有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】提供了一種有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。根據(jù)本公開的一個實施方式的一種有機發(fā)光顯示裝置包括：基板；薄膜晶體管，其形成在所述基板上；平整層，其形成在所述薄膜晶體管上；有機發(fā)光元件，其形成在所述平整層上，所述有機發(fā)光元件包括有機發(fā)光層和陰極；下輔助布線，其在所述有機發(fā)光元件和所述平整層之間，所述布線與所述陰極電連接。
【專利說明】有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001] 本申請要求2013年10月8日在韓國知識產(chǎn)權局提交的韓國專利申請 No. 10-2013-0120123的優(yōu)先權，該專利申請的公開內(nèi)容以引用方式并入本文。

【技術領域】
[0002] 本公開涉及有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，更特別地，涉及可通過使用輔助布 線解決亮度不均勻問題并且提高像素中的孔徑比的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

【背景技術】
[0003] 由于有機發(fā)光顯示（0LED)裝置與液晶顯示（LCD)裝置不同，不需要單獨的光源， 因此0LED裝置可被制造成質(zhì)量輕且薄的形式。另外，0LED裝置在功耗方面是有利的，這 是因為它是用低壓驅動的。另外，0LED裝置具有高響應速度、廣視角和高對比度。因此，將 0LED裝置作為下一代顯示裝置進行研究。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 在頂部發(fā)射型有機發(fā)光顯示（0LED)裝置的情況下，具有透明或半透明性質(zhì)的電 極被用作陰極，以將有機發(fā)光層發(fā)射的光向上發(fā)射。當具有透明或半透明性質(zhì)的電極被用 作陰極時，陰極被形成為薄的厚度，以提高透射率。陰極的厚度減小造成陰極的電阻增大。 另外，由于電阻與和電壓源的距離成比例，因此隨著越來越遠離電壓源焊盤單元，陰極的電 阻逐漸增大。當陰極的電阻增大時，壓降進一步增大。在本說明書中，壓降意味著有機發(fā)光 元件中產(chǎn)生的電勢差減小的現(xiàn)象。更具體地，壓降意味著當陰極的電壓因陰極的電阻增大 而升高時陽極和陰極之間的電勢差減小的現(xiàn)象。壓降會造成有機發(fā)光顯示裝置的亮度不均 勻問題。特別地，隨著有機發(fā)光顯示裝置的大小增加，亮度不均勻問題越嚴重。
[0005] 為了使壓降最小化，使用利用單獨的輔助布線的許多方法。當單獨的輔助布線與 有機發(fā)光元件的陽極形成在同一平面上時，像素中的發(fā)光區(qū)減小，這是因為陽極的面積相 對減小。
[0006] 因此，本公開的目的是提供一種0LED裝置及其制造方法，該0LED裝置能夠通過將 有機發(fā)光元件中的壓降減至最小來解決0LED裝置的上述亮度不均勻問題。
[0007] 本公開的另一個目的是提供一種0LED裝置及其制造方法，該0LED裝置能夠解決 0LED裝置的亮度不均勻問題同時改善像素中的發(fā)光區(qū)和孔徑比。
[0008] 本公開的又一個目的是提供一種0LED裝置及其制造方法，該0LED裝置能夠使壓 降最小化同時減小輔助布線和薄膜晶體管之間產(chǎn)生的寄生電容的影響。
[0009] 本公開的目的不限于上述目的，對于本領域的技術人員而言，根據(jù)以下描述，以上 沒有提到的其它目的將是清楚的。
[0010] 根據(jù)本公開的一方面，提供了一種0LED裝置。該0LED裝置包括基板、薄膜晶體管、 平整層、包括陽極、有機發(fā)光層和陰極的有機發(fā)光元件、下輔助布線。薄膜晶體管形成在基 板上，平整層形成在薄膜晶體管上。這里，下輔助布線布置在有機發(fā)光元件和平整層之間并 且與陰極電連接。
[0011] 由于陰極與下輔助布線連接并因此陰極的電阻減小，所以可以通過將有機發(fā)光元 件中的壓降最小化，解決0LED裝置的亮度不均勻問題。
[0012] 另外，由于下輔助布線布置在平整層和有機發(fā)光元件之間，因此可以提高像素中 的孔徑比并且減小由于下輔助布線導致的寄生電容的影響。
[0013] 其它示例性實施方式的細節(jié)被包括在詳細描述和附圖中。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014] 根據(jù)下面結合附圖的詳細描述，將更清楚地理解本公開的以上和其它方面、特征 和其它優(yōu)點，在附圖中：
[0015] 圖1A和圖1B是根據(jù)本公開的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖；
[0016] 圖1C是為了說明根據(jù)本公開的示例性實施方式的其中有機發(fā)光顯示裝置是透明 有機發(fā)光顯示裝置的示例而提供的剖視圖；
[0017] 圖2是根據(jù)本公開的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的平面圖；
[0018] 圖3A至圖3C是根據(jù)本公開的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的平面圖； [0019] 圖4是為了說明根據(jù)本公開的示例性實施方式的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法 而提供的流程圖；以及
[0020] 圖5A至圖5E是為了說明根據(jù)本公開的示例性實施方式的制造有機發(fā)光顯示裝置 的方法而提供的各個過程的剖視圖。

【具體實施方式】
[0021] 根據(jù)下面參照附圖對實施方式的描述，本公開的各種優(yōu)點和特征及其實現(xiàn)方法將 變得清楚。然而，本公開不限于本文公開的示例性實施方式，而將用各種形式實現(xiàn)。僅通過 舉例提供示例性實施方式，使得本領域的普通技術人員可完全理解本公開的公開內(nèi)容和本 公開的范圍。因此，本公開將只由所附權利要求書的范圍限定。
[0022] 指示元件或層"在"其它元件或層"上"包括對應元件在其它元件正上方的情況和 對應元件插入有其它層或元件的情況二者。指示元件或層"直接在"其它元件或層上意味 著對應元件在其它元件正上方的情況。
[0023] 在整個說明書中，相同的標號指示相同的元件。
[0024] 在附圖中，為了方便描述，任意地示出各元件的大小和厚度，本公開不一定限于附 圖中示出的大小和厚度。
[0025] 盡管為了描述各種組件而使用第一、第二等，但組件不受術語限制。以上術語只是 用于將一個組件與另一個組件區(qū)分開。因此，在本公開的技術精神內(nèi)，以下提到的第一組件 可以是第二組件。
[0026] 本公開的各種示例性實施方式的各個特征可部分或全部彼此連接或組合起來，如 本領域的技術人員充分理解的，可在技術上實現(xiàn)各種相互作用或驅動，各個示例性實施方 式可彼此獨立地執(zhí)行或者通過關聯(lián)的關系一起執(zhí)行。
[0027] 下文中，將參照附圖詳細說明本公開的各種示例性實施方式。
[0028] 圖1A是根據(jù)本公開的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0029] 參照圖1A，有機發(fā)光顯示裝置100A包括基板110、緩沖層111、柵絕緣層113、層間 絕緣層112、薄膜晶體管T、連接構件141、下輔助布線142、陽極151、平整層114、附加絕緣 層115、堤層116U17和119、分離壁118、有機發(fā)光層152、陰極153、透明導電層154以及上 輔助布線160。薄膜晶體管T包括有源層131、柵極132、源極133和漏極134。
[0030] 根據(jù)本公開的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置100A是頂部發(fā)射型有機發(fā)光 顯示裝置。在頂部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置100A中，陽極151包括反射層，從有機發(fā)光層 152發(fā)射的光被發(fā)射透過具有透明或半透明性質(zhì)的陰極153。
[0031] 有機發(fā)光顯示裝置100A包括發(fā)光區(qū)EA和輔助布線區(qū)SA。發(fā)光區(qū)EA是指其中從 有機發(fā)光層152發(fā)射光的區(qū)域。例如，參照圖1A，發(fā)光區(qū)EA由陽極151邊緣處的堤層116 和119限定。輔助布線區(qū)SA是指其中形成下輔助布線142的區(qū)域。
[0032] 在基板110上形成緩沖層111，在緩沖層111上形成薄膜晶體管T。更具體地，在 緩沖層111上形成有源層131并且在有源層131上形成柵絕緣層113。在柵絕緣層113上 形成柵極132并且在柵極的整個表面上形成層間絕緣層112。源極133和漏極134通過層 間絕緣層112和柵絕緣層113的接觸孔與有源層131電連接。
[0033] 薄膜晶體管T具有包括有源層131、柵極132、源極133和漏極134的共面結構。共 面薄膜晶體管T具有以下結構：源極133、漏極134和柵極132布置在有源層131上方或下 方。盡管在本說明書中薄膜晶體管T具有共面結構，但本公開不限于此。薄膜晶體管T可 采用各種結構。
[0034] 另外，盡管在本說明書中當薄膜晶體管T是P型薄膜晶體管T時陽極151與漏極 134連接，但本公開不限于此。例如，當薄膜晶體管T是N型薄膜晶體管時，陽極151可與源 極133連接。
[0035] 參照圖1A，平整層114形成在薄膜晶體管T上。平整層114保護布置在平整層114 下方的元件并且還在薄膜晶體管T上方提供平面表面，以容易在薄膜晶體管T上形成其它 元件。在有機發(fā)光顯示裝置100A中，平整層114厚得足以在薄膜晶體管T上方提供平面表 面，以形成包括陽極151、有機發(fā)光層152和陰極153的有機發(fā)光元件。平整層114由聚丙烯 酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂、 聚苯硫醚樹脂和苯并環(huán)丁烯中的一種或兩種材料形成，但不限于此。另外，平整層114可由 各種其它有機材料形成。另外，平整層114被形成為具有通過其將漏極134露出的接觸孔。
[0036] 在平整層114上形成連接構件141和下輔助布線142。
[0037] 下輔助布線142電連接陰極153并且由導電材料形成以使由于陰極153的電阻導 致的壓降減最小化。另外，下輔助布線142可延伸以在非顯示區(qū)與電壓源焊盤單元電連接。 下輔助布線142可接收預設電壓，預設電壓可以是與陰極153的電壓相同的電壓，例如，地 (GND)或負電壓。
[0038] 下輔助布線142可減小與其電連接的陰極153的電阻。具體地，連接陰極153的下 輔助布線142被構造成從電壓源焊盤單元接收與陰極153的電壓相同的電壓。也就是說，對 于給定像素，陰極153的電阻可因陰極連接到下輔助布線而減小。陰極153的電阻減小會導 致使陽極151和陰極153之間的電勢差減小的壓降減小。因此，即使由于陰極153的電阻 而導致出現(xiàn)壓降，連接到陰極153的下輔助布線142也允許向像素施加所需電壓。下輔助 布線142可被形成為基于有機發(fā)光顯示裝置的大小具有一定寬度和厚度，以減小壓降。可 基于下輔助布線142的寬度、長度、厚度、材料等計算下輔助布線142的電阻。
[0039] 如上所述，在基本上為平面的平整層114上形成下輔助布線142。也就是說，下輔 助布線142形成在平整層114的頂表面上，使得下輔助布線142是平面的。以此方式，下輔 助布線142被形成為沒有階梯部分。例如，當下輔助布線142形成在由無機材料組成的鈍 化層上時，下輔助布線142可具有階梯部分。因為鈍化層難以具有足夠的厚度為鈍化層下 方的其它元件提供平面覆蓋件。
[0040] 另外，相比于下輔助布線142形成在平整層114的頂表面下方的結構，有機發(fā)光顯 示裝置100A具有各種優(yōu)點。當下輔助布線142形成在平整層114的頂表面下方并且更靠 近晶體管T時，在導電材料的下輔助布線142和薄膜晶體管T的組件之間會產(chǎn)生寄生電容。 然而，如圖1A中所示，通過將下輔助布線142放置在平整層114的頂表面上，可提供下輔助 布線142和薄膜晶體管T的組件之間的足夠距離以使寄生電容最小。
[0041] 作為下輔助布線142沒有形成在平整層114上的一個示例，下輔助布線142可直 接形成在覆蓋薄膜晶體管T的鈍化層上。更具體地，鈍化層形成在薄膜晶體管T的組件上并 且下輔助布線142直接形成在鈍化層上。在這種情況下，在下輔助布線142和薄膜晶體管 T的組件之間會產(chǎn)生高的寄生電容。這種高的寄生電容會造成薄膜晶體管T的性能劣化。
[0042] 然而，如圖1A中所示，當下輔助布線142形成在平整層114上時，可保持下輔助布 線142和平整層114之間有足夠的距離。因此，相比于下輔助布線142直接形成在鈍化層 上的結構，寄生電容會更低。
[0043] 就這點而言，平整層114應該具有足夠的厚度使下輔助布線142和薄膜晶體管T 之間產(chǎn)生的寄生電容的效應最小。例如，如果下輔助布線142和薄膜晶體管T之間的寄生 電容超過每單位面積（um2)0. IfF，則柵充電電壓會改變或者會產(chǎn)生串擾，這導致薄膜晶體 管T的特性劣化。因此，在一個實施方式中，平整層114可具有一定厚度，使得薄膜晶體管T 和下輔助布線142之間的寄生電容可如期望地是每單位面積（i!m2)0. IfF(毫微微法拉）或 更小。通過使下輔助布線142和薄膜晶體管T之間的寄生電容是每單位面積（i!m2)0. IfF 或更小，可使會因下輔助布線142造成的不利效果最小。
[0044] 參照圖1A，下輔助布線142布置在有機發(fā)光元件的陽極151和平整層114之間，下 輔助布線142還形成在輔助布線區(qū)SA中，以與發(fā)光區(qū)EA部分交疊。發(fā)光區(qū)EA可被定義為 在形成在陽極151 -端的堤層116的第一面和形成在陽極151另一相對端的堤層119的第 二面之間延伸的區(qū)域，第一面面對第二面。另外，發(fā)光區(qū)EA可以指整個陽極151的除了被 堤層116和119覆蓋的陽極151區(qū)域之外的區(qū)域。發(fā)光區(qū)EA可以指其中有機發(fā)光層152 直接接觸陽極151的陽極151區(qū)域。另外，發(fā)光區(qū)EA在堤層116和119之間開口并且可由 堤層116和119進行限定。另外，發(fā)光區(qū)EA可與陽極151區(qū)域部分交疊。
[0045] 下輔助布線142與陽極151不形成在同一平面上，而是形成在陽極151下方。因 此，陽極151區(qū)域的大小并不取決于下輔助布線142的大小，因此，可增大陽極151區(qū)域以 提供更大的發(fā)光區(qū)EA。
[0046] 因此，當考慮薄膜晶體管T的性能、有機發(fā)光元件的壓降減小和發(fā)光區(qū)EA的延伸 時，可最佳地將下輔助布線142定位在平整層114和有機發(fā)光元件之間。
[0047] 連接構件141經(jīng)由平整層114的將漏極134露出的接觸孔與漏極134電連接。連 接構件141被構造成將漏極134和陽極151彼此電連接。連接構件141可形成為最小量， 只要將漏極134和陽極151彼此電連接即可。因為該最小量，所以下輔助布線142區(qū)域可 增至最大。
[0048] 陽極151和漏極134可在沒有連接構件141的情況下彼此直接地電連接。然而， 為了將陽極151與漏極134彼此直接電連接，必須在平整層114和附加絕緣層115二者中 形成接觸孔。因此，可不精確地形成接觸孔的形狀，從而導致陽極151和漏極134之間的電 連接有問題。另外，即使當可精確地形成接觸孔時，由于接觸孔的深度相當大，導致會出現(xiàn) 陽極151和漏極134之間的電連接有問題。因此，在根據(jù)本公開的示例性實施方式的有機 發(fā)光顯示裝置100A中，在漏極134和陽極151之間形成連接構件141，從而有助于漏極134 與陽極151電連接。
[0049] 連接構件141和下輔助布線142可由鑰（Mo)、鋁（A1)、鉻（Cr)、金（Au)、鈦（Ti)、 鎳（Ni)、釹（Nd)和銅（Cu)中的任一種、其合金、或其多層形成，但不限于此。另外，連接構 件141可由各種材料形成。下輔助布線142可與連接構件141同時地由相同的材料形成。 連接構件141與下輔助布線142形成在同一平面上。
[0050] 附加絕緣層115形成在完全在基板10上方的連接構件141和下輔助布線142上。 附加絕緣層115被形成為將下輔助布線142與陽極151絕緣。另外，輔助絕緣層115可具 有穿過其形成的接觸孔143和144,接觸孔143使連接構件141的一部分開口，接觸孔144 使下輔助布線142的一部分開口。
[0051] 附加絕緣層115可由硅氧化物層、硅氮化物層或其雙層形成，但不限于此。附加絕 緣層115可由各種無機材料形成。當附加絕緣層115可由無機材料形成時，下輔助布線142 和連接構件141的上方和其間的陽極151具有如圖1中所示的階梯。因此，堤層119被形 成為覆蓋下輔助布線142和連接構件141的上方和其間的陽極151的階梯。
[0052] 另外，附加絕緣層115可為連接構件141和下輔助布線142提供平面覆蓋件，以允 許容易地在連接構件141和下輔助布線142上方形成其它元件。在本示例性實施方式中， 附加絕緣層115可由與平整層114相同的材料形成。當附加絕緣層115被形成為執(zhí)行與平 整層114相同的功能時，附加絕緣層115可為連接構件141和下輔助布線142提供平面覆 蓋件。當附加絕緣層115為連接構件141和下輔助布線142提供平面覆蓋件時，堤層119 可被形成為只覆蓋接觸孔143,陽極151通過接觸孔143接觸連接構件141。不一定要形成 堤層119來覆蓋下輔助布線142和連接構件的上方和其間的陽極151區(qū)域。因此，當附加 絕緣層115為下輔助布線142提供平面覆蓋件時，堤層119區(qū)域可減小，因此由堤層119和 116限定的發(fā)光區(qū)EA可進一步延伸。
[0053] 包括陽極151、有機發(fā)光層152和陰極153的有機發(fā)光元件形成在附加絕緣層上。 有機發(fā)光顯示裝置100A被驅動，以借助陽極151供應的空穴和陰極153供應的電子在有機 發(fā)光層152中復合以發(fā)光來顯示圖像。有機發(fā)光顯示裝置100A具有被獨立驅動的子像素。 因此，上述一個薄膜晶體管T和一個有機發(fā)光元件都布置在各子像素區(qū)中。各子像素區(qū)中 的一個薄膜晶體管T可獨立地驅動對應的有機發(fā)光元件。
[0054] 陽極151形成在附加絕緣層115上。陽極151經(jīng)由附加絕緣層115中的接觸孔 143與連接構件141電連接，附加絕緣層115的接觸孔143經(jīng)由連接構件141與漏極134電 連接。
[0055] 陽極151需要供應空穴。因此，它由具有高逸出功的導電材料形成。陽極151包 括具有高逸出功的透明層，透明層由諸如銦錫氧化物（ITO)和銦鋅氧化物（IZO)的透明導 電氧化物（TC0)形成。盡管在圖1A中未示出，但陽極151可包括形成在透明層下方的反射 層。陽極151被形成為被分成與子像素區(qū)分別對應的多個塊。也就是說，各陽極151電連 接到各薄膜晶體管T，因此，各子像素區(qū)可被獨立地驅動。
[0056] 上輔助布線160與陽極151形成在同一平面上。上輔助布線160由導電材料形成， 以將陰極153和下輔助布線142電連接。
[0057] 上輔助布線160可與陽極151同時地用相同的工序形成。在這種情況下，上輔助 布線160與陽極151同時地由相同材料形成相同厚度。如上所述，當陽極151由透明層和 反射層形成時，上輔助布線160可由透明層和反射層形成。
[0058] 上輔助布線160的延伸端與非顯示區(qū)中設置的電壓源焊盤單元電連接。因此，上 輔助布線160接收預設電壓。預設電壓可以是與陰極153的電壓相同的電壓，例如，地（GND) 或負電壓。當形成上輔助布線160時，可以使當陽極151被構圖時蝕刻劑對下輔助布線142 產(chǎn)生的損害最小化。
[0059] 可根據(jù)陽極151的面積確定上輔助布線160的面積。由于上輔助布線160與陽極 151形成在同一平面上，因此有機發(fā)光元件中的上輔助布線160的面積和發(fā)光區(qū)EA的面積 之間存在權衡關系。因此，當上輔助布線160的面積被最小化時，發(fā)光區(qū)EA的面積可增大。 因此，上輔助布線160可形成在其中可形成分離壁118的最小空間中。例如，上輔助布線 160可形成在多邊形的最小空間中，以將陰極153連接下輔助布線142。當上輔助布線160 只形成在部分區(qū)域中并且無法與電壓源焊盤單元連接時，下輔助布線142可直接連接電壓 源焊盤單元，因此可被施加預設電壓，所述預設電壓為與陰極153的電壓相同的電壓。
[0060] 堤層116和117形成在上輔助布線160的兩側。堤層116覆蓋上輔助布線160的 一側和發(fā)光區(qū)EA中的陽極151的一側。堤層117覆蓋上輔助布線160的另一側。
[0061] 堤層116、117和119可由有機絕緣材料（例如，聚酰亞胺、感光亞克力和苯并環(huán)丁 烯（BCB)中的任一種）形成。堤層116、117和119可形成為錐形形狀（tapered shape)。 下文中，錐形形狀是指隨著越來越遠離基板110其橫截面面積逐漸減小的形狀。與之相反， 倒置的錐形形狀是指隨著越來越遠離基板110其橫截面面積逐漸增大的形狀。
[0062] 當?shù)虒?16、117和119形成為錐形形狀時，堤層116、117和119由光刻膠形成。堤 層116、117和119被形成為用于區(qū)分相鄰的發(fā)光區(qū)EA的高度。
[0063] 堤層119被形成為覆蓋陽極151通過其陽極151與連接構件141的接觸孔143。 盡管在圖1A中未示出，但陽極151的與接觸孔143對應的區(qū)域可具有階梯部分。由接觸孔 143造成的陽極151的階梯部分會造成子像素的漏光等。由于堤層119被形成為覆蓋接觸 孔143,因此有機發(fā)光顯示裝置100A的可視性可提高。另外，堤層119被形成為覆蓋下輔助 布線142的部分。當?shù)虒?19覆蓋下輔助布線142的部分時，它被形成為覆蓋因附加絕緣 層115造成的陽極151的階梯部分。因此，可以使漏光等最小化。
[0064] 分離壁118形成在上輔助布線160上。分離壁118被形成為分離有機發(fā)光層152。 分離壁118形成為倒置的錐形形狀。參照圖1A，分離壁118的下表面接觸上輔助布線160 的一部分。隨著越來越遠離上輔助布線160,分離壁118的橫截面面積逐漸增大，因此，分離 壁118的上表面的面積可大于分離壁118的下表面的面積。分離壁118可被形成為比堤層 116和117高并且可形成為（例如）大約lym至大約2.5 的高度。當分離壁118被形 成為高于堤層116和117時，可變得更容易形成倒置的錐形形狀的分離壁118。
[0065] 有機發(fā)光層152形成在陽極151、堤層116、117和119和分離壁上。有機發(fā)光層 152形成在發(fā)光區(qū)EA中。由于有機發(fā)光層152形成在基本上平面的下輔助布線142上的陽 極151上，因此它基本上是平面的。具體地，可通過沉積有機發(fā)光材料形成有機發(fā)光層152。 一般地，有機發(fā)光材料由具有低階梯覆蓋率的材料形成。由于有機發(fā)光材料的低階梯覆蓋 率，導致有機發(fā)光材料沒有形成在分離壁118以及堤層116和117的側表面上，而是形成在 分離壁118以及堤層116和117的上表面上。由于有機發(fā)光層152沒有沉積在上輔助布線 160的一部分上，因此可以得到能夠使上輔助布線160和陰極153電連接的物理空間。
[0066] 通過在有機發(fā)光顯示裝置100A中對有機發(fā)光層152構圖來將陰極153與上輔助 布線160或下輔助布線142電連接的方法不受限制。在本說明書中，通過形成倒置的錐形 形狀的分離壁118,得到能夠使上輔助布線160或下輔助布線142和陰極153電連接的物理 空間。但可使用包括FMM(精細金屬掩模）的蔭罩。具體地，通過使用該蔭罩，形成有機發(fā) 光層152,該蔭罩包括具有與發(fā)光區(qū)EA對應的開口的FMM。由于有機發(fā)光層152沒有形成 在上輔助布線160或下輔助布線142的一部分中，因此陰極153可在沒有分離壁118的情 況下直接地電連接上輔助布線160或下輔助布線142。
[0067] 另外，為了如上所述形成有機發(fā)光層152,可通過光刻膠工序形成有機發(fā)光層 152。例如，可使用由含氟材料、顯影溶液和剝離劑形成的光刻膠圖案通過光刻膠工序形成 有機發(fā)光層152。為了形成有機發(fā)光層152,可使用諸如LITI (激光誘導熱成像）、LIPS(激 光誘導圖案狀升華）、可溶印刷等無掩模方法。
[0068] 陰極153形成在有機發(fā)光層152上。陰極153與單獨的電壓布線（例如，電壓源 焊盤單元）連接，以向所有子像素施加恒定電壓。由于陰極153需要供應電子，因此它由 具有高導電率和低逸出功的材料形成。由于有機發(fā)光顯示裝置100A是頂部發(fā)射型有機發(fā) 光顯示裝置，因此陰極153由具有薄厚度和低逸出功的金屬材料形成。例如，陰極153由銀 (Ag)、鈦（Ti)、鋁（A1)、鑰（Mo)、或銀（Ag)和鎂（Mg)的合金形成。陰極153被形成為幾百 A或更?。ɡ?，200A或更?。┑暮穸?。當如此形成陰極153時，陰極153基本上變成具 有透明或半透明性質(zhì)的電極。
[0069] 有機發(fā)光顯示裝置中的陰極153的電阻對亮度的均勻性影響大。陰極153的厚度 增加表現(xiàn)出權衡，使得陰極153的電阻減小或陰極153的透射率降低。因此，當陰極153的 厚度增大至預設水平或更大以降低陰極153的電阻時，由于頂部發(fā)射型有機發(fā)光顯示裝置 100A的特性導致存在限制。換句話講，當陰極153的厚度增大時，由于陰極153的電阻減 小，導致壓降減小，因此亮度均勻性提高。但是，有機發(fā)光顯示裝置100A的透射率降低。所 以，在根據(jù)本公開的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置100A中，作為增大陰極153厚度 的替代方式，可通過使用與陰極153電連接的下輔助布線142減小陰極153的電阻。
[0070] 參照圖1A，由于陰極153由上述金屬材料形成并且由于分離壁180而沒有與上輔 助布線160直接連接，因此在陰極153上另外形成透明導電層154。透明導電層154形成在 整個發(fā)光區(qū)EA和其中形成有上輔助布線160的區(qū)域中。透明導電層154由透明導電材料 形成。通過沉積透明導電氧化物形成透明導電層154。由于透明導電氧化物由具有高階梯 覆蓋率的材料形成，所以透明導電層154可形成在分離壁118以及堤層116和117的側表 面和上表面上。因此，透明導電層154將陰極153與上輔助布線160電連接。透明導電層 154應該被形成為在分離壁118以及堤層116和117上具有足夠厚度用于進行穩(wěn)定的電連 接。例如，透明導電層154可被形成為大約1〇〇 A或更大的厚度。用于透明導電層154的透 明導電氧化物的示例可包括銦錫氧化物（ITO)、銦鋅氧化物（IZO)、銦錫鋅氧化物（ITZO)、 鋅氧化物、錫氧化物等。
[0071] 然而，當陰極153由具有高階梯覆蓋率的材料形成時，在沒有透明導電層154的情 況下，陰極153可通過分離壁118和堤層116之間的空間與上輔助布線160直接連接。
[0072] 圖1B是根據(jù)本公開的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的剖視圖。在圖1B中 示出的有機發(fā)光顯示裝置100B的組件之中，將省略對與圖1A中示出的有機發(fā)光顯示裝置 100A的組件相同的一些組件的說明。
[0073] 圖1B示出有機發(fā)光顯示裝置100B，其中，下輔助布線142與陰極153電連接，而沒 有上輔助布線160。如上所述，由于上輔助布線160和陽極151之間具有權衡關系，因此當 沒有形成上輔助布線160時，可以得到具有更大面積的陽極151。因此，發(fā)光區(qū)EA可進一步 延伸。
[0074] 在圖1B中，使用分離壁118將下輔助布線142與陰極153電連接，但連接方法不 限于此?？刹捎酶鞣N方法。
[0075] 圖1C是為了說明根據(jù)本公開的示例性實施方式的其中有機發(fā)光顯示裝置100C是 透明有機發(fā)光顯示裝置的示例而提供的剖視圖。在圖1C中示出的透明有機發(fā)光顯示裝置 100C的組件之中，將省略對與圖1A中示出的有機發(fā)光顯示裝置100A的組件基本上相同的 一些組件的說明。
[0076] 參照圖1C，透明有機發(fā)光顯示裝置100C還包括發(fā)光區(qū)TA。透明有機發(fā)光顯示裝 置100C具有特定透射率，該透射率使用戶能夠至少識別透明有機發(fā)光顯示裝置100C后面 的對象。例如，透明有機發(fā)光顯示裝置100C可具有至少20%或更大的透射率。
[0077] 下輔助布線142被形成為與發(fā)光區(qū)EA交疊。由于下輔助布線142由不透明材料 形成，因此它沒有形成在透光區(qū)TA中，以增大透明有機發(fā)光顯示裝置100C的透射率?？墒?用或可不使用上輔助布線160。即使當使用時，也可用最小空間形成上輔助布線160。在根 據(jù)本公開的示例性實施方式的透明有機發(fā)光顯示裝置100C中，下輔助布線142形成在發(fā)光 區(qū)EA下方。因此，可以得到盡可能大的發(fā)光區(qū)EA和透光區(qū)TA。
[0078] 另外，有機發(fā)光層152、陰極153和透明導電層154被形成為與透光區(qū)TA的部分交 疊。然而，期望的是，還可通過如上所述的各種構圖方法對有機發(fā)光層152、陰極153或透 明導電層154構圖，使有機發(fā)光層152、陰極153或透明導電層154不形成在透光區(qū)TA中。 在這種情況下，透光區(qū)TA的透射率可進一步提高。
[0079] 圖2是根據(jù)本公開的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的平面圖。圖2示意性 示出根據(jù)本公開的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置200的構造的平面圖?？捎酶鞣N方 式形成本說明書中描述的組件，不受圖2中示出的組件的布置的限制。
[0080] 圖2示出其中形成陽極210的區(qū)域、其中形成堤層220的區(qū)域、被堤層220分隔的 發(fā)光區(qū)EA、陽極210通過其與薄膜晶體管連接的接觸孔230。圖2示出其中形成下輔助布 線250的輔助布線區(qū)SA和下輔助布線250通過其與陰極連接的接觸孔260。發(fā)光區(qū)EA與 下輔助布線250交疊。堤層220被形成為環(huán)繞陽極210并且還覆蓋接觸孔230 (陽極210 通過接觸孔230與薄膜晶體管連接）和下輔助布線250的部分。
[0081] 由于發(fā)光區(qū)EA被形成在陽極210上的堤層220分隔，因此發(fā)光區(qū)EA形成在比其 中形成陽極210的區(qū)域窄的空間中。發(fā)光區(qū)EA被形成為包括在輔助布線區(qū)SA中，使得陽 極210上的發(fā)光區(qū)EA可以是平面的。
[0082] 另外，陽極210沒有形成在下輔助布線250通過其接觸陰極的接觸孔260中。如 圖1A中所示，當其中下輔助布線250接觸陰極的區(qū)域減小時，其中可形成陽極210的區(qū)域 增大。因此，發(fā)光區(qū)EA可延伸。
[0083] 圖3A是根據(jù)本公開的示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的平面圖。下輔助布 線310可形成在所有子像素處，或者可形成在一些子像素處，如圖3A和圖3B中所示。由于 下輔助布線310是出于減小有機發(fā)光元件的壓降的目的而設置的，因此下輔助布線310可 只形成在多個子像素之中的特定子像素處，只要可實現(xiàn)這種目的即可。
[0084] 參照圖3A和圖3B，有機發(fā)光顯示裝置300A和300B包括多個子像素SP1至SP21。 下輔助布線310可跨過基板被周期性地布置。
[0085] 在圖3A中，下輔助布線310可跨過基板被周期性地布置在各第n子像素（n是自 然數(shù)）處。圖3A示出下輔助布線31013、310(：、310(1、3106和31(^形成在多個子像素之中的 每第四子像素3?5、5?8、5?13、5?17和5?21處，下輔助布線310沒有形成在其它子像素處。 在其中沒有形成下輔助布線310的其它子像素處，沒有下輔助布線310與陰極的接觸區(qū)域。 因此，發(fā)光區(qū)EA可進一步延伸。下輔助布線310被形成為延伸到有機發(fā)光顯示裝置300A 的非顯示區(qū)并且被施加預設電壓。由于下輔助布線310跨過基板被周期性地布置，因此可 有效地設計有機發(fā)光顯示裝置300A。
[0086] 在顯示裝置的中心周圍會出現(xiàn)有機發(fā)光顯示裝置的壓降。這會是因為，隨著越來 越遠離電壓源焊盤單元，陰極的電阻逐漸減小。因此，在根據(jù)本公開的示例性實施方式的有 機發(fā)光顯示裝置中，下輔助布線可形成在其中明顯出現(xiàn)壓降的區(qū)域周圍，以減小陰極的電 阻。例如，朝向有機發(fā)光顯示裝置的中心部分，下輔助布線布置的節(jié)距可變窄。也就是說， 位于有機發(fā)光顯示裝置300B的中心部分的兩條相鄰下輔助布線之間的距離可小于位于有 機發(fā)光顯示裝置300B的周邊部分中的兩條相鄰下輔助布線之間的距離。如圖3B中所示， 相比于下輔助布線310a和310b的布置或下輔助布線310f和310g的布置，像素SP9處的 下輔助布線310c、像素SP11處的下輔助布線310d和像素SP13處的下輔助布線310e彼此 之間的間距分別更緊密地布置。通過朝向中心部分（此處顯示更有可能受壓降的影響）減 小下輔助布線布置的節(jié)距，可以更有效地管理顯示器中的壓降問題。另外，將下輔助布線布 置集中在中心部分可通過在有機發(fā)光顯示裝置300B中用最少數(shù)量的下輔助布線來減少壓 降相關問題。
[0087] 在本公開的示例性實施方式中，下輔助布線可跨過基板被不規(guī)則地布置。下輔助 布線可不規(guī)則地布置在各隨機像素處。
[0088] 圖3C示出其中形成下輔助布線的多個子像素330和其中沒有形成下輔助布線的 多個子像素340可被隨機地布置。下輔助布線隨機地布置在有機發(fā)光顯示裝置300C的多 個子像素處。在每個子像素，下輔助布線與陰極電連接。在這種情況下，下輔助布線與電壓 源焊盤單元350電連接，因此可被直接施加預設電壓。
[0089] 圖4是為了說明根據(jù)本公開的示例性實施方式的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法 而提供的流程圖。圖5A至圖5E是為了說明根據(jù)本公開的示例性實施方式的制造有機發(fā)光 顯示裝置的方法而提供的各個過程的剖視圖。下文中，將參照圖4的流程圖和圖5A至圖5E 的各個過程的剖視圖說明制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。
[0090] 參照圖4,在有機發(fā)光顯示裝置的基板上形成薄膜晶體管（S100)。參照圖5A，在基 板510上形成包括有源層531、柵極532、源極533和漏極534的薄膜晶體管T。
[0091] 有源層531可由非晶硅、多晶硅或氧化物半導體形成。在有源層531上形成柵絕 緣層513。
[0092] 柵絕緣層513將有源層531與柵極532絕緣。柵絕緣層513由硅氧化物層、硅氮 化物層或其雙層形成，但不限于此，并且可由各種材料形成。柵絕緣層513被形成為包括有 源層531的一部分通過其開口的接觸孔。有源層531的源區(qū)的一部分和漏區(qū)的一部分通過 接觸孔開口。
[0093] 在柵絕緣層513上形成柵極532。柵極532與有源層531的至少一部分交疊，特別 地，與有源層531的溝道區(qū)交疊。柵極532由導電材料形成，特別地，由低電阻金屬、金屬合 金或其多層形成，但不限于此，并且可由各種材料形成為各種層合結構。
[0094] 在柵極532上形成層間絕緣層512。層間絕緣層512由與柵絕緣層513相同的材 料形成并且可由硅氧化物層、硅氮化物層或其雙層形成，但不限于此，并且可由各種材料形 成。層間絕緣層512被形成為包括有源層531的一部分通過其開口的接觸孔。有源層531 中的源區(qū)的一部分和漏區(qū)的一部分通過該接觸孔開口。
[0095] 在層間絕緣層512上形成源極533和漏極534。源極533和漏極534通過形成在 層間絕緣層512和柵絕緣層513中的接觸孔分別與有源層531的源區(qū)和漏區(qū)電連接。源極 533和漏極534由導電材料形成，特別地，由低電阻金屬、金屬合金或其多層形成，但不限于 此，并且可由各種材料形成為各種層合結構。在薄膜晶體管T上形成平整層514,形成漏極 534的一部分通過其開口的接觸孔。
[0096] 下文中，將說明在形成的薄膜晶體管上形成下輔助布線和連接構件的步驟 (S110)。參照圖5B，在平整層514上形成連接構件541和下輔助布線542,連接構件541通 過接觸孔與漏極534電連接。其中形成下輔助布線542的區(qū)域被定義為輔助布線區(qū)SA。
[0097] 然后，參照圖4,形成上輔助布線和陽極（S120)。參照圖5C，在下輔助布線542和 連接構件541上形成附加絕緣層515,在附加絕緣層515上形成陽極551和上輔助布線560。 陽極551通過附加絕緣層515中的接觸孔與連接構件541電連接。上輔助布線560和陽極 551彼此沒有電連接并且彼此分隔開。
[0098] 然后，參照圖4,形成堤層和分離壁（S130)。參照圖在陽極551的兩側和上輔 助布線560的兩側形成堤層516、517和519,在將上輔助布線560露出的區(qū)域上形成分離壁 518。堤層516、517和519可形成為錐形形狀，分離壁518可形成為倒置的錐形形狀。為了 形成錐形或倒置的錐形形狀，可適當?shù)厥褂谜突蜇撔凸饪棠z。發(fā)光區(qū)EA由陽極551的范 圍內(nèi)的堤層516和519限定。發(fā)光區(qū)EA與下輔助布線542交疊。
[0099] 另外，參照圖4,形成有機發(fā)光層、陰極和透明導電層（S140)。參照圖5E，有機發(fā) 光層552、陰極553和透明導電層554形成在整個發(fā)光區(qū)EA和輔助布線區(qū)SA。通過在基板 510上方沉積有機發(fā)光材料和陰極材料，形成有機發(fā)光層552和陰極553。陰極553經(jīng)由 上輔助布線560電連接到下輔助布線542。當有機發(fā)光材料和陰極材料由具有低階梯覆蓋 率的材料形成時，由于分離壁518,導致有機發(fā)光層552和陰極553可不沉積在上輔助布線 560的一部分上。
[0100] 透明導電層554被形成為將上輔助布線560與陰極553連接。參照圖5E，在陰極 553、上輔助布線560、堤層516和517以及分隔壁518上形成透明導電層554。通過在基板 510上方沉積透明導電氧化物，形成透明導電層554。一般地，透明導電氧化物由具有高階 梯覆蓋率的材料形成。因此，透明導電層554沒有被分離壁518分開并且形成為覆蓋分離 壁518的側表面和上表面。因此，透明導電層554將陰極553與輔助布線區(qū)SA中的上輔助 布線560連接，從而將陰極53與下輔助布線542電連接。如上所述，除了形成分離壁518 的方法之外，還可通過各種方法將下輔助布線542與陰極533電連接。
[0101] 下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明的有機發(fā)光顯示裝置的各種實施方式。
[0102] 在一些實施方式中，有機發(fā)光顯示裝置還包括在下輔助布線和有機發(fā)光元件之間 的附加絕緣層。
[0103] 在一些實施方式中，有機發(fā)光顯示裝置還包括：上輔助布線，其在所述附加絕緣層 上，與所述下輔助布線和所述陰極電連接。
[0104] 在一些實施方式中，上輔助布線與陽極在相同的平面上。
[0105] 在一些實施方式中，有機發(fā)光顯示裝置還包括：連接構件，其在所述平整層上，與 所述薄膜晶體管和所述陽極電連接。
[0106] 在一些實施方式中，連接構件與下輔助布線在相同的平面上。
[0107] 在一些實施方式中，有機發(fā)光顯示裝置包括與下輔助布線交疊的發(fā)光區(qū)。
[0108] 在一些實施方式中，有機發(fā)光顯示裝置還包括限定發(fā)光區(qū)的陽極上的堤層。
[0109] 在一些實施方式中，薄膜晶體管經(jīng)由平整層的接觸孔電連接到陽極，堤層中的一 個覆蓋接觸孔。
[0110] 在一些實施方式中，下輔助布線沒有形成在透光區(qū)中。
[0111] 在一些實施方式中，有機發(fā)光兀件透過陰極發(fā)射光。
[0112] 在一些實施方式中，有機發(fā)光顯示裝置還包括：透明導電層，其在所述陰極上，所 述透明導電層與所述下輔助布線和所述陰極接觸。
[0113] 在一些實施方式中，下輔助布線在平整層的頂表面上，使得下輔助布線是平面的。
[0114] 根據(jù)本公開的示例性實施方式，提供一種有機發(fā)光顯示裝置。有機發(fā)光顯示裝置 包括薄膜晶體管，其在所述基板上；平整層，其在所述薄膜晶體管上；有機發(fā)光元件，其在 所述平整層上；以及輔助布線，其在所述平整層和所述有機發(fā)光元件的陽極之間。所述有機 發(fā)光元件包括陽極、有機發(fā)光層和陰極，所述輔助布線電連接到所述陰極。所述平整層具有 一定厚度，使得所述薄膜晶體管和所述輔助布線之間的寄生電容是每單位面積0. IfF或更 小。
[0115] 在一些實施方式中，輔助布線被構造成允許輔助布線和薄膜晶體管之間產(chǎn)生的寄 生電容小于在平整層的頂表面下方形成輔助布線的結構的寄生電容。
[0116] 根據(jù)本公開的示例性實施方式，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置。有機發(fā)光顯示裝 置包括基板上的平整層、平整層上的有機發(fā)光元件、平整層和有機發(fā)光元件之間的輔助布 線。輔助布線跨過基板被周期性地布置。
[0117] 在一些實施方式中，輔助布線周期性地布置，使得輔助布線設置在各第n像素中， 其中，n是等于或大于1的整數(shù)。
[0118] 在一些實施方式中，位于有機發(fā)光顯示器的中心部分中的兩條相鄰下輔助布線之 間的距離小于位于有機發(fā)光顯示裝置的周邊部分中的兩條相鄰下輔助布線之間的距離。
[0119] 根據(jù)本公開的示例性實施方式，提供一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。所述制 造有機發(fā)光顯示裝置的方法包括：在基板上形成薄膜晶體管，在薄膜晶體管上形成平整層， 在平整層上形成下輔助布線，在下輔助布線上形成附加絕緣層，在附加絕緣層上形成陽極， 在陽極上形成堤層，所述堤層限定與下輔助布線交疊的發(fā)光區(qū)，在陽極上形成有機發(fā)光層 和陰極。
[0120] 在一些實施方式中，一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法還包括：形成將所述下輔 助布線和所述陰極電連接的上輔助布線，其中，所述上輔助布線與所述陽極同時形成。
[0121] 在一些實施方式中，一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法還包括：形成將所述薄膜 晶體管的源極或漏極與陽極電連接的連接構件，其中，所述連接構件與所述下輔助布線同 時地形成。
[0122] 參照示例性實施方式更詳細地描述本公開，但本公開不限于示例性實施方式。本 領域的技術人員應該清楚，可在不脫離本發(fā)明的技術精神的情況下進行各種修改。因此，本 公開中公開的示例性實施方式不用于限制而是用于描述本公開的技術精神，本公開的技術 精神不限于示例性實施方式。因此，上述示例性實施方式在所有方面被視為是示例性的，而 非限制性的。本公開的保護范圍必須由所附權利要求書進行解釋，應該理解，與之等同的范 圍內(nèi)的所有技術精神被包括在本公開的所附權利要求書中。
【權利要求】
1. 一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括： 薄膜晶體管，其形成在基板上； 平整層，其在所述薄膜晶體管上； 有機發(fā)光元件，其在所述平整層上，所述有機發(fā)光元件包括陽極、有機發(fā)光層和陰極； 以及 下輔助布線，其電連接到所述陰極，其中，所述下輔助布線設置在所述有機發(fā)光元件和 所述平整層之間。
2. 根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括： 附加絕緣層，其在所述下輔助布線和所述有機發(fā)光元件之間。
3. 根據(jù)權利要求2所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括： 上輔助布線，其在所述附加絕緣層上，與所述下輔助布線和所述陰極電連接。
4. 根據(jù)權利要求3所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述上輔助布線與所述陽極在相同 的平面上。
5. 根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括： 連接構件，其在所述平整層上，與所述薄膜晶體管和所述陽極電連接。
6. 根據(jù)權利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述連接構件與所述下輔助布線在 相同的平面上。
7. 根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述有機發(fā)光顯示裝置包括與所述 下輔助布線交疊的發(fā)光區(qū)。
8. 根據(jù)權利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括： 多個堤層，其在所述陽極上，限定所述發(fā)光區(qū)。
9. 根據(jù)權利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述薄膜晶體管經(jīng)由所述平整層的 接觸孔電連接到所述陽極，所述堤層中的一個覆蓋所述接觸孔。
10. 根據(jù)權利要求7所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述下輔助布線沒有形成在透光 區(qū)中。
11. 根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述有機發(fā)光元件透過所述陰極 發(fā)射光。
12. 根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置還包括： 透明導電層，其在所述陰極上，所述透明導電層與所述下輔助布線和所述陰極接觸。
13. 根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述下輔助布線在所述平整層的 頂表面上，使得所述下輔助布線是平面的。
14. 一種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括： 薄膜晶體管，其在所述基板上； 平整層，其在所述薄膜晶體管上； 有機發(fā)光元件，其在所述平整層上，所述有機發(fā)光元件包括陽極、有機發(fā)光層和陰極； 以及 輔助布線，其在所述平整層和所述有機發(fā)光元件的陽極之間，所述輔助布線電連接到 所述陰極， 其中，所述平整層的厚度使得所述薄膜晶體管和所述輔助布線之間的寄生電容是每單 位面積0.IfF或更小。
15. 根據(jù)權利要求14所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述輔助布線被構造成允許所述 輔助布線和所述薄膜晶體管之間產(chǎn)生的寄生電容小于在所述平整層的頂表面下方形成所 述輔助布線的結構的寄生電容。
16. -種有機發(fā)光顯示裝置，所述有機發(fā)光顯示裝置包括： 平整層，其在基板上； 有機發(fā)光元件，其在所述平整層上；以及 輔助布線，其在所述平整層和所述有機發(fā)光元件之間； 其中所述輔助布線跨過所述基板被周期性地布置。
17. 根據(jù)權利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述輔助布線被周期性地布置， 使得所述輔助布線設置在各第n像素中，其中，n是等于或大于1的整數(shù)。
18. 根據(jù)權利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中位于所述有機發(fā)光顯示器的中心 部分的兩個相鄰下輔助布線之間的距離小于位于所述有機發(fā)光顯示裝置的周邊部分中的 兩個相鄰下輔助布線之間的距離。
19. 一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟： 在基板上形成薄膜晶體管； 在所述薄膜晶體管上形成平整層； 在所述平整層上形成下輔助布線； 在所述下輔助布線上形成附加絕緣層； 在所述附加絕緣層上形成陽極； 在所述陽極上形成多個堤層，所述堤層限定與所述下輔助布線交疊的發(fā)光區(qū)；以及 在所述陽極上形成有機發(fā)光層和陰極。
20. 根據(jù)權利要求19所述的方法，所述方法還包括以下步驟： 形成將所述下輔助布線和所述陰極電連接的上輔助布線，其中，所述上輔助布線與所 述陽極同時形成。
21. 根據(jù)權利要求19所述的方法，所述方法還包括以下步驟： 形成將所述薄膜晶體管的源極或漏極與陽極電連接的連接構件，其中，所述連接構件 與所述下輔助布線同時地形成。
【文檔編號】H01L27/32GK104517995SQ201410514527
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年9月29日 優(yōu)先權日:2013年10月8日
【發(fā)明者】金彬, 李副烈 申請人:樂金顯示有限公司