薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及薄膜晶體管【技術(shù)領(lǐng)域】，公開一種薄膜晶體管及其制備方法、一種陣列基板以及一種顯示裝置，其中，薄膜晶體管的制備方法中，制備有源層的方法包括：形成鍺薄膜，并通過構(gòu)圖工藝形成有源層的圖形；利用功能化元素對鍺薄膜進行拓撲化處理，以獲得具有拓撲半導(dǎo)體特性的有源層。通過上述薄膜晶體管的制備方法得到的薄膜晶體管的載流子遷移率較高，性能較好。
【專利說明】
薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄膜晶體管【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、一種陣列基板以及一種顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]目前顯示行業(yè)的發(fā)展對薄膜晶體管(TFT)特性的需求日益提高，高分辨率液晶顯示屏(LCD)和大尺寸有源矩陣有機電致發(fā)光二級管顯示屏(AMOLED)需要陣列基板的TFT器件有較大的開態(tài)電流和很高的開關(guān)比，因此，TFT器件的載流子遷移率越高越好。然而，目前TFT的遷移率仍普遍偏低(約為1cm2V-1S-1),不能滿足技術(shù)日益發(fā)展的需求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管及其制備方法、一種陣列基板以及一種顯示裝置，其中，通過上述薄膜晶體管的制備方法得到的薄膜晶體管的載流子遷移率較高。
[0004]為達到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
[0005]一種薄膜晶體管的制備方法，所述制備方法中制備有源層的方法包括:
[0006]形成鍺薄膜，并通過構(gòu)圖工藝形成有源層的圖形；
[0007]利用功能化元素對鍺薄膜進行拓撲化處理，以獲得具有拓撲半導(dǎo)體特性的有源層。
[0008]上述薄膜晶體管的制備方法中，通過利用功能化元素對鍺薄膜進行拓撲化處理，可以獲得具有拓撲半導(dǎo)體特性的有源層，由于具有拓撲半導(dǎo)體特性，有源層的載流子遷移率很高，因此，采用上述薄膜晶體管的制備方法得到的薄膜晶體管的載流子遷移率較高。
[0009]因此，通過上述薄膜晶體管的制備方法得到的薄膜晶體管的載流子遷移率較高，性能較好。
[0010]優(yōu)選地，所述形成鍺薄膜，具體為:
[0011]采用原子層沉積方法形成鍺薄膜；或者，
[0012]采用化學(xué)氣相沉積方法形成鍺薄膜；或者，
[0013]采用機械剝離轉(zhuǎn)移方法形成鍺薄膜；或者，
[0014]采用磁控濺射工藝形成鍺薄膜；或者，
[0015]采用脈沖激光沉積工藝形成鍺薄膜。
[0016]優(yōu)選地，所述功能化元素為氟元素、氯元素、溴元素、或碘元素，所述利用功能化元素對鍺薄膜進行拓撲化處理，以獲得具有拓撲半導(dǎo)體特性的有源層，具體包括:
[0017]利用氟元素、氯元素、溴元素或者碘元素對鍺薄膜進行鹵化，以獲得鹵化鍺薄膜。
[0018]優(yōu)選地，所述對鍺薄膜進行鹵化，具體為:
[0019]采用氣相方法對鍺薄膜進行鹵化；或者，
[0020]采用液相方法對鍺薄膜進行鹵化；或者，
[0021]采用表面修飾方法對鍺薄膜進行鹵化；或者，
[0022]采用等離子體處理方法對鍺薄膜進行鹵化。
[0023]優(yōu)選地，采用氣相方法對鍺薄膜進行鹵化時，所述對鍺薄膜進行鹵化，包括:
[0024]在溴氣氛圍下對鍺薄膜進行鹵化，氣體壓力為I?10帕，處理溫度為50?400攝氏度，以形成溴化鍺薄膜；或者，
[0025]在氯氣氛圍中、處理溫度為50?400攝氏度環(huán)境下對鍺薄膜退火lOmin，以形成具有拓撲半導(dǎo)體特性的氯化鍺薄膜；或者，
[0026]在碘氣氛圍下對鍺薄膜進行鹵化，氣體壓力為I?10帕，處理溫度為60?100攝氏度，以形成具有拓撲半導(dǎo)體特性的碘化鍺薄膜。
[0027]優(yōu)選地，采用氣相方法對鍺薄膜進行鹵化時，所述對鍺薄膜進行鹵化，包括:在BCl3氣體的氛圍下對鍺薄膜進行鹵化，氣體壓力為I?10帕，處理溫度為250?350攝氏度，并在鹵素氣體氛圍下90?130攝氏度退火，以形成具有拓撲半導(dǎo)體特性的氯化鍺薄膜。
[0028]優(yōu)選地，采用液相方法對鍺薄膜進行鹵化時，所述對鍺薄膜進行鹵化，包括:在液溴氛圍下對鍺薄膜進行鹵化，液溴濃度為1%?10%，處理溫度為40?80攝氏度，以形成溴化鍺薄膜。
[0029]優(yōu)選地，采用表面修飾方法對鍺薄膜進行鹵化時，所述對鍺薄膜進行鹵化，包括:將含有齒素的有機膠體材料涂布在襯底上；將所述襯底涂有有機膠體材料的一側(cè)貼壓在鍺薄膜上，以使得有機膠體中的鹵素原子轉(zhuǎn)移到鍺薄膜上，從而實現(xiàn)鍺薄膜的鹵化。
[0030]優(yōu)選地，采用等離子體處理方法對鍺薄膜進行鹵化時，所述對鍺薄膜進行鹵化，包括:在電感耦合等離子體或者反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備中，采用鹵元素等離子體轟擊鍺薄膜表面，以使得鹵元素等離子體吸附在鍺薄膜中，從而實現(xiàn)鍺薄膜的鹵化。
[0031]優(yōu)選地，所述功能化元素為氫元素、氮元素、硼元素或硫元素。
[0032]一種薄膜晶體管，包括有源層，所述有源層包括含鍺元素的、具有拓撲半導(dǎo)體特性的薄膜。
[0033]優(yōu)選地，所述薄膜為利用氟元素、氯元素、溴元素或者碘元素對鍺薄膜進行鹵化形成的鹵化鍺薄膜。
[0034]優(yōu)選地，所述齒化鍺薄膜的厚度為0.5?10nm。
[0035]優(yōu)選地，
[0036]所述鹵化鍺薄膜為單原子層鹵化鍺薄膜；或者，
[0037]所述鹵化鍺薄膜為雙原子層鹵化鍺薄膜；或者，
[0038]所述鹵化鍺薄膜為多原子層鹵化鍺薄膜。
[0039]優(yōu)選地，所述薄膜為利用氫元素、氮元素、硼元素或硫元素對鍺薄膜進行拓撲化處理形成的拓撲半導(dǎo)體薄膜。
[0040]優(yōu)選地，所述薄膜晶體管為頂柵型結(jié)構(gòu)或者底柵型結(jié)構(gòu)。
[0041]—種陣列基板，包括上述技術(shù)方案提供的任意一種薄膜晶體管。
[0042]一種顯示裝置，包括上述技術(shù)方案提供的陣列基板。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0043]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管中有源層的制備方法流程圖；
[0044]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖3為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的制備方法流程圖。

【具體實施方式】
[0046]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0047]請參考圖1和圖2，圖1為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管中有源層的制備方法流程圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0048]如圖1和圖2所示，本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制備方法，該制備方法中制備有源層4的方法包括:
[0049]步驟S103，形成鍺薄膜，并通過構(gòu)圖工藝形成有源層4的圖形；
[0050]步驟S104，利用功能化元素對鍺薄膜進行拓撲化處理，以獲得具有拓撲半導(dǎo)體特性的有源層4。
[0051]上述薄膜晶體管的制備方法中，通過步驟S104，利用功能化元素對鍺薄膜進行拓撲化處理，可以獲得具有拓撲半導(dǎo)體特性的有源層4，由于具有拓撲半導(dǎo)體特性，有源層4的載流子遷移率很高，因此，采用上述薄膜晶體管的制備方法得到的薄膜晶體管的載流子遷移率較高。
[0052]因此，通過上述薄膜晶體管的制備方法得到的薄膜晶體管的載流子遷移率較高，性能較好。
[0053]如圖1所示，一種具體的實施例中，步驟S103中，形成鍺薄膜，具體可以通過以下方法實現(xiàn):
[0054]方式一，采用原子層沉積方法形成鍺薄膜。
[0055]方式二，采用化學(xué)氣相沉積方法形成鍺薄膜。
[0056]方式三，采用機械剝離轉(zhuǎn)移方法形成鍺薄膜。
[0057]方式四，采用磁控濺射工藝形成鍺薄膜。
[0058]方式五，采用脈沖激光沉積工藝形成鍺薄膜。
[0059]如圖1所示，在上述實施例的基礎(chǔ)上，一種具體的實施例中，步驟S104中，功能化元素具體可以為:氟元素、氯元素、溴元素或者碘元素；利用功能化元素對鍺薄膜進行拓撲化處理，以獲得具有拓撲半導(dǎo)體特性的有源層4，具體包括:
[0060]利用氟元素、氯元素、溴元素或者碘元素對鍺薄膜進行鹵化，以獲得鹵化鍺薄膜。鹵化鍺薄膜具有典型的拓撲半導(dǎo)體的特性。
[0061 ] 在上述實施例的基礎(chǔ)上，一種具體的實施例中，
[0062]鹵化鍺薄膜可以為單原子層鹵化鍺薄膜，或者，雙原子層鹵化鍺薄膜，或者，多原子層鹵化鍺薄膜。
[0063]在上述兩個實施例的基礎(chǔ)上，一種具體的實施例中，對鍺薄膜進行鹵化，可以通過以下方法實現(xiàn):
[0064]方式一，采用氣相方法對鍺薄膜進行鹵化。
[0065]具體地，上述方式一具體可以包括:
[0066]在溴氣氛圍下對鍺薄膜進行鹵化，在氣體壓力為I?10帕，處理溫度為50?400攝氏度時，鍺薄膜可以被溴氣鹵化形成具有拓撲半導(dǎo)體特性的溴化鍺薄膜；或者，
[0067]在氯氣氛圍中、處理溫度為50?400攝氏度環(huán)境下對鍺薄膜退火lOmin，以形成具有拓撲半導(dǎo)體特性的氯化鍺薄膜；或者，
[0068]在碘氣氛圍下對鍺薄膜進行鹵化，氣體壓力為I?10帕，處理溫度為60?100攝氏度，以形成具有拓撲半導(dǎo)體特性的碘化鍺薄膜；或者，
[0069]在BCl3氣體的氛圍下對鍺薄膜進行鹵化，氣體壓力為I?10帕，處理溫度為250?350攝氏度，并在鹵素氣體氛圍下90?130攝氏度退火，以形成具有拓撲半導(dǎo)體特性的氯化鍺薄膜。
[0070]方式二，采用液相方法對鍺薄膜進行鹵化。
[0071]具體地，上述方式二具體可以包括:
[0072]在液溴氛圍下對鍺薄膜進行鹵化，在液溴濃度為1%?10%，處理溫度為40?80攝氏度時，鍺薄膜可以被液溴鹵化形成具有拓撲半導(dǎo)體特性的溴化鍺薄膜。
[0073]方式三，采用表面修飾方法對鍺薄膜進行鹵化。
[0074]具體地,上述方式三具體可以包括:
[0075]采用含有鹵素的有機膠體材料，首先將其涂布在一個襯底上，之后將該涂有有機薄膜的襯底貼壓在已沉積鍺薄膜的基板上，利用原子團的親水或疏水特性，使得有機薄膜中相應(yīng)的含鹵素原子團轉(zhuǎn)移到鍺薄膜上，從而完成鍺薄膜鹵化過程。采用表面修飾工藝對鍺薄膜進行拓撲化處理的反應(yīng)可以在接近室溫的條件下進行。
[0076]方式四，采用等離子體處理方法對鍺薄膜進行鹵化。
[0077]具體地，上述方式四具體可以包括:
[0078]采用氯氣或四氯化碳作為反應(yīng)氣體，在電感耦合等離子體(ICP)、反應(yīng)離子蝕刻(RIE)等設(shè)備中，鹵元素等離子體會轟擊鍺薄膜表面，進而可能吸附在鍺薄膜中，從而完成鍺薄膜的鹵化過程。采用等離子體處理工藝對鍺薄膜進行拓撲化處理，處理溫度較低，且可以使膜層表面更均勻。
[0079]如圖2所示，采用上述任意方式制備形成薄膜晶體管(TFT)的有源層4后，在所需區(qū)域沉積、光刻、刻蝕出刻蝕阻擋層7，約50nm ;之后采用濺射方法沉積源、漏電極金屬Mo或者Al 200nm以形成源漏電極層5，并光刻、刻蝕出所需圖形；之后再采用CVD方法制備S12鈍化層6，約100?500nm，并進而光刻、刻蝕出連接孔，用于后續(xù)背板工藝的進行；TFT器件制備完成后，可在其上濺射沉積ITO電極，并光刻、刻蝕出像素區(qū)或亞像素區(qū)圖案；最后在背板上旋涂沉積亞克力系材料并光刻、固化出像素界定層，約1.5um，最終形成TFT背板部分；背板完成后，可進一步用于制備OLED部分以最終形成AMOLED顯示屏，具體包括:采用O2等離子體處理背板表面，進一步提升ITO的表面功函數(shù)，同時鈍化表面層；有機材料及陰極金屬薄層在OLED/EL-有機金屬薄膜沉積高真空系統(tǒng)中熱蒸發(fā)蒸鍍；在lxlO-5Pa的真空下依次熱蒸發(fā)蒸鍍空穴傳輸層(溫度約170°C )、有機發(fā)光層及電子傳輸層(溫度約190°C )和陰極(溫度約900°C )，空穴傳輸層采用50納米厚的NPB (N, N, - 二苯基-N-N’ 二(1-萘基)-1，1’ 二苯基-4，4’ - 二胺)；發(fā)光層采用分像素區(qū)掩模蒸鍍工藝進行，綠光、藍光和紅光像素區(qū)分別采用摻雜磷光材料的主體材料，25nm厚的CBP: (ppy) 2Ir (acac)、CBP =FIrpic和CBP:Btp2Ir (acac)；電子傳輸層采用25nm厚的Bphen ;陰極用約200納米厚的Sm/Al層。制備而成的AMOLED器件為全彩發(fā)光，出光方式可以為底出光。
[0080]如圖2所示，采用上述任意方式制備形成薄膜晶體管(TFT)的有源層4后，進而采用濺射方法沉積源、漏電極金屬Mo或者Al 200nm以形成源漏電極層5，并光刻、刻蝕出所需圖形；之后再采用CVD方法制備S12鈍化層6，約100?500nm，并進而光刻、刻蝕出連接?L用于后續(xù)背板工藝的進行；如再在TFT器件上濺射沉積ITO電極，并光刻、刻蝕出像素區(qū)或亞像素區(qū)圖案，可最終形成TFT背板部分；該背板可用于制備IXD顯示屏，其后工藝包括光刻膠涂布及壓印取向、Spacer制備和對應(yīng)彩膜基板制備，以及進行對核、切割、灌晶和封膠工藝。制備而成的AMIXD器件可以為全彩發(fā)光。
[0081]在上述實施例的基礎(chǔ)上，一種優(yōu)選的實施例中，鹵化鍺薄膜的厚度的范圍為0.5?1nm,即上述實施例的方式一中的溴化鍺薄膜以及方式二中的氯化鍺薄膜的厚度范圍為0.5?1nm0
[0082]一種具體的實施例中，功能化元素還可以為氫元素、氮元素、硼元素或硫元素等非屬素。
[0083]一種具體的實施例中，薄膜晶體管可以為頂柵型結(jié)構(gòu)也可以為底柵型結(jié)構(gòu)。
[0084]如圖3所示，薄膜晶體管為底柵型結(jié)構(gòu)時，在步驟S103中形成鍺薄膜之前，還包括:
[0085]步驟S101，在襯底基板I上形成柵極金屬層2，并通過構(gòu)圖工藝形成柵極圖形；
[0086]步驟S102，在柵極金屬層2上形成柵極絕緣層3。
[0087]在步驟S104中利用功能化元素對鍺薄膜進行拓撲化處理，以獲得具有拓撲半導(dǎo)體特性的有源層4之后，還包括:
[0088]步驟S105，在有源層4上形成源漏電極層5 ；
[0089]步驟S106，在源漏電極層5上形成鈍化層6。
[0090]如圖2所不,柵極金屬層的厚度為I?500nm ;柵極金屬層的材料可以為Mo,或者Al，或者Cr ;柵極絕緣層的厚度為I?300nm ;源漏電極層5的厚度為5?500nm ;源漏電極層5的材料可以為Mo，或者Al，或者Cr ;鈍化層6的厚度為5?500nm。
[0091]當薄膜晶體管為頂柵型結(jié)構(gòu)時，形成薄膜晶體管的具體步驟可以包括:制備緩沖層，在緩沖層上制備鍺薄膜并對鍺薄膜進行鹵化以形成具有拓撲半導(dǎo)體特性的有源層；在有源層上沉積柵極絕緣層，在柵極絕緣層上沉積柵極金屬層并圖形化，沉積絕緣層以隔絕柵極金屬層和源漏金屬層；沉積源漏金屬層并圖形化，以形成源漏電極；最后沉積鈍化層。
[0092]如圖2所示，本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括有源層4，有源層4包括含鍺元素的、具有拓撲半導(dǎo)體特性的薄膜。該薄膜可以為上述的鹵化鍺薄膜，例如溴化鍺薄膜、氯化鍺薄膜。上述薄膜晶體管的有源層4的材料具有拓撲半導(dǎo)體特性，因此，上述薄膜晶體管的載流子遷移率高，所以，上述薄膜晶體管的性能較好。
[0093]一種優(yōu)選的實施例中，薄膜為利用氟元素、氯元素、溴元素或者碘元素對鍺薄膜進行鹵化形成的鹵化鍺薄膜。
[0094]在上述實施例的基礎(chǔ)上，優(yōu)選地，鹵化鍺薄膜的厚度為0.5?10nm，鹵化鍺薄膜可以為單原子層鹵化鍺薄膜、雙原子層鹵化鍺薄膜或者多原子層鹵化鍺薄膜。
[0095]另一種優(yōu)選的實施例中，薄膜為利用氫元素、氮元素、硼元素或硫元素對鍺薄膜進行拓撲化處理形成的拓撲半導(dǎo)體薄膜。
[0096]在上述各實施例的基礎(chǔ)上，一種具體的實施例中，薄膜晶體管為頂柵型結(jié)構(gòu)或者底柵型結(jié)構(gòu)。
[0097]在上述實施例的基礎(chǔ)上，一種具體的實施例中，柵極金屬層的厚度為I?500nm，柵極金屬層的材料可以為Mo、Al或者Cr,和/或,源漏電極層的厚度為5?500nm,源漏電極層的材料為Mo、Al或者Cr。
[0098]本發(fā)明實施例對發(fā)明點進行簡要介紹，不對薄膜晶體管的具體結(jié)構(gòu)作限定，任何公開現(xiàn)有的薄膜晶體管都為本發(fā)明保護的范圍。
[0099]本發(fā)明還提供一種陣列基板，該陣列基板包括上述任一實施例提供的薄膜晶體管。該陣列基板的薄膜晶體管的電子遷移率高，因此，其可以具有較大的開態(tài)電流和很高的開關(guān)比，所以，該陣列基板的開關(guān)性能好。
[0100]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述實施例提供的陣列基板。該顯示裝置的顯示開關(guān)性能好，畫面切換迅速。
[0101]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明實施例進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述制備方法中制備有源層的方法包括: 形成鍺薄膜，并通過構(gòu)圖工藝形成有源層的圖形； 利用功能化元素對鍺薄膜進行拓撲化處理，以獲得具有拓撲半導(dǎo)體特性的有源層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述形成鍺薄膜，具體為: 采用原子層沉積方法形成鍺薄膜；或者， 采用化學(xué)氣相沉積方法形成鍺薄膜；或者， 采用機械剝離轉(zhuǎn)移方法形成鍺薄膜；或者， 采用磁控濺射工藝形成鍺薄膜；或者， 采用脈沖激光沉積工藝形成鍺薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述功能化元素為氟元素、氯元素、溴元素、或碘元素，所述利用功能化元素對鍺薄膜進行拓撲化處理，以獲得具有拓撲半導(dǎo)體特性的有源層，具體包括: 利用氟元素、氯元素、溴元素或者碘元素對鍺薄膜進行鹵化，以獲得鹵化鍺薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述對鍺薄膜進行鹵化，具體為: 采用氣相方法對鍺薄膜進行鹵化；或者， 采用液相方法對鍺薄膜進行鹵化；或者， 采用表面修飾方法對鍺薄膜進行鹵化；或者， 采用等離子體處理方法對鍺薄膜進行鹵化。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，采用氣相方法對鍺薄膜進行鹵化時，所述對鍺薄膜進行鹵化，包括: 在溴氣氛圍下對鍺薄膜進行鹵化，氣體壓力為I?10帕，處理溫度為50?400攝氏度，以形成溴化鍺薄膜；或者， 在氯氣氛圍中、處理溫度為50?400攝氏度環(huán)境下對鍺薄膜退火lOmin，以形成具有拓撲半導(dǎo)體特性的氯化鍺薄膜；或者， 在碘氣氛圍下對鍺薄膜進行鹵化，氣體壓力為I?10帕，處理溫度為60?100攝氏度，以形成具有拓撲半導(dǎo)體特性的碘化鍺薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，采用氣相方法對鍺薄膜進行鹵化時，所述對鍺薄膜進行鹵化，包括:在BCl3氣體的氛圍下對鍺薄膜進行鹵化，氣體壓力為I?10帕，處理溫度為250?350攝氏度，并在鹵素氣體氛圍下90?130攝氏度退火，以形成具有拓撲半導(dǎo)體特性的氯化鍺薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，采用液相方法對鍺薄膜進行鹵化時，所述對鍺薄膜進行鹵化，包括:在液溴氛圍下對鍺薄膜進行鹵化，液溴濃度為處理溫度為40?80攝氏度，以形成溴化鍺薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，采用表面修飾方法對鍺薄膜進行鹵化時，所述對鍺薄膜進行齒化，包括:將含有齒素的有機膠體材料涂布在襯底上；將所述襯底涂有有機膠體材料的一側(cè)貼壓在鍺薄膜上，以使得有機膠體中的鹵素原子轉(zhuǎn)移到鍺薄膜上，從而實現(xiàn)鍺薄膜的鹵化。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，采用等離子體處理方法對鍺薄膜進行鹵化時，所述對鍺薄膜進行鹵化，包括:在電感耦合等離子體或者反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備中，采用鹵元素等離子體轟擊鍺薄膜表面，以使得鹵元素等離子體吸附在鍺薄膜中，從而實現(xiàn)鍺薄膜的鹵化。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述功能化元素為氫元素、氮元素、硼元素或硫元素。
11.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括有源層，所述有源層包括含鍺元素的、具有拓撲半導(dǎo)體特性的薄膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜為鹵化鍺薄膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述鹵化鍺薄膜的厚度為0.5?1nm0
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述鹵化鍺薄膜為單原子層鹵化鍺薄膜；或者， 所述鹵化鍺薄膜為雙原子層鹵化鍺薄膜；或者， 所述鹵化鍺薄膜為多原子層鹵化鍺薄膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜為利用氫元素、氮元素、硼元素或硫元素對鍺薄膜進行拓撲化處理形成的拓撲半導(dǎo)體薄膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管為頂柵型結(jié)構(gòu)或者底柵型結(jié)構(gòu)。
17.一種陣列基板，其特征在于，包括權(quán)利要求11?16任一項所述的薄膜晶體管。
18.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求17所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L27/12GK104392931SQ201410727563
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年12月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月3日
【發(fā)明者】李延釗, 王龍, 喬勇, 盧永春 申請人:京東方科技集團股份有限公司