技術(shù)編號：11956119
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件以及該半導(dǎo)體元件的制作方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體元件廣泛用于電子裝置中，而半導(dǎo)體元件其中的一種為場效應(yīng)晶體管(fieldeffecttransistor，以下簡稱為FET)，F(xiàn)ET為一種利用電場控制半導(dǎo)體材料中由某一種導(dǎo)電型態(tài)的電荷載子形成的通道的形狀的元件。在現(xiàn)有的技術(shù)中已有多種類型的FET，其中一種即為鰭式場效應(yīng)晶體管(以下簡稱為FinFET)。FinFET最先用以定義根據(jù)早期DELTA(單柵極)晶體管設(shè)計，而制作于硅覆絕緣(silicon-on-insulator，SOI...
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