本發(fā)明關(guān)于一種用于硅晶圓拋光的拋光布的整理方法，以及使用拋光布拋光硅晶圓的方法。

背景技術(shù)：

一般的晶圓拋光步驟，在拋光布貼附于拋光機(jī)后當(dāng)下的拋光中，常有晶圓損傷的發(fā)生或微粒等級(jí)(particlelevel)顯著惡化的情形。并且，拋光機(jī)越大越容易引起此損傷的發(fā)生或微粒等級(jí)的惡化。此種損傷的發(fā)生或微粒等級(jí)的惡化常被認(rèn)為是貼附完成當(dāng)下的拋光布的整理不充分所導(dǎo)致的。

整理拋光布之時(shí)，一般進(jìn)行的是使用專利文獻(xiàn)1所記載的表面鋪滿鉆石的修整器等來(lái)進(jìn)行修整，以修整拋光布的表面粗度及厚度。然而，即便通過(guò)此種修整來(lái)進(jìn)行拋光布的整理，根據(jù)在開(kāi)始拋光的當(dāng)下(以下稱之為“拋光布?jí)勖跗凇?還是能發(fā)現(xiàn)微粒等級(jí)的惡化可以得知，僅憑修整來(lái)進(jìn)行拋光布的整理仍舊是有所欠缺的。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)1]日本特開(kāi)平11-000868號(hào)公報(bào)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明為解決前述問(wèn)題，目的在于提供一種拋光布的整理方法，能夠改善拋光布?jí)勖跗诘奈⒘５燃?jí)。本發(fā)明另一目的在于提供一種拋光方法，能夠改善拋光布?jí)勖跗诘奈⒘５燃?jí)。

為達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種拋光布的整理方法，該拋光布用于拋光硅晶圓，該整理方法包含：將由聚胺酯樹(shù)脂所制的拋光布貼附于拋光機(jī)而進(jìn)行修整后，進(jìn)行假拋光；接著，通過(guò)該假拋光進(jìn)行去除蓄積于該拋光布中的拋光殘?jiān)奶幚?；接著，測(cè)定該拋光布中的拋光殘?jiān)?，且基于該所測(cè)定的拋光殘?jiān)慷卸ń?jīng)該假拋光后的拋光布的整理狀態(tài)。

通過(guò)此種拋光布的整理方法，由于在修整中加入透過(guò)假拋光來(lái)進(jìn)行拋光布的整理，更能判定假拋光后的拋光布是否有充分整理，因此拋光布在充分整理為止能進(jìn)行拋光布的整理，作為結(jié)果能改善拋光布?jí)勖跗诘奈⒘５燃?jí)。

另外，較佳地，該判定執(zhí)行預(yù)先地使用經(jīng)單獨(dú)進(jìn)行另外地修整后的聚胺酯樹(shù)脂制的基準(zhǔn)用拋光布而進(jìn)行硅晶圓的拋光，且通過(guò)與該假拋光后的去除處理相同的方式進(jìn)行拋光殘?jiān)娜コ幚恚⑦M(jìn)行該去除處理后的拋光殘?jiān)康臏y(cè)定，先求出基準(zhǔn)用拋光布的使用時(shí)間除以預(yù)先設(shè)定好的基準(zhǔn)用拋光布的壽命的值在0.05的時(shí)間點(diǎn)的基準(zhǔn)用拋光布中的拋光殘?jiān)坑枰宰鳛榛鶞?zhǔn)值，以在該假拋光及去除處理后所測(cè)定出的拋光殘?jiān)繛樵谠摶鶞?zhǔn)值以上時(shí)，則判定經(jīng)進(jìn)行該假拋光的拋光布為經(jīng)整理。

通過(guò)此種方法，由于能更確實(shí)的判定假拋光后的拋光布是否有充分整理，因此能更確實(shí)的改善拋光布?jí)勖跗诘奈⒘５燃?jí)。

又于此時(shí)，較佳地，自通過(guò)熒光x射線分析法所得到的熒光x射線頻譜所檢測(cè)出包含si-kα射線的訊號(hào)，而測(cè)定該拋光殘?jiān)?。通過(guò)此種方法，能簡(jiǎn)單的測(cè)定拋光殘?jiān)俊?/p>

又于此時(shí)，較佳地，通過(guò)修整以及高壓噴射水洗凈來(lái)進(jìn)行該拋光殘?jiān)娜コ幚?。通過(guò)此種方法，能簡(jiǎn)單地進(jìn)行拋光殘?jiān)娜コ幚怼?/p>

又于此時(shí)，例如能將該拋光機(jī)設(shè)為雙面拋光機(jī)。如此一來(lái)，本發(fā)明的拋光布的整理方法也能應(yīng)用于使用雙面拋光機(jī)的狀況。

并且，本發(fā)明提供一種拋光方法，使用拋光布拋光硅晶圓，該拋光方法包含：將由聚胺酯樹(shù)脂所制的拋光布貼附于拋光機(jī)而進(jìn)行修整后，進(jìn)行假拋光；接著，通過(guò)該假拋光進(jìn)行去除蓄積于該拋光布中的拋光殘?jiān)奶幚?；接著，測(cè)定該拋光布中的拋光殘?jiān)浚一谠撍鶞y(cè)定的拋光殘?jiān)慷x出使用于該硅晶圓的拋光中的拋光布，并使用該選出的拋光布進(jìn)行該硅晶圓的拋光。

通過(guò)此種拋光方法，由于在修整中加入透過(guò)假拋光來(lái)進(jìn)行拋光布的整理，更能使用通過(guò)假拋光來(lái)選出充分整理的拋光布來(lái)進(jìn)行拋光，因此能改善拋光布?jí)勖跗诘奈⒘５燃?jí)。

另外，較佳地，該選出執(zhí)行：預(yù)先地使用經(jīng)單獨(dú)進(jìn)行另外地修整后的聚胺酯樹(shù)脂制的基準(zhǔn)用拋光布而進(jìn)行硅晶圓的拋光，且通過(guò)與該假拋光后的去除處理相同的方式進(jìn)行拋光殘?jiān)娜コ幚?，并進(jìn)行該去除處理后的拋光殘?jiān)康臏y(cè)定；先求出基準(zhǔn)用拋光布的使用時(shí)間除以預(yù)先設(shè)定好的基準(zhǔn)用拋光布的壽命的值在0.05的時(shí)間點(diǎn)時(shí)的基準(zhǔn)用拋光布中的拋光殘?jiān)坑枰宰鳛榛鶞?zhǔn)值，以選出在該假拋光以及去除處理后所測(cè)定出的拋光殘?jiān)繛樵谠摶鶞?zhǔn)值以上的拋光布作為于該硅晶圓的拋光中使用的拋光布。

通過(guò)此種方法，由于能更確實(shí)的選出經(jīng)充分整理的拋光布，因此能更確實(shí)的改善拋光布?jí)勖跗诘奈⒘５燃?jí)。

又于此時(shí)，較佳地，自通過(guò)熒光x射線分析法所得到的熒光x射線頻譜檢測(cè)出包含si-kα射線的訊號(hào)，而測(cè)定該拋光殘?jiān)俊Ｍㄟ^(guò)此種方法，能簡(jiǎn)單地測(cè)定拋光殘?jiān)俊?/p>

又于此時(shí)，較佳地，通過(guò)修整以及高壓噴射水洗凈來(lái)進(jìn)行該拋光殘?jiān)娜コ幚?。通過(guò)此種方法，能簡(jiǎn)單地進(jìn)行拋光殘?jiān)娜コ幚怼?/p>

又于此時(shí)，例如能夠?qū)⒃搾伖鈾C(jī)設(shè)為雙面拋光機(jī)。如此一來(lái)，本發(fā)明的拋光方法也能應(yīng)用于使用雙面拋光機(jī)的狀況。

如以上所述，通過(guò)本發(fā)明的拋光布整理方法，由于通過(guò)在已知的修整中加上假拋光來(lái)進(jìn)行拋光布的整理，更進(jìn)一步地以不會(huì)看到假拋光后的拋光布為有損傷的發(fā)生或?yàn)橛形⒘夯那樾螢橹苟卸⊕伖獠际欠駷榭沙浞值卣淼膾伖獠?，因此能進(jìn)行拋光布的整理直至拋光布充分整理為止，以此作為結(jié)果而能改善拋光布?jí)勖跗诘奈⒘５燃?jí)。另外，由于可在判定出拋光布為整理完成的時(shí)間點(diǎn)時(shí)即可結(jié)束假拋光，因此不須進(jìn)行非必要的長(zhǎng)時(shí)間的假拋光，因而能有效率地進(jìn)行拋光布的整理。

另外，通過(guò)本發(fā)明的拋光方法，由于在修整中加入透過(guò)假拋光來(lái)進(jìn)行拋光布的整理，更進(jìn)一步地通過(guò)假拋光而以不會(huì)看到假拋光后的拋光布為有損傷的發(fā)生或?yàn)橛形⒘夯某潭葹橹挂赃x出充分整理成的拋光布來(lái)用于拋光，因此能改善拋光布?jí)勖跗诘奈⒘５燃?jí)。

附圖說(shuō)明

圖1是顯示本發(fā)明的拋光布的整理方法的一例的流程圖。

圖2是顯示本發(fā)明的拋光方法的一例的流程圖。

圖3是顯示實(shí)施例1中每假拋光15μm的拋光殘?jiān)恳约叭コ幚砗蟮膾伖鈿堅(jiān)康膱D表。

圖4是顯示實(shí)施例1與比較例1的各拋光布使用時(shí)間中的拋光殘?jiān)康膱D表。

圖5是顯示實(shí)施例1的各拋光布使用時(shí)間中的微粒等級(jí)的圖表。

圖6是顯示比較例1(以已知方法整理后進(jìn)行正式拋光的狀況)的各拋光布使用時(shí)間中的微粒等級(jí)的圖表。

圖7是顯示晶圓的拋光與拋光殘?jiān)康娜コ幚斫惶娣磸?fù)進(jìn)行的狀況下的拋光殘?jiān)康淖兓膱D表。

圖8是顯示以習(xí)知方法整理后進(jìn)行正式拋光的狀況的各拋光布使用時(shí)間中的拋光殘?jiān)康膱D表。

具體實(shí)施方式

如上所述，由于通過(guò)已知的修整的整理(以下也稱之為“已知法”)對(duì)于拋光布的整理還是不充分，得知如使用以此種已知法進(jìn)行整理的拋光布來(lái)進(jìn)行正式拋光(產(chǎn)品晶圓的拋光)，在拋光布的壽命初期還是會(huì)使微粒等級(jí)惡化。

在此，于圖6顯示以已知法整理后進(jìn)行正式拋光的狀況下的各拋光布使用時(shí)間中的微粒等級(jí)。如圖6所示，能看出以已知法進(jìn)行整理的狀況下，于拋光布?jí)勖跗冢貏e是在現(xiàn)在拋光布使用時(shí)間除以設(shè)定拋光布使用時(shí)間的值在0.05的時(shí)間點(diǎn)為止，微粒等級(jí)的惡化。

本申請(qǐng)的發(fā)明人為了改善拋光布?jí)勖跗诘奈⒘５燃?jí)進(jìn)行了深入研究，并將重點(diǎn)放在拋光布中的拋光殘?jiān)颗c拋光布的整理上。在本申請(qǐng)發(fā)明人的研究中，從在經(jīng)充分整理成未能發(fā)現(xiàn)微粒等級(jí)惡化的拋光布中，拋光布中積蓄了比拋光布?jí)勖跗谶€要多的拋光殘?jiān)?，發(fā)現(xiàn)了能夠根據(jù)拋光布中的拋光殘?jiān)縼?lái)判定拋光布的整理的狀態(tài)。并且，其重復(fù)深入研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)進(jìn)行假拋光以在拋光布中蓄積拋光殘?jiān)鼇?lái)整理拋光布，通過(guò)假拋光后的拋光殘?jiān)縼?lái)判定整理，使用判定為經(jīng)充分整理的拋光布來(lái)進(jìn)行正式拋光，能改善拋光布?jí)勖跗诘奈⒘５燃?jí)，從而完成本發(fā)明。

即，本發(fā)明為一種拋光布的整理方法，該拋光布用于拋光硅晶圓，該整理方法包含：將由聚胺酯樹(shù)脂所制的拋光布貼附于拋光機(jī)而進(jìn)行修整后，進(jìn)行假拋光，接著，通過(guò)該假拋光進(jìn)行蓄積于該拋光布中的拋光殘?jiān)娜コ幚砗?，測(cè)定該拋光布中的拋光殘?jiān)浚一谠撍鶞y(cè)定的拋光殘?jiān)慷卸ń?jīng)該假拋光后的拋光布的整理狀態(tài)。

以下，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于此。

再者，本發(fā)明中，當(dāng)(現(xiàn)在拋光布使用時(shí)間)/(設(shè)定拋光布使用時(shí)間)的值成為1為交換拋光布的意思，另外(現(xiàn)在拋光布使用時(shí)間)/(設(shè)定拋光布使用時(shí)間)的值在0.05的值的時(shí)間點(diǎn)，為相對(duì)于預(yù)先設(shè)定好的拋光布的壽命的5％的使用時(shí)間的時(shí)間點(diǎn)的意思。

＜拋光布的整理方法＞

以下，參考圖式同時(shí)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的拋光布的整理方法。

圖1是顯示本發(fā)明的拋光布的整理方法的一例的流程圖。本發(fā)明的拋光布的整理方法中，首先將由聚胺酯樹(shù)脂所制的拋光布貼附于拋光機(jī)(圖1(1a))，進(jìn)行修整后(圖1(1b))，進(jìn)行假拋光(圖1(1c))，接著，通過(guò)假拋光進(jìn)行去除蓄積于拋光布中的拋光殘?jiān)奶幚?圖1(1d))，接著，測(cè)定拋光布中的拋光殘?jiān)?圖1(1e))，且基于所測(cè)定的拋光殘?jiān)慷卸ń?jīng)該假拋光后的拋光布的整理狀態(tài)(圖1(1f))。

以下更詳細(xì)地說(shuō)明各步驟。

首先，將由聚胺酯樹(shù)脂所制的拋光布貼附于拋光機(jī)(圖1(1a))。此時(shí)，作為拋光機(jī)并無(wú)特別限定，例如能適合使用雙面拋光機(jī)等。另外，本發(fā)明的拋光布的整理方法，能不受拋光機(jī)的大小影響皆可適用。

接著，進(jìn)行修整(圖1(1b))。修整方法雖無(wú)特別限定，例如能使用一般適合被使用于拋光布的整理上的表面鋪滿鉆石的修整器等。

接著，進(jìn)行假拋光(圖1(1c))。一般，于進(jìn)行晶圓的拋光之時(shí)，趁著在拋光的時(shí)候，進(jìn)行蓄積于拋光布中的拋光殘?jiān)娜コ幚?例如使用鋪滿鉆石的修整器進(jìn)行拋光布的切削處理(修整)或是以高壓噴射水接觸拋光布進(jìn)行洗凈處理(高壓噴射水洗凈)等)。進(jìn)行此去除處理后，雖然得以去除大多數(shù)蓄積于拋光布中的拋光殘?jiān)糠值臍堅(jiān)谌コ幚砗笕詴?huì)殘留于拋光布中，而進(jìn)行拋光布的整理。因此，本發(fā)明的拋光布整理方法中，在修整后進(jìn)行假拋光，意圖地使拋光殘?jiān)罘e于拋光布中而進(jìn)行拋光布的整理。

于假拋光并無(wú)特別限制，例如能使用一般適合用于假拋光的硅晶圓。另外，作為拋光劑并無(wú)特別限制，能適合使用硅酸膠拋光劑等。

在此，于圖7顯示晶圓的拋光與拋光殘?jiān)康娜コ幚斫惶娣磸?fù)進(jìn)行狀況下的拋光殘?jiān)康淖兓?。再者，此時(shí)的每一次拋光的拋光余量設(shè)為15μm。如圖7所示，交互進(jìn)行晶圓的拋光與拋光殘?jiān)娜コ幚砗螅捎诖蟛糠滞ㄟ^(guò)拋光而蓄積的拋光殘?jiān)纪ㄟ^(guò)當(dāng)下的去除處理予以去除，因此去除處理后的拋光殘?jiān)坎蝗菀自黾印Ｒ虼?，為了有效增加去除處理后的拋光殘?jiān)?，較佳地，進(jìn)行達(dá)到一般的拋光(拋光余量：約10μm～20μm)的多次份量的拋光余量的沒(méi)有夾著去除處理的連續(xù)假拋光。更具體地來(lái)說(shuō)，較佳地，例如連續(xù)進(jìn)行假拋光來(lái)達(dá)到約30μm～150μm的拋光余量，更佳地是達(dá)到約50μm～100μm的拋光余量。

接著，通過(guò)假拋光進(jìn)行去除蓄積于拋光布中的拋光殘?jiān)奶幚?圖1(1d))。去除拋光殘?jiān)奶幚矸椒úo(wú)特別限制，較佳地，例如通過(guò)修整以及高壓噴射水洗凈來(lái)進(jìn)行。再者，修整中，能適合使用與上述的假拋光前的修整相同的表面鋪滿鉆石的修整器。經(jīng)由此種方法能簡(jiǎn)單的進(jìn)行去除拋光殘?jiān)奶幚怼?/p>

接著，測(cè)定拋光布中的拋光殘?jiān)?圖1(1e))。再者，這里所測(cè)定的拋光殘?jiān)繛樯鲜龅娜コ幚砗髿埩粲趻伖獠贾械膾伖鈿堅(jiān)牧?。拋光殘?jiān)康臏y(cè)定方法并無(wú)特別限制，較佳地，例如自通過(guò)熒光x射線分析法所得到的熒光x射線頻譜檢測(cè)出包含si-kα射線的訊號(hào)而測(cè)定。

以熒光x射線分析法測(cè)定拋光殘?jiān)康臓顩r下，具體來(lái)說(shuō)能以以下的方法來(lái)測(cè)定。硅晶圓拋光后，由于蓄積在拋光布中的拋光殘?jiān)衧i元素，因此自熒光x射線頻譜檢測(cè)出包含si-kα射線的訊號(hào)，即能測(cè)定拋光殘?jiān)牧?。更具體地來(lái)說(shuō)，將所檢測(cè)出的來(lái)自熒光x射線頻譜的包含si-kα射線、1.6-1.9ev的范圍的訊號(hào)量予以微分所得到的值能作為拋光殘?jiān)康膮⒖贾凳褂?以下此參考值稱之為“si訊號(hào)量”)。

si訊號(hào)量的測(cè)定中，例如能使用堀場(chǎng)制作所制的mesa-630等，此時(shí)的測(cè)定項(xiàng)目，較佳地，例如以alloylefp設(shè)定x射線照射時(shí)間為60秒。使用此種裝置，測(cè)定經(jīng)進(jìn)行假拋光的拋光布的si訊號(hào)量，以此si訊號(hào)量設(shè)為拋光殘?jiān)?，而能?jiǎn)單地測(cè)定出拋光殘?jiān)俊?/p>

接著，基于所測(cè)定的拋光殘?jiān)慷卸ń?jīng)假拋光后的拋光布的整理狀態(tài)(圖1(1f))。此時(shí)，較佳地，判定執(zhí)行：預(yù)先地使用經(jīng)單獨(dú)進(jìn)行另外地修整后的聚胺酯樹(shù)脂制的基準(zhǔn)用拋光布而進(jìn)行硅晶圓的拋光，且通過(guò)與假拋光后的去除處理相同的方式進(jìn)行去除拋光殘?jiān)奶幚?，并進(jìn)行去除處理后的拋光殘?jiān)康臏y(cè)定，先求出(基準(zhǔn)用拋光布的使用時(shí)間)/(預(yù)先設(shè)定好的基準(zhǔn)用拋光布的壽命)的值在0.05的時(shí)間點(diǎn)時(shí)的基準(zhǔn)用拋光布中的拋光殘?jiān)坑枰宰鳛榛鶞?zhǔn)值，以在假拋光及去除處理后所測(cè)定出的拋光殘?jiān)繛樵诨鶞?zhǔn)值以上時(shí)，則判定經(jīng)進(jìn)行該假拋光的拋光布為整理完成。再者，判定方法當(dāng)然不限制于此。

以下，更詳細(xì)的說(shuō)明上述的判定方法。

經(jīng)本申請(qǐng)的發(fā)明人檢討之后，如上所述，以已知法整理的拋光布進(jìn)行正式拋光的狀況下，(現(xiàn)在拋光布使用時(shí)間)/(設(shè)定拋光布使用時(shí)間)的值在0.05的時(shí)間點(diǎn)為止，雖然微粒等級(jí)明顯惡化，但在(現(xiàn)在拋光布使用時(shí)間)/(設(shè)定拋光布使用時(shí)間的值)在0.05以下，則能夠看出微粒等級(jí)的惡化已受到抑制(參考圖6)。由此得知，上述的判定方法中，假定(現(xiàn)在拋光布使用時(shí)間)/(設(shè)定拋光布使用時(shí)間)的值在0.05的時(shí)間點(diǎn)的拋光布為充分整理的拋光布，以此時(shí)間點(diǎn)的拋光布中的拋光殘?jiān)孔鳛榛鶞?zhǔn)，而進(jìn)行整理的判定。

具體上來(lái)說(shuō)，首先求得成為判定基準(zhǔn)的基準(zhǔn)值。更具體地來(lái)說(shuō)，使用單獨(dú)進(jìn)行修整(以已知法的整理)后的聚胺酯樹(shù)脂制的拋光布(基準(zhǔn)用拋光布)，而進(jìn)行硅晶圓的拋光，持續(xù)進(jìn)行去除拋光殘?jiān)奶幚砗螅M(jìn)行拋光殘?jiān)康臏y(cè)定，而求出當(dāng)基準(zhǔn)用拋光布的(現(xiàn)在拋光布使用時(shí)間)/(設(shè)定拋光布使用時(shí)間)的值在0.05的時(shí)間點(diǎn)的拋光殘?jiān)孔鳛榛鶞?zhǔn)值。再者，此時(shí)以與上述的假拋光后的去除處理相同的方式來(lái)進(jìn)行拋光殘?jiān)娜コ幚怼?/p>

接著，進(jìn)行實(shí)際的判定。更具體來(lái)說(shuō)，將經(jīng)進(jìn)行上述的假拋光以及去除處理后所測(cè)定出的拋光殘?jiān)?即，經(jīng)進(jìn)行假拋光后拋光布中的拋光殘?jiān)?與以上述方式所求出的基準(zhǔn)值進(jìn)行比較，如經(jīng)進(jìn)行假拋光的拋光布中的拋光殘?jiān)吭诨鶞?zhǔn)值以上，則判定經(jīng)假拋光的拋光布整理完成。

在此，于圖8顯示實(shí)際地以已知法整理后進(jìn)行正式拋光的狀況的各拋光布使用時(shí)間中的拋光殘?jiān)俊Ｔ僬?，在此所顯示的拋光殘?jiān)繛閽伖鈿堅(jiān)娜コ幚砗笏鶞y(cè)定出的值。上述的判定方法中的基準(zhǔn)值，例如為圖8中以虛線表示的值(約4200)。

透過(guò)此種判定方法，由于能更確實(shí)判定假拋光后的拋光布是否有充分整理，因此能更確實(shí)的改善拋光布?jí)勖跗诘奈⒘５燃?jí)。另外，由于能正確的判定整理，所以不須進(jìn)行非必要的假拋光。因此，由于降低了進(jìn)行非必要的假拋光所造成的時(shí)間或成本的浪費(fèi)，而能更有效率地進(jìn)行整理。

再者，根據(jù)整理的判定而判定出為整理不充分的狀況下，直到拋光布判定為整理為止，反復(fù)進(jìn)行上述的假拋光(圖1(1c))、拋光殘?jiān)娜コ幚?圖1(1d))、拋光殘?jiān)康臏y(cè)定(圖1(1e))以及整理的判定(圖1(1f))即可。

如以上所述，根據(jù)本發(fā)明的拋光布的整理方法，由于通過(guò)在已知的修整中加上假拋光來(lái)進(jìn)行拋光布的整理，更進(jìn)一步地以不會(huì)看到假拋光后的拋光布為有損傷的發(fā)生或?yàn)橛形⒘夯那樾螢橹苟卸⊕伖獠际欠駷榭沙浞值卣淼膾伖獠迹鳛榻Y(jié)果能進(jìn)行拋光布的整理直至拋光布充分整理為止，因而能有效率地改善拋光布?jí)勖跗诘奈⒘５燃?jí)。

＜拋光方法＞

另外，本發(fā)明為提供一種拋光方法，使用拋光布拋光硅晶圓，該拋光方法包含：將由聚胺酯樹(shù)脂所制的拋光布貼附于拋光機(jī)而進(jìn)行修整后，進(jìn)行假拋光；接著，通過(guò)該假拋光進(jìn)行去除蓄積于該拋光布中的拋光殘?jiān)奶幚?；接著，測(cè)定該拋光布中的拋光殘?jiān)?，且基于該所測(cè)定的拋光殘?jiān)慷x出使用于該硅晶圓的拋光中的拋光布，并使用該選出的拋光布進(jìn)行該硅晶圓的拋光。

以下，參考圖式同時(shí)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的拋光方法。

圖2是顯示本發(fā)明的拋光方法的一例的流程圖。本發(fā)明的拋光方法中，首先將由聚胺酯樹(shù)脂所制的拋光布貼附于拋光機(jī)(圖2(2a))，進(jìn)行修整后(圖2(2b))，進(jìn)行假拋光(圖2(2c))，接著，通過(guò)假拋光進(jìn)行蓄積于拋光布中的拋光殘?jiān)娜コ幚?圖2(2d))，接著，測(cè)定拋光布中的拋光殘?jiān)?圖2(2e))，且基于該所測(cè)定的拋光殘?jiān)慷x出使用于該硅晶圓的拋光中的拋光布(圖2(2f))，并使用選出的拋光布進(jìn)行該硅晶圓的拋光(圖2(2g))。

以下更詳細(xì)地說(shuō)明各步驟。

首先將由聚胺酯樹(shù)脂所制的拋光布貼附于拋光機(jī)(圖2(2a))。作為拋光機(jī)能使用與上述的本發(fā)明的拋光布整理方法所列舉出的相同的拋光機(jī)。

接著，進(jìn)行修整(圖2(2b))。關(guān)于修整，進(jìn)行與上述的本發(fā)明的拋光布的整理方法中相同的修整即可。

接著，進(jìn)行假拋光(圖2(2c))。關(guān)于假拋光，進(jìn)行與上述的本發(fā)明的拋光布的整理方法中相同的假拋光即可。

接著，通過(guò)假拋光進(jìn)行蓄積于拋光布中的拋光殘?jiān)娜コ幚?圖2(2d))。關(guān)于去除拋光殘?jiān)奶幚?，系進(jìn)行與上述的本發(fā)明的拋光布整理方法中相同的拋光殘?jiān)娜コ幚砑纯伞?/p>

接著，測(cè)定拋光布中的拋光殘?jiān)?圖2(2e))。關(guān)于拋光殘?jiān)康臏y(cè)定，進(jìn)行與上述的本發(fā)明的拋光布的整理方法中相同的殘?jiān)康臏y(cè)定即可。

接著，基于所測(cè)定的拋光殘?jiān)慷x出使用于硅晶圓的拋光中的拋光布(圖2(2f))。關(guān)于拋光布的選出方法，進(jìn)行與上述的本發(fā)明的拋光布的整理方法中相同的拋光布的整理判定即可。具體來(lái)說(shuō)，上述的判定中，選出判定為整理完成之物來(lái)作為使用于硅晶圓拋光的拋光布即可。

另外，未被選出的拋光布，直到被選出為止，反復(fù)進(jìn)行上述的假拋光(圖2(2c))、拋光殘?jiān)娜コ幚?圖2(2d))、拋光殘?jiān)康臏y(cè)定(圖2(2e))以及選出(圖2(2f))即可。

接著，使用被選出的拋光布進(jìn)行硅晶圓的拋光(圖2(2g))作為拋光劑例如能使用與上述本發(fā)明的拋光布整理方法中假拋光所列舉出的相同的拋光劑。

如以上所述，根據(jù)本發(fā)明的拋光方法，通過(guò)在修整中加上假拋光來(lái)進(jìn)行拋光布的整理，更進(jìn)一步地通過(guò)假拋光而以不會(huì)看到假拋光后的拋光布為有損傷的發(fā)生或?yàn)橛形⒘夯某潭葹橹挂赃x出充分整理成的拋光布來(lái)用于拋光，因此能改善拋光布?jí)勖跗诘奈⒘５燃?jí)。

實(shí)施例

以下，使用實(shí)施例及比較例而具體的說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并未被限定于此。

再者，實(shí)施例及比較例中，拋光殘?jiān)康臏y(cè)定所使用的是堀場(chǎng)制作所制的mesa-630，測(cè)定項(xiàng)目以alloylefp設(shè)定x射線照射時(shí)間為60秒。

＜比較例1＞

將由聚胺酯樹(shù)脂所制的拋光布貼附于拋光機(jī)，使用表面鋪滿鉆石的修整器進(jìn)行拋光布的修整后，不進(jìn)行假拋光而以下述的正式拋光條件進(jìn)行晶圓的拋光(正式拋光)，且測(cè)定各拋光布使用時(shí)間中的拋光殘?jiān)颗c微粒等級(jí)。圖4是顯示各拋光布使用時(shí)間中的拋光殘?jiān)俊Ａ硗?，圖6是顯示各拋光布使用時(shí)間中的微粒等級(jí)。另外此時(shí)，求出(現(xiàn)在拋光布使用時(shí)間)/(設(shè)定拋光布使用時(shí)間)的值在0.05的時(shí)間點(diǎn)時(shí)的拋光殘?jiān)孔鳛榛鶞?zhǔn)值。

＜正式拋光條件＞

所使用拋光機(jī)：30b雙面拋光機(jī)

樣品晶圓：cz、p型、晶體方位＜100＞、直徑300mm硅晶圓

拋光布：聚胺酯樹(shù)脂制

拋光劑：硅酸膠拋光劑

拋光負(fù)載：180g/cm²

拋光余量：15μm

＜實(shí)施例1＞

將由聚胺酯樹(shù)脂所制的拋光布貼附于拋光機(jī)，使用表面鋪滿鉆石的修整器進(jìn)行拋光布的修整后，以拋光負(fù)載200g/cm²、拋光余量15μm的條件(下述的假拋光條件)連續(xù)進(jìn)行5次的假拋光，以每進(jìn)行15μm的假拋光來(lái)測(cè)定拋光殘?jiān)?。重?fù)5次假拋光與拋光殘?jiān)康臏y(cè)定后，作為去除拋光殘?jiān)奶幚?，使用表面鋪滿鉆石的修整器進(jìn)行拋光布的修整，并以高壓噴射水接觸拋光布來(lái)進(jìn)行洗凈。之后，測(cè)定去除處理后的拋光殘?jiān)?。圖3是顯示每假拋光15μm的拋光殘?jiān)恳约叭コ幚砗蟮膾伖鈿堅(jiān)俊?/p>

＜假拋光條件＞

所使用拋光機(jī)：30b雙面拋光機(jī)

樣品晶圓：cz、p型、晶體方位＜100＞、直徑300mm硅晶圓

拋光布：聚胺酯樹(shù)脂制

拋光劑：硅酸膠拋光劑

拋光負(fù)載：200g/cm²

拋光余量：15μm

將在上述比較例1所預(yù)先求出的基準(zhǔn)值與以上述實(shí)施例1所測(cè)定的去除處理后的拋光殘?jiān)肯啾容^，由于去除處理后的拋光殘?jiān)繛榛鶞?zhǔn)值以上，因此判定實(shí)施例1的拋光布為整理完成，選出作為用于后述的正式拋光的拋光布。

接著，使用所選出的拋光布，以與比較例1為相同的上述的正式拋光條件進(jìn)行晶圓的拋光(正式拋光)，測(cè)定各拋光布使用時(shí)間中的拋光殘?jiān)颗c微粒等級(jí)。圖4是顯示各拋光布使用時(shí)間中的拋光殘?jiān)俊Ａ硗?，圖5是顯示各拋光布使用時(shí)間中的微粒等級(jí)。

如圖4所示，當(dāng)(現(xiàn)在拋光布使用時(shí)間)/(設(shè)定拋光布使用時(shí)間)的值在0的時(shí)間點(diǎn)時(shí)，實(shí)施例1已具有與比較例1中(現(xiàn)在拋光布使用時(shí)間)/(設(shè)定拋光布使用時(shí)間)的值在0.05的時(shí)間點(diǎn)時(shí)的拋光殘?jiān)肯嗤潭鹊膾伖鈿堅(jiān)浚?，?dāng)具有與比較例1中(現(xiàn)在拋光布使用時(shí)間)/(設(shè)定拋光布使用時(shí)間)的值在0.05的時(shí)間點(diǎn)時(shí)相同的狀態(tài)，得知拋光布已充分整理。

如圖6所示，在使用整理不確實(shí)的拋光布來(lái)進(jìn)行正式拋光的比較例1中，(現(xiàn)在拋光布使用時(shí)間)/(設(shè)定拋光布使用時(shí)間)的值在0～0.05的時(shí)間點(diǎn)為止，粒子的個(gè)數(shù)多，0.05之后則漸漸減少。相對(duì)于此，如圖5所示，在使用充分整理的拋光布來(lái)進(jìn)行正式拋光的實(shí)施例1中，(現(xiàn)在拋光布使用時(shí)間)/(設(shè)定拋光布使用時(shí)間)的值在0～0.05的時(shí)間點(diǎn)為止，其微粒等級(jí)已獲得改善。

從以上的說(shuō)明可以清楚地了解到，通過(guò)本發(fā)明的拋光布的整理方法及拋光方法，能改善拋光布?jí)勖跗诘奈⒘５燃?jí)。另外，由于能以拋光殘?jiān)看艘幻鞔_的基準(zhǔn)來(lái)判定拋光布的整理，因此能防止進(jìn)行多余的假拋光、以及時(shí)間或成本的浪費(fèi)的發(fā)生。

此外，本發(fā)明并不被限定于上述實(shí)施例，上述實(shí)施例為例示，凡具有與本發(fā)明的申請(qǐng)專利范圍所記載的技術(shù)思想實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)成，能得到同樣的作用效果者，皆被包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。