用于多帶電粒子束平板印刷術(shù)的像素融合的制作方法【專利摘要】公開(kāi)一種在平板印刷術(shù)制造工藝中將掩模數(shù)據(jù)圖案施加至基板的系統(tǒng)和方法。在一個(gè)實(shí)施方式中，平行成像寫(xiě)入系統(tǒng)包括多個(gè)空間光調(diào)制器(SLM)成像單元以及被配置成控制所述多個(gè)SLM成像單元的控制器。所述多個(gè)SLM成像單元中的每個(gè)包括一或多個(gè)照明光源、一或多個(gè)對(duì)準(zhǔn)光源、一或多個(gè)投影透鏡以及多個(gè)微鏡，所述多個(gè)微鏡被配置成將來(lái)自一或多個(gè)照明光源的光投影至對(duì)應(yīng)一或多個(gè)投影透鏡。在平板印刷術(shù)制造工藝中，在將掩模數(shù)據(jù)寫(xiě)入基板的過(guò)程中，所述控制器使所述多個(gè)SLM成像單元的移動(dòng)與所述基板的移動(dòng)同步?！緦＠f(shuō)明】用于多帶電粒子束平板印刷術(shù)的像素融合
技術(shù)領(lǐng)域：
[0001]本發(fā)明涉及了用于制造業(yè)的平板印刷術(shù)領(lǐng)域。具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及一種在平板印刷術(shù)制造工藝中用于將掩模數(shù)據(jù)圖案施加至基板的系統(tǒng)和方法。【
背景技術(shù)：
】[0002]受惠于半導(dǎo)體集成電路（IC)工業(yè)技術(shù)的突飛猛進(jìn)，有源矩陣液晶顯示器(ActiveMatrixLiquidCrystalDisplay,AMIXD)電視及計(jì)算機(jī)監(jiān)視顯示器的工藝已有長(zhǎng)足進(jìn)步。近年來(lái)，液晶顯示器(LCD)電視及計(jì)算機(jī)監(jiān)視顯示器的尺寸不斷加大，而價(jià)格卻更經(jīng)濟(jì)實(shí)惠。[0003]在半導(dǎo)體IC工業(yè)中，技術(shù)世代是由電路設(shè)計(jì)規(guī)則的關(guān)鍵尺寸（criticaldimenSion，CD)所界定。隨著各個(gè)技術(shù)世代前進(jìn)，新一代IC具有更小的特征⑶目標(biāo)和更嚴(yán)格的公差。另一方面，就平板顯示器(FlatPanelDisplay，F(xiàn)PD)而言，技術(shù)世代是根據(jù)工藝中所用基板的物理尺寸加以分類。在實(shí)例中，F(xiàn)PD于2005年為第六代(G6)、2007年為第八代(G8)、及2009年為第十代(G10)，而基板尺寸（毫米X毫米)分別為1500xl800、2160x2460及2880x3080。[0004]就半導(dǎo)體IC與FPD基板的制造而言，其平板印刷術(shù)工藝所面臨的挑戰(zhàn)均在于努力使得更大尺寸產(chǎn)品的價(jià)格更經(jīng)濟(jì)實(shí)惠。然而，此兩者從制造業(yè)的角度來(lái)看是截然不同的。IC工業(yè)的一主要挑戰(zhàn)，是在圓形的300毫米晶片上形成具有小的CD特征。對(duì)象是盡可能提高晶體管的包裝數(shù)量，以使相同晶粒(die)尺寸中達(dá)成更佳的功能。然而，F(xiàn)H)工業(yè)的一個(gè)主要挑戰(zhàn)是盡可能加大可處理的矩形基板尺寸。生產(chǎn)線上所能處理的FPD基板越大，則所能制造的TV或監(jiān)視器越大，且成本越低。為提高效能，典型的液晶TV及監(jiān)視器的設(shè)計(jì)是采用較為復(fù)雜的薄膜晶體管(TFT)。但TFT的CD目標(biāo)值仍停留在相同的規(guī)格范圍內(nèi)。從某一觀點(diǎn)而言，F(xiàn)PD制造業(yè)的一個(gè)主要挑戰(zhàn)，是使后續(xù)各代的產(chǎn)出量有合理的成本效益。關(guān)鍵的考慮因素是令工藝良率達(dá)到獲利水準(zhǔn)，同時(shí)維持適當(dāng)?shù)闹圃旃に嚧翱?。[0005]常規(guī)地，用于制造FPD的平板印刷術(shù)技術(shù)是由制造半導(dǎo)體IC的平板印刷術(shù)工藝演變而來(lái)。制造FH)基板所用的平板印刷術(shù)曝光工具大多為投影步進(jìn)式和/或掃描式系統(tǒng)。這些系統(tǒng)不是二倍縮小就是一比一的將掩模投影至基板。為了將掩模圖案投影至基板，掩模首先必須以可接受的⑶規(guī)格制造。Fro的掩模制造工藝與半導(dǎo)體IC的掩模制造工藝類似，不同之處在于:制造半導(dǎo)體IC所用的掩模尺寸約為每邊150毫米(或6英寸），而用于制造Fro的掩模尺寸，在一個(gè)實(shí)例中，可為前述每邊尺寸的八倍左右，或?qū)嶓w上每邊超過(guò)一米。[0006]圖1示出用以將掩模圖案掃描至Fro基板的投影曝光工具的常規(guī)結(jié)構(gòu)。在這個(gè)結(jié)構(gòu)中，所用的曝光光源主要是高壓短弧汞(Hg)燈。入射的照明光由反射鏡（lightfoldingmirror)102反射，反射光通過(guò)掩模104及投影透鏡106后，到達(dá)FH)基板108。將如圖1所圖示的常規(guī)基于掩模的曝光工具結(jié)構(gòu)用于制造新一代FPD平板印刷術(shù)，所要關(guān)注的是處理掩模實(shí)體尺寸日益加大的問(wèn)題。在一個(gè)實(shí)例中，對(duì)于第八代FPD，其掩模尺寸約為1080毫米X1230毫米，而第八代基板的面積則為其四倍大。TFT的CD特征規(guī)格在3微米±10%的范圍內(nèi)。相較于在直徑300毫米的硅晶片上控制所印制的先進(jìn)IC特征的規(guī)格，如何在每邊超過(guò)兩米的第八代基板上控制TFT的CD更具挑戰(zhàn)性。FPD工業(yè)所面臨的挑戰(zhàn)，是以符合成本效益的方式建造出適用于新一代FH)的掩模式曝光工具，同時(shí)保留可接受的平板印刷術(shù)工藝窗口。[0007]為了緩解整個(gè)Fro曝光區(qū)域內(nèi)CD不均勻的問(wèn)題，一種作法是使用多重曝光法，其中標(biāo)稱曝光量(nominalexposure)由多個(gè)依適當(dāng)比例分配的曝光分量所組成，而每一曝光分量則使用預(yù)選波長(zhǎng)的照明，并搭配對(duì)應(yīng)的投影透鏡以進(jìn)行掃描及步進(jìn)。此類曝光工具須包括多個(gè)投影透鏡，但僅裝配單一照明光源，其原因在于必須使用以千瓦(KW)計(jì)的高輸出功率短弧汞燈照明光源。至于選擇曝光波長(zhǎng)的方式，是在光源處安裝適當(dāng)?shù)臑V光鏡(filter)。在一個(gè)實(shí)例中，此多波長(zhǎng)曝光法可降低第八代基板上CD均勻性所受到的負(fù)面影響，故可使用較平價(jià)的透鏡及照明結(jié)構(gòu)。[0008]在使用多波長(zhǎng)曝光法時(shí)，需為掩模本身指定較嚴(yán)格的CD目標(biāo)值及均勻度。在一個(gè)實(shí)例中，TFT掩模的CD誤差容許值小于100納米，此數(shù)值遠(yuǎn)小于掩模CD標(biāo)稱目標(biāo)值3微米所需的誤差容許值。原因之一在于這對(duì)于使用現(xiàn)有曝光工具結(jié)構(gòu)而言，F(xiàn)H)平板印刷術(shù)工藝的工藝窗口可較易于掌控。然而，對(duì)Fro掩模CD規(guī)格的要求越嚴(yán)，將使原本即昂貴的掩模組越加昂貴。在某些情況下，為第八代FPD制作關(guān)鍵水平掩模的成本極高，且交貨時(shí)間（deliveryleadtime)長(zhǎng)。[0009]常規(guī)作法的另一問(wèn)題在于，對(duì)使用更大尺寸掩模的缺陷密度控制。以如此大尺寸的掩模進(jìn)行多重曝光的平板印刷術(shù)工藝時(shí)，即使一開(kāi)始使用全無(wú)缺陷的掩模，仍易于出現(xiàn)有害缺陷。而易于產(chǎn)生缺陷的工藝不但影響良率，而且最終影響掩模成本。[0010]圖2示出用于產(chǎn)生掩模曝光的工具的常規(guī)結(jié)構(gòu)。在此曝光工具結(jié)構(gòu)中，照明光202傳送至分束器204,接著經(jīng)過(guò)傅里葉透鏡208而被部分地反射以照亮空間光調(diào)制器(spatiallightmodulator，SLM)206。之后，此成像光線反射回來(lái)，通過(guò)傅里葉透鏡208、光束分束器204、傅里葉濾光鏡210及縮小透鏡(reductionlens)212,最后到達(dá)掩?？瞻谆?16。掩模數(shù)據(jù)214以電子方式傳送至SLM206，從而設(shè)定微鏡像素。反射光在空白掩?；?16上產(chǎn)生亮點(diǎn)，或者是空白掩?；?16上無(wú)反射光處形成暗點(diǎn)。通過(guò)控制反射及對(duì)反射構(gòu)圖，即可將掩模數(shù)據(jù)圖案轉(zhuǎn)移至空白掩?；?16上。[0011]應(yīng)當(dāng)注意，對(duì)于在這類曝光工具結(jié)構(gòu)，照射光路經(jīng)折疊(fold)以便以垂直角度入射照明SLM。此折疊的照明路徑與曝光成像路徑形成"T"字形結(jié)合部。這類曝光系統(tǒng)除使用高功率照明光源之外，還須使用具有高縮小率的投影透鏡，以提高掩模圖案寫(xiě)入的準(zhǔn)確度與精度。通常，透鏡縮小率約為100倍。使用具有如此高縮小率的投影透鏡時(shí)，單一SLM晶粒所產(chǎn)生的曝光區(qū)域非常小。SLM的晶粒實(shí)體尺寸為約1厘米，經(jīng)縮小100倍后，SLM的寫(xiě)入?yún)^(qū)域縮小至約100微米。因?qū)懭雲(yún)^(qū)域尺寸很小，故若試圖寫(xiě)完一整片第八代FH)掩模，其所需時(shí)間很長(zhǎng)。[0012]另一常規(guī)作法是以多個(gè)激光光束連續(xù)照射SLM。此多個(gè)光束是由單一照明激光光源經(jīng)旋轉(zhuǎn)式多面反射鏡反射而成。多個(gè)照明光束在特定時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生多重曝光，從而提高掩模寫(xiě)入速度。在一個(gè)實(shí)例中，以此結(jié)構(gòu)寫(xiě)完一片第八代FH)掩模約需20小時(shí)。由于寫(xiě)入時(shí)間偏長(zhǎng)，控制機(jī)器并維持其機(jī)械及電子運(yùn)轉(zhuǎn)的成本也隨之增加，進(jìn)而增加所制造的Fro掩模的成本。若將同樣的曝光工具應(yīng)用于即將到來(lái)的第十代或更新一代的Fro掩模，則制造成本將更尚。[0013]另一常規(guī)作法中，為解決低量原型應(yīng)用的掩模成本問(wèn)題，一種曝光工具結(jié)構(gòu)使用透明的SLM為掩模。此作法是將掩模圖案讀入SLM中，以顯示所需的掩模圖案，如此一來(lái)便不需使用實(shí)體掩模。此透明SLM的功能可取代實(shí)體掩模。這能節(jié)省掩模成本。就曝光工具的結(jié)構(gòu)來(lái)看，此方法實(shí)質(zhì)上與掩模式投影系統(tǒng)相同。然而，若與實(shí)體掩模相比，所述SLM掩模的圖像質(zhì)量較低，不符合FH)制造的圖案規(guī)格要求。[0014]另一常規(guī)作法中，一種通過(guò)在網(wǎng)狀基板上同步光刻曝光的顯示器的卷到卷(r〇ll-to-rol1)制造方法，被描述在第6，906，779號(hào)美國(guó)專利（以下簡(jiǎn)稱第'779號(hào)專利）中。此'779專利教導(dǎo)一種方法以將掩模圖案曝光至成卷基板上。此外，另一用于制作卷到卷平板印刷術(shù)的常規(guī)方法可參見(jiàn)SeHyunAhn等的論文"Hight-SpeedRoll-to-RollNanoimprintLithographyonFlexiblePlasticSubstrates(用于柔性塑料基板的高速卷到卷納米壓印平板印刷術(shù)）"，Wiley_VCHVerlagGmbH&Co.KGaA，Weinheim，AdvancedMaterials，2008，20，第2044-2049頁(yè)（以下簡(jiǎn)稱Ahn論文）。[0015]然而，在上述兩種常規(guī)方法中，掩模被限制為預(yù)定的實(shí)體尺寸，而掩模實(shí)體尺寸則實(shí)質(zhì)上限制可制造的柔性顯示器的尺寸。第'779號(hào)專利及Ahn論文所述常規(guī)方法的另一問(wèn)題在于，為了達(dá)到合理的制印結(jié)果，在曝光階段期間，必須將成卷的基板拉平。如此一來(lái)，基板表面的平整度將不像典型LCDTV顯示器所用的剛性玻璃基板那樣好。應(yīng)用此種掩模式平板印刷術(shù)時(shí)，焦深(depthoff〇CUS，D0F)會(huì)因基板表面不平整而受限，因此，上述常規(guī)方法恐難形成關(guān)鍵尺寸(⑶)為5微米或以下圖案TFT特征。若欲使TFT顯示器的分辨率達(dá)一定水準(zhǔn)，則TFT掩模圖案的CD需為約3微米。[0016]如上所述，在制造未來(lái)世代FPD時(shí)的挑戰(zhàn)是由于FPD工業(yè)降低成本的需求所產(chǎn)生的。主要?jiǎng)訖C(jī)之一，是令新世代產(chǎn)品的工藝具有成本效益。平板印刷術(shù)工藝需要一方面維持產(chǎn)出效率，一方面確保產(chǎn)品良率逐代提升。這需要更寬的平板印刷術(shù)工藝窗口、以及更少的工藝缺陷，并處理更大的Fro基板。如上所述，現(xiàn)有曝光工具結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)非常多。其中主要缺點(diǎn)是與掩模的使用有關(guān)。掩模的尺寸過(guò)大而無(wú)法符合制造成本效益。由于掩模尺寸勢(shì)必持續(xù)加大以滿足未來(lái)世代FPD的需求，這個(gè)缺點(diǎn)將日趨嚴(yán)重。因此，需有一種改進(jìn)的成像寫(xiě)入系統(tǒng)，以解決常規(guī)工具與方法的諸多問(wèn)題?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0017]本發(fā)明涉及了一種在平板印刷術(shù)制造工藝中將掩模數(shù)據(jù)圖案施加至基板的系統(tǒng)和方法。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述方法包括:提供平行成像寫(xiě)入系統(tǒng)，其中平行成像寫(xiě)入系統(tǒng)包括多個(gè)多帶電粒子束(MCB)成像單元，所述多個(gè)MCB成像單元被布置為一或多個(gè)平行陣列;接收將被寫(xiě)入至基板的掩模數(shù)據(jù)圖案;處理掩模數(shù)據(jù)圖案，以便形成多個(gè)分區(qū)掩模數(shù)據(jù)圖案以對(duì)應(yīng)至基板的不同區(qū)域;識(shí)別在基板的區(qū)域中的一或多個(gè)對(duì)象(object)，所述一或多個(gè)對(duì)象將被對(duì)應(yīng)的MCB成像單元成像；以及通過(guò)控制多個(gè)MCB成像單元平行地寫(xiě)入多個(gè)分區(qū)掩模數(shù)據(jù)圖案，執(zhí)行多重曝光(mu11ipIeexposure)以使所述基板的所述區(qū)域中的一或多個(gè)對(duì)象成像。[0018]在另一實(shí)施方式中，一種用于在平板印刷術(shù)工藝中處理圖像數(shù)據(jù)的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括平行成像寫(xiě)入系統(tǒng)，其中平行成像寫(xiě)入系統(tǒng)包括:多個(gè)多帶電粒子束MCB成像單元，所述多個(gè)多帶電粒子束成像單元被布置為一或多個(gè)平行陣列;控制器，所述控制器被配置為控制多個(gè)MCB成像單元，其中控制器包括:用于接收將被寫(xiě)入至基板的掩模數(shù)據(jù)圖案的邏輯；用于處理掩模數(shù)據(jù)圖案以形成多個(gè)分區(qū)掩模數(shù)據(jù)圖案以對(duì)應(yīng)至基板的不同區(qū)域的邏輯;用于識(shí)別在基板的區(qū)域中將通過(guò)對(duì)應(yīng)MCB成像單元成像的一或多個(gè)對(duì)象的邏輯；以及用于通過(guò)控制多個(gè)MCB成像單元以平行地寫(xiě)入多個(gè)分區(qū)掩模數(shù)據(jù)圖案，執(zhí)行多重曝光以成像所述基板的所述區(qū)域中的一或多個(gè)對(duì)象的邏輯?！靖綀D說(shuō)明】[0019]在結(jié)合附圖閱讀對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的詳細(xì)描述后，將會(huì)更清楚地理解本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)、以及它們另外特征和優(yōu)點(diǎn)。[0020]圖1示出用于將掩模圖案掃描至Fro基板上的投影曝光工具的常規(guī)結(jié)構(gòu)。[0021]圖2示出常規(guī)掩模曝光工具的結(jié)構(gòu)。[0022]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的示例性數(shù)字微鏡裝置。[0023]圖4示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的基于DMD的投影系統(tǒng)。[0024]圖5示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的光柵光閥（GLV)裝置的示例性鏡面反射狀態(tài)與衍射狀態(tài)。[0025]圖6示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的緊湊空間光調(diào)制器(SLM)成像單元的實(shí)例。[0026]圖7示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的示例性SLM成像單元的平行陣列。[0027]圖8示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的圖7的SLM成像單元的平行陣列的對(duì)應(yīng)的俯視圖。[0028]圖9示出常規(guī)單一透鏡投影系統(tǒng)與根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使用陣列式成像系統(tǒng)的局部工藝窗口優(yōu)化的比較。[0029]圖10示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于使基板局部不平整性優(yōu)化的方法。[0030]圖11示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的掩模數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用。[0031]圖12示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的平行陣列加總曝光的方法。[0032]圖13示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的在成像寫(xiě)入系統(tǒng)中實(shí)施冗余的方法。[0033]圖14示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的梯形(Keystone)邊界融合方法。[0034]圖15示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的將SLM成像單元排成陣列的方法。[0035]圖16示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于制造柔性顯示器的無(wú)掩模成像寫(xiě)入系統(tǒng)的示例性實(shí)施方案。[0036]圖17示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的SLM成像單元。[0037]圖18示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的將SLM成像單元線性陣列用于卷到卷無(wú)掩模平板印刷術(shù)的方法。[0038]圖19示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的將SLM成像單元二維陣列用于卷到卷無(wú)掩模平板印刷術(shù)的方法。[0039]圖20示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使用無(wú)掩模平板印刷術(shù)以使多個(gè)基板尺寸成像的方法。[0040]圖21示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于定位對(duì)應(yīng)于局部基板表面狀況的各SLM成像單元的方法。[0041]圖22示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的檢測(cè)像素聚焦的方法。[0042]圖23a至圖23c示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于在運(yùn)作中（on-the-fIy)檢測(cè)SLM成像單元聚焦的示例性設(shè)備。[0043]圖24示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的可實(shí)施的像素加總曝光法的示例性成像圖案。[0044]圖25示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的通過(guò)像素加總曝光法改善焦深(DOF)的方法。[0045]圖26示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的多帶電粒子束成像單元的示例性實(shí)施方式。[0046]圖27示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的多帶電粒子束成像單元的另一示例性實(shí)施方式。[0047]圖28示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的多帶電粒子束成像單元的又一示例性實(shí)施方式。[0048]圖29示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的多帶電粒子束成像單元的另一示例性實(shí)施方式。[0049]圖30a至圖30d示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使對(duì)象成像的方法。[0050]圖31a與圖31b示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于計(jì)算評(píng)估點(diǎn)的累積劑量的方法。[0051]圖32示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的通過(guò)處理一組評(píng)估點(diǎn)以使對(duì)象成像的方法。[0052]圖33a至圖33d示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的對(duì)對(duì)象成像進(jìn)行優(yōu)化的方法。圖33e示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的執(zhí)行像素融合曝光的方法。[0053]圖34a示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的對(duì)光學(xué)成像寫(xiě)入系統(tǒng)進(jìn)行校正的方法。[0054]圖34b示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的將像素融合曝光應(yīng)用于多帶電粒子束鄰近效應(yīng)校正的一種方法。[0055]圖34c示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的將像素融合曝光應(yīng)用于多帶電粒子束鄰近效應(yīng)校正的另一方法。[0056]圖34d示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的將像素融合曝光應(yīng)用于多帶電粒子束鄰近效應(yīng)校正的又一方法。[0057]在本說(shuō)明書(shū)中，相同元件使用相同附圖標(biāo)記?！揪唧w實(shí)施方式】[0058]本發(fā)明提供在平板印刷術(shù)制造工藝中將掩模數(shù)據(jù)圖案施加至基板的系統(tǒng)及方法。以下說(shuō)明，是為使任何本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠制作及應(yīng)用本發(fā)明。本文有關(guān)特定實(shí)施方式及應(yīng)用方式的說(shuō)明僅作為實(shí)例，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以容易地想到多種修改及組合這些實(shí)例的方式。本文所定義的基本原理也適用于其他實(shí)例及應(yīng)用而不背離本發(fā)明的精神與范圍。因此，本發(fā)明并不限于本文所描述及示出的實(shí)例，而應(yīng)涵蓋符合本文所公開(kāi)的原理及技術(shù)特征的最大范圍。[0059]在以下詳細(xì)說(shuō)明中，部分內(nèi)容通過(guò)流程圖、邏輯方框圖、及其他可在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行信息運(yùn)算步驟的符號(hào)表示式來(lái)呈現(xiàn)。在本文中，任一程序、計(jì)算機(jī)可執(zhí)行的步驟、邏輯方框及流程等，都是由一或多道步驟或指令所組成的有條理的序列，以達(dá)成預(yù)定的結(jié)果。這些步驟是指實(shí)際操控物理量的步驟，而物理量的形式則包括可在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中儲(chǔ)存、轉(zhuǎn)移、結(jié)合、比較，及以其他方式操控的電性、磁性或無(wú)線電信號(hào)。在本文中，這些信號(hào)有時(shí)以位、數(shù)值、元素、符號(hào)、字符、項(xiàng)、號(hào)碼或類似名稱指稱。各步驟的執(zhí)行者可為硬件、軟件、固件，或以上各項(xiàng)的組合。[ΟΟ?Ο]本發(fā)明的實(shí)施方式使用以空間光調(diào)制器(spatiallightmodulator,SLM)為基礎(chǔ)的圖像投影裝置。有兩種SLM為基礎(chǔ)的圖像投影方式可供使用，一種是數(shù)字微鏡裝置(digitalmicro-mirrordevice，DMD)，另一種則是光概光閥（gatinglightvalve，GLV)裝置，兩種裝置均可以通過(guò)微機(jī)電(micro-electro-mechanical，MEM)制造方法而被制成。[0061]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的示例性數(shù)字微鏡裝置。在此實(shí)例中，單一DMD晶粒由標(biāo)號(hào)302表示，而相同的DMD晶粒的放大簡(jiǎn)化視圖由標(biāo)號(hào)304表示?？赏ㄟ^(guò)使DMD中的微鏡傾斜至固定角度(通常約為±10度或±12度)來(lái)尋址(addreSS)DMD，以將DMD作為空間光調(diào)制器(SLM)AMD的鏡面對(duì)入射照明光的是高反射性的。各微鏡可由下方的晶體管控制器所操控而傾斜(如標(biāo)號(hào)306所示)或維持不變(如標(biāo)號(hào)308所示）。在一個(gè)實(shí)施方案中，DMD的間距尺寸(pitchdimension)可為約14微米，而各微鏡之間的距離為約1微米。單一DMD晶粒上的像素?cái)?shù)可為1920X1080個(gè)鏡像素，和高清晰度電視(HighDefinitionTelevision,HDTV)的顯示器規(guī)格相容。[0062]圖4示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的基于DMD的投影系統(tǒng)。在此實(shí)例中，微鏡有三種狀態(tài)：1)傾角約為+1〇度的"打開(kāi)"402;2)無(wú)傾斜的"持平"狀態(tài)404;以及3)傾角約為-10度的"關(guān)閉"狀態(tài)406。光源408所在位置與DMD形成-20度的角度，當(dāng)一束光束由光源射出時(shí)，處于"打開(kāi)"狀態(tài)(或二進(jìn)制中的"1"）的微鏡會(huì)反射光束以直接穿過(guò)投影透鏡410,從而在顯示器基板上形成亮點(diǎn)。至于"持平"狀態(tài)及"關(guān)閉"狀態(tài)(或二進(jìn)制中的"〇"）的微鏡，光束將以落在此投影透鏡的聚光錐(collectioncone)之外（角度分別為約-20度及-40度）的角度被反射。因此，來(lái)自這些鏡的位置的光線無(wú)法穿過(guò)，而在顯示器基板上形成暗點(diǎn)。由于每個(gè)微鏡的反射無(wú)法以人眼目視分辨，故可在投影時(shí)通過(guò)將一組亮點(diǎn)及暗點(diǎn)像素以一比例組合，以形成灰色調(diào)(grayshade)。這個(gè)方法可用成百萬(wàn)的灰色調(diào)與色彩實(shí)現(xiàn)逼真圖像的投影。[0063]應(yīng)當(dāng)注意，來(lái)自"持平"狀態(tài)微鏡的較高衍射級(jí)的衍射光及來(lái)自"關(guān)閉"狀態(tài)微鏡的第二級(jí)衍射光仍可羅在所述投影透鏡的聚光錐角內(nèi)。這可能產(chǎn)生不希望的閃光(flare)，所述閃光降低所要的圖像對(duì)比度。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可利用精確瞄準(zhǔn)及聚焦的高強(qiáng)度照明光源來(lái)提高像素的衍射效率，以將使用DMD作為圖像寫(xiě)入器的投影光學(xué)的設(shè)計(jì)優(yōu)化。[0064]根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施方式，光柵光閥（gratinglightvalve,GLV)是另一實(shí)現(xiàn)圖像投影的方法。GLV裝置的頂層是材料線性陣列，又稱帶狀物(ribbon)，其具有高反射性。在一個(gè)實(shí)施方式中，帶狀物的長(zhǎng)度可以是100至1000微米，寬度可為1至1〇微米，以0.5微米緊密間隔。GLV的成像機(jī)制主要是可尋址的動(dòng)態(tài)衍射光柵。它的作用如同相位調(diào)制器。GLV裝置可包括六個(gè)一組交替偏斜(deflected)的帶狀物，以形成動(dòng)態(tài)衍射光柵。[0065]圖5示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的GLV裝置的示例性反射狀態(tài)與衍射狀態(tài)。當(dāng)GLV帶狀物(剖面視角）為共平面時(shí)（如標(biāo)號(hào)502所示），入射光將產(chǎn)生鏡面反射，即全部都是第0級(jí)衍射級(jí)。當(dāng)入射光射至一組交替偏斜(deflected)的帶狀物(如標(biāo)號(hào)504所示)時(shí)，形成具有強(qiáng)的第±1級(jí)及被抑制的第〇級(jí)的散射圖案。通過(guò)濾除第〇級(jí)或第±1級(jí)，可產(chǎn)生高對(duì)比度的反射圖像。也就是說(shuō)，若重新采集物鏡中所有第〇級(jí)或第±1級(jí)，將不會(huì)形成任何圖像。與DMD不同之處在于，由GLV所產(chǎn)生的視野中的整個(gè)圖像是以逐行掃描方式形成，因?yàn)楣鈻艓钗锏木€性陣列可一次形成一行衍射圖像。[0066]如配合圖1與圖2所述，為達(dá)成產(chǎn)量要求，常規(guī)系統(tǒng)需使用高功率照明光源。在一個(gè)實(shí)例中，使用功率在千瓦范圍的高壓短弧汞燈，而在另一實(shí)例中，則使用高功率的準(zhǔn)分子激光器(Excimerlaser)。由于使用高功率照明源，照射光路須來(lái)自遠(yuǎn)處以減少所產(chǎn)生的熱量，且須被折曲以產(chǎn)生適當(dāng)照明效果。這類結(jié)構(gòu)將照明系統(tǒng)與SLM成像系統(tǒng)分為兩個(gè)獨(dú)立單元，且光路與透鏡彼此垂直。[0067]為解決常規(guī)系統(tǒng)和方法的限制，改良的曝光工具結(jié)構(gòu)減少了對(duì)使用高功率照明光源的需求。共線（in-line)成像系統(tǒng)經(jīng)過(guò)配置，其中每個(gè)成像單元包括SLM、照明光源(illuminationsource)、對(duì)準(zhǔn)光源（alignmentillumination)、電子控制器及成像透鏡。當(dāng)此系統(tǒng)使用低功率的發(fā)光二極管(LED)及二極管激光器照明光源時(shí)，此系統(tǒng)的曝光產(chǎn)出量可能較低。然而，可通過(guò)增加成像單元數(shù)量提高曝光產(chǎn)出量。使用緊湊SLM成像單元的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，可以這些單元封裝成可調(diào)整的陣列以用于不同成像應(yīng)用。在一個(gè)應(yīng)用實(shí)例中，當(dāng)以超過(guò)1000個(gè)此種緊湊SLM成像單元排成陣列時(shí)，其寫(xiě)入產(chǎn)出量高于現(xiàn)有的多波長(zhǎng)的、基于掩模的曝光工具結(jié)構(gòu)。[0068]圖6示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的緊湊SLM成像單元的實(shí)例。在此實(shí)例中，此緊湊SLM成像單元包括SLM602、一組微鏡604、一或多個(gè)照明光源606、一或多個(gè)對(duì)準(zhǔn)光源608、及投影透鏡610。照明光源606可由波長(zhǎng)小于450納米的藍(lán)光或近紫外光的LED或二極管激光器來(lái)實(shí)現(xiàn)。為了穿透透鏡聚焦(through-the-lensfocus)和對(duì)準(zhǔn)調(diào)整，對(duì)準(zhǔn)光源608可由非光化(non-actinic)激光源或LED來(lái)實(shí)現(xiàn)。投影透鏡610可由縮小率為5倍或10倍的透鏡來(lái)實(shí)現(xiàn)。如圖6所示，照明光源606及對(duì)準(zhǔn)光源608均位于此投影透鏡的聚光錐角之外。在此示例性實(shí)施方案中，可使用數(shù)值孔徑NA為0.25且分辨力(resolvingpower)約為I.mu.m的現(xiàn)有(off-the-shelf)投影透鏡。相對(duì)低的NA值可確保較佳的焦深(depthoffocus，D0F)。在一個(gè)平板印刷術(shù)工藝實(shí)例中，針對(duì)1微米的光刻膠CD目標(biāo)值使用的NA值為0.25時(shí)，DOF可大于5.0微米。分辨率及DOF的計(jì)算是基于瑞利準(zhǔn)則(Rayleighcriterion):[0069]最小特征分辨率=1α(λ/ΝΑ)[0070]DOF=k2(A/NA2)[0071]其中ki與k2為工藝能力因子。根據(jù)基于酸醛樹(shù)酯化學(xué)光刻膠(Novolakchemistryphotoresist)的平板印刷制造工藝的實(shí)例，ki介于0.5與0.7之間，而k2介于0.7與0.9之間，而λ為曝光波長(zhǎng)。[0072]為了適應(yīng)緊湊成形因子，照明光源可為藍(lán)光、近紫外光LED或半導(dǎo)體二極管激光器。為達(dá)足夠的強(qiáng)度，在一個(gè)設(shè)計(jì)實(shí)例中，多個(gè)照明光源被放置在靠近SLM表面處且可有多個(gè)照明光源被放置為圍繞SLM。此SLM可為具有適當(dāng)光學(xué)透鏡設(shè)計(jì)的DMD或GLV并相互匹配。在一個(gè)實(shí)例中，在基板處的光化曝光波長(zhǎng)的目標(biāo)強(qiáng)度水平可在每平方厘米10至100毫瓦之間。[0073]在此曝光工具結(jié)構(gòu)的實(shí)例中，各緊湊成像系統(tǒng)的電子控制板外殼符合特定的緊湊因子(compactfactor)。此外殼位于SLM的頂部且遠(yuǎn)離照明光源，以利于通風(fēng)及散熱。單一緊湊SLM成像單元實(shí)體尺寸取決于所需成像性能，并且可用元件使用現(xiàn)有元件，諸如投影透鏡、LED或二極管激光器照明光源、以及對(duì)焦/對(duì)準(zhǔn)用的二極管激光器，各元件均需有散熱空間。另一作法是使部件具有定制設(shè)計(jì)，使得單一SLM成像單元實(shí)體尺寸被修整為更緊湊的型式。定制SLM成像單元的二維剖面尺寸可約為至5厘米X5厘米;相較于以現(xiàn)有元件構(gòu)成的SLM成像單元，其二維剖面尺寸則約為10厘米X10厘米。[0074]就第十代FPD制造而言，典型基板尺寸為2880毫米X3130毫米。使用緊湊SLM成像透鏡實(shí)體尺寸時(shí)，則整個(gè)系統(tǒng)可能包括數(shù)百個(gè)布置成平行圖像單元陣列的緊湊SLM成像單元。圖7示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的示例性SLM成像單元的平行陣列。在此實(shí)例中，由600至2400個(gè)SLM成像單元的平行陣列（702、704、706、708等）同時(shí)進(jìn)行成像寫(xiě)入，且各平行陣列可包括多個(gè)SLM成像單元。[0075]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，在確定曝光產(chǎn)出量時(shí)，可用SLM掩模寫(xiě)入器的已知示例性產(chǎn)出量(諸如以1300毫米X1500毫米的掩模大小曝光20小時(shí))作為計(jì)算起點(diǎn)。產(chǎn)出量取決于基板所在平面的強(qiáng)度水平。在此作法中，強(qiáng)度為每平方厘米50毫瓦（LED或二極管激光器光源均可提供此照明強(qiáng)度），標(biāo)稱曝光能量為30毫焦耳/平方厘米-秒，曝光時(shí)間為約0.6秒。在另一作法中，曝光工具采高功率照明光源，因此基板處的強(qiáng)度水平為每平方厘米至少200毫瓦或更高;這種基于掩模的步進(jìn)/掃描系統(tǒng)的產(chǎn)出量約為每小時(shí)50片第八代FH)基板。通過(guò)將高功率與低功率照明光源都納入考慮，則一個(gè)實(shí)例的產(chǎn)出量預(yù)估為每小時(shí)25至100片基板，該產(chǎn)出量取決于各陣列中的SLM成像單元密度。這顯示了此一陣列式平行曝光結(jié)構(gòu)的經(jīng)濟(jì)性具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。[0076]圖8示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的圖7所示SLM成像單元的平行陣列對(duì)應(yīng)的俯視圖。在此實(shí)例中，各列或各行可分別代表SLM成像單元的平行陣列，且各平行陣列可包括多個(gè)SLM成像單元802。平板印刷術(shù)制造良率與工藝窗口（processwindow)直接相關(guān)。此處的工藝窗口是指可印出符合規(guī)格的特征CD的聚焦設(shè)定范圍連同曝光量設(shè)定范圍。也就是說(shuō)，工藝窗口越穩(wěn)健(robust)，則其容許的失焦設(shè)定值和/或曝光量設(shè)定值越為寬松。較大的工藝窗口有助于提高產(chǎn)品良率。隨著基板尺寸逐代加大，平板印刷術(shù)窗口則越變?cè)叫?。主要原因在于更大且更薄的基板材料也更容易彎曲及垂陷。為解決此一問(wèn)題，必須嚴(yán)格規(guī)范基板材料的厚度及表面均勻度。就基于掩模的曝光工具而言，若曝光區(qū)域單邊大于約兩米，曝光區(qū)域全區(qū)的均勻度維持及聚焦控制不僅需耗費(fèi)極大成本，在技術(shù)上也有困難。為了保證工藝窗口是可行的，曝光工具需能在局部（local)及全區(qū)（global)使聚焦及照明優(yōu)化。[0077]如圖8所示，此平行陣列曝光系統(tǒng)即可解決上述問(wèn)題，因?yàn)楦骶o湊SLM成像單元均可局部?jī)?yōu)化，以便在其對(duì)應(yīng)曝光區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生更好的照明及對(duì)焦效果。這確保各SLM成像單元的曝光區(qū)域均有較佳的工藝窗口。使用SLM成像單元的優(yōu)化的作用，是整個(gè)工藝窗口可獲得全區(qū)性的改善。[0078]圖9示出常規(guī)單一透鏡投影系統(tǒng)與根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使用陣列式成像系統(tǒng)的局部工藝窗口優(yōu)化的比較。如圖9左側(cè)所示，常規(guī)單一透鏡投影系統(tǒng)902必須調(diào)整至如虛線所示的折衷的焦平面904。實(shí)線906代表基板的實(shí)際表面輪廓的剖面圖，雙箭頭線段908代表單一透鏡為圖案成像時(shí)的最佳聚焦設(shè)定，雙圓頭線段910代表各成像透鏡所對(duì)應(yīng)的最大輪廓范圍(maximumcontourrange)，而多條點(diǎn)虛線則分別代表聚焦范圍的上限和下限。[0079]如圖9所示，對(duì)常規(guī)單一透鏡投影系統(tǒng)而言，大尺寸基板的彎曲幅度可能已超出透鏡的對(duì)焦范圍，且對(duì)焦范圍的中心可能僅最低限度地適用于基板彎曲的峰部及谷部。整體工藝窗口很是受限。另一方面，圖9右側(cè)顯示了使用排成陣列狀的成像單元的改進(jìn)投影系統(tǒng)。成像單元912的聚焦914可針對(duì)每個(gè)被覆蓋的局部的區(qū)域而個(gè)別被調(diào)整。如此，各聚焦設(shè)定范圍（如線段916所示)均合適地位于聚焦控制的上下限范圍內(nèi)。除可微調(diào)在所覆蓋的各局部區(qū)域內(nèi)的聚焦外，各成像單元的亮度（iIlumination)亦可被調(diào)整，所獲得的均勾度優(yōu)于單一鏡片系統(tǒng)可執(zhí)行的調(diào)整。因此，使用陣列式成像單元系統(tǒng)可達(dá)到更穩(wěn)健的工藝窗口。[0080]圖10示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的一種將基板局部不平處優(yōu)化的方法。在此實(shí)例中，已檢測(cè)出基板表面形狀不平的區(qū)域，如標(biāo)號(hào)1002所示。調(diào)整的優(yōu)化方法是將聚焦平均化流程(scheme)應(yīng)用于SLM成像單元所關(guān)聯(lián)的局部不平整曝光區(qū)域以及在關(guān)注的所述SLM成像單元附近的多個(gè)SLM成像單元所關(guān)聯(lián)的周圍區(qū)域。在不平整區(qū)域附近可納入平均化的成像單元越多，達(dá)成的整體優(yōu)化越好。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉，所公開(kāi)的用于整個(gè)基板的成像系統(tǒng)也可利用其他的平均化技術(shù)，以得到整片基板上的整體更均勻的圖像。[0081]在一個(gè)實(shí)施方案中，以薄膜晶體管(TFT)為基礎(chǔ)的液晶顯示器使用以下所述的掩模數(shù)據(jù)格式。應(yīng)當(dāng)注意，雖然分層數(shù)據(jù)串流格式GDSII可用于將掩模數(shù)據(jù)下線（tapeout)，但此種掩模數(shù)據(jù)格式可能不太適用于這種平行SLM成像系統(tǒng)。為了將分層的掩模數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成扁平格式(flatformat)，可使用市售的CAD軟件程序。但掩模數(shù)據(jù)在扁平化之后，尚須進(jìn)一步處理此掩模數(shù)據(jù)。此陣列式平行成像寫(xiě)入系統(tǒng)搭配掩模數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，以形成較高質(zhì)量的圖像。[0082]就陣列式平行成像寫(xiě)入系統(tǒng)而言，掩模數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)可被扁平化，并可被分割為預(yù)定義大小的區(qū)塊，以適當(dāng)或均勻地傳送至各SLM成像單元。掩模數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)內(nèi)包括指示各掩模數(shù)據(jù)區(qū)塊相對(duì)于其對(duì)應(yīng)成像單元的放置位置的信息。而且，掩模數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)包括橫跨多個(gè)成像單元的特征在它們中應(yīng)如何分割的信息?？赏ㄟ^(guò)多個(gè)相鄰成像單元所對(duì)應(yīng)的多個(gè)相鄰掩模數(shù)據(jù)區(qū)域的掩模數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，來(lái)辨識(shí)出數(shù)據(jù)放置位置的微調(diào)。[0083]圖11示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的掩模數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用。在此實(shí)例中，分層描述的掩模數(shù)據(jù)(表示為多層掩模數(shù)據(jù)例1102)首先被扁平化，以形成扁平化掩模數(shù)據(jù)1104。然后，將此扁平化掩模數(shù)據(jù)1104分割為多個(gè)分區(qū)掩模數(shù)據(jù)圖案，其中一個(gè)分區(qū)掩模數(shù)據(jù)圖案在圖中以陰影區(qū)域1106表示。此陰影區(qū)域1106還出現(xiàn)在圖11下方以虛線劃分的九宮格中，成為其正中央的方框。相鄰成像單元之間需有足夠的掩模圖案重疊部分（即圖中的水平及垂直的長(zhǎng)條部分1108)，方可確保邊界周圍的圖案能均勻融合(blending)。每一個(gè)塊分別代表即將由一或多個(gè)SLM成像單元成像的一分區(qū)掩模數(shù)據(jù)圖案。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，分區(qū)掩模數(shù)據(jù)包括第一組標(biāo)識(shí)符及第二組標(biāo)識(shí)符，其中第一組標(biāo)識(shí)符用于辨識(shí)SLM成像單元中微鏡像素過(guò)多的狀態(tài)(run-inconditions)，而第二組標(biāo)識(shí)符則用于辨識(shí)SLM成像單元中微鏡像素不足的狀態(tài)(run-outconditions)。若兩SLM成像單元間的區(qū)域出現(xiàn)過(guò)多像素，即為微鏡像素過(guò)多的狀態(tài);若兩SLM成像單元間的區(qū)域出現(xiàn)像素不足現(xiàn)象，則為微鏡像素不足的狀態(tài)。各分區(qū)掩模數(shù)據(jù)圖案被傳送至對(duì)應(yīng)的SLM成像單元進(jìn)行處理，再由各SLM成像單元將相關(guān)的分區(qū)掩模數(shù)據(jù)圖案寫(xiě)入預(yù)定的重疊區(qū)域;各SLM成像單元在寫(xiě)入時(shí)均以相鄰的SLM成像單元為參考根據(jù)，以確保圖像融合及均勻度均符合設(shè)計(jì)準(zhǔn)則。分區(qū)掩模數(shù)據(jù)圖案可經(jīng)優(yōu)化以便進(jìn)行平行加總曝光(parallelvotingexposure)，進(jìn)而提高特征⑶的一致性。在此情況下，使用平行加總曝光流程以降低不利于CD-致性的各種工藝變量。進(jìn)行加總曝光時(shí)，通過(guò)使用足夠的微鏡像素曝光的數(shù)目，可去除因使用二極管激光器而產(chǎn)生的高斯斑點(diǎn)。[0084]圖12示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的平行陣列加總曝光的方法。此方法先將掩模數(shù)據(jù)以逐行(row-by-row)方式送至各SLM成像單元，再?gòu)拇诵?row)的一端開(kāi)始點(diǎn)亮(flash)，然后點(diǎn)亮下一，直到達(dá)到另一端的方式點(diǎn)亮此行微鏡像素。在一個(gè)實(shí)例中，此方法從方框1201開(kāi)始，并點(diǎn)亮其最下一行的微鏡像素;然后移至方框1202,點(diǎn)亮其倒數(shù)第二行的微鏡像素；接著在方框1203中，點(diǎn)亮其倒數(shù)第三行的微鏡像素。此方法接續(xù)處理方框1204、1205、1206及1207，并點(diǎn)亮其對(duì)應(yīng)行的微鏡像素。在方框1208中，在此特定實(shí)例中，本方法已到達(dá)最后一行微鏡像素（即頂上的行）。同樣的微鏡像素的移動(dòng)行(walking-row)從開(kāi)始至結(jié)束一次又一次地循環(huán)。此移動(dòng)行式的循環(huán)對(duì)應(yīng)至將圖案寫(xiě)入至基板上的曝光動(dòng)作。由于微鏡點(diǎn)亮速率(flashingrate)夠快，特征圖案經(jīng)由快速移動(dòng)移動(dòng)行方式多次曝光，直到累積到標(biāo)稱曝光水平為止。因此，此一圖案寫(xiě)入流程由多個(gè)微鏡像素的曝光加總而成。利用相同的加總曝光流程，并以相互協(xié)調(diào)的步調(diào)及方向移動(dòng)基板平臺(tái)，可完成整片基板的寫(xiě)入。[0085]圖12所示的移動(dòng)行式作法僅為循環(huán)移動(dòng)行式的一個(gè)實(shí)例，提供一種局部或次局部的平行加總曝光的一種類型以用于各成像單元。在其他實(shí)施方式中，基于列或斜向的行/列為單位的循環(huán)方法也可被使用以有效完成平行加總曝光。此外還可發(fā)展出其他加總方式，例如兩相鄰SLM成像單元的交錯(cuò)走行式，或配合多個(gè)數(shù)據(jù)行使用多個(gè)行走方向等，也可被使用以提高平板印刷術(shù)制印的性能，但可能需要額外平臺(tái)移動(dòng)。[0086]若在大量生產(chǎn)的情況下使用陣列式平行曝光法，可內(nèi)建一定的冗余度或容錯(cuò)度以防止生產(chǎn)流程中斷。也就是說(shuō)，當(dāng)曝光控制例程(routine)檢測(cè)出某一SLM成像單元故障，將采取關(guān)閉故障的成像單元的動(dòng)作，并將其掩模數(shù)據(jù)重新分配至一或多個(gè)相鄰的成像單元，并使得這些相鄰的成像單元在卸除完成曝光的基板之前完成曝光任務(wù)。此一曝光修正例程將持續(xù)進(jìn)行，直到整批基板完成曝光為止。而整個(gè)工藝持續(xù)進(jìn)行，直到成像性能及產(chǎn)出量(throughputhit)均達(dá)到被認(rèn)為是可接受的為止。[0087]圖13示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式于成像寫(xiě)入系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)冗余度的方法。在此實(shí)例中，在檢測(cè)到成像單元212故障后，此單元會(huì)被停止操作。可選擇相鄰的八個(gè)成像單元之一來(lái)接替成像單元212。在此情況下，在其他區(qū)域已經(jīng)曝光完畢之后，單元212區(qū)域的寫(xiě)入動(dòng)作也完成了。[0088]當(dāng)因基板卷起(warping)或下垂（sagging)導(dǎo)致成像扭曲時(shí)，這兩者鄰近的SLM成像單元之間將形成微小的不匹配邊界（局部與局部之間）。此以標(biāo)號(hào)1402表示，其中數(shù)據(jù)圖案超出框線區(qū)域外。在此情況下，重疊區(qū)域內(nèi)的圖案融合需被優(yōu)化。圖14示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的梯形(Keystone)邊界融合法。如圖14所示，此方法打開(kāi)位于所選邊界末端1404的微鏡像素，以允許與相鄰的成像單元寫(xiě)入?yún)^(qū)域1406有較佳的重疊匹配。本領(lǐng)域技術(shù)人員知曉，也可以其他方式通過(guò)選擇性打開(kāi)所需位置的微鏡像素，以達(dá)成邊界融合的目的。[0089]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式，可通過(guò)交替或互補(bǔ)的方式打開(kāi)相鄰重疊邊界間的選定微鏡像素，來(lái)執(zhí)行融合。根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施方式，可將移動(dòng)行式曝光加總動(dòng)作與在選定位置打開(kāi)額外的像素這兩種作法合并，以達(dá)成更佳融合效果。[0090]為使陣列式平行成像系統(tǒng)達(dá)到預(yù)定的對(duì)準(zhǔn)準(zhǔn)確度與精確度，本方法將對(duì)準(zhǔn)流程分為串級(jí)布置的多個(gè)精確度等級(jí)。第一對(duì)準(zhǔn)等級(jí)用于全域(global)對(duì)準(zhǔn)準(zhǔn)確度，而下一對(duì)準(zhǔn)等級(jí)則縮小至中等的精準(zhǔn)度。本方法即利用這個(gè)由下而上的作法，達(dá)成所需精確度等級(jí)。[0091]在一種作法中，定義了三種精確度等級(jí)：?jiǎn)卧哥R陣列放置、透鏡中心調(diào)整、以及微鏡成像數(shù)據(jù)的操控。圖15示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的將SLM成像單元排成陣列的方法。此方法可將多個(gè)SLM成像單元1502的全域放置準(zhǔn)確度控制在毫米范圍內(nèi)。然后再以電子方式調(diào)整各SLM成像單元中投影透鏡組件的位置，使其達(dá)到微米等級(jí)精確度。這可利用氦氖激光器(或其他非光化對(duì)準(zhǔn)光源)將透鏡中心對(duì)準(zhǔn)平臺(tái)上的已知參考位置來(lái)完成。最后再控制微鏡，使其達(dá)到納米等級(jí)精確度的對(duì)準(zhǔn)要求。[0092]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，曝光對(duì)準(zhǔn)工藝可由下列步驟來(lái)完成：[0093]1)利用平臺(tái)上的已知參考位置，首先校準(zhǔn)陣列中各SLM成像單元的透鏡中心。此可允許參照實(shí)體透鏡陣列而建立一組數(shù)學(xué)的柵格陣列點(diǎn)。[0094]2)對(duì)于第一掩模層，當(dāng)沒(méi)有印出任何對(duì)準(zhǔn)記號(hào)時(shí)，板子的對(duì)準(zhǔn)以機(jī)械方式完成，且主要依賴平臺(tái)精確度。[0095]3)當(dāng)基板的板子經(jīng)由先前掩模層而被印制遍布板子的對(duì)準(zhǔn)記號(hào)時(shí)，這些對(duì)準(zhǔn)記號(hào)可由對(duì)應(yīng)的SLM成像單元檢測(cè)而得。如此，可參照位于基板上的實(shí)際圖像位置，建立柵格圖。[0096]4)通過(guò)比較兩柵格圖（SLM成像單元相對(duì)于從基板檢測(cè)到的制印的對(duì)準(zhǔn)記號(hào)），進(jìn)而建立可引導(dǎo)平臺(tái)移動(dòng)的與柵格圖匹配的數(shù)學(xué)模型。[0097]5)在一個(gè)實(shí)例中，通過(guò)考慮用于第十代基板的2400個(gè)SLM成像單元陣列，平臺(tái)的最大水平(X)或垂直(Y)移動(dòng)距離約為120毫米。此也被納入柵格圖匹配計(jì)算中。應(yīng)當(dāng)注意，此平臺(tái)移動(dòng)距離很短，因此與用于第十代的基于掩模的曝光工具所需的平臺(tái)的移動(dòng)距離為基板的全寬及全長(zhǎng)相比，本方法具有技術(shù)上的優(yōu)勢(shì)。第十代基板的質(zhì)量較重。承載如此重的質(zhì)量的平臺(tái)的移動(dòng)距離越短，可達(dá)到的系統(tǒng)準(zhǔn)確度性能就越高。[0098](6)為微調(diào)至亞微米等級(jí)的對(duì)準(zhǔn)精確度，本方法將修正因子內(nèi)置于傳送至對(duì)應(yīng)成像單元的掩模數(shù)據(jù)中。也就是說(shuō)，各成像單元的修正因子可能互不相同，這取決于各成像單元在基板上成像的相對(duì)位置。由于各基板的卷曲狀況不同，修正因子也可能隨基板而變化且可于曝光每個(gè)板子前先行檢測(cè)取得。[0099]圖16示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用以制造柔性顯示器的無(wú)掩模成像寫(xiě)入系統(tǒng)的示例性實(shí)施方案。如圖16所示，無(wú)掩模成像寫(xiě)入系統(tǒng)1600由一或多個(gè)SLM成像單元陣列所組成，其中多個(gè)SLM成像單元之一的實(shí)例以標(biāo)號(hào)1602表示。此一或多個(gè)SLM成像單元陣列可依特定應(yīng)用的需要而形成特定形狀，如圓形。在另一示例性實(shí)施方案中，無(wú)掩模成像寫(xiě)入系統(tǒng)可用于制造非柔性顯示器。[0100]圖17示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的SLM成像單元。SLM成像單元包括藍(lán)光及紅光二極管激光器1702、孔口1704、透鏡1706、球面鏡1708、安裝于印刷電路板1712上的DMD1710、光收集器(beamdump)1714、分束器1716、CCD相機(jī)1718以及透鏡組件1720。藍(lán)光及紅光二極管激光器1702進(jìn)一步包括紅光激光二極管(非光化的）1722及四個(gè)藍(lán)光激光二極管(光化的）1723、1724、1725與1726。這些激光二極管的布置方式可如圖17所示。位于中央的紅光激光二極管屬于非光化性，主要在初始聚焦設(shè)定時(shí)作對(duì)準(zhǔn)或瞄準(zhǔn)(catching)之用，四個(gè)藍(lán)光激光二極管是光化的，并用于產(chǎn)生曝光。根據(jù)激光二極管封裝的實(shí)體大小，使用不同數(shù)量的激光二極管的其他布置形式也是可行的，只要能達(dá)成均勻的照明強(qiáng)度。在另一作法中，還可利用光纖束傳輸光化照明。在此情況下，各激光二極管照射(shine)光纖束的一端，再由光纖將光化光線傳送至光纖束的另一端出光。在其他實(shí)施方式中，也可以使用LED而非二極管激光器。在此布置實(shí)例中，可將多個(gè)藍(lán)光LED緊密的放在一起，以提供均勻的強(qiáng)度，而將多個(gè)紅光LED分別放置于可供對(duì)準(zhǔn)及初始對(duì)焦的相應(yīng)位置。在此實(shí)例中，藍(lán)光及紅光二極管激光器1702經(jīng)由孔口1704及透鏡1706投影光線至球面鏡1708。接著光線從球面鏡1708反射至DMD1710。根據(jù)DMD中各鏡子的狀態(tài)，光線可被傳送至光收集器1714,或經(jīng)由透鏡組件1720而傳送至基板。如此，形成于基板上的圖像將向上反射回來(lái)，穿過(guò)透鏡1720與分束器1716，最后到達(dá)C⑶相機(jī)1718。[0101]圖18示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的在線性陣列的SLM成像單元中使用卷到卷無(wú)掩模平板印刷術(shù)的方法。在此實(shí)例中，多個(gè)SLM成像單元1802排成單一線性陣列，如圖18所示。基板1804可被控制以沿基板移動(dòng)方向（X方向）移動(dòng)，而SLM成像單元1802的線性陣列則可被控制以于基板1804所在的平面上沿著垂直于此基板移動(dòng)方向的方向（Y方向）來(lái)回移動(dòng)。SLM成像單元線性陣列的曝光可被調(diào)整以同步于卷到卷基板的移動(dòng)方式處理基板1804的特定區(qū)域。如此，SLM成像單元線性陣列可被控制以對(duì)實(shí)體大小大于SLM成像單元線性陣列大小的基板進(jìn)行成像。由于可控制這些SLM成像單元沿基板移動(dòng)方向移動(dòng)，以及可沿垂直于基板移動(dòng)的方向而移動(dòng)，故圖18所示的成像寫(xiě)入系統(tǒng)克服了第'779號(hào)專利及Ahn論文所述的常規(guī)方法對(duì)實(shí)體掩模的尺寸限制。[0102]圖19示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的在二維陣列的SLM成像單元中使用卷到卷無(wú)掩模平板印刷術(shù)的方法。此圖顯示SLM成像單元二維陣列1902的頂視圖，其中每一圓圈代表一個(gè)SLM成像單元。類似于圖18所示的實(shí)例，圖19中的基板1904可被控制以沿X方向移動(dòng)，而SLM成像單元二維陣列1902則可被控制以于基板1904所在的平面上沿Y方向來(lái)回移動(dòng)。SLM成像單元二維陣列的曝光可被調(diào)整以同步于卷到卷基板移動(dòng)的方式處理基板1904的特定區(qū)域，如此，SLM成像單元二維陣列可被控制以對(duì)實(shí)體大小大于SLM成像單元二維陣列大小的基板進(jìn)行成像。因此，圖19所示的成像寫(xiě)入系統(tǒng)克服了第'779號(hào)專利及Ahn論文所述常規(guī)方法對(duì)實(shí)體掩模的尺寸限制。應(yīng)當(dāng)注意，在某些實(shí)施方式中，此SLM成像單元二維陣列可以交錯(cuò)(staggered)或非交錯(cuò)的陣列形式形成。[0103]圖20示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使用無(wú)掩模平板印刷術(shù)以成像多個(gè)基板尺寸的方法。與圖19所示的方法類似，圖20中的成像寫(xiě)入系統(tǒng)也使用SLM成像單元二維陣列2002。由于SLM成像單元二維陣列2002可被控制以自動(dòng)連續(xù)接收并處理成像數(shù)據(jù)，此成像寫(xiě)入系統(tǒng)可通過(guò)無(wú)縫地載入一新的TFT掩模數(shù)據(jù)庫(kù)，以從一種基板設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換至另一不同的基板設(shè)計(jì)，而不需如同第'779號(hào)專利及Ahn論文所述的常規(guī)方法需停止并更換新的掩模。在圖20所示實(shí)例中，當(dāng)包括不同尺寸的基板設(shè)計(jì)的卷到卷基板移動(dòng)時(shí)，不同尺寸的基板設(shè)計(jì)(如標(biāo)號(hào)2006、2008、2010、2012及2014所示）可被31^成像單元二維陣列2002于運(yùn)作中（〇11-讓6-fly)進(jìn)行處理。[0104]圖21示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于定位對(duì)應(yīng)于局部基板表面狀況的各SLM成像單元的方法。此實(shí)例中，此方法在曝光過(guò)程中檢查基板表面2104的不平整度，并對(duì)應(yīng)的調(diào)整SLM成像單元線性陣列2102。于此例中，以夸大方式顯示基板2104的不平整度，以說(shuō)明將各SLM成像單元調(diào)整至最佳高度的優(yōu)點(diǎn)。對(duì)于從1至5微米的所需分辨率⑶，此種作法允許達(dá)到自動(dòng)調(diào)焦至位于DOF的范圍。本方法的細(xì)節(jié)將進(jìn)一步說(shuō)明于下文。[0105]在一個(gè)作法中，對(duì)于印制基于TFT的光伏(photovoltaic，PV)板，最小特征⑶可超過(guò)50微米。在此制印分辨率范圍內(nèi)，往往將噴墨印刷法視為成本較低的選擇。然而，噴墨印刷法的一個(gè)主要缺點(diǎn)在于，墨水霧有可能造成缺陷，此為小滴墨水流的副作用。噴墨印刷法原本即不如平板印刷術(shù)工藝干凈。對(duì)于圖案化掩模特征來(lái)說(shuō)，不形成有源(active)裝置或主要用于無(wú)源查看(passiveviewing)目的是合適的。對(duì)于值得以卷到卷平板印刷術(shù)印制法制造的有源TFT裝置的生產(chǎn)而言，尺寸可縮放的SLM成像單元陣列提供了較佳的無(wú)掩模式平板印刷術(shù)技術(shù)方案，原因?yàn)樯a(chǎn)的元件良率較高。此方法中，放大投影被用于無(wú)掩模式成像。也就是說(shuō)，SLM成像單元的曝光透鏡并非縮小物鏡而是放大物鏡，此放大物鏡可將產(chǎn)品特征尺寸以受控的方式從25微米放大至數(shù)百微米。[0106]為了在未必完全平整的基板各處維持最佳對(duì)焦，方法之一是在曝光過(guò)程中監(jiān)視并調(diào)整SLM成像單元的聚焦。圖22示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的檢測(cè)像素聚焦的方法。一種監(jiān)視聚焦的作法是利用穿透透鏡的監(jiān)視相機(jī)采集曝光中的成像。圖像被采集后，分析所采集的暗-亮像素圖像，并與預(yù)期的曝光圖案比較，以推導(dǎo)出失焦程度的相對(duì)度量。如圖22所示實(shí)例，為一對(duì)亮暗像素（2202與2204)及其對(duì)焦（in-focus)(2206與2208)與失焦（2210)狀態(tài)。在從暗區(qū)域至亮區(qū)域的交界處，此對(duì)焦的一對(duì)像素呈現(xiàn)銳利的過(guò)渡，而失焦的一對(duì)像素則具有模糊的過(guò)渡。模糊過(guò)渡程度可被映射而參照失焦的程度。在其他作法中，人們可監(jiān)測(cè)并分析圖像中的空間頻率。由于對(duì)焦誤差優(yōu)先降低較高的空間頻率，可通過(guò)比較采集的圖像中高頻成分的損失量即可評(píng)估失焦的程度。另一方法監(jiān)視并分析一組亮暗圖案的圖像對(duì)比度，使用最佳聚焦設(shè)定的圖像具有最高對(duì)比度，而對(duì)比度的損失則被參照為失焦的程度。[0107]上述方法雖可有效監(jiān)視對(duì)焦誤差的大小，但卻無(wú)法直接指明誤差的方向。為解決這個(gè)問(wèn)題，本系統(tǒng)可在軟件的控制下，在以目標(biāo)對(duì)焦為中心的范圍內(nèi)不斷微幅變化對(duì)焦位置，同時(shí)更新目標(biāo)對(duì)焦位置，以維持在最佳對(duì)焦。此種作法可通過(guò)在所述范圍兩端的誤差之間取得平衡而被最靈敏地確定。然而，避免故意使曝光圖像失焦的需求是有好處的。一種方法在于以受控的方式擾動(dòng)(perturb)相機(jī)的聚焦，但不改變曝光成像的聚焦。此種作法可在穿透透鏡的監(jiān)視相機(jī)上通過(guò)改變相機(jī)與物鏡間的有效光程長(zhǎng)度來(lái)完成。就一階近似而言，改變透鏡在相機(jī)側(cè)的焦距（圖23a中的f2)與同比例改變A的效果相同?？汕昂笳駝?dòng)相機(jī)、或利用振動(dòng)的鏡子反射圖像，或者如圖23a所示，使光線通過(guò)一轉(zhuǎn)盤(pán)，其中此轉(zhuǎn)盤(pán)具有不同厚度和/或不同折射率的片段(segment)，以使有效光程長(zhǎng)度產(chǎn)生所需變化而來(lái)達(dá)成此種聚焦變化。這顯示為第一OPD2316及第二OPD2326。相仿地，還可利用有鏡子的圓盤(pán)反射成像，其中此圓盤(pán)具有多個(gè)不同高度的片段。[0108]圖23a示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于運(yùn)作中（on-the-fly)檢測(cè)SLM成像單元聚焦的示例性設(shè)備。如圖23a所示，此設(shè)備包括成像光源2302、分束器2304、物鏡2306，以及物鏡2306的外殼2308。成像光源2302的實(shí)例如圖17所示，包括元件1702至1714。此設(shè)備還包括第一相機(jī)傳感器2310(以下也簡(jiǎn)稱為相機(jī)或傳感器）、第一電機(jī)2312、第一折射盤(pán)2314及第一光程差(OPD)調(diào)節(jié)器2316。第一OPD調(diào)節(jié)器2316可由一圓形光學(xué)裝置2317所形成，此圓形光學(xué)裝置2317可具有多個(gè)區(qū)段(sectorK如標(biāo)號(hào)2318所示）。各區(qū)段以具有不同折射率的材料制成，或者以具有相同折射率但不同厚度的材料制成，其中這些不同厚度可形成光程差。[0109]另一確定聚焦調(diào)整方向的方法是利用兩臺(tái)相機(jī)以不同光程長(zhǎng)度采集圖像，如圖23b與圖23c所示。圖23b與圖23c示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式中另兩種可運(yùn)作中檢測(cè)SLM成像單元聚焦方示例性設(shè)備。除圖23a所示元件外，這些示例性設(shè)備更包括第二相機(jī)傳感器2322(以下也簡(jiǎn)稱為相機(jī)或傳感器）及第二OPD調(diào)節(jié)器2326。圖23c也包括第三OPD調(diào)節(jié)器2330。第二(PD調(diào)節(jié)器2326與第三(PD調(diào)節(jié)器2330的形成方式可與第一OPD調(diào)節(jié)器2316類似。當(dāng)使用此兩相機(jī)傳感器2310與2322時(shí)，具有不同折射率的這兩個(gè)相應(yīng)的OH)調(diào)節(jié)器2316與2326可安裝以確定聚焦調(diào)整方向。在另一實(shí)施方式中，只要將對(duì)應(yīng)相機(jī)2310和2322放置在不同物理距離處，不同的(PD調(diào)節(jié)器2316和2326即可生效。[0110]圖23b與圖23c所示的實(shí)例從第一相機(jī)傳感器至第二相機(jī)傳感器檢查圖像，以比較并分析聚焦調(diào)整方向，并調(diào)整聚焦設(shè)定以使兩相機(jī)傳感器所測(cè)得的失焦程度相等，從而確保最佳聚焦的達(dá)成在兩相機(jī)傳感器之間的oro中間。在此，第一及第二相機(jī)傳感器被配置以用互補(bǔ)聚焦偏移量觀測(cè)基板，以確定目標(biāo)聚焦的方向。另一方法則不以上下移動(dòng)物鏡的方式調(diào)整聚焦，而是將第三OH)調(diào)節(jié)器2330放置于物鏡2306的外殼2308上方，進(jìn)而通過(guò)改變有效光程長(zhǎng)度的方式調(diào)整聚焦。[0111]運(yùn)作中的聚焦監(jiān)視與調(diào)整可以下述方式執(zhí)行：[0112]1)將基板表面與物鏡之間距設(shè)定在對(duì)焦范圍內(nèi)。[0113]2)首先，圖像通過(guò)使用非光化照明而被形成與采集。此作法不會(huì)對(duì)曝光用的感光材料造成任何破壞。也就是說(shuō)，通過(guò)使用非光化照明設(shè)定初始聚焦，然后配合調(diào)整物鏡，以達(dá)最佳聚焦。[0114]3)當(dāng)曝光平臺(tái)開(kāi)始沿基板的移動(dòng)方向(X方向）移動(dòng)時(shí)，開(kāi)始光化曝光。[0115]4)在光化照明下監(jiān)視所采集的圖像，并對(duì)應(yīng)調(diào)整物鏡。[0116]5)應(yīng)當(dāng)注意，每次調(diào)整聚焦的動(dòng)作用于下一曝光位置，但基于上一個(gè)曝光位置所確定的最佳聚焦來(lái)調(diào)整。[0117]6)根據(jù)fi與f2的量測(cè)的光程差，確定物鏡的聚焦調(diào)整。[0118]如上所述，成像寫(xiě)入可在曝光過(guò)程中通過(guò)一或多臺(tái)相機(jī)而被即時(shí)監(jiān)控。通過(guò)微鏡像素加總曝光法，每一成像圖案由多個(gè)DMD微鏡像素曝光與形成。此曝光流程本質(zhì)上在初始曝光階段允許較大的對(duì)焦誤差裕度(margin)，因?yàn)槊恳晃㈢R像素所提供的曝光僅為所需總曝光能量的一小分量。在進(jìn)行像素加總曝光時(shí)，各SLM成像單元的聚焦可被調(diào)整與即時(shí)調(diào)整。如圖24的實(shí)例所示，在寫(xiě)入由暗區(qū)包圍方獨(dú)立"孔狀"圖案或由亮區(qū)包圍的獨(dú)立"島狀"圖案時(shí)，此對(duì)焦誤差裕度尤為重要。原因在于上述兩種特征圖案在擾動(dòng)聚焦設(shè)定的過(guò)程中因缺少成像的變化，故不易于初始階段設(shè)定其最佳聚焦。然而，待進(jìn)行多次曝光后最佳聚焦可被確定。[0119]在另一作法中，前述自動(dòng)對(duì)焦機(jī)制可用于完成"聚焦加總曝光"以擴(kuò)大整體DOF。圖25示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的透過(guò)像素加總曝光法改善DOF的方法。在圖25所示實(shí)例中，可在像素加總曝光過(guò)程中動(dòng)態(tài)調(diào)整最佳曝光設(shè)定。此作法允許像素加總曝光可通過(guò)DOF內(nèi)的不同最佳聚焦水平而被完成。此流程使得最終的圖像圖案可通過(guò)多種聚焦設(shè)定2502的多次加總而被曝光與形成，而這些聚焦設(shè)定2502也將延伸至整體的合成DOF2504。[0120]圖26示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的多帶電粒子束成像單元的示例性實(shí)施方案。根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的多個(gè)方面，如圖2、圖16或圖17所示的SLM成像單元可被修改以形成如圖26所示的多帶電粒子束(multiplecharged-particlebeam,MCB)，接著可被使用以作為MCB成像單元陣列中的一個(gè)單元，此陣列類似于如圖7、圖8、圖15、和圖16所示的SLM成像單元陣列。在一個(gè)實(shí)施方式中，MCB成像單元2600可包括電子源、可編程孔板、空白板、電子束投影光學(xué)元件（optic)。電子束投影光學(xué)元件可包括靜電多電極加速透鏡（electrostaticmulti-electrodeacceleratinglense)、第一組石茲透鏡（magnticlenses)、止擋板、束控制多路系統(tǒng)(beamsteeringmultiple)、與第二組磁透鏡。MCB成像單元可選擇性地包括光刻膠涂布的空白掩模。[0121]根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的多個(gè)方面，為了簡(jiǎn)潔起見(jiàn)，MCB這個(gè)技術(shù)用語(yǔ)可意指多電子束或多離子束、或多電子束與多離子束的組合。多電子束和/或多離子束可合稱為多帶電粒子束。此處所述的曝光方法可應(yīng)用至電子束與離子束。對(duì)于電子束與離子束，光學(xué)透鏡結(jié)構(gòu)可實(shí)質(zhì)上相同，不同之處在于帶電離子(電子束與離子束)的源的產(chǎn)生方式。此外，不同形式的光子可被用于制造曝光，包括但不受限于可見(jiàn)光、紫外光、真空紫外光(vacuumUV，VUV)、深紫外光(deepUV，DUV)、極紫外光（extremeUV，EUV)、與X射線。應(yīng)當(dāng)注意，對(duì)于光子作用曝光而言，總曝光能量單位可參照為毫焦耳(milli-J〇ule，mJ)，而對(duì)于帶電粒子束曝光而言，累積曝光帶電能量單位可指稱為微庫(kù)侖(micro-coulomb，μ〇，光子和帶電粒子束的曝光以平方厘米的單位面積而被量測(cè)。[0122]在一個(gè)實(shí)施方案中，在槍電位（gun-1eve1)下提取的電子首先可通過(guò)多電極堆(stack)，多電極堆作用如同聚光器（condenser)并產(chǎn)生直徑25mm的寬型均質(zhì)(homogeneous)電子束。電子束接著可垂直地撞擊（impinge)在可編程孔徑板上，在所述板處可形成微米尺寸的電子束。再者，各電子束可通過(guò)CMOS控制的微偏折器(deflector)而被分別偏折(deflect)，接著電子束(偏斜及非偏斜)可進(jìn)入至MCB成像單元的投影光學(xué)元件，于此處電子束在靜電多電極透鏡之中被加速(例如是從5keV至50keV電子束能量），并通過(guò)一或多個(gè)位在MCB成像單元底部的磁透鏡而被縮小。非偏折電子束可被傳送至基板平面。偏折的電子束可在投影光學(xué)元件的孔徑止擋板處被過(guò)濾掉。多帶電粒子束可經(jīng)由數(shù)據(jù)路徑根據(jù)被送至MCB成像單元2600的數(shù)據(jù)而被接通(switchon)或切斷(switchoff)。[0123]圖27示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的多帶電粒子束成像單元的另一示例性實(shí)施方案。類似于上述MCB成像單元2600，MCB成像單元2700也可適用于作為MCB成像單元陣列中的一個(gè)單元使用，此陣列類似于如圖7、圖8、圖15和圖16所示的SLM成像單元陣列。在一實(shí)施方式中，MCB成像單元2700可包括電子源、一或多個(gè)準(zhǔn)直透鏡（collimatorlens)、孔徑陣列、電子束熄滅陣列、電子束偏折陣列及投影透鏡陣列。[0124]圖28示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的多帶電粒子束成像單元的又一示例性實(shí)施方案。類似于上述MCB成像單元2600，MCB成像單元2800也可適用于作為MCB成像單元陣列中的一個(gè)單元，此陣列類似于如圖7、圖8、圖15和圖16所示的SLM成像單元陣列。在一實(shí)施方式中，MCB成像單元2800可包括電子源、可編程孔徑板、空白板、電子束投影光學(xué)元件。電子束投影光學(xué)元件可包括靜電多電極加速透鏡、第一組磁透鏡、止擋板、束控制多路系統(tǒng)與第二組磁透鏡。[0125]圖29示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的多帶電粒子束成像單元的另一示例性實(shí)施方案。類似于上述MCB成像單元2600，MCB成像單元2900也可適用于作為MCB成像單元陣列中的一個(gè)單元，此陣列類似于如圖7、圖8、圖15、和圖16所示的SLM成像單元陣列。在一實(shí)施方式中，MCB成像單元2900可包括電子源、可編程孔徑板、空白板、電子束投影光學(xué)元件。電子束投影光學(xué)元件可包括靜電多電極加速透鏡、第一組磁透鏡、止擋板、束控制多路系統(tǒng)與第二組磁透鏡。[0126]根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的多個(gè)方面，當(dāng)正光刻膠受到電子束曝光時(shí)，光刻膠分子中的一些分子鏈(molecularchain)會(huì)斷開(kāi)，故而降低平均的分子量。這伴隨著溶解度增加以及增加蝕刻率。對(duì)于電子束平板印刷術(shù)而言，希望知道的是被帶電粒子束曝光后的光刻膠內(nèi)能量沉積的三維分布?，F(xiàn)今典型電子束平板印刷術(shù)機(jī)器使用每電子IO-IOOkeV能量的電子束。因此，電子的自由路徑可為IOym或更高，這至少是大于光刻膠厚度的量級(jí)。是以，電子可輕易地穿越光刻膠層并到達(dá)基板。當(dāng)電子穿越光刻膠層與基板時(shí)，電子會(huì)遭遇散射(scattering)事件，例如前向散射與背向散射。[0127]在前向散射中，一個(gè)電子可與基板或光刻膠內(nèi)多個(gè)原子的其中一個(gè)原子的電子撞擊。此入射電子可改變其方向并傳送其部分能量至原子。由于這多余的能量，原子會(huì)變成激發(fā)態(tài)(其中一個(gè)電子達(dá)至激發(fā)態(tài)能級(jí)）、或離子化(一個(gè)電子離開(kāi)原子，在材料中產(chǎn)生二次(secondary)原子）。當(dāng)目標(biāo)原子變成光刻膠分子的部分時(shí)，分子鏈會(huì)因此激發(fā)態(tài)或離子化而斷開(kāi)?；诜菑椥陨⑸涞纳⑸浣嵌韧ǔＪ呛苄〉摹0128]在背向散射中，一個(gè)電子可與較重的原子核撞擊，從而造成彈性散射事件。在大多情況下，電子保留其能量，但會(huì)改變其方向。散射角度在此情況下會(huì)較大。在大角度散射發(fā)生在基板中之后，電子會(huì)從入射電子束以顯著的距離經(jīng)由光刻膠返回，從而造成額外的光刻膠曝光。此背向散射可導(dǎo)致鄰近效應(yīng)(proximityeffect)，將進(jìn)一步說(shuō)明如下文。[0129]當(dāng)主要電子減速時(shí)，其大部分能量會(huì)以二次電子的形式散逸，能量為2至50eV的范圍。大部分的光刻膠曝光可源自這些電子。由于這些電子具有低能量，范圍可為數(shù)個(gè)納米(nanometer)，對(duì)鄰近效應(yīng)的貢獻(xiàn)很少。然而，此種現(xiàn)象伴隨前向散射，可造成曝光區(qū)域的加寬，這可為帶電粒子束平板印刷術(shù)曝光系統(tǒng)分辨率的限制因素。電子在失去其能量前的行進(jìn)距離取決于主要電子的能量以及電子所行進(jìn)的材料的種類。背向散射的部分電子(也就是e)，大致上獨(dú)立于電子束能量，而是相關(guān)于所使用的基板材料。舉例來(lái)說(shuō)，具有低原子序數(shù)的基板可提供的背向散射少于高原子序數(shù)的基板。[0130]對(duì)于與原子核的迎面撞擊，能量E的傳送可確定如下：[0131]E=Eo(l.02+Eo/106)/(465.7A)[0132]其中Eo是入射電子束能量而A是靶材的原子序數(shù)。若E超過(guò)與原子量、鍵強(qiáng)度與晶格相關(guān)的移位能（displacementenergy)Ed，晶核(nuclei)可被移位而晶體結(jié)構(gòu)可能會(huì)被破壞。[0133]除了因晶核移位導(dǎo)致的破壞之外，也可能因高曝光量所導(dǎo)致的基板加熱而造成破壞。加熱也可改變光刻膠敏感度，這可導(dǎo)致不希望出現(xiàn)的線寬變異。此問(wèn)題將在下文參照?qǐng)D33e及圖34b-34d說(shuō)明。[0134]圖30a至圖30d示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的成像對(duì)象的方法。在圖30a所示的示例性作法中，此方法起始于方框3002，接著移至方框3004，在3004中此方法選擇沿著將被成像的對(duì)象邊緣的評(píng)估點(diǎn)。圖30b示出選擇沿著待被成像的對(duì)象邊緣的評(píng)估點(diǎn)的實(shí)例。如圖30b所示，梯形表示將被成像的對(duì)象3022。評(píng)估點(diǎn)（黑點(diǎn)）3024被選擇以用于監(jiān)視對(duì)象3022邊緣上的曝光。對(duì)象3022的位置參照至像素柵格3026,其中像素柵格3026中的各矩形3028代表像素。數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)可被產(chǎn)生以儲(chǔ)存與各評(píng)估點(diǎn)有關(guān)的信息，包括相對(duì)于像素柵格的各評(píng)估點(diǎn)的位置、相關(guān)于像素柵格的邊緣的角度、評(píng)估點(diǎn)位于曝光區(qū)域中的次數(shù)（即評(píng)估點(diǎn)被曝光的次數(shù)）、及至此時(shí)這個(gè)評(píng)估點(diǎn)所累積的曝光劑量。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，任何兩評(píng)估點(diǎn)之間的距離小于像素的一半，而這些評(píng)估點(diǎn)之間的距離均等間隔。換言之，評(píng)估點(diǎn)的選取方式滿足奈奎斯特判據(jù)(Nyquistcriterion)，而將被成像對(duì)象3022的取樣頻率高于兩倍的原始信號(hào)頻率（由像素柵格的頻率表示）。在其他實(shí)施方案中，評(píng)估點(diǎn)的距離可選為像素的1/3、1/4或其他分?jǐn)?shù)，只要滿足奈奎斯特判據(jù)即可。[0135]在方框3006中，此方法執(zhí)行曝光以成像對(duì)象3022。在由方框3006執(zhí)行的各曝光中，此方法進(jìn)一步執(zhí)行以下操作。首先，在方框3012中，此方法首先例如使用掃描線幾何算法以填充對(duì)象3022的內(nèi)部像素。這由圖30b中陰影區(qū)域3030所示。應(yīng)當(dāng)注意，圖30b所示實(shí)例假設(shè)圖像從白色轉(zhuǎn)換至黑色，其中多曝光劑量可在對(duì)象3022的邊界內(nèi)被接收。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解一種相類似但反相的操作方式可被執(zhí)行以成像具有從黑色至白色的轉(zhuǎn)換的對(duì)象。[0136]在方框3014中，此方法檢查對(duì)象的邊緣像素并根據(jù)多個(gè)因子進(jìn)行曝光調(diào)整，包括：相對(duì)于像素柵格的部分邊緣像素的面積、相對(duì)于目標(biāo)曝光劑量水平的目前曝光劑量水平、來(lái)自鄰近像素的曝光影響、誤差/失真校正的量、以及其他效能優(yōu)化考慮。若像素主要是在對(duì)象的邊緣（及其對(duì)應(yīng)的評(píng)估點(diǎn)）外側(cè)，例如是圖30b的像素3025，相關(guān)評(píng)估點(diǎn)的抖動(dòng)(dithering)針對(duì)大部分的曝光而被關(guān)閉。另一方面，若像素主要在對(duì)象的邊緣(及其對(duì)應(yīng)的評(píng)估點(diǎn)）內(nèi)側(cè)，例如是圖30b的像素3027，相關(guān)評(píng)估點(diǎn)的抖動(dòng)針對(duì)大部分的曝光打開(kāi)(turnon)〇[0137]在方框3016中，此方法累積成像寫(xiě)入系統(tǒng)的曝光劑量。圖30c和圖30d示出此種曝光劑量從初始劑量水平至目標(biāo)曝光劑量水平的累加。在圖30c和圖30d所示的情況下，雖然曝光劑量的總量是相同的（目標(biāo)曝光劑量），但通過(guò)針對(duì)每次曝光調(diào)整邊緣像素使不同邊緣轉(zhuǎn)變效應(yīng)可達(dá)成。從每次曝光的劑量的累加及使用提供反饋機(jī)制，以允許成像寫(xiě)入系統(tǒng)適應(yīng)性地調(diào)整在被成像的對(duì)象邊界上的成像輪廓(profile)，并同時(shí)確保能維持總目標(biāo)曝光劑量。在方框3018,此方法移動(dòng)像素柵格3026以用于后續(xù)曝光。此部分將配合圖33a-33d進(jìn)一步描述如下。[0138]在方框3008中，確定預(yù)定目標(biāo)曝光次數(shù)(count)是否已到達(dá)。若未到達(dá)目標(biāo)曝光次數(shù)(3008_N〇)，此方法移至方框3006并執(zhí)行另一曝光以成像對(duì)象3022。如此一來(lái)，多重曝光可被執(zhí)行以為對(duì)象成像?；蛘?，若已到達(dá)目標(biāo)曝光次數(shù)(3008_Yes)，此方法移至方框3010，而對(duì)象的成像操作被終止。[0139]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，多重曝光可執(zhí)行在對(duì)象上。此多重曝光可通過(guò)通過(guò)不同的SLM多次經(jīng)過(guò)成像區(qū)域而被達(dá)成，以提供預(yù)定的曝光量至感興趣的成像區(qū)域。在一實(shí)例中，約400次曝光可被執(zhí)行于各成像位置，而每次的曝光劑量在每個(gè)評(píng)估點(diǎn)上被累積。通常，第一次曝光是任意的。對(duì)于后續(xù)的曝光，此方法比較成像位置上的累積劑量與成像位置的目標(biāo)曝光劑量的分量(fraction)(N/400*總目標(biāo)曝光劑量）。若累積劑量低于對(duì)象劑量，則像素針對(duì)此次曝光而會(huì)被打開(kāi)。另一方面，若累積劑量高于對(duì)象劑量，則像素針對(duì)此次曝光會(huì)被關(guān)閉（turnedoff)。于后續(xù)曝光，此方法比較成像位置內(nèi)的累積劑量與成像位置的目標(biāo)曝光劑量的分量，通過(guò)已完成的曝光數(shù)按比例計(jì)算(對(duì)于400次中的N次曝光，與N/400*總目標(biāo)曝光劑量做比較）。[0140]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，圖30c與圖30d示出調(diào)整邊緣像素的不同實(shí)例。在圖30c中，垂直軸代表曝光劑量的累積總量，而水平軸代表在對(duì)象3022成像過(guò)程中所供給的曝光的次數(shù)。此例中，曝光劑量線性的相對(duì)于曝光次數(shù)的增加而增加。在階梯函數(shù)3032后，邊緣的曝光劑量從初始劑量水平增加至目標(biāo)曝光劑量水平。如此，模糊或平滑的轉(zhuǎn)換可產(chǎn)生在將被成像對(duì)象的邊緣上。應(yīng)當(dāng)注意總目標(biāo)曝光劑量可在執(zhí)行多重曝光前依實(shí)驗(yàn)、理論而被確定，或通過(guò)實(shí)驗(yàn)及理論分析綜合確定。在其他作法中，早期曝光中的曝光劑量可相對(duì)于階梯函數(shù)3032而過(guò)量(overshoot)或不足量(undershoot)。然而，隨著曝光次數(shù)增加，此曝光劑量過(guò)量或不足量可在后續(xù)曝光中被校正，并隨著曝光次數(shù)的終點(diǎn)而收斂至目標(biāo)曝光劑量。[0141]另一方面，在圖30d中，曝光劑量的總量初始時(shí)緩慢的增加，接著在曝光的中段時(shí)相對(duì)快速的增加，接著在曝光的終點(diǎn)減慢，如階梯函數(shù)3034所示。只要在結(jié)束時(shí)達(dá)到所要的目標(biāo)劑量，此階梯函數(shù)或任何其他階梯函數(shù)可被使用。示例性的總目標(biāo)劑量可為每平方厘米20毫焦(mJ/cm2)〇[0142]在圖30c及圖30d的實(shí)例中，每次曝光的臨界比例（thresholdratio)可被控制。舉例來(lái)說(shuō)，在對(duì)象的邊界，若像素主要在對(duì)象的邊緣(及其對(duì)應(yīng)的評(píng)估點(diǎn)）外側(cè)，例如是圖30b的像素3025,曝光的臨界比例可設(shè)為較高值以產(chǎn)生較高的使像素可被關(guān)閉的機(jī)率。然而，若像素主要在對(duì)象的邊緣(及其對(duì)應(yīng)的評(píng)估點(diǎn)）內(nèi)側(cè)，例如是圖30b的像素3027,曝光的臨界比例可設(shè)為較低以產(chǎn)生較高的使像素可被打開(kāi)的機(jī)率。在邊緣(及其對(duì)應(yīng)的評(píng)估點(diǎn)）大約落在像素中間的情況下，例如是圖30b的像素3029,在大約一半的曝光中像素會(huì)被打開(kāi)，在大約另一半的曝光中像素會(huì)被關(guān)閉。當(dāng)像素柵格大部分的像素在內(nèi)部時(shí)，通過(guò)調(diào)整臨界值以有利于邊緣像素的曝光，而非單純地將邊緣像素暴露在任何劑量低于對(duì)象值的中間曝光量之下，可在邊緣上取得較銳利的成像輪廓。[0143]圖31a與圖31b示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式對(duì)評(píng)估點(diǎn)運(yùn)算累加劑量的方法。通過(guò)考慮由像素及其鄰近像素的曝光貢獻(xiàn)度，此方法運(yùn)算像素P3102中評(píng)估點(diǎn)的累加劑量。在一實(shí)例中，在像素P3102內(nèi)的位置，來(lái)自緊接的鄰近像素Nl3104及第二鄰近像素N23106的劑量貢獻(xiàn)度被確定并儲(chǔ)存。一般而言，一個(gè)像素對(duì)其鄰近像素的貢獻(xiàn)度的波形形狀相似于(SinX/X)2,而貢獻(xiàn)度在第二階鄰近像素N23106外側(cè)處顯著地減小。在圖31a所示實(shí)例中，像素的寬度被選為1平方微米，而像素P3102對(duì)其2μπι遠(yuǎn)的鄰近像素的貢獻(xiàn)度視為可忽略的。在其他實(shí)施方式中，更高階(3階或更高）的像素P3102的效應(yīng)可基于成像寫(xiě)入系統(tǒng)所需的準(zhǔn)確度而被考慮。[0144]在圖31a所示的實(shí)例中，像素可被進(jìn)一步量化為像素的1/8粒度(granularity)，如子像素柵格3108所示，以在成像像素P3102中考慮更精確的準(zhǔn)確度。這些較精密的柵格點(diǎn)的各者的各鄰近像素的劑量貢獻(xiàn)度被預(yù)先運(yùn)算，而于這些點(diǎn)的最近點(diǎn)（或一些最近的較精密柵格點(diǎn)的組合）的值，在累加評(píng)估點(diǎn)上的劑量時(shí)被使用。基于成像寫(xiě)入系統(tǒng)的準(zhǔn)確度需求，可根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式將像素P量化為1/16(如標(biāo)號(hào)3110所示）、或其他更小的量化因子。[0145]在成像對(duì)象之前，執(zhí)行模擬以收集信息以產(chǎn)生一系列的查找表（lookup-table，LUT)。這些LUT被使用以在成像操作期間計(jì)算對(duì)象每次曝光的曝光劑量。在一個(gè)作法中，LUT可如下述方式來(lái)產(chǎn)生。如上文中相關(guān)于圖31a所討論的，像素的曝光可貢獻(xiàn)至其第一級(jí)鄰近像素(NI)及第二級(jí)鄰近像素(N2)。使用量化像素的1/8粒度，各像素可進(jìn)一步分割為64個(gè)子像素區(qū)域。再者，針對(duì)一個(gè)成像區(qū)域，400次曝光可被累加，而臨界比例約是其總曝光強(qiáng)度的一半。因此，每次曝光可傳送完整曝光量的1/800。假設(shè)每次曝光量精準(zhǔn)度為2.5%(1/40)，則此方法需量化至全劑量的1/32，000，可由約15位來(lái)表示。15位取整值為16位，表示16位(2個(gè)字節(jié))可被用于表示在64子像素位置的每個(gè)位置上的一個(gè)像素的劑量貢獻(xiàn)度。換言之，對(duì)于成像過(guò)程中考慮的各評(píng)估點(diǎn)，5x5陣列像素被檢查;各像素具有64子像素區(qū)域;而各子像素區(qū)域由2個(gè)字節(jié)所表示。如此，各個(gè)表可具有的大小約為3200個(gè)字節(jié)(25x64x2)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，為了達(dá)成不同的所需準(zhǔn)確度，不同的陣列（如6x6、8x8等)像素可被考慮；可采用不同次數(shù)的曝光(如500、1000等）；可使用不同的精確度百分比（如1%、2%等）；可使用不同的位數(shù)(如20、21位等)表示64個(gè)子像素位置的各者。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)于21位表示一子像素區(qū)域的實(shí)例而言，64位的長(zhǎng)字可被用于表示三個(gè)此子像素區(qū)域。取決于成像寫(xiě)入系統(tǒng)的所需準(zhǔn)確度，可產(chǎn)生不同尺寸的對(duì)應(yīng)的LUT。[0146]對(duì)于圖31a所示的實(shí)例，為了計(jì)算在每個(gè)評(píng)估點(diǎn)上的一曝光所貢獻(xiàn)的劑量，使用傳統(tǒng)作法需要25次表格查詢，包括用于像素P3102的鄰近像素(NI及N2)的對(duì)照表。此作法可能耗時(shí)且消耗大量的處理功率。圖31b示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的一種處理圖31a的像素P的方法。在一種作法中，像素P3102及其第一級(jí)鄰近像素Nl與第二級(jí)鄰近像素N2可布置成五列，每列五個(gè)像素，如圖31b所圖示的3112、3113、3114、3115及3116。查找表3118可被安排的方式為各次的表格查詢動(dòng)作可接收一行五個(gè)像素的信息。應(yīng)當(dāng)注意在此作法中，并非對(duì)每個(gè)像素使用25個(gè)不同的表，而是大約100K字節(jié)(3.2Kx32)的合并表可被產(chǎn)生并一起用于采集5像素組的信息。在此方式中，執(zhí)行表格查詢的效率可增為5倍。[0147]在另一作法中，LUT3118可被安排為不同方式，使得各個(gè)表格查詢動(dòng)作可接收一列五個(gè)像素。在此作法中，像素P3102及其第一級(jí)鄰近像素Nl及第二級(jí)鄰近像素Ν2可被布置成為5行，每行五個(gè)像素(未示出）。為了存取查找表3118,部分的位址可由一行五個(gè)像素的位模式(bitpattern)得到。舉例來(lái)說(shuō)，10101的位模式可用于表示一行的五個(gè)像素，其中位值1可指示像素為打開(kāi)(ON)，位值0可指示像素為關(guān)閉（0FF)，或基于設(shè)計(jì)工程師的實(shí)施方案選擇而有相反定義。以此種五個(gè)像素的組安排的作法，各表格查詢是較有效率的，因?yàn)槟軌蛲瑫r(shí)采集五個(gè)像素的數(shù)據(jù)，而非如常規(guī)方法中僅對(duì)一個(gè)像素采集數(shù)據(jù)。[0148]應(yīng)當(dāng)注意，評(píng)估點(diǎn)之間的距離實(shí)質(zhì)上是相同的，且被選擇為相互靠近彼此。將這些特性納入考慮，圖32示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式通過(guò)處理一組評(píng)估點(diǎn)以成像對(duì)象的方法。于此例中，兩對(duì)象3202及3204被成像，且參照至像素柵格3206。如上所述，由黑點(diǎn)表示的評(píng)估點(diǎn)沿著各對(duì)象的邊緣而被選擇。在一實(shí)施方案中，評(píng)估點(diǎn)可以四個(gè)點(diǎn)為一個(gè)組的方式被處理，而對(duì)應(yīng)的查找表可被建立以用于處理特定形式的邊緣。舉例來(lái)說(shuō)，查找表3208可被提供以用于處理水平邊緣;查找表3210可被提供以用于處理垂直邊緣;查找表3212可被提供以用于處理具有角度A的邊緣;查找表3214可被提供以用于處理具有角度B的邊緣等。由此實(shí)例可知，表的數(shù)量取決于多個(gè)因素，例如是將被成像的對(duì)象的形狀(邊緣的角度）。一般而言，參照表針對(duì)整個(gè)成像寫(xiě)入系統(tǒng)產(chǎn)生，并且各種復(fù)合表如表3208、3210、3212、3214被產(chǎn)生以用于處理不同的情況。[0149]如圖32所示，4個(gè)評(píng)估點(diǎn)一組可作為一個(gè)組被處理。以垂直方向的一組4個(gè)評(píng)估點(diǎn)的組為例，其可跨越約小于2像素的距離。應(yīng)當(dāng)注意，在一些情況下，一組4個(gè)評(píng)估點(diǎn)可跨越3個(gè)像素以上；而在這些情況下，此3個(gè)像素及其對(duì)應(yīng)的鄰近像素將考慮于4個(gè)評(píng)估點(diǎn)的組成像中。假設(shè)一個(gè)像素可被距離其2個(gè)像素遠(yuǎn)的鄰近像素所影響。2個(gè)鄰近像素可被附加在此4垂直評(píng)估點(diǎn)的各端上，以形成6至7個(gè)垂直像素一組的組。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，用于垂直邊緣的查找表可被產(chǎn)生以允許一次儲(chǔ)存并采集4個(gè)垂直評(píng)估點(diǎn)的劑量貢獻(xiàn)度。由于這些劑量貢獻(xiàn)度的每一個(gè)可由16位所表示，此組4個(gè)垂直評(píng)估點(diǎn)可被合并以形成一個(gè)64位的長(zhǎng)字，如標(biāo)號(hào)3217所示。以此方式，為了運(yùn)算用于成像的此組4個(gè)垂直評(píng)估點(diǎn)，約6至7個(gè)查找表被執(zhí)行，相對(duì)于常規(guī)方式中各評(píng)估點(diǎn)可能需要5個(gè)查找表，此方式改進(jìn)了約3倍。依以上敘述，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)知相類似的作法也可被應(yīng)用以產(chǎn)生用于某種特定角度的表，如用于水平邊緣的查找表3208、用于具有角度的邊緣A的查找表3212、用于具有角度的邊緣B的查找表3214等。用于水平邊緣3208所形成64位長(zhǎng)字的實(shí)例、用于具有角度的邊緣A的查找表3212的64位長(zhǎng)字的實(shí)例、及用于角度邊緣B的查找表3214的64位長(zhǎng)字的實(shí)例，分別顯示為標(biāo)號(hào)3216、3218、3219〇[0150]應(yīng)當(dāng)注意，各個(gè)64位的長(zhǎng)字是以在模擬過(guò)程中各個(gè)16位單位不會(huì)溢出的方式而被建立。這是通過(guò)控制由16位字所表示的各劑量數(shù)值的縮放比例(scaling)而完成的。通過(guò)將4評(píng)估點(diǎn)的劑量貢獻(xiàn)度封裝(packing)在64位的長(zhǎng)字中，表的大小增加4倍。以配合圖31所述表為例，新表的大小可為400K字節(jié)（100Kx4)。也應(yīng)當(dāng)注意對(duì)象的邊緣可能不會(huì)總是可被打散成4個(gè)評(píng)估點(diǎn)的組。為了處理靠近邊緣的末端的剩余評(píng)估點(diǎn)，這些剩余評(píng)估點(diǎn)可仍然被處理為一組4個(gè)評(píng)估點(diǎn)，除了不被使用的那些評(píng)估點(diǎn)（"不關(guān)心的"評(píng)估點(diǎn)）不采取任何動(dòng)作之外。舉例來(lái)說(shuō)，64位長(zhǎng)字的上半部分不被使用而被遮住(maskout)。在特別的情況下，邊緣出現(xiàn)奇怪的角度且沒(méi)有特別的表被產(chǎn)生，邊緣的評(píng)估點(diǎn)可被分成1個(gè)的組，而使用任何邊緣角度的這些表進(jìn)行模擬后，僅1個(gè)評(píng)估點(diǎn)被使用于各組的4個(gè)評(píng)估點(diǎn)。因此，仍可使用如上述方式處理此邊緣，然一次僅1個(gè)評(píng)估點(diǎn)會(huì)被處理，而4個(gè)評(píng)估點(diǎn)中的3個(gè)會(huì)被忽略。在此特別情況下，非常小的百分比（也許是1%)的情況下會(huì)慢3倍，但特別的表僅需被產(chǎn)生以用于設(shè)計(jì)中所發(fā)現(xiàn)的一般的邊緣角度。應(yīng)當(dāng)注意很重要的是控制查找表的大小使得查找表可被儲(chǔ)存在高速緩存存儲(chǔ)器中，以避免在模擬過(guò)程中從硬碟采集數(shù)據(jù)。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)處理水平角度時(shí)，用于水平邊緣3208的查找表應(yīng)被高速緩存；當(dāng)處理垂直角度時(shí)，用于垂直邊緣3210的查找表應(yīng)被高速緩存。[0151]減少在成像處理過(guò)程中產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量是期望的。此部分很重要的原因在于可減少如圖30a所示的在調(diào)整邊緣像素3014及累加曝光劑量3016所耗費(fèi)的時(shí)間，另外也可減少傳送至各個(gè)SLM的數(shù)據(jù)傳輸量。圖33a-33d示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的對(duì)成像對(duì)象進(jìn)行優(yōu)化的方法。在圖33a所示的實(shí)例中，將被成像的對(duì)象3301及3303由像素柵格3302(為了清楚表示故未示出柵格，然此柵格類似于圖30b所示的柵格)所參照。在其他實(shí)施方式中，一或多個(gè)對(duì)象可由像素柵格3302所參照，且可被同時(shí)處理。假設(shè)多個(gè)對(duì)象可占領(lǐng)像素柵格3302中的任何區(qū)域。在一實(shí)施方案中，像素柵格3302的寬度為768個(gè)像素，長(zhǎng)度為1024個(gè)像素。在其他實(shí)施方案中，不同大小的像素柵格可被使用。對(duì)于第一次曝光，整個(gè)像素柵格的每一個(gè)像素位置被運(yùn)算，而運(yùn)算結(jié)果被儲(chǔ)存。[0152]在第一次曝光后，像素柵格3302以增量(Delta)X3305的量水平移位、并以增量Y3307的量垂直移位。在一實(shí)施方案中，增量X3305的量可為8.03個(gè)像素，而增量Y3307的量可為0.02個(gè)像素。應(yīng)當(dāng)注意偏移(offset)的增量X與增量Y并非多個(gè)像素的整數(shù)。此作法意于在成像所有圖邊緣時(shí)達(dá)成一致性。若偏移量選為多個(gè)像素的整數(shù)，這些像素柵格會(huì)被彼此對(duì)齊。在此情況下，若邊緣落在像素柵格上，會(huì)成像出一個(gè)銳利的邊緣;然而若邊緣落在像素柵格之間，會(huì)成像出一個(gè)模糊的邊緣。以非整數(shù)的多個(gè)像素作為偏移量，當(dāng)約400次曝光被覆加(overlay)與累加時(shí)，邊緣以相類似的方式被成像，有不同的像素柵格位置，致使邊緣有時(shí)會(huì)落在像素邊界，有時(shí)會(huì)落在像素的其他位置中。此種抖動(dòng)式像素平均法(jitteredpixelaveraging,JPA)提供子像素邊緣位置的分辨率，以及對(duì)所有邊緣有一致性的成像效果。[0153]圖33b示出像素柵格3302已通過(guò)增量X與增量Y而被移位，并示出如3304。應(yīng)當(dāng)注意為了示范的目的，此圖式并非依比例繪制，且增量X與增量Y的量已被夸大。一般而言，像素柵格可被移位一個(gè)小數(shù)量，例如從一個(gè)像素位置（如圖33a所示）至下一像素位置（如圖33b所示），使得針對(duì)前一次曝光執(zhí)行的運(yùn)算的大部分可用于目前曝光。因此，運(yùn)算量可被減小。應(yīng)當(dāng)注意，即使在一些垂直移位之后，垂直移位僅0.02個(gè)像素，這在實(shí)際中可忽略的。在像素柵格3304中，最左側(cè)的帶（strip)3306(8.03xl024)中的像素被運(yùn)算，因?yàn)榇舜慰赡転橛糜谶@些像素的曝光劑量最后一次被運(yùn)算與調(diào)整(像素柵格中將被移出的像素）。最右側(cè)的帶3310(8.03x1024)也被運(yùn)算，因?yàn)檫@些像素是新引入的，之前未曾被運(yùn)算過(guò)(移入像素）。中間的帶3308(約752x1024、斜線示出、也稱為是重疊像素)從圖33a所執(zhí)行的前一次運(yùn)算中被復(fù)制。由于中間的帶3308并非在每次像素柵格被移位時(shí)重新運(yùn)算，故成像寫(xiě)入系統(tǒng)的性能顯著地增進(jìn)。[0154]圖33c示出像素柵格3304已通過(guò)另一增量X與增量Y而被移位，且顯示為3312。類似于圖33b的情況，在像素柵格3312中，最左側(cè)的帶3314(8.03x1024)中的像素被運(yùn)算，因?yàn)榇舜慰赡転橛糜谶@些像素的曝光劑量被運(yùn)算與調(diào)整的最后一次。最右側(cè)的帶3318(8.03x1024)也被運(yùn)算，因?yàn)檫@些像素新引入的，之前未曾被運(yùn)算過(guò)。中間的帶3316(約752x1024、斜線示出）從圖33b所執(zhí)行前一次運(yùn)算中被復(fù)制。[0155]圖33d示出像素柵格3312已通過(guò)另一增量X與增量Y而被移位，且顯示為3320。類似于圖33c的情況，在像素柵格3320中，最左側(cè)的帶3322(8.03x1024)中的像素被運(yùn)算，因?yàn)榇舜慰赡転橛糜谶@些像素的曝光劑量被運(yùn)算與調(diào)整的最后一次。最右側(cè)的帶3326(8.03x1024)也被運(yùn)算，因?yàn)檫@些像素新引進(jìn)的，之前未曾被運(yùn)算過(guò)。中間的帶3324(約752x1024、斜線示出）由圖33c所執(zhí)行之前一次運(yùn)算中被復(fù)制。在三次連續(xù)像素柵格移位后，此方法可重新開(kāi)始并重復(fù)如圖33a-33d所述的過(guò)程。[0156]復(fù)制像素前一次曝光的一個(gè)好處在于，配合圖30a所述的填入內(nèi)部像素3012與調(diào)整邊緣像素3014的過(guò)程可被跳過(guò)。再者，方框3016有關(guān)的運(yùn)算可通過(guò)產(chǎn)生用來(lái)表示四次曝光的效果的另一劑量表而被優(yōu)化，并提供恒定的像素?cái)?shù)據(jù)與介于其間的已知增量X與增量Y的值。接著對(duì)于在一組四次曝光中維持不變的像素，單一組查找表可于方框3016中被執(zhí)行，而非執(zhí)行四組查找表。另外的好處在于，SLM的數(shù)據(jù)傳送量可減少。如此一來(lái)，成像寫(xiě)入系統(tǒng)的總性能可被增進(jìn)。因復(fù)制像素前一次曝光所導(dǎo)致的折衷(tradeoff)在于，二次曝光皆假設(shè)為具有相同的劑量，這表示調(diào)整邊緣亮度的機(jī)會(huì)較少。然而，在具有約400次曝光的系統(tǒng)中，這相較系統(tǒng)性能的高增益對(duì)邊緣分辨率而言是影響輕微的折衷作法(compromise)。[0157]應(yīng)當(dāng)注意在連續(xù)三次移位之后，Y方向上移位的總量為0.06像素，此數(shù)量是可忽略的。X方向上移位的總量為24.09像素，而在像素柵格每次移位后這些像素被緊密的追蹤且被運(yùn)算。圖33a-33d示出的系統(tǒng)實(shí)施連續(xù)的三次移位。應(yīng)用相同的原理，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)知系統(tǒng)可被設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)不同次數(shù)的移位，例如一次、兩次、四次或其他次數(shù)的移位。此外，不同增量X與增量Y的值，例如是增量X的8.10像素及增量Y的0.03像素可被使用。[0158]相較于光子曝光的方式中并沒(méi)有攜帶電荷，在高產(chǎn)出量的多帶電粒子束成像系統(tǒng)中，成像作法可使用高電流密度及高閃光率。兩者可產(chǎn)生出不希望見(jiàn)到的區(qū)域特征形狀的失真或關(guān)鍵尺寸(CD)誤差，而可能在一些特定特征形狀下變得更嚴(yán)重。根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的方面，區(qū)域特征CD誤差的各種造成原因可有關(guān)于能量傳送與帶電粒子束的累加，包括但不受限于光束能量、光刻膠種類、光刻膠厚度、曝光時(shí)間（劑量）、顯影時(shí)間、圖案密度、及劑量曝光速率。[0159]在一些實(shí)施方式中，本公開(kāi)內(nèi)容的MCB成像系統(tǒng)可被配置以解決造成區(qū)域特征CD誤差的加熱效應(yīng)問(wèn)題，此問(wèn)題可以是與時(shí)間相關(guān)的。再者，本公開(kāi)內(nèi)容的MCB成像系統(tǒng)也可以被配置以解決帶電粒子束的鄰近效應(yīng)問(wèn)題，此問(wèn)題可以是與時(shí)間較無(wú)相關(guān)的，但是由庫(kù)侖斥力效應(yīng)所造成的。這些問(wèn)題皆可通過(guò)MCB成像系統(tǒng)而被減小，如下進(jìn)一步述明。[0160]根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的方面，可引起特征定位誤差的區(qū)域加熱效應(yīng)是因?yàn)椴痪鶆虻幕鍞U(kuò)張，此效應(yīng)可通過(guò)控制基板中的散熱而被減輕。舉例來(lái)說(shuō)，用于降低區(qū)域加熱效應(yīng)的一種方法是對(duì)一給定數(shù)據(jù)圖案執(zhí)行多重曝光通道，其中每個(gè)曝光通道可具有較低的光束電流及有效的時(shí)間延遲，其功用如同在多個(gè)成像曝光通道之間的加熱弛豫時(shí)間。[0161]在比較單一通道曝光(使用全劑量電流)與四通道曝光(每通道使用較少量的電流但總劑量相同），不同曝光通道的此兩種方法之間所累加的曝光劑量的結(jié)果有很大不同。應(yīng)當(dāng)注意在使用多重曝光通道而各通道具有較少量電流的劑量中，可有效地降低區(qū)域加熱效應(yīng)。再者，在多帶電粒子束成像系統(tǒng)中使用時(shí)間延遲可有效地降低特征CD誤差，原因提供弛豫時(shí)間，如此反而允許熱能散逸從而降低區(qū)域加熱效應(yīng)。[0162]圖33e示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的執(zhí)行像素融合曝光的方法。在示例性實(shí)施方案中，各光束像素曝光已可以是相當(dāng)?shù)偷墓馐娏鲃┝?，原因?yàn)楦魈卣骺赏ㄟ^(guò)多次部分曝光的重疊而被形成，例如是20至200次之間的曝光。此方法本質(zhì)上可具有較低的區(qū)域加熱效應(yīng)，因每次曝光可在較低的劑量下被處理。再者，MCB成像系統(tǒng)可被配置以通過(guò)分析目標(biāo)特征的形狀并間歇的在連續(xù)掃描曝光中選擇性地打開(kāi)/關(guān)閉特定的光束像素曝光，以進(jìn)一步減小區(qū)域加熱效應(yīng)的問(wèn)題，即，能基于所識(shí)別的可能具有區(qū)域加熱效應(yīng)而造成CD誤差的特征的閃光率的進(jìn)行調(diào)制。在此作法中，介于"打開(kāi)"像素光束之間的弛豫時(shí)間可接著被"內(nèi)置(built-in)"，而各個(gè)部分曝光劑量可被補(bǔ)償以達(dá)成所需的標(biāo)稱劑量。應(yīng)當(dāng)注意此作法不會(huì)遭受可觀的產(chǎn)出率損失，因?yàn)榇罅康南袼毓馐杀唤y(tǒng)計(jì)上地分散在像素融合曝光過(guò)程中。[0163]在掃描像素融合曝光實(shí)例中，一組像素光束可被指定以曝光特征的特定區(qū)域。舉例來(lái)說(shuō)，在產(chǎn)生掃描曝光的掃描過(guò)程中，連續(xù)的多個(gè)像素光束可被對(duì)應(yīng)地打開(kāi)。這些像素光束可被指定以曝光特征的區(qū)域，其中各像素光束可貢獻(xiàn)標(biāo)稱曝光劑量的固定分量。在另一實(shí)例中，當(dāng)確定有降低區(qū)域加熱效應(yīng)的需求時(shí)，在以曝光特征3336的一個(gè)區(qū)域時(shí)，標(biāo)稱曝光劑量的較大部分分量可被指定至各個(gè)"打開(kāi)"的像素3332光束，但會(huì)"關(guān)閉"每隔一個(gè)像素3334光束。此作法有效地降低閃光率，或插入像素融合曝光的連續(xù)模式的時(shí)間延遲，以在各曝光之間允許弛豫時(shí)間而用于熱散逸。對(duì)于另一實(shí)施方案，額外的時(shí)間延遲但配合標(biāo)稱劑量的較大分量用于各"打開(kāi)"像素3342光束，但會(huì)有三個(gè)"關(guān)閉"像素3344。在其他實(shí)施方案中，不同的"打開(kāi)"及"關(guān)閉"像素序列可被應(yīng)用于曝光特征3346的不同區(qū)域，并配合束能量、光刻膠種類、光刻膠厚度、曝光時(shí)間、顯影時(shí)間、圖案密度、及劑量曝光速率的條件。[0164]根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的方面，不同像素掃描線可使用不同像素圖案，例如示出于兩組像素掃描線3352及3354。舉例來(lái)說(shuō)，在第一組像素掃描線3352中，第一像素掃描線可包括重復(fù)的像素圖案"打開(kāi)-關(guān)閉-關(guān)閉-關(guān)閉"并配合第一標(biāo)稱劑量，第二像素掃描線可包括重復(fù)的像素圖案"打開(kāi)-打開(kāi)-打開(kāi)-打開(kāi)"并配合第二標(biāo)稱劑量，第三像素掃描線可包括重復(fù)的像素圖案"打開(kāi)-關(guān)閉-打開(kāi)-關(guān)閉"并配合第三標(biāo)稱劑量，第四像素掃描線可具有與第三像素掃描線相同的像素圖案與電子能量水平。此例顯示MCB成像系統(tǒng)可被配置以打開(kāi)或關(guān)閉像素，并在曝光一特征時(shí)供給任何預(yù)定能量水平（劑量）至任何像素。在圖33e所示的實(shí)例中，MCB成像系統(tǒng)也可被配置以應(yīng)用空間反置(spatiallyinverted)的像素圖案，例如圖案3354是3352的空間反置圖案。不同曝光圖案(諸如3352及3354)可分別被應(yīng)用于特征的不同區(qū)域，諸如3356及3358。再者，圖案3352可應(yīng)用于第一掃描方向，圖案3354可被應(yīng)用于不同于第一掃描方向的第二掃描方向。如此，本公開(kāi)內(nèi)容的MCB成像系統(tǒng)可配置以通過(guò)使用多重通道而達(dá)成曝光的充分統(tǒng)計(jì)分布。在一些實(shí)施方案中，像素可使用單一MCB成像單元而被曝光。在一些其他實(shí)施方案中，像素可使用多個(gè)MCB成像單元而被曝光，這些MCB像成單元被配置成以一致(coherent)的方式運(yùn)作。[0165]當(dāng)圖像寫(xiě)入系統(tǒng)被建立時(shí)，不準(zhǔn)確性的各種來(lái)源會(huì)被引入，如系統(tǒng)所用的各種元件的布置不準(zhǔn)確性、透鏡及其他光學(xué)元件的制造缺陷的不準(zhǔn)確性。以下段落討論根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式確定并校正不準(zhǔn)確性的多種方法。[0166]為了確定圖像寫(xiě)入系統(tǒng)的準(zhǔn)確性，多種度量(measurement)被確定：1)鄰近SLM之間的距離;2)DMD鏡陣列的旋轉(zhuǎn)量或傾斜量;及3)從SLM(DMD)至基板的光學(xué)放大/縮小的量。在一種作法中，已知圖案放置在平臺(tái)上且多種度量已被用于收集上述感興趣的參數(shù)的數(shù)據(jù)。成像通過(guò)SLM的透鏡而被取得，實(shí)際上相機(jī)像素的尺寸可被確定。為了量測(cè)SLM的旋轉(zhuǎn)/傾斜，傅里葉(Fourier)轉(zhuǎn)換執(zhí)行于所收集的數(shù)據(jù)以確定旋轉(zhuǎn)的角度。在另一作法中，預(yù)制校正基板可被放置在平臺(tái)上并首先通過(guò)透鏡相機(jī)從中央視點(diǎn)進(jìn)行檢查。接著，沿著用戶定義的軸向以某種預(yù)定距離(例如增量X或增量Y)移動(dòng)此平臺(tái)，并重復(fù)通過(guò)各SLM的相機(jī)對(duì)預(yù)制校正基板進(jìn)行的檢查動(dòng)作。[0167]在系統(tǒng)參數(shù)已被量測(cè)完成后，此種數(shù)據(jù)可被用于校正系統(tǒng)的不準(zhǔn)確性。在一種作法中，基板可通過(guò)對(duì)應(yīng)的SLM被分為將被成像的多個(gè)區(qū)域?；赟LM之間IOOmm的間隔，系統(tǒng)提供充分的重疊于兩鄰近SLM之間，例如最高為數(shù)個(gè)微米，以確保基板的任何區(qū)域可通過(guò)對(duì)應(yīng)地置換(displace)這些SLM的坐標(biāo)空間中的圖案而適當(dāng)?shù)厥艿礁采w。在另一作法中，當(dāng)像素柵格放置在基板上時(shí)，像素柵格可被擴(kuò)張或壓縮以校正從SLM至基板的放大/縮小的變異。舉例來(lái)說(shuō)，若目標(biāo)縮小倍率為10:1，1〇.1:1的縮小倍率已引入1%的變異至光路，而此變異可通過(guò)像素柵格而被補(bǔ)償。在另一作法中，參考評(píng)估點(diǎn)的位置可被確定，接著，對(duì)應(yīng)評(píng)估點(diǎn)的距離和/或角度可使用參考評(píng)估點(diǎn)及因?qū)嶋H系統(tǒng)所量測(cè)的不準(zhǔn)確性的變異而被確定。應(yīng)當(dāng)注意此校正通?？捎绊憣?duì)象的邊緣，配合圖30a所述的成像處理的基板工藝可維持相同。[0168]除了系統(tǒng)組件的不準(zhǔn)確性之外，失真也可通過(guò)透鏡或投影機(jī)制的其他元件而被引入。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，失真效應(yīng)(諸如針墊失真(pincushiondistortion))可被描述為在極坐標(biāo)中的位置，其中r以特定量被修改，例如r'=r-0.02*r3。應(yīng)當(dāng)注意此作法的校正失真誤差類似于校正縮放比例誤差的作法。在兩種情況下，為了確定邊緣(或評(píng)估點(diǎn)）位于哪個(gè)像素，此方法需量測(cè)像素的尺寸，因像素的尺寸可能因幾何變異及其他效應(yīng)而有些許改變。[0169]實(shí)際情況中，失真的總量與成像寫(xiě)入系統(tǒng)所用的透鏡的質(zhì)量有關(guān)，高質(zhì)量透鏡產(chǎn)生較低的失真。此失真可在設(shè)計(jì)過(guò)程通過(guò)模擬而被確定，或在制成透鏡后通過(guò)量測(cè)而確定。在一個(gè)作法中，成像寫(xiě)入系統(tǒng)可使用相當(dāng)高質(zhì)量透鏡并應(yīng)用此處所述的方法以校正相當(dāng)小量的失真。為了校正因失真所致的誤差，此系統(tǒng)首先確定失真的函數(shù)，接著應(yīng)用成像對(duì)象時(shí)的失真的反向函數(shù)以校正失真。應(yīng)當(dāng)注意，此校正失真的作法可應(yīng)用至其他形式及形狀的失真，只要失真函數(shù)可被取得而反向函數(shù)可被產(chǎn)生以校正失真。此作法將進(jìn)一步配合圖34a說(shuō)明如下。[0170]圖34a示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的對(duì)光學(xué)成像寫(xiě)入系統(tǒng)進(jìn)行校正的方法。在圖34所示的實(shí)例中，標(biāo)號(hào)3402表示簡(jiǎn)化的像素柵格，標(biāo)號(hào)3404表示失真的像素柵格。標(biāo)號(hào)3406表示將被成像的對(duì)象，標(biāo)號(hào)3408表示用于校正對(duì)象3406的失真的反向函數(shù)。應(yīng)當(dāng)注意，靠近中央處，失真像素柵格3404的中心方形(centersquare)實(shí)質(zhì)上相同于原始像素柵格3402。然而，在拐角處，失真像素柵格的"方形"看起來(lái)更像不規(guī)則四邊形。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)知其他形式及形狀的像素柵格也可被使用，例如是尺寸為1024x768像素的矩形像素柵格。[0171]應(yīng)當(dāng)注意，像素柵格3402描述一個(gè)將以一個(gè)SLM進(jìn)行成像的區(qū)域、或描述一個(gè)將以此SLM進(jìn)行成像的區(qū)域的一部分。在SLM所操控的不同曝光中，由像素柵格所述的區(qū)域可相對(duì)于SLM及其曝光區(qū)域的位置而被四處移動(dòng)。因此，失真的形狀可視SLM及曝光的位置而改變。一般而言，靠近中央的區(qū)域失真較小，但靠近拐角的區(qū)域失真較大。[0172]如圖34所示的實(shí)例，為了對(duì)對(duì)象3406取樣，系統(tǒng)將對(duì)象的坐標(biāo)轉(zhuǎn)換為SLM陣列的坐標(biāo)，并由對(duì)象3406至3408的轉(zhuǎn)換所表示。實(shí)質(zhì)上，系統(tǒng)采用對(duì)象3406的形狀，并以反向方向提供失真（由3408所表示），接著，SLM的失真透鏡(其可看見(jiàn)失真的針墊3404形式的原始像素柵格3402)可被用以成像對(duì)象。[0173]如圖30a及圖30b所述，評(píng)估點(diǎn)沿著對(duì)象3406的邊緣而被選取。圓形區(qū)域3409示出小部分的邊緣3406及其對(duì)應(yīng)的反向函數(shù)3408。標(biāo)號(hào)3410表示沿著對(duì)象3406的四個(gè)評(píng)估點(diǎn)，標(biāo)號(hào)3412表示對(duì)應(yīng)的四個(gè)評(píng)估點(diǎn)將落在沿著反向函數(shù)3408處。環(huán)形區(qū)域3409系被放大且示出于圖34的右側(cè)。[0174]應(yīng)當(dāng)注意對(duì)于4個(gè)評(píng)估點(diǎn)的這些組而言，其間的間隔由透鏡最大分辨率的奈奎斯特(Nyquist)定理所確定。通常，評(píng)估點(diǎn)之間的間隔可為像素的分量，諸如像素的1/2或1/3等。在這些情況下，失真可更小于像素的分量。遍及四個(gè)評(píng)估點(diǎn)的距離范圍，失真可能是非常小的，例如為像素的1/25的等級(jí)，而因失真所致的四個(gè)評(píng)估點(diǎn)的曲率是可忽略的。[0175]如圖34a的圓圈所示（圖示并未依比例繪制，失真被夸大），左側(cè)上沿著垂直線3414的四個(gè)示例性評(píng)估點(diǎn)可被映射至右側(cè)上沿著失真線3416的四個(gè)評(píng)估點(diǎn)，以形成失真函數(shù)的反函數(shù)。對(duì)應(yīng)地，垂直線的中央點(diǎn)3418映射至失真線的中央點(diǎn)3420，其作用如同失真線的四個(gè)評(píng)估點(diǎn)的參考點(diǎn)。應(yīng)當(dāng)注意圖34a已夸大偏離失真線的評(píng)估點(diǎn)的偏差量。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案，偏差量非常小，通常小于從基準(zhǔn)中央點(diǎn)3420遠(yuǎn)離約像素的百分之0.1。以上述結(jié)構(gòu)，此組四個(gè)失真評(píng)估點(diǎn)可使用如上述圖30至圖33所述方法而被運(yùn)算。[0176]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，如圖31a所述以1/8像素的量化方式考慮此組四個(gè)評(píng)估點(diǎn)，若失真為像素的1/25，且中央點(diǎn)對(duì)應(yīng)(snapto)于像素柵格的1/8，產(chǎn)生的誤差為像素的1/16。以不同SLM及曝光位置通過(guò)多重曝光進(jìn)行成像的過(guò)程中，存在這些誤差相互抵消的趨勢(shì)。舉例來(lái)說(shuō)，在一些曝光中，SLM可能會(huì)傾斜于一個(gè)方向上，而在另些曝光中，SLM可能會(huì)傾斜于另一方向上。如此，成像可獲得平滑的邊緣。換言之，除了這些誤差小到足以被視為可忽略的情況之外，這些誤差還可被平均掉。在確定此4個(gè)評(píng)估點(diǎn)落于哪個(gè)像素柵格的1/8的過(guò)程中，校正使用失真的4個(gè)評(píng)估點(diǎn)3420的中央的新位置而被進(jìn)行。應(yīng)當(dāng)注意在此例中，中央點(diǎn)3420可垂直或水平移位。[0177]圖34b示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的經(jīng)像素融合曝光應(yīng)用于多帶電粒子束鄰近效應(yīng)校正的方法。根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的多個(gè)方面，鄰近效應(yīng)校正方法需要因一個(gè)點(diǎn)或像素曝光而沉積在電子光刻膠層中的能量密度輪廓的準(zhǔn)確知識(shí)。一般而言，此輪廓為系統(tǒng)設(shè)定的函數(shù)。假設(shè)是平面且均勻的基板，此輪廓的特性之一在于形狀可不與劑量以及位置相關(guān)。此輪廓可估算為兩個(gè)表示前向及背向散射電子的高斯分布(Gaussiandistributions)之和[0178]f(r)=Ciexp(-(r/Bi)2)+C2exp(-(r/B2)2)[0179]。&、&、81、和出為常數(shù)^為從電子入射點(diǎn)起算的距離。一種作法為將其表示如下：[0180][0181]其中q為背向散射能量與前向散射能量的比例，α為前向散射范圍參數(shù)，β為背向散射范圍參數(shù)。上述等式可被正規(guī)化(normalized)，致使τι為背向散射能量與前向散射能量的比例，α為前向散射范圍參數(shù)，β為背向散射范圍參數(shù)。上述等式可被正規(guī)化使得[0182][0183]在一些實(shí)施方式中，由于能量沉積輪廓提供單一像素（點(diǎn)）曝光的響應(yīng)(response)，電路圖案的曝光可通過(guò)卷積(convolution)而以數(shù)學(xué)表示如下：[0184][0185]其中E(x，y)為沉積于光刻膠上的能量，f(r)為點(diǎn)曝光輪廓而d(x，y)為沉積函數(shù)的輸入劑暈。顯影成像E'（x，y)可從E(x，y)計(jì)算如下：[0186][0187]其中τ為實(shí)驗(yàn)上確定的:S影臨界值。E/(x，y)=〇及E'（x，y)=l分別表示未顯影及已顯影的光刻膠。[0188]根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的方面，小像素尺寸可被使用以通過(guò)使用初始形狀(如矩形）的累積分布函數(shù)(cumulativedistributionfunction)而取得準(zhǔn)確的成像。再者，存儲(chǔ)器需求可通過(guò)分割總曝光量為兩個(gè)成份而被降低，一部分緣于銳利且短程的前向散射成份（由于局部曝光）；另一部分緣于平坦且長(zhǎng)程的背向散射成份（由于全區(qū)曝光）。局部曝光可在關(guān)鍵感興趣點(diǎn)附近于小窗口中被評(píng)估，而全區(qū)曝光可在較大(coarser)的柵格中被評(píng)估而不需犧牲大量的準(zhǔn)確性。[0189]請(qǐng)參照?qǐng)D34b，上半部成像顯示不需應(yīng)用鄰近效應(yīng)校正的技術(shù)的測(cè)試圖案。如此，在測(cè)試圖案中有多個(gè)未處理區(qū)域，標(biāo)示為標(biāo)號(hào)3422、3424、3426、3428及3430。另一方面，通過(guò)應(yīng)用此處所述的鄰近效應(yīng)校正，下半部成像顯示先前未處理處已獲得處理，標(biāo)示為標(biāo)號(hào)3432、3434、3436、3438及3440。[0190]根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的方面，三種方法可被應(yīng)用于鄰近效應(yīng)校正，也就是背景校正曝光、形狀修正及劑量修正。舉例來(lái)說(shuō)，在劑量修正中，不同劑量可應(yīng)用至各個(gè)像素。在一個(gè)作法中，MCB成像系統(tǒng)可被配置以實(shí)例如配合圖30c及圖30d所述的劑量校正演算法，以確定各像素的劑量。令Qj為應(yīng)用至像素j的劑量，令N為像素的總量。像素i上的總能量為：[0191][0192][0193][0194]其中及j的像素中心之間的距離。此等式可對(duì)所有i以矩陣表示法重寫(xiě)如下:·[0195][Ei]=[Rij][Qj][0196]以矩陣運(yùn)算解上述的等式可獲得鄰近效應(yīng)的校正圖案。[0197]圖34c示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的將像素融合曝光應(yīng)用于多帶電粒子束鄰近效應(yīng)校正的另一方法。在形狀修正的一些實(shí)施方案中，單一劑量可用于電路特征。在一些其他實(shí)施方案中，多重劑量可被使用于電路特征。圖案成像所獲得的形狀可被修正，使得顯影成像相當(dāng)相似于所需成像。舉例來(lái)說(shuō)，圖案可被分割為矩形電路元件。各個(gè)電路元件接著可被各自調(diào)整。在一個(gè)特定實(shí)施方案中，各矩形可被置換為對(duì)應(yīng)的內(nèi)部最大矩形（innermaximalrectangle,IMR)，如圖34c所示。請(qǐng)參照?qǐng)D34c，上半部成像顯示未以形狀修改進(jìn)行曝光的矩形電路元件3442。因此，所產(chǎn)生的曝光成像3452可含有不準(zhǔn)確性(相對(duì)于矩形），而顯示為標(biāo)號(hào)3444、3446、3448及3450。下半部成像顯示相同的矩形電路元件3442,但以形狀修改進(jìn)行曝光，并使用內(nèi)部最大矩形3462。如此，所產(chǎn)生的曝光成像3464相較上半部成像的曝光成像3452，含有較少不準(zhǔn)確性。[0198]接著，在不同電路元件之間的相互效應(yīng)可被校正。面對(duì)其他電路元件的各邊緣可被調(diào)整，使得邊緣的中間點(diǎn)可等于實(shí)驗(yàn)所確定的顯影臨界值。接著，電路元件的形狀可在關(guān)鍵點(diǎn)被修改，諸如介于鄰近矩形之間的結(jié)點(diǎn)（junction)，如圖34d所示。[0199]圖34d示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的將像素融合曝光應(yīng)用于帶電粒子束鄰近效應(yīng)校正的又一方法。圖34d所示的實(shí)例中，為了達(dá)成如右側(cè)所示的結(jié)果曝光成像3470,一種作法是將電路特征分割為兩個(gè)或多個(gè)矩形電路元件(3472及3474)、應(yīng)用對(duì)應(yīng)MR至各個(gè)矩形電路元件（3473及3475)、識(shí)別過(guò)度曝光可能發(fā)生的關(guān)鍵區(qū)域3476、從兩個(gè)或多個(gè)矩形電路元件移除部分內(nèi)部3478。如此，通過(guò)應(yīng)用上述方法，背向散射問(wèn)題可實(shí)質(zhì)上被降低，如右側(cè)顯示的所產(chǎn)生的曝光成像3470。[0200]本發(fā)明的實(shí)施方式不僅適用且有利于Fro制造及FPD掩模的制造（即在玻璃基板上形成獨(dú)一無(wú)二或原尺寸工藝的精密復(fù)制的成品），也適用且有利于集成電路、計(jì)算機(jī)制作全息圖（computergeneratedholograms，CGH)、印刷電路板(PCB)的制造，以用于微尺度與中尺度的大型成像顯示應(yīng)用。[0201]本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)一步適用且有利于無(wú)掩模的平板印刷術(shù)工藝，諸如可將所要寫(xiě)入的掩模數(shù)據(jù)圖案直接寫(xiě)入基板。以此方式，可省去掩模成本并免除相關(guān)問(wèn)題。本發(fā)明的實(shí)施方式使得無(wú)掩模式曝光方法的曝光工具的產(chǎn)出量超越第十代及第十代以上的基板所需的產(chǎn)出量。更重要者，本發(fā)明的設(shè)計(jì)可改善工藝窗口，進(jìn)而確保較佳的平板印刷術(shù)良率。[0202]以上雖通過(guò)不同的功能單元及處理器闡明本發(fā)明的實(shí)施方式，但所述功能顯然可于不同的功能單元與處理器間以任何適當(dāng)?shù)姆绞椒峙涠槐畴x本發(fā)明的精神與范圍。舉例而言，由不同處理器或控制器執(zhí)行的功能可改由同一處理器或控制器完成。因此，本文在提及特定功能單元時(shí)，指可提供所述功能的適當(dāng)作法，而非指特定的邏輯或?qū)嶓w結(jié)構(gòu)或組織。[0203]本發(fā)明可以任何適當(dāng)形式實(shí)現(xiàn)，包括硬件、軟件、固件或其任一組合。本發(fā)明的部分內(nèi)容可視需要而實(shí)現(xiàn)為可由一或多個(gè)數(shù)據(jù)處理器和/或數(shù)字信號(hào)處理器執(zhí)行的計(jì)算機(jī)軟件。本發(fā)明任一實(shí)施方式中的元件，其實(shí)體、功能及邏輯均可以任何適當(dāng)方式實(shí)施。所述功能可以單一單元或多個(gè)單元實(shí)現(xiàn)，抑或?qū)崿F(xiàn)為其他功能單元的一部分。因此，本發(fā)明可由單一單元實(shí)現(xiàn)，或?qū)⑵鋵?shí)體與功能分配至不同的單元與處理器。[0204]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可明了，本文所公開(kāi)的實(shí)施方式可以以多種方式修改及組合，但仍保留本發(fā)明的基本機(jī)構(gòu)及方法。為便于解釋說(shuō)明，前文針對(duì)特定實(shí)施方式加以說(shuō)明。然而，以上說(shuō)明并未窮盡所有可能的實(shí)施方式，也未將本發(fā)明限縮于本文所公開(kāi)的特定形態(tài)。本領(lǐng)域技術(shù)人員在參閱以上說(shuō)明后，或可想到多種修改及變化的方式。之所以選擇并描述特定實(shí)施方式，是為闡釋本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用，使本領(lǐng)域技術(shù)人員得依特定用途進(jìn)行修改，以善用本發(fā)明及各種實(shí)施方式?！局鳈?quán)項(xiàng)】1.一種用于在平板印刷術(shù)制造工藝中處理圖像數(shù)據(jù)的方法，所述方法包括：提供平行成像寫(xiě)入系統(tǒng)，其中所述平行成像寫(xiě)入系統(tǒng)包括多個(gè)多帶電粒子束(MCB)成像單元，所述多個(gè)多帶電粒子束成像單元布置為一或多個(gè)平行陣列；接收將被寫(xiě)入至基板的掩模數(shù)據(jù)圖案；處理所述掩模數(shù)據(jù)圖案，以便形成對(duì)應(yīng)至所述基板的不同區(qū)域的多個(gè)分區(qū)掩模數(shù)據(jù)圖案；識(shí)別在所述基板的區(qū)域中將通過(guò)對(duì)應(yīng)MCB成像單元成像的一或多個(gè)對(duì)象；以及通過(guò)控制所述多個(gè)MCB成像單元以平行地寫(xiě)入所述多個(gè)分區(qū)掩模數(shù)據(jù)圖案，執(zhí)行多重曝光以使所述基板的所述區(qū)域中的所述一或多個(gè)對(duì)象成像。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中執(zhí)行多重曝光以使所述一或多個(gè)對(duì)象成像包括：使用像素柵格指稱所述一或多個(gè)對(duì)象；使用所述像素柵格執(zhí)行對(duì)所述一或多個(gè)對(duì)象的曝光；(a)使所述像素柵格相對(duì)于所述一或多個(gè)對(duì)象以預(yù)定增量移位至下一像素柵格位置；以及(b)使用所述下一像素柵格位置執(zhí)行對(duì)所述一或多個(gè)對(duì)象的曝光；以及重復(fù)步驟(a)及(b)直到達(dá)到目標(biāo)曝光次數(shù)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中使用所述像素柵格執(zhí)行對(duì)所述一或多個(gè)對(duì)象的曝光包括：填充所述一或多個(gè)對(duì)象的內(nèi)部像素；根據(jù)所述像素柵格，調(diào)整對(duì)邊緣像素的曝光；以及根據(jù)所述像素位置處接收的曝光劑量，累加每個(gè)像素位置處的劑量。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中使所述像素柵格以預(yù)定增量移位包括：使所述像素柵格相對(duì)于所述基板沿水平方向以非整數(shù)數(shù)量的像素移位；以及使所述像素柵格相對(duì)于所述基板沿垂直方向以非整數(shù)數(shù)量的像素移位。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中使用所述下一像素柵格位置執(zhí)行對(duì)所述一或多個(gè)對(duì)象的曝光包括：識(shí)別所述下一像素柵格中的第一區(qū)域，其中所述第一區(qū)域中的像素的所述曝光劑量是按將移出的像素計(jì)算；識(shí)別所述下一像素柵格中的第二區(qū)域，其中所述第二區(qū)域中的像素的曝光劑量是通過(guò)將先前像素柵格計(jì)算為重疊像素來(lái)得到；以及識(shí)別所述下一像素柵格中的第三區(qū)域，其中所述第三區(qū)域中的像素的曝光劑量是按最近所移入的像素計(jì)算。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中執(zhí)行多重曝光以使所述一或多個(gè)對(duì)象成像進(jìn)一步包括：使用具有第一電子能量水平的第一劑量，選擇性地曝光第一組像素位置；以及使用具有第二電子能量水平的第二劑量，選擇性地曝光第二組像素位置。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中執(zhí)行多重曝光以使所述一或多個(gè)對(duì)象成像進(jìn)一步包括以下至少之一：使用所述MCB成像單元中的一個(gè)執(zhí)行多重曝光;或者使用所述MCB成像單元中的一組執(zhí)行多重曝光。8.-種用于在平板印刷術(shù)制造工藝中處理圖像數(shù)據(jù)的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：平行成像寫(xiě)入系統(tǒng)，其中所述平行成像寫(xiě)入系統(tǒng)包括多個(gè)多帶電粒子束(MCB)成像單元，所述多個(gè)多帶電粒子束成像單元被布置為一或多個(gè)平行陣列；控制器，所述控制器被配置成控制所述多個(gè)MCB成像單元，其中所述控制器包括：用于接收將被寫(xiě)入至基板的掩模數(shù)據(jù)圖案的邏輯；用于處理所述掩模數(shù)據(jù)圖案以形成對(duì)應(yīng)至所述基板的不同區(qū)域的多個(gè)分區(qū)掩模數(shù)據(jù)圖案的邏輯；用于識(shí)別在所述基板的區(qū)域中將通過(guò)對(duì)應(yīng)MCB成像單元成像的一或多個(gè)對(duì)象的邏輯；以及用于通過(guò)控制所述多個(gè)MCB成像單元以平行地寫(xiě)入所述多個(gè)分區(qū)掩模數(shù)據(jù)圖案來(lái)執(zhí)行多重曝光以使所述基板的所述區(qū)域中的所述一或多個(gè)對(duì)象成像的邏輯。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中用于執(zhí)行多重曝光以使所述一或多個(gè)對(duì)象成像的邏輯包括：用以使用像素柵格指稱所述一或多個(gè)對(duì)象的邏輯；用以使用所述像素柵格執(zhí)行對(duì)所述一或多個(gè)對(duì)象的曝光的邏輯；(a)用于使所述像素柵格相對(duì)于所述一或多個(gè)對(duì)象以預(yù)定增量移位至下一像素柵格位置的邏輯；以及(b)用于使用所述下一像素柵格位置執(zhí)行對(duì)所述一或多個(gè)對(duì)象的曝光的邏輯；以及用于重復(fù)步驟(a)及(b)直到達(dá)到目標(biāo)曝光次數(shù)的邏輯。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中用以使用所述像素柵格以執(zhí)行所述一或多個(gè)對(duì)象的曝光的邏輯包括：用于填充所述一或多個(gè)對(duì)象的內(nèi)部像素的邏輯；用于根據(jù)所述像素柵格調(diào)整對(duì)邊緣像素的曝光的邏輯；以及用于根據(jù)所述像素位置處接收的曝光劑量累加在每個(gè)像素位置處的劑量的邏輯。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中用于以預(yù)定增量移位所述像素柵格的邏輯包括：用于使所述像素柵格相對(duì)于所述基板沿水平方向以非整數(shù)數(shù)量的像素移位的邏輯；以及用于使所述像素柵格相對(duì)于所述基板沿垂直方向以非整數(shù)數(shù)量的像素移位的邏輯。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中用于使用所述下一像素柵格位置執(zhí)行對(duì)所述一或多個(gè)對(duì)象的曝光的邏輯包括：用于識(shí)別所述下一像素柵格中的第一區(qū)域的邏輯，其中所述第一區(qū)域中的像素的所述曝光劑量是按將移出的像素計(jì)算；用于識(shí)別所述下一像素柵格中的第二區(qū)域的邏輯，其中所述第二區(qū)域中的像素的曝光劑量是通過(guò)將先前像素柵格計(jì)算為重疊像素來(lái)得到；以及用于識(shí)別所述下一像素柵格中的第三區(qū)域的邏輯，其中所述第三區(qū)域中的像素的曝光劑量是按最近所移入的像素計(jì)算。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中用于調(diào)整對(duì)多個(gè)邊緣像素的曝光的邏輯包括：用于針對(duì)所述像素柵格根據(jù)部分邊緣像素的區(qū)域來(lái)調(diào)整對(duì)部分邊緣像素的曝光的邏輯；用于針對(duì)目標(biāo)曝光劑量水平調(diào)整曝光劑量水平的邏輯；用于針對(duì)誤差校正的量調(diào)整曝光劑量水平的邏輯；用于調(diào)整曝光的臨界值以對(duì)期望劑量累加函數(shù)建模的邏輯。14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中用于執(zhí)行多重曝光以使所述一或多個(gè)對(duì)象成像的邏輯進(jìn)一步包括：用于使用具有第一電子能量水平的第一劑量選擇性地曝光第一組像素位置的邏輯；以及用于使用具有第二電子能量水平的第二劑量選擇性地曝光第二組像素位置的邏輯。15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中用于執(zhí)行多重曝光以使所述一或多個(gè)對(duì)象成像的邏輯進(jìn)一步包括以下至少之一：用于使用MCB成像單元中的一個(gè)執(zhí)行多重曝光的邏輯；用于使用MCB成像單元中的一組執(zhí)行多重曝光的邏輯?！疚臋n編號(hào)】G06F17/50GK106062752SQ201580011781【公開(kāi)日】2016年10月26日【申請(qǐng)日】2015年2月26日公開(kāi)號(hào)201580011781.7,CN106062752A,CN106062752A,CN201580011781,CN-A-106062752,CN106062752A,CN106062752A,CN201580011781,CN201580011781.7,PCT/2015/17668,PCT/US/15/017668,PCT/US/15/17668,PCT/US/2015/017668,PCT/US/2015/17668,PCT/US15/017668,PCT/US15/17668,PCT/US15017668,PCT/US1517668,PCT/US2015/017668,PCT/US2015/17668,PCT/US2015017668,PCT/US201517668【發(fā)明人】建峰·陳,托馬斯·拉伊迪【申請(qǐng)人】應(yīng)用材料公司