沖洗就足夠。

作為一般的low-k膜，使用羥基倍半硅氧烷(hsq)系、甲基倍半硅氧烷(msq)系的ocd(商品名、東京應(yīng)化工業(yè)株式會社制)、碳摻雜氧化硅(sioc)系的blackdiamond(商品名、appliedmaterials株式會社制)、aurora(商品名、asminternational株式會社制)、coral(商品名、novellussystems株式會社制)和無機系的orion(商品名、trikontencnlogies株式會社制)，但low-k膜不限定于這些。

本發(fā)明的清洗液所應(yīng)用的半導(dǎo)體元件和顯示元件包括：硅、非晶硅、多晶硅、玻璃等基板材料；氧化硅、氮化硅、碳化硅和它們的衍生物等絕緣材料；鈷、鈷合金、鎢、鈦-鎢等材料；鎵-砷、鎵-磷、銦-磷、銦-鎵-砷、銦-鋁-砷等化合物半導(dǎo)體；鉻氧化物等氧化物半導(dǎo)體等。

本發(fā)明的清洗液所應(yīng)用的半導(dǎo)體元件也可以包含阻隔金屬和/或阻隔絕緣膜。

作為一般的阻隔金屬，使用：鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、釕、錳、鎂以及它們的氧化物。阻隔金屬不限定于這些。

作為一般的阻隔絕緣膜，使用：氮化硅、碳化硅和氮化碳化硅。阻隔絕緣膜不限定于這些。

實施例

接著，根據(jù)實施例和比較例對本發(fā)明進行更具體地說明，但本發(fā)明不受這些實施例的任何限制。

sem觀察：

半導(dǎo)體元件的清洗、去除處理前后的情況使用以下的sem(掃描型電子顯微鏡)裝置以倍率為100000倍進行觀察。

測定設(shè)備；hitachihigh-technologiesco.,ltd.制、超高分辨率電場釋放型掃描電子顯微鏡su9000。

判定：

清洗·去除后的判定在sem觀察后依據(jù)以下的基準(zhǔn)。

i.干蝕刻殘渣的去除狀態(tài)

e：干蝕刻殘渣被完全去除。

g：干蝕刻殘渣大致被去除。

p：干蝕刻殘渣的去除不充分。

將e和g作為合格。

ii.包含鈦的材料的損傷

e：與清洗前相比，包含鈦的材料中未見變化。

g：包含鈦的材料的表面上稍稍可見粗糙。

p：包含鈦的材料上可見剝離或形狀的變化。

將e和g作為合格。

iii.low-k膜的損傷

e：與清洗前相比，low-k膜中未見變化。

g：low-k膜的表面上稍稍可見粗糙。

p：low-k膜較大地膨脹。

將e和g作為合格。

iv.包含鎢的材料的損傷

e：與清洗前相比，包含鎢的材料中未見變化。

g：包含鎢的材料的表面上稍稍可見粗糙。

p：包含鎢的材料上可見大的孔。

將e和g作為合格。

v.銅的損傷

e：與清洗前相比，銅上未見變化。

g：銅的表面上稍稍可見粗糙。

p：與清洗前相比，銅上可見變化。

將e和g作為合格。

vi.光致抗蝕劑的去除狀態(tài)

e：光致抗蝕劑被完全去除。

g：光致抗蝕劑大致被去除。

p：光致抗蝕劑的去除不充分。

將e和g作為合格。

實施例中使用的清洗液組成歸納于表1，比較例中使用的清洗液組成歸納于表7和表8。

試驗中，使用具有圖1～圖8所示那樣的截面的布線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件，考察清洗效果。以規(guī)定的溫度、時間進行浸漬，之后，利用超純水進行沖洗，利用干燥氮氣噴射進行干燥。利用sem觀察清洗后的半導(dǎo)體元件，從而判斷干蝕刻殘渣或光致抗蝕劑的去除狀態(tài)和各材料的損傷。試驗中使用的包含鈦的材料為氧化鈦，包含30原子％的鈦。另外，試驗中使用的包含鎢的材料為氧化鎢，包含40原子％的鎢。

需要說明的是，鈦的含量如上述那樣是利用x射線光電子能譜法(xps)的離子濺射法而測定的。另外，鎢的含量也如上述那樣是利用xps的離子濺射法而測定的。作為測定裝置，均使用全自動xps分析裝置k-alpha(thermofisherscientific株式會社制)。

實施例1～22

將利用表1所示的本發(fā)明的清洗液對圖1所示的半導(dǎo)體元件進行清洗的結(jié)果示于表2?？芍瑢嵤├?～22中，防止包含鈦的材料1和low-k膜2的損傷，并且完全去除干蝕刻殘渣3。

實施例23～41

將利用表1所示的本發(fā)明的清洗液對圖2所示的半導(dǎo)體元件進行清洗的結(jié)果示于表3?？芍?，實施例23～41中，防止包含鎢的材料4和low-k膜2的損傷，并且完全去除干蝕刻殘渣3。

實施例42～59

將利用表1所示的本發(fā)明的清洗液對圖3、圖4所示的半導(dǎo)體元件進行清洗的結(jié)果示于表4?？芍?，實施例42～59中，防止包含鈦的材料1、包含鎢的材料4、銅5和low-k膜2的損傷，并且完全去除干蝕刻殘渣3。

實施例60～62

將利用表1所示的本發(fā)明的清洗液對圖5、圖6、圖7所示的半導(dǎo)體元件進行清洗的結(jié)果示于表5?？芍?，實施例60～62中，完全去除光致抗蝕劑8。

實施例63～79

將利用表1所示的本發(fā)明的清洗液對圖5、圖6、圖7、圖8所示的半導(dǎo)體元件進行清洗的結(jié)果示于表6。可知，實施例63～79中，完全去除光致抗蝕劑8。

表4中示出的實施例42～59、表6中示出的實施例63～79中，可以抑制阻隔金屬6和阻隔絕緣膜7的損傷。

比較例1～18

利用實施例1～18中使用的清洗液(表1、清洗液1a～1r)的未添加硝酸鋇的清洗液(表7、清洗液2a～2r)對圖1所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和清洗結(jié)果。與比較例1～18所示的清洗液2a～2r中加入了硝酸鋇的清洗液(表1、清洗液1a～1r)相比，在干蝕刻殘渣3(圖1)的去除性方面沒有差異，但包含鈦的材料1(圖1)中均可見損傷。由此可知，2a～2r的清洗液無法用于作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中抑制包含鈦的材料和low-k膜的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的(表9)。另外，由它們和實施例19～22可知，堿土金屬化合物在不使干蝕刻殘渣3的去除性惡化的情況下對抑制包含鈦的材料的損傷是有用的。

利用實施例23～37中使用的清洗液(表1、清洗液1a、1b、1d～1j、1m～1r)的未添加硝酸鋇的清洗液(表7、清洗液2a、2b、2d～2j、2m～2r)對圖2所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和清洗結(jié)果。與在比較例1、2、4～10、13～18所示的清洗液2a、2b、2d～2j、2m～2r中加入了硝酸鋇的清洗液(表1、清洗液1a、1b、1d～1j、1m～1r)相比，在干蝕刻殘渣3(圖2)的去除性方面沒有差異，但包含鎢的材料4(圖2)中均可見損傷。由此可知，2a、2b、2d～2j、2m～2r的清洗液無法用于作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的(表9)。另外，由它們和實施例38～41可知，堿土金屬化合物在不使干蝕刻殘渣3的去除性惡化的情況下對抑制包含鎢的材料的損傷是有用的。

比較例19、20(專利文獻(xiàn)1中記載的發(fā)明)

利用包含四甲基氫氧化銨12質(zhì)量％、過氧化氫5質(zhì)量％、氫氧化鉀2質(zhì)量％、三乙醇胺35質(zhì)量％和水46質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2s)對圖1所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液進行40分鐘清洗時，能夠去除殘渣而不會對low-k膜造成損傷，但對包含鈦的材料造成損傷(比較例19)。為了抑制包含鈦的材料的損傷，將浸漬時間縮短至20分鐘時，不會對low-k膜造成損傷，但無法去除殘渣，也對包含鈦的材料造成損傷(比較例20)。由此可知，2s的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例21、22(專利文獻(xiàn)2中記載的發(fā)明)

利用包含氫氧化鈉3質(zhì)量％、過氧化氫2質(zhì)量％、聚丙二醇(數(shù)均分子量400)0.05質(zhì)量％和水94.95質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2t)對圖1所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液進行40分鐘清洗時，能夠去除殘渣而不對low-k膜造成損傷，但對包含鈦的材料造成損傷(比較例21)。為了抑制包含鈦的材料的損傷，將浸漬時間縮短至20分鐘時，不會對low-k膜造成損傷，但無法去除殘渣，也對包含鈦的材料造成損傷(比較例22)。由此可知，2t的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例23(專利文獻(xiàn)3中記載的發(fā)明)

利用包含羥胺硫酸鹽4質(zhì)量％、四甲基氫氧化銨3.8質(zhì)量％、檸檬酸1質(zhì)量％、2-甲基咪唑1質(zhì)量％和水90.2質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2u)對圖1所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以抑制包含鈦的材料的損傷，但無法去除殘渣，對low-k膜造成損傷。由此可知，2u的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例24(專利文獻(xiàn)4中記載的發(fā)明)

利用包含羥胺硫酸鹽4質(zhì)量％、四甲基氫氧化銨4.7質(zhì)量％、乙酸1質(zhì)量％、羥基乙基嗎啉2質(zhì)量％和水88.3質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2v)對圖1所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以抑制包含鈦的材料的損傷，但無法去除殘渣，對low-k膜造成損傷。由此可知，2v的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例25(專利文獻(xiàn)5中記載的發(fā)明)

利用包含羥胺15質(zhì)量％、單乙醇胺10質(zhì)量％、二甲基亞砜55質(zhì)量％、鄰苯二酚5質(zhì)量％和水15質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2w)對圖1所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以抑制包含鈦的材料的損傷，但無法去除殘渣，對low-k膜造成損傷。由此可知，2w的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例26(專利文獻(xiàn)6中記載的發(fā)明)

利用包含磷酸1.35質(zhì)量％、鹽酸1質(zhì)量％、四甲基氫氧化銨5質(zhì)量％、月桂基二氨基乙基甘氨酸鈉0.01質(zhì)量％和水92.64質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2x)對圖2所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以抑制包含鎢的材料的損傷，但無法去除殘渣，對low-k膜造成損傷。由此可知，2x的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例27、28(專利文獻(xiàn)7中記載的發(fā)明)

利用包含過氧化氫5質(zhì)量％、氨基三唑0.01質(zhì)量％和水94.99質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2y)對圖2所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液進行30分鐘清洗時，可以去除殘渣而不會對low-k膜造成損傷，但對包含鎢的材料造成損傷(比較例27)。為了抑制包含鎢的材料的損傷，將浸漬時間縮短至5分鐘時，不會對low-k膜造成損傷，但無法去除殘渣，還對包含鎢的材料造成損傷(比較例28)。由此可知，2y的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例29、30(專利文獻(xiàn)8中記載的發(fā)明)

利用包含過氧化氫15質(zhì)量％、芐基三甲基氫氧化銨0.2質(zhì)量％、ethoquado/12[油烯基雙(2-羥基乙基)甲基銨-雙(三氟甲磺酰)酰亞胺](lioncorporation制)0.001質(zhì)量％和水84.799質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2z)對圖2所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。用該清洗液進行30分鐘清洗時，可以去除殘渣而不會對low-k膜造成損傷，但對包含鎢的材料造成損傷(比較例30)。為了抑制包含鎢的材料的損傷，將浸漬時間縮短至10分鐘時，不會對low-k膜造成損傷，但無法去除殘渣，還對包含鎢的材料造成損傷(比較例29)。由此可知，2z的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例31(專利文獻(xiàn)9中記載的發(fā)明)

利用包含四乙基氫氧化銨10質(zhì)量％、氫氧化鈉0.02質(zhì)量％、2-乙基-4-甲基咪唑2質(zhì)量％、二甲基亞砜40質(zhì)量％和水47.98質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2aa)對圖2所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以抑制包含鎢的材料的損傷，但無法去除殘渣，對low-k膜造成損傷。由此可知，2aa的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例32、33(專利文獻(xiàn)10中記載的發(fā)明)

利用包含過氧化氫14質(zhì)量％、氫氟酸0.3質(zhì)量％、二乙二醇單甲醚58.4質(zhì)量％、乙烯基咪唑1質(zhì)量％和水26.3質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2ab)對圖2所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液進行30分鐘清洗時，可以去除殘渣，但對包含鎢的材料和low-k膜造成損傷(比較例33)。為了抑制包含鎢的材料和low-k膜的損傷，將浸漬時間縮短至10分鐘時，無法去除殘渣，還對包含鎢的材料和low-k膜造成損傷(比較例32)。由此可知，2ab的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例34(專利文獻(xiàn)11中記載的發(fā)明)

利用包含氫氟酸0.3質(zhì)量％、二乙二醇單甲醚60質(zhì)量％、2-乙基-4-甲基咪唑1質(zhì)量％和水38.7質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2ac)對圖2所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以抑制包含鎢的材料的損傷，但無法去除殘渣，對low-k膜造成損傷。由此可知，2ac的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例35(專利文獻(xiàn)12中記載的發(fā)明)

利用包含氫氟酸0.1質(zhì)量％、氨基丙基三甲氧基硅烷0.1質(zhì)量％、苯并三唑0.1質(zhì)量％、乙醇1質(zhì)量％、乙酸1質(zhì)量％和水97.7質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2ad)對圖2所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以抑制包含鎢的材料的損傷，但無法去除殘渣，對low-k膜造成損傷。由此可知，2ad的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例36(專利文獻(xiàn)13中記載的發(fā)明)

利用包含羥胺硫酸鹽2質(zhì)量％、四甲基氫氧化銨3.4質(zhì)量％、檸檬酸2質(zhì)量％、山梨糖醇0.5質(zhì)量％和水92.1質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2ae)對圖2所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。用該清洗液可以抑制low-k膜的損傷，但無法去除殘渣，對包含鎢的材料造成損傷。由此可知，2ae的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例37(專利文獻(xiàn)14、15中記載的發(fā)明)

利用包含乙酸銨5質(zhì)量％、甘氨酸0.8質(zhì)量％、氨0.18質(zhì)量％、二甲基亞砜3.6質(zhì)量％和水90.42質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2af)對圖2所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以抑制包含鎢的材料的損傷，但無法去除殘渣，對low-k膜造成損傷。由此可知，2af的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中包含鎢的材料和low-k膜的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例38

利用包含氫氧化鉀4.5質(zhì)量％、硝酸鋇0.003質(zhì)量％和水95.497質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2ag)對圖3、圖4所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。作為布線材料，圖3的半導(dǎo)體元件中使用鎢，圖4的半導(dǎo)體元件中使用銅。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以抑制包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅的損傷，但無法去除殘渣，對low-k膜造成損傷。由此可知，2ag的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中l(wèi)ow-k膜和包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、和抑制low-k膜和包含鎢的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、以及抑制low-k膜、包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅或銅合金的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例39(專利文獻(xiàn)16中記載的發(fā)明)

利用包含n,n-二乙基羥胺10質(zhì)量％、羥胺15質(zhì)量％、二甲基亞砜50質(zhì)量％、鄰苯二酚10質(zhì)量％和水15質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2ah)對圖3、圖4所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以抑制包含鎢的材料的損傷，但無法去除干蝕刻殘渣，對low-k膜、包含鈦的材料、銅造成損傷。由此可知，2ah的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中l(wèi)ow-k膜和包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、和抑制low-k膜和包含鎢的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、以及抑制low-k膜、包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅或銅合金的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例40(專利文獻(xiàn)17中記載的發(fā)明)

利用包含單乙醇胺10質(zhì)量％、n,n-二乙基羥胺10質(zhì)量％、二乙二醇單丁醚30質(zhì)量％、山梨糖醇10質(zhì)量％和水40質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2ai)對圖3和圖4所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以抑制包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅的損傷，但無法去除干蝕刻殘渣，對low-k膜造成損傷。由此可知，2ai的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中l(wèi)ow-k膜和包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、和抑制low-k膜和包含鎢的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、以及抑制low-k膜、包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅或銅合金的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例41(專利文獻(xiàn)18中記載的發(fā)明)

利用包含氫氧化鉀0.005質(zhì)量％、四甲基氫氧化銨10質(zhì)量％、二乙二醇單甲醚50質(zhì)量％、吡唑0.1質(zhì)量％和水39.895質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2aj)對圖3、圖4所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以抑制包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅的損傷，但無法去除干蝕刻殘渣，對low-k膜造成損傷。由此可知，2aj的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中l(wèi)ow-k膜和包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、和抑制low-k膜和包含鎢的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、以及抑制low-k膜、包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅或銅合金的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例42(專利文獻(xiàn)19中記載的發(fā)明)

利用包含苯并三唑0.1質(zhì)量％、1,2,4-三唑0.1質(zhì)量％、氟化銨5質(zhì)量％、硼酸1質(zhì)量％和水93.8質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2ak)對圖3和圖4所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以抑制包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅的損傷，但無法去除干蝕刻殘渣，對low-k膜造成損傷。由此可知，2ak的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中l(wèi)ow-k膜和包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、和抑制low-k膜和包含鎢的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、以及抑制low-k膜、包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅或銅合金的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例43(專利文獻(xiàn)20中記載的發(fā)明)

利用包含氟化銨0.25質(zhì)量％、葡萄糖酸0.06質(zhì)量％和水99.69質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2al)對圖3、圖4所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以抑制包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅的損傷，但無法去除干蝕刻殘渣，對low-k膜造成損傷。由此可知，2al的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中l(wèi)ow-k膜和包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、和抑制low-k膜和包含鎢的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、以及抑制low-k膜、包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅或銅合金的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例44(專利文獻(xiàn)21中記載的發(fā)明)

利用包含丁胺1質(zhì)量％、羥胺硫酸鹽4質(zhì)量％、四甲基氫氧化銨2.8質(zhì)量％、檸檬酸2質(zhì)量％、二丙二醇5質(zhì)量％和水85.2質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2am)對圖3和圖4所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以抑制包含鈦的材料和包含鎢的材料的損傷，但無法去除干蝕刻殘渣，對low-k膜和銅造成損傷。由此可知，2am的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中l(wèi)ow-k膜和包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、和抑制low-k膜和包含鎢的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、以及抑制low-k膜、包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅或銅合金的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例45

利用包含過氧化氫6質(zhì)量％、硝酸鋇0.003質(zhì)量％和水93.997質(zhì)量％的清洗液(ph值為5、表8、清洗液2an)對圖5、圖6、圖7和圖8所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。該清洗液可以去除干蝕刻殘渣，可以抑制low-k膜、包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅的損傷，但無法去除光致抗蝕劑。由此可知，2an的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中l(wèi)ow-k膜和包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣和光致抗蝕劑的本申請目的、和抑制low-k膜和包含鎢的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣和光致抗蝕劑的本申請目的、以及抑制low-k膜、包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅或銅合金的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣和光致抗蝕劑的本申請目的。

比較例46(專利文獻(xiàn)22中記載的發(fā)明)

利用包含四甲基氫氧化銨3.35質(zhì)量％、反式-1,2-二氨基環(huán)己烷-n,n,n’,n’-四乙酸一水合物0.11質(zhì)量％、過氧化氫1.64質(zhì)量％、六氟硅酸0.23質(zhì)量％和水94.67質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2ao)對圖1、圖2、圖3和圖4所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以抑制包含鈦的材料的損傷，但無法去除干蝕刻殘渣，對low-k膜和包含鎢的材料和銅造成損傷。由此可知，2ao的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中l(wèi)ow-k膜和包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、和抑制low-k膜和包含鎢的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、以及抑制low-k膜、包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅或銅合金的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例47

利用包含氫氧化鉀0.6質(zhì)量％、過氧化氫6質(zhì)量％、六氟硅酸0.5質(zhì)量％和水92.9質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2ap)對圖1、圖2、圖3和圖4所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以去除干蝕刻殘渣，抑制銅的損傷，但對low-k膜、包含鈦的材料和包含鎢的材料造成損傷。由此可知，2ap的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中l(wèi)ow-k膜和包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、和抑制low-k膜和包含鎢的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、以及抑制low-k膜、包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅或銅合金的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例48(專利文獻(xiàn)23中記載的發(fā)明)

利用包含四甲基氫氧化銨2質(zhì)量％、碳酸銨5質(zhì)量％、過氧化氫7.5質(zhì)量％、表面活性劑a(h(och2ch2)3-(och2ch2ch2)5-(och2ch2)3h)0.5質(zhì)量％、檸檬酸10質(zhì)量％和水75質(zhì)量％的清洗液(表8、清洗液2aq)對圖1、圖2、圖3和圖4所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以抑制low-k膜的損傷，但無法去除干蝕刻殘渣，對包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅造成損傷。由此可知，2aq的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中l(wèi)ow-k膜和包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、和抑制low-k膜和包含鎢的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、以及抑制low-k膜、包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅或銅合金的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

比較例49

利用包含硝酸0.5質(zhì)量％、過氧化氫6質(zhì)量％、碳酸銨0.5質(zhì)量％和水93質(zhì)量％的清洗液(ph為6.3、表8、清洗液2ar)對圖1、圖2、圖3和圖4所示的半導(dǎo)體元件進行清洗。表9中示出清洗條件和評價結(jié)果。利用該清洗液可以去除干蝕刻殘渣，可以抑制low-k膜和銅的損傷，但對包含鈦的材料和包含鎢的材料造成損傷。由此可知，2ar的清洗液無法用于抑制作為本發(fā)明的對象的半導(dǎo)體元件的制造工序中l(wèi)ow-k膜和包含鈦的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、和抑制low-k膜和包含鎢的材料的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的、以及抑制low-k膜、包含鈦的材料、包含鎢的材料和銅或銅合金的損傷、去除被處理物表面的干蝕刻殘渣的本申請目的。

[表1]

氧化劑i：過氧化物或高氯酸或高氯酸鹽

koh：氫氧化鉀

tmah：四甲基氫氧化銨

mcpba：間氯過氧苯甲酸

tbhp：叔丁基氫過氧化物

k2co3：碳酸鉀

lioh：氫氧化鋰

naoh：氫氧化鈉

csoh：氫氧化銫

[表2]

去除狀態(tài)i：干蝕刻殘渣3的去除狀態(tài)

損傷ii：包含鈦的材料1的損傷

損傷iii：low-k膜2的損傷

[表3]

去除狀態(tài)i：干蝕刻殘渣3的去除狀態(tài)

損傷ii：low-k膜2的損傷

損傷iv：包含鎢的材料4的損傷

[表4]

去除狀態(tài)i：干蝕刻殘渣3的去除狀態(tài)

損傷ii：包含鈦的材料1的損傷

損傷iii：low-k膜2的損傷

損傷iv：包含鎢的材料4的損傷

損傷v：銅5的損傷

[表5]

去除狀態(tài)i：干蝕刻殘渣3的去除狀態(tài)

去除狀態(tài)vi：光致抗蝕劑8的去除狀態(tài)

損傷ii：包含鈦的材料1的損傷

損傷iii：low-k膜2的損傷

損傷iv：包含鎢的材料4的損傷

[表6]

去除狀態(tài)i：干蝕刻殘渣3的去除狀態(tài)

損傷ii：包含鈦的材料1的損傷

損傷iii：low-k膜2的損傷

損傷iv：包含鎢的材料4的損傷

損傷v：銅5的損傷

去除狀態(tài)vi：光致抗蝕劑8的去除狀態(tài)

[表7]

氧化劑i：過氧化物或高氯酸或高氯酸鹽

koh：氫氧化鉀

tmah：四甲基氫氧化銨

mcpba：間氯過氧苯甲酸

tbhp：叔丁基氫過氧化物

[表8]

tmah：四甲基氫氧化銨

koh：氫氧化鉀

naoh：氫氧化鈉

dmso：二甲基亞砜

ethoquado/12：[油烯基雙(2-羥基乙基)甲基銨‐雙(三氟甲磺酰)酰亞胺](lioncorporation制)

teah：四乙基氫氧化銨

dgme：二乙二醇單甲醚

dgbe：二乙二醇單丁醚

cydta：反式-1,2-二氨基環(huán)己烷-n,n,n’,n’-四乙酸一水合物

表面活性劑a：以下的化學(xué)結(jié)構(gòu)的物質(zhì)

h(och2ch2)3-(och2ch2ch2)5-(och2ch2)3h

[表9]

去除狀態(tài)i：干蝕刻殘渣3的去除狀態(tài)

損傷ii：包含鈦的材料1的損傷

損傷iii：low-k膜2的損傷

損傷iv：包含鎢的材料4的損傷

損傷v：銅5的損傷

去除狀態(tài)vi：光致抗蝕劑8的去除狀態(tài)

2an的ph為5

2ar的ph為6.3

-：未實施

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

利用本發(fā)明的清洗液和清洗方法，可以抑制半導(dǎo)體元件的制造工序中至少選自包含鈦的材料和包含鎢的材料中的1種以上材料和low-k膜的損傷，去除被處理物表面的光致抗蝕劑和干蝕刻殘渣，可以成品率良好地制造高精度、高品質(zhì)的半導(dǎo)體元件，在產(chǎn)業(yè)上是有用的。

附圖標(biāo)記說明

1：包含鈦的材料

2：層間絕緣膜(low-k膜)

3：干蝕刻殘渣

4：包含鎢的材料

5：銅

6：阻隔金屬

7：阻隔絕緣膜

8：光致抗蝕劑