1.一種半導(dǎo)體元件的制作方法，包含有：
提供基底；
移除部分的該基底，以形成一對或多對溝槽以及形成于所述溝槽之間的鰭片；
對各所述鰭片進(jìn)一步進(jìn)行：
于該鰭片上形成平坦的頂面；以及
形成該鰭片的頂部、銜接部以及底部，其中該頂部包含第一寬度，且由下而上維持該第一寬度，該銜接部包含第一斜面，用以銜接該頂部與該底部，該銜接部與該頂部具有第一接面，且該第一接面包含該第一寬度，該銜接部與該底部具有第二接面，且該第二接面包含較大的第二寬度，該第一斜角由第一角度定義，且該第一角度介于10°與85°之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的制作方法，其中該頂部包含四邊形形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的制作方法，其中該底部包含第二斜面，該第二斜面由第二角度定義，且該第二角度大于該第一角度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的制作方法，其中該第二角度為70°至88°。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的制作方法，其中該頂部包含高度，且該高度為10納米(nm)至40nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的制作方法，其中該頂部與該銜接部包含高度和，且該高度和為40nm至52nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的制作方法，其中該底部包含高度，且該高度為110nm至140nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的制作方法，其中該頂部的該第一寬度為15nm或更小。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的制作方法，進(jìn)一步包含于溝槽蝕刻步驟中利用不同的蝕刻化學(xué)方法于該頂部形成直線輪廓以及于該底部形成斜面輪廓、形成填滿所述溝槽之間的空隙的材料、進(jìn)行濕蝕刻以移除部分該材料直至該底部，以及利用等向蝕刻方法形成該銜接部。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的制作方法，其中形成該鰭片的該頂部、該銜接部與該底部的步驟進(jìn)一步包含蝕刻各所述溝槽、形成填滿所述溝槽之間的空隙 的材料、進(jìn)行濕蝕刻以移除部分該材料、進(jìn)行干蝕刻以形成該頂部、進(jìn)行濕蝕刻以暴露出該銜接部、以及利用等向蝕刻方法形成該銜接部。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的制作方法，其中該頂部的高度介于該頂部、該銜接部與該底部的高度和的三分之一與二分之一之間。
12.一種半導(dǎo)體元件，包含有：
鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)，設(shè)置于基底上，該FinFET包含有至少一個鰭片，其中該鰭片包含頂部、銜接部與底部，
其中該頂部包含有第一寬度，且由下而上維持該第一寬度，該銜接部包含有銜接該頂部與該底部的第一斜面，該銜接部與該頂部具有第一接面，且該第一接面包含該第一寬度，該銜接部與該底部具有第二接面，且該第二接面包含較大的第二寬度，該第一斜面由第一角度定義，且該第一角度介于10°與85°之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體元件，其中該頂部包含四邊形形狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體元件，其中該底部包含第二斜面，該第二斜面由第二角度定義，且該第二角度大于該第一角度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體元件，其中該第二角度為70°至88°。
16.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體元件，其中該頂部包含高度，且該高度為10nm至40nm。
17.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體元件，其中該頂部與該銜接部包含高度和，且該高度和為40nm至52nm。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的半導(dǎo)體元件，其中該頂部的該第一寬度為15nm或更小。
19.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體元件，其中該底部包含高度，且該高度為110nm至140nm。
20.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體元件，其中該頂部的高度介于該頂部、該銜接部與該底部的高度和的三分之一與二分之一之間。