本公開涉及具有多個oled像素的有源oled顯示器、運行有源oled顯示器的方法和化合物。

背景技術(shù)：

自從tang等人在1987年(c.w.tang等，appl.phys.lett.51(12)913(1987))證實了低操作電壓以來，有機發(fā)光二極管已成為實現(xiàn)大面積顯示的有希望的候選者。它們由一系列薄的(通常1nm至1μm)有機材料層構(gòu)成，這些層可以例如通過真空熱蒸發(fā)或溶液加工來沉積，然后通過金屬層形成電觸點。有機電子器件提供了大量不同類型的電子或光電子元件例如二極管、發(fā)光二極管、光電二極管和薄膜晶體管(tft)，它們在性能方面與現(xiàn)有的基于無機材料的元件競爭。

在有機發(fā)光二極管(oled)的情況下，通過作為外加電壓的結(jié)果將載荷子(電子從一側(cè)，空穴從另一側(cè))從觸點注入到相鄰的有機層中，隨后在活性區(qū)中形成激子(電子-空穴對)，并且通過這些激子的輻射復(fù)合，發(fā)光二極管產(chǎn)生并發(fā)射光。

與常規(guī)的無機元件(基于無機半導(dǎo)體例如硅或砷化鎵)相比，這些有機元件的優(yōu)點在于生產(chǎn)大面積器件例如大的顯示器件(光學(xué)顯示器、顯示屏)或燈(用于照明應(yīng)用)的選項。與無機材料相比，有機材料相對廉價(材料和能量支出較低)。此外，這些材料由于與無機材料相比加工溫度低，因此可以沉積在柔性襯底上，從而在顯示和照明工程方面開拓了整個一系列新的應(yīng)用。

這種元件的基本構(gòu)造包括排布一個或多個下述層：載體襯底；空穴注入(正觸點)基電極，其通常是透明的；空穴注入層(hil)；空穴傳輸層(htl)；發(fā)光層(el)；電子傳輸層(etl)；電子注入層(eil)；電子注入(負(fù)觸點)蓋電極，其通常是具有低的功函數(shù)的金屬；以及包封，用于排除環(huán)境影響。

盡管上述情況代表了最典型的情況，但通?？梢允÷詭讉€層(除了htl和etl之外)，或者一個層可以合并幾種性能。

在文獻(xiàn)us5,093,698中描述了摻雜的載荷子傳輸層的使用(通過受體樣分子的混合對htl進(jìn)行p-摻雜，通過供體樣分子的混合對etl進(jìn)行n-摻雜)。在這種意義上，摻雜意味著與所討論的兩種物質(zhì)之一的純的層相比，摻雜物質(zhì)在所述層中的混合提高了該層中的平衡載荷子濃度，這導(dǎo)致電導(dǎo)率提高并且載荷子更好地從相鄰接觸層注入到該混合層中。載荷子的傳輸仍然發(fā)生在基質(zhì)分子上。根據(jù)us5,093,698，所述摻雜層在通往接觸材料的界面處被用作注入層，在其之間存在發(fā)光層(或者當(dāng)僅僅使用一個摻雜層時，緊鄰另一個接觸層)。由摻雜和相伴的能帶彎曲而提高的平衡載荷子密度，促進(jìn)了載荷子注入。根據(jù)us5,093,698，應(yīng)該獲得一定的有機層能級(homo＝最高占據(jù)分子軌道或最高能價帶能量；lumo＝最低未占分子軌道或最低能導(dǎo)帶能量)，使得etl中的電子以及htl中的空穴可以無更多阻礙地注入到el(發(fā)射層)中，這要求htl材料具有非常高的電離能并且etl材料具有非常低的電子親和勢。

對于有源oled顯示器來說，顯示器的像素之間的所謂串?dāng)_是主要問題。像素或顏色串?dāng)_是指由像素產(chǎn)生的一種顏色的光子錯誤地與從鄰近像素散射的另一種顏色的光子混合。例如，文獻(xiàn)gb2492400a和wo2002/015292a2提供了用于在oled器件中減少顏色串?dāng)_的措施。此外或作為可替選的情況，可能發(fā)生電串?dāng)_。在這種情況下，例如施加到一個像素的驅(qū)動電流可能引起從靠近提供有所述驅(qū)動電流的像素的另一個像素發(fā)光。兩者都對顯示器件的性能具有負(fù)面影響。(參見yamazakia.等，(2013),33.2：有機發(fā)光二極管顯示器的空間分辨特征：用于手持和工作站格式的mtf的比較性分析(spatialresolutioncharacteristicsoforganiclight-emittingdiodedisplays:acomparativeanalysisofmtfforhandheldandworkstationformats)，sidsymposiumdigestoftechnicalpapers,44:419–422.doi:10.1002/j.2168-0159.2013.tb06236.x)。

在典型的商品化有源矩陣oled顯示器中，像素電串?dāng)_可能由在更多oled像素所共享的空穴傳輸層(htl)(在所述共享htl被電連接到顯示器中存在的多個像素的陽極的意義上)中使用氧化還原p-摻雜所引起。氧化還原p-摻雜劑通過電子從被摻雜基質(zhì)的分子轉(zhuǎn)移到摻雜劑分子而產(chǎn)生新的載荷子(空穴)來提高載荷子密度，這種摻雜劑的使用對于低操作電壓、高的運行穩(wěn)定性和高的產(chǎn)品得率來說是有益的。另一方面，氧化還原p-摻雜將空穴傳輸層的電導(dǎo)率從不含p-摻雜劑時的低于10^-8s/cm、通常從低于10^-10s/cm，提高到超過10^-6s/cm(通常，其中p-摻雜劑的濃度在1至5wt.％之間的范圍內(nèi))。因此，氧化還原摻雜的htl通常對包含由多個像素共享的htl的有源矩陣顯示器中的任何像素電串?dāng)_負(fù)責(zé)。如果用氧化還原n-摻雜劑進(jìn)行n-摻雜，etl可能也顯示出與氧化還原摻雜的htl類似的高電導(dǎo)率，然而由于使用共同陰極的顯示器布局，etl不引起像素電串?dāng)_。

發(fā)明概述

本發(fā)明的目的是提供用于有源oled顯示器的改進(jìn)的技術(shù)，具體來說，有源oled顯示器的鄰近像素之間的串?dāng)_應(yīng)該被降低。

一方面，提供了根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源oled顯示器、根據(jù)權(quán)利要求17所述的運行有源oled顯示器的方法和根據(jù)權(quán)利要求18所述的化合物。其他實施方式是從屬權(quán)利要求項的主題內(nèi)容。

一方面，提供了具有多個oled像素的有源oled顯示器。所述有源oled顯示器包含多個oled像素，其中每個所述oled像素包含陽極、陰極和有機層堆疊物。所述有機層堆疊物被提供在所述陰極與陽極之間并與二者相接觸，并且包含電子傳輸層、空穴傳輸層和提供在所述空穴傳輸層與電子傳輸層之間的發(fā)光層。所述有機層堆疊物與陰極之間以及與陽極之間的接觸可以是電接觸。此外，所述有源oled顯示器包含驅(qū)動電路，其被構(gòu)造成分開地驅(qū)動所述多個oled像素的像素。對于所述多個oled像素來說，由提供在所述多個oled像素的有機層堆疊物中的空穴傳輸層形成共同空穴傳輸層。所述共同空穴傳輸層包含空穴傳輸基質(zhì)材料和電子p-摻雜劑。所述共同空穴傳輸層的電導(dǎo)率可以低于1x10^-3s·m^-1并高于1x10^-8s·m^-1。所述共同空穴傳輸層的電導(dǎo)率是指摻雜有所述電子p-摻雜劑的空穴傳輸基質(zhì)材料的電導(dǎo)率?？商孢x地或除了共同空穴傳輸層的所述電導(dǎo)率范圍之外，所述空穴傳輸基質(zhì)材料的空穴遷移率可以低于5x10^-4cm²/vs。對于所建議的有源oled顯示器來說，可以限制或甚至消除oled像素之間的電串?dāng)_。

有機半導(dǎo)體器件的重要性質(zhì)是它們的導(dǎo)電性。通過電摻雜，可以顯著提高有機半導(dǎo)體器件的層的電導(dǎo)率。薄層樣品的電導(dǎo)率可以通過例如所謂的兩點法來測量。在這種方法中，向所述薄層施加電壓并測量流過所述層的電流。通過考慮觸點的幾何形狀和樣品層的厚度，得到電阻和相應(yīng)的電導(dǎo)率。

有機層中的載荷子遷移率可以從利用導(dǎo)納譜獲得的電容對頻率跡線來確定(參見例如nguyen等，通過導(dǎo)納譜確定有機器件中的載荷子傳輸：應(yīng)用于α-npd中的空穴遷移率(determinationofcharge-carriertransportinorganicdevicesbyadmittancespectroscopy:applicationtoholemobilityinα-npd.)，physicalreviewb75.7(2007):075307)。

另一方面，提供了運行具有多個oled像素的有源oled顯示器的方法。驅(qū)動電路向所述多個oled像素的每個像素施加驅(qū)動電流，其中對于相鄰oled像素來說，在運行時所述驅(qū)動電流是不同的。至少在oled顯示器運行期間的一個時間點處，不同的電勢被施加到相鄰像素。

另一方面，公開了一種具有下式的化合物

任選地，對于一個或多個所述多個oled像素來說，可以提供下述有機層：空穴阻擋層，電子注入層，和/或電子阻擋層。

所述共同空穴傳輸層的電導(dǎo)率可以低于5x10^-4s·m^-1、低于1x10^-4s·m^-1、低于5x10^-5s·m^-1或低于1x10^-5s·m^-1。所述共同空穴傳輸層的電導(dǎo)率可以高于5x10^-8s·m^-1、高于1x10^-7s·m^-1、高于5x10^-7s·m^-1或高于1x10^-6s·m^-1。

可以為所述oled顯示器中的多個oled像素形成所述共同空穴傳輸層(htl)。在一個實施方式中，所述共同htl可以擴展到覆蓋所述oled顯示器中的多個像素中的所有像素。同樣地，可以將陰極形成為所述多個像素的共同陰極。所述共同陰極可以擴展到覆蓋所述oled顯示器中的多個像素中的所有像素。每個個體像素可以具有其自己的陽極，所述陽極可以不觸碰其他個體像素的陽極。

此外，所述有源oled顯示器具有驅(qū)動電路，其被構(gòu)造成分開地驅(qū)動提供在所述oled顯示器中的多個像素中的各個像素。在一個實施方式中，分開驅(qū)動的步驟可以包括分開控制施加到各個像素的驅(qū)動電流。

所述共同htl由電摻雜有p-摻雜劑的空穴傳輸基質(zhì)(htm)材料制成。所述空穴傳輸基質(zhì)材料可以用超過一種p-摻雜劑電摻雜。應(yīng)該理解，所述htm材料由一種或多種htm化合物構(gòu)成，而術(shù)語空穴傳輸材料是在整個本申請中使用的更廣義的術(shù)語，用于包含至少一種htm化合物的所有半導(dǎo)體材料。所述空穴傳輸基質(zhì)材料可以由一種或多種有機化合物構(gòu)成。

以絕對標(biāo)度表示，所述電子p-摻雜劑的lumo能級可以比形成所述htm材料的化合物的最高h(yuǎn)omo能級高至少150mev、至少200mev、至少250mev、至少300mev或至少350mev，所述絕對標(biāo)度引用真空能級作為零。

以絕對標(biāo)度表示，所述電子p-摻雜劑的lumo能級可以比形成所述htm材料的化合物的最高h(yuǎn)omo能級高不到600mev、不到550mev、不到500mev、不到450mev或不到400mev，所述絕對標(biāo)度引用真空能級作為零。

所述htm可以由以絕對標(biāo)度表示，最高占據(jù)分子軌道的能量在-4.8至-5.5ev、-4.9至-5.4ev或-5.0至-5.3ev的范圍內(nèi)的化合物構(gòu)成，所述絕對標(biāo)度引用真空能級作為零。

所述共同空穴傳輸層可以具有小于50nm、小于40nm、小于30nm、小于20nm或小于15nm的厚度。

所述共同空穴傳輸層可以具有大于3nm、大于5nm、大于8nm或大于10nm的厚度。

所述陽極可以由透明導(dǎo)電氧化物(tco)如銦錫氧化物(ito)制成?；蛘?，所述陽極可以由產(chǎn)生半透明陽極的一個或多個薄的金屬層制成。在另一個實施方式中，所述陽極可以由不透過可見光的厚的金屬層制成。

在一個實施方式中，以絕對標(biāo)度表示，所述陽極的功函數(shù)可以比所述共同htl中形成p-摻雜劑的化合物的最高lumo能級高不到500mev、不到450mev、不到400mev、不到350mev或不到300mev，所述絕對標(biāo)度引用真空能級作為零。

所述oled像素可以包含提供在所述空穴傳輸層與發(fā)光層之間的電子阻擋層(ebl)。所述ebl可以與所述共同htl和所述eml直接接觸。所述電子阻擋層可以是由有機空穴傳輸基質(zhì)材料制成的未電摻雜的層(換句話說，它可以不含電摻雜劑)。所述共同空穴傳輸層的有機空穴傳輸基質(zhì)材料的組成可以與所述電子阻擋層的有機空穴傳輸基質(zhì)材料的組成相同。在本發(fā)明的另一個實施方式中，兩種空穴傳輸基質(zhì)材料的組成可以不同。

所述ebl可以具有大于30nm、大于50nm、大于70nm、大于100nm或大于110nm的層厚度。

所述ebl的厚度可以小于200nm、小于170nm、小于140nm或小于130nm。與ebl相比，所述共同htl可以薄大約一個數(shù)量級。

形成所述電子阻擋層的每種化合物可以具有以絕對標(biāo)度表示，比形成所述共同空穴傳輸層的空穴傳輸基質(zhì)材料的任何化合物的homo能級更高的homo能級，所述絕對標(biāo)度引用真空能級作為零。

所述電子阻擋層的有機基質(zhì)材料可以具有等于或高于所述空穴傳輸層的基質(zhì)材料的空穴遷移率的空穴遷移率。

所述共同htl和/或所述ebl的空穴傳輸基質(zhì)(htm)材料可以選自包含離域電子的共軛體系的化合物，所述共軛體系包含至少兩個叔胺氮原子的孤對電子。

用于所述摻雜的空穴傳輸層和/或共同空穴傳輸層的空穴傳輸基質(zhì)材料的適合的化合物選自已知的空穴傳輸基質(zhì)(htm)，例如選自三芳基胺化合物。用于所述摻雜的空穴傳輸材料的htm可以是包含離域電子的共軛體系的化合物，其中所述共軛體系包含至少兩個叔胺氮原子的孤對電子。實例是n4,n4'-二(萘-1-基)-n4,n4'-二苯基-[1,1'-聯(lián)苯]-4,4'-二胺(ht1)和n4,n4,n4”,n4”-四([1,1'-聯(lián)苯]-4-基)-[1,1':4',1”-聯(lián)三苯]-4,4”-二胺(ht4)。聯(lián)三苯二胺htm的合成描述在例如wo2011/134458a1、us2012/223296a1或wo2013/135237a1中；1,3-亞苯基二胺基質(zhì)描述在例如wo2014/060526a1中。這些文獻(xiàn)通過參考并入本文。許多三芳基胺htm是可商購的。

所述oled顯示器的發(fā)光層可以包含多個子區(qū)域，每個所述子區(qū)域被指派給來自于所述多個像素的像素之一。對應(yīng)于顯示器的發(fā)射層的子區(qū)域的各個像素的發(fā)光層，優(yōu)選地不觸碰相鄰像素的發(fā)光層。在顯示器制造過程中，包含各個像素的eml的有機層可以通過已知方法形成圖案，例如通過細(xì)金屬掩蔽(fmm)、激光誘導(dǎo)熱成像(liti)和/或在頂部發(fā)射、底部發(fā)射或底部發(fā)射微腔中的噴墨印刷(ijp)(參見例如chung等，(2006),70.1:特邀報告：大尺寸全彩色amoledtv：進(jìn)展和問題(large-sizedfullcoloramoledtv:advancementsandissues)，sidsymposiumdigestoftechnicalpapers,37:1958–1963.doi:10.1889/1.2451418；lee等，(2009),53.4:使用ltps-tft和rgbfmm的31英寸全hdamoledtv的開發(fā)(developmentof31-inchfull-hdamoledtvusingltps-tftandrgbfmm)，sidsymposiumdigestoftechnicalpapers,40:802–804.doi:10.1889/1.3256911)?？梢蕴峁﹔gb布局。

對于所述多個oled像素來說，可以由提供在所述多個oled像素的有機層堆疊物中的電子傳輸層形成共同電子傳輸層。

所述共同電子傳輸層可以包含有機電子傳輸基質(zhì)(etm)材料。此外，所述共同電子傳輸層可以包含一種或多種n-摻雜劑。用于etm的適合的化合物含有芳香族或雜芳族結(jié)構(gòu)組成部分，正如在例如文獻(xiàn)ep1970371a1或wo2013/079217a1中所公開的。

所述陰極可以由具有低的功函數(shù)的金屬或金屬合金制成。由tco制成的透明陰極在本領(lǐng)域中也是公知的。

所述有機層堆疊物可以由分子量小于2000g/mol的有機化合物制成。在可替選實施方式中，所述有機化合物可以具有小于1000g/mol的分子量。

實施方式描述

下面將參考附圖，以舉例的方式進(jìn)一步詳細(xì)地描述其他實施方式。在所述附圖中示出了：

圖1：有源oled顯示器的示意圖，所述顯示器具有多個oled像素，

圖2：電流密度隨電壓變化的圖形表述，分別對應(yīng)于根據(jù)表2第1行的比較例1的參比器件(實心正方形)和根據(jù)表2第2行的器件(空心正方形)；

圖3：量子效率隨電流密度變化的圖形表述，分別對應(yīng)于根據(jù)表2第1行的比較例1的參比器件(實心正方形)和根據(jù)表2第2行的器件(空心正方形)；

圖4：亮度隨時間變化的圖形表述，分別對應(yīng)于根據(jù)表2第1行的比較例1的參比器件(實心正方形)和根據(jù)表2第2行的器件(空心正方形)；以及

圖5：正向電壓隨時間變化的圖形表述，分別對應(yīng)于根據(jù)表2第1行的比較例1的參比器件(實心正方形)和根據(jù)表2第2行的器件(空心正方形)。

圖1示出了有源oled顯示器1的示意圖，其具有提供在oled顯示器1中的多個oled像素2、3、4。在oled顯示器1中，每個像素2、3、4提供有陽極2a、3a、4a，其被連接到驅(qū)動電路(未示出)。能夠充當(dāng)驅(qū)動電路用于有源矩陣顯示器的各種不同設(shè)備在本領(lǐng)域中是已知的。在一個實施方式中，陽極2a、3a、4a由tco例如ito制成。

陰極6被提供在有機堆疊物頂上，所述有機堆疊物包含電摻雜的空穴傳輸層(htl)7、電子阻擋層(ebl)5、具有指派給像素2、3、4并被分開地提供在電子傳輸層(etl)9中的子區(qū)域2b、3b、4b的發(fā)光層(eml)。例如，子區(qū)域2b、3b、4b可以提供用于顏色顯示的rgb組合(r–紅色，g–綠色，b–藍(lán)色)。通過經(jīng)陽極2a、3a、4a和陰極6向像素2、3、4施加單個驅(qū)動電流，顯示器像素2、3、4被獨立地運行。

合成實例

ht3的合成

步驟1：n-(3-氟-4-甲基苯基)-[1,1'-聯(lián)苯]-4-胺的合成

將4-溴聯(lián)苯(20.0g，85.8mmol)、3-氟-4-甲基苯胺(11.3g，90.1mmol)、pd(oac)2(578mg，2.57mmol，3mol.％)、2,2'-雙(二苯基膦)-1,1'-聯(lián)萘((binap)2.40g，3.86mmol，4.5mol.％)和cs2co3(39.13g，0.12mol，1.4eq.)在氮氣氣氛下裝入燒瓶中。將所述固體懸浮在無水1,4-二噁烷中，并將所述懸液在125℃下回流22h。在冷卻至室溫后，將它在硅土上過濾并將濾墊用二氯甲烷清洗。將濾液蒸發(fā)至干并通過層析進(jìn)行純化(二氧化硅，用己烷/二氯甲烷2:1洗脫，在相應(yīng)的tlc系統(tǒng)中的rf為0.35)。產(chǎn)物被分離成兩個主要級分：(-1)7.55g(32％得率)，根據(jù)hplc純度為99.73％；(-2)3.75g(16％得率)，根據(jù)hplc純度為99.33％。將兩個級分混合在一起用于下一步驟。

¹hnmr(cd2cl2,400mhz)：7.58(2h,dd,j＝8.24和1.10hz),7.54(2h；m-ab；j＝8.57hz),7.43(2h,t,j＝7.75hz),7.31(2h,t,j＝7.38hz),7.14(2h；m-ab；j＝8.57hz),7.09(1h,t,j＝8.47hz),6.81(2h,m),5.86(1h,bs),2.22(3h,s)ppm。

¹³cnmr(cd2cl2,100mhz)：164.18,163.29,161.36,143.03,142.95,142.86,141.21,134.34,132.43,132.37,129.31,128.44,127.22,126.95,118.42,117.52,117.38,114.02(d,j＝2.93hz),105.10,104.89,14.12(d,j＝3.24hz)ppm。

步驟2：n4,n4”-二([1,1'-聯(lián)苯]-4-基)-n4,n4”-雙(3-氟-4-甲基苯基)-[1,1':4',1”-聯(lián)三苯]-4,4”-二胺的合成

將4,4”-二溴-1,1':4',1”-聯(lián)三苯(7.33g，18.9mmol)、n-(3-氟-4-甲基苯基)-[1,1'-聯(lián)苯]-4-胺(11.0g，39.7mmol，2.16eq.)、pd(dba)2(217mg，0.57mmol，2.0mol％)、ptbu3(115mg，0.57mmol，2.0mol％)和kotbu(6.36g，56.7mmol，3.0eq.)在氮氣氣氛下裝入燒瓶中。將所述固體懸浮在無水甲苯中，并將所述懸液在80℃下回流22h。在冷卻至室溫后，將它在硅土上過濾，將濾墊用四氫呋喃大量清洗，并將濾液蒸發(fā)至干。將得到的固體在回流甲醇(150ml)中研磨20min，并將所述懸液熱過濾，在干燥后得到14.9g標(biāo)題化合物(98.9％得率)，根據(jù)hplc純度為98.92％。然后將產(chǎn)物升華以得到黃色無定形固體，根據(jù)hplc純度為99.51％。

元素分析：c85.88％(理論值為86.13％)，h5.60％(理論值為5.42％)，n3.61％(理論值為3.59％)。

玻璃化轉(zhuǎn)變開始：tg＝114℃(來自于dsc10k/min)，未觀察到熔化峰。

器件實例

比較例1

在提供有透明ito陽極(厚度為90nm)的玻璃襯底上，通過下述層的后續(xù)真空沉積來制備符合現(xiàn)有技術(shù)的有源oled顯示器：p-摻雜的htl(10nm，摻雜有8wt.％pd2的ht1)；ebl(ht1，120nm)；熒光eml(abh113:nubd370，來自于fcco.ltd.,korea，20nm，97:3wt.％)；etl(et1:liq，36nm，50:50wt.％)；以及陰極(鋁，100nm)。獲得的結(jié)果提供在表2第1行中。

工作例1

使用由摻雜有3wt.％pd2的ht2制成的p-摻雜的htl重復(fù)比較例1。獲得的結(jié)果提供在表2第2行中。

工作例2

使用ht3代替ht2重復(fù)工作例1。獲得的結(jié)果提供在表2第3行中。

工作例3

使用由摻雜有7wt.％pd2的ht4制成的p-摻雜的htl重復(fù)比較例1。獲得的結(jié)果提供在表2第4行中。

比較例2

使用ht1代替ht2或ht3重復(fù)工作例1和2。獲得的結(jié)果提供在表2第5行中。

表1

表2

下面，對于表2中使用的術(shù)語提供進(jìn)一步解釋。

術(shù)語“homo”是指從溶液中的分子的循環(huán)伏安法推演的最高占據(jù)分子軌道能級，并且用針對真空的物理絕對標(biāo)度來表示，所述真空被取為零能級。給出的homo能級按照方程ehomo＝-q*vcv–4.8ev，從氧化還原電勢vcv(通過如下規(guī)定的循環(huán)伏安法(cv)測量，并用取標(biāo)準(zhǔn)氧化還原對二茂鐵鹽/二茂鐵(fc⁺/fc)的電勢等于零的標(biāo)度來表示)來計算，其中q*表示電子的電荷(1e)。

氧化還原電勢可以通過循環(huán)伏安法，使用例如電勢恒定裝置metrohmpgstat30和軟件metrohmautolabgpes，在室溫下測定。對特定化合物給出的氧化還原電勢，在測試物質(zhì)的氬氣脫氣的無水0.1mthf(四氫呋喃)溶液中，在氬氣氣氛下測量，其中在鉑工作電極之間具有0.1m四丁基六氟磷酸銨支持電解質(zhì)，使用由氯化銀覆蓋的銀絲構(gòu)成并直接浸泡在測量溶液中的ag/agcl假標(biāo)準(zhǔn)電極(metrohm銀桿電極)，并使用100mv/s的掃描速率。在所述測量中，第一次運行在工作電極上設(shè)定的最寬電勢范圍內(nèi)進(jìn)行，然后在后續(xù)運行中適當(dāng)調(diào)整范圍。最后三次運行在添加作為標(biāo)準(zhǔn)品的二茂鐵(濃度為0.1m)的情況下進(jìn)行。對應(yīng)于所研究的化合物的陰極和陽極峰的電勢的平均值，在減去對標(biāo)準(zhǔn)的fc+/fc氧化還原對觀察到的陰極和陽極電勢的平均值后，最終得到上面報告的值。所有研究的化合物以及報道的比較性化合物顯示出定義明確的可逆的電化學(xué)行為。或者，可以使用二氯甲烷作為溶劑。

一種簡單規(guī)則常常被用于將氧化還原電勢分別轉(zhuǎn)變成電子親和勢(ea)和電離電勢(ip)：ip(單位為ev)＝4.84ev+e*eox(其中eox以相對于二茂鐵/二茂鐵鹽(fc/fc+)的伏特給出)和ea(單位為ev)＝4.84ev+e*ered(ered以相對于fc/fc+的伏特給出)(參見b.w.d’andrade,org.electron.6,11-20(2005))，e*是元電荷。盡管不完全正確，但常用做法是使用術(shù)語“homo的能量”e(homo)和“l(fā)umo的能量”e(lumo)分別作為電離能和電子親和勢的同義詞(koopmans定理)。

術(shù)語“μ0”是指零場遷移率。遷移率在導(dǎo)納譜中從電容相對于頻率的跡線確定，并在下述參考文獻(xiàn)中詳細(xì)描述：nguyen等，通過導(dǎo)納譜測定有機器件中的載荷子傳輸：應(yīng)用于α-npd中的空穴遷移率(determinationofcharge-carriertransportinorganicdevicesbyadmittancespectroscopy:applicationtoholemobilityinα-npd.)，physicalreviewb75.7(2007):075307。

用于空穴遷移率測量的器件具有ito(100nm)/ht1:pd2(10nm)/評估的htm(700nm)/ht1:pd2(10nm)/au(10nm)/al(100nm)的層結(jié)構(gòu)。提供10nm的ht1:pd2(重量比為90:10)空穴注入層是為了確保與ito陽極和au/al陰極的歐姆接觸。幾何電容的測量使用上面給出的沒有hil的樣品來進(jìn)行。使用下述條件和參數(shù)：室溫，幅度：20mv，頻率：110hz至2mhz。適當(dāng)?shù)剡x擇電壓范圍，以允許在10至50ma/cm²范圍內(nèi)的相關(guān)電流密度下進(jìn)行遷移率估算。

“電導(dǎo)率”一列是指通過在例如wo2013/135237a1中描述的標(biāo)準(zhǔn)的四點方法在包含濃度在表2的下一列中給出的pd2摻雜劑的所選基質(zhì)的薄膜上測量的電導(dǎo)率。將準(zhǔn)備用于電導(dǎo)率測量的薄膜真空沉積在覆蓋有ito接觸層的玻璃襯底上；在室溫下估算電導(dǎo)率。

qe表示量子效率；lt97表示在給定電流密度下運行的器件的亮度改變不超過其初始值的3％的時間跨度?！半妷荷摺笔莖led的另一個重要運行特征。在恒定電流下運行的穩(wěn)定器件中，電壓保持恒定。如果在所需壽命期間測試器件中的電壓升高超過其初始值的5％，則這是所測試的材料使所述器件不穩(wěn)定的跡象。

圖2至5顯示了本文提出的oled允許抑制顯示器中的串?dāng)_，具有與比較例1的現(xiàn)有技術(shù)oled相同的性能，所述現(xiàn)有技術(shù)oled包含氧化還原摻雜的htl，其具有比工作例1至3的htl明顯更高的電導(dǎo)率。據(jù)推測，本公開的顯示器顯示出受抑制的串?dāng)_，這是由于氧化還原摻雜的電摻雜的空穴傳輸層具有足夠的摻雜劑濃度，仍允許良好的器件穩(wěn)定性和良好的電荷從陽極的注入和/或注入到相鄰有機層中，但由于低的載荷子遷移率和/或低的實際載荷子濃度而具有明顯更低的電導(dǎo)率。

正如在比較例2中所做的，降低包含空穴遷移率高于5.10^-4cm²/vs的ht1基質(zhì)的現(xiàn)有技術(shù)oled中的電導(dǎo)率的嘗試，產(chǎn)生了缺少必要的運行穩(wěn)定性的器件。這些結(jié)果令人吃驚地顯示，足夠濃度的氧化還原p-摻雜劑不僅對于保持良好電壓，而且對于器件穩(wěn)定性也是重要的。此外還證實，盡管包含與氧化還原p-摻雜劑相組合的具有低的空穴遷移率(低于5.10^-4cm²/vs)的基質(zhì)的htl的電導(dǎo)率低，但這些基質(zhì)令人吃驚地允許構(gòu)造與包含高電導(dǎo)率htl的現(xiàn)有技術(shù)器件相比具有相等或更好的電壓和其他性能參數(shù)的oled，其中顯著的優(yōu)點在于如果在包含由多個像素共享的共同htl的現(xiàn)有技術(shù)顯示器中被用作像素，由于其低電導(dǎo)率的htl，本發(fā)明的oled顯著抑制像素串?dāng)_。

在上面的描述和權(quán)利要求書中分開地和以任何組合形式公開的特點，可以是以多種多樣的形式實現(xiàn)本公開的各種情況的原材料。

在整個本申請中使用的關(guān)鍵符號和縮略詞：

cv循環(huán)伏安法

dsc差示掃描量熱術(shù)

ebl電子阻擋層

eil電子注入層

eml發(fā)射層

eq.當(dāng)量

etl電子傳輸層

etm電子傳輸基質(zhì)

fc二茂鐵

fc⁺二茂鐵鹽

hbl空穴阻擋層

hil空穴注入層

homo最高占據(jù)分子軌道

hplc高效液相色譜

htl空穴傳輸層

p-htlp-摻雜的空穴傳輸層

htm空穴傳輸基質(zhì)

ito銦錫氧化物

lumo最低未占分子軌道

mol.％摩爾百分?jǐn)?shù)

nmr核磁共振

oled有機發(fā)光二極管

opv有機光伏器件

qe量子效率

rf在tlc中的滯留系數(shù)

rgb紅-綠-藍(lán)

tco透明導(dǎo)電氧化物

tft薄膜晶體管

tg玻璃化轉(zhuǎn)變溫度

tlc薄層層析

wt.％重量百分?jǐn)?shù)。