像素結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)，包括基板、配置于基板上的主動(dòng)元件、第二反射圖案以及第三反射圖案。主動(dòng)元件包括柵極、通道、源極與漏極。源極與漏極連接于通道并彼此分離。通道與柵極在厚度方向上堆疊。第二反射圖案及第三反射圖案電性連接至主動(dòng)元件的漏極。第二反射圖案具有多個(gè)第二貫孔。第三反射圖案堆疊于第二反射圖案上且覆蓋第二反射圖案的多個(gè)第二貫孔。第二反射圖案設(shè)置于第三反射圖案與基板之間。此外，另多種像素結(jié)構(gòu)亦被提出。
【專利說明】像素結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種反射式像素結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002] 為了配合現(xiàn)代生活模式，視訊或影像裝置的體積日漸趨于輕薄。因此，具有輕、薄、 短、小以及低消耗功率的特性的平面式顯示器（Flat Panel Display)已成為顯示器產(chǎn)品的 主流。
[0003] 顯示器依光源利用型態(tài)可分為反射式顯示器（包括半穿半反顯示器）及穿透式顯 示器（Transmissive Display)。穿透式顯示器主要由穿透式顯示面板及背光模塊所構(gòu)成。 由于穿透式顯示面板中所注入的顯示介質(zhì)本身不會(huì)發(fā)光，因此必需透過背光模塊所提供的 光源來點(diǎn)亮穿透式顯示面板，以使穿透式顯示器達(dá)到顯示的效果。反射式顯示器主要由反 射式顯示面板所構(gòu)成。由于反射式顯示面板本身不會(huì)發(fā)光，因此必需透過反射外界光線來 點(diǎn)亮反射式顯示面板，進(jìn)而使反射式顯示器可顯示影像。
[0004] 在現(xiàn)有習(xí)知的反射式顯示器中，為了將外界光線朝多個(gè)不同方向反射出去以使反 射式顯示器的光學(xué)特性（例如視角）佳，多利用反射像素電極鋪設(shè)于具有凹凸結(jié)構(gòu)的絕緣 層上，而使反射像素電極的表面呈現(xiàn)凹凸不平的狀態(tài)，進(jìn)而達(dá)到將外界光線朝多個(gè)不同方 向反射的目的。然而，利用絕緣層所制作的凹凸結(jié)構(gòu)的變化性有限，而使反射式顯示器的光 學(xué)特性不易提升。
[0005] 由此可見，上述現(xiàn)有的顯示器在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待 加以進(jìn)一步改進(jìn)。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的 目標(biāo)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的顯示器存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的像素 結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其提供多種像素結(jié)構(gòu)，利用這些像素結(jié)構(gòu)的一制作反射式 顯示器的光學(xué)特性極佳，非常適于實(shí)用。
[0007] 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出 的一種像素結(jié)構(gòu)，其中包括：基板；主動(dòng)元件，配置于該基板上，并包括柵極、通道、源極與 漏極，該源極與該漏極連接于該通道并彼此分離，而該通道與該柵極在厚度方向上堆疊；第 二反射圖案，電性連接至該主動(dòng)元件的該漏極且具有多個(gè)第二貫孔；以及第三反射圖案，電 性連接至該主動(dòng)元件的該漏極，其中該第三反射圖案堆疊于該第二反射圖案上且覆蓋該第 二反射圖案的所述第二貫孔，而該第二反射圖案設(shè)置于該第三反射圖案與該基板之間。
[0008] 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
[0009] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第三反射圖案具有至少第三貫孔，而該第三反射 圖案的該第三貫孔暴露出該第二反射圖案且在該厚度方向上與所述第二貫孔不重疊。
[0010] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二反射圖案具有面向該基板的底面，每一該第 二貫孔具有相對(duì)于該基板傾斜的斜面，該第二反射圖案的底面與第二貫孔的斜面在該第二 反射圖案的材質(zhì)內(nèi)夾有第一角度，該第三反射圖案具有面向該基板的底面，該第三貫孔具 有相對(duì)于該基板傾斜的斜面，該第三反射圖案的底面與該第三貫孔的斜面在該第三反射圖 案的材質(zhì)內(nèi)夾有第二角度，而該第一角度與該第二角度不同。
[0011] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：第二絕緣層，配置于該第二反射圖案與該第 三反射圖案之間。
[0012] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二絕緣層具有多個(gè)第二接觸窗，該第三反射圖 案填入所述第二接觸窗而與該第二反射圖案電性連接。
[0013] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二反射圖案具有面向該基板的底面，每一該第 二貫孔具有相對(duì)于該基板傾斜的斜面，該第二反射圖案的底面與該第二貫孔的斜面在該第 二反射圖案的材質(zhì)內(nèi)夾有第一角度，該第二絕緣層具有面向該基板的底面，每一該第二接 觸窗具有相對(duì)于該基板傾斜的斜面，該第二絕緣層的底面與該第二接觸窗的斜面在該第二 絕緣層的材質(zhì)內(nèi)夾有第三角度，而該第一角度與該第三角度不同。
[0014] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第三反射圖案具有至少第三貫孔，而該第三貫孔 暴露出該第二反射圖案以及該第二絕緣層。
[0015] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：浮置通道層，配置于該第二反射圖案與該基 板之間且具有多個(gè)開口，其中該第二反射圖案覆蓋所述開口并堆疊于該浮置通道層上。
[0016] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該浮置通道層與該主動(dòng)元件的該通道屬于同一膜 層。
[0017] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二反射圖案具有面向該基板的底面，每一該第 二貫孔具有相對(duì)于該基板傾斜的斜面，該第二反射圖案的底面與該第二貫孔的斜面在該第 二反射圖案的材質(zhì)內(nèi)夾有第一角度，該浮置通道層的每一該開口具有相對(duì)于該基板傾斜的 斜面，該浮置通道層具有面向該基板的底面，該開口的斜面在該浮置通道層的材質(zhì)內(nèi)與該 浮置通道層的底面夾有第四角度，而該第一角度與該第四角度不同。
[0018] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第三反射圖案與該第二反射圖案接觸。
[0019] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二反射圖案與該主動(dòng)元件的該漏極屬于同一膜 層。
[0020] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：電容電極線，連接至參考電位，其中該電容 電極線位于該基板與該第二反射圖案之間，且該第二反射圖案位于該第三反射圖案與該電 容電極線之間。
[0021] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：數(shù)據(jù)線以及掃描線，且該數(shù)據(jù)線與該源極連 接，該掃描線與該柵極連接。
[0022] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：第一絕緣層，配置于該基板與該第二反射圖 案之間。
[0023] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：第一反射圖案，與該主動(dòng)元件的該柵極電性 絕緣且屬于同一膜層，該第一反射圖案具有多個(gè)第一貫孔。
[0024] 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的 一種像素結(jié)構(gòu)，其中包括：基板；主動(dòng)元件，配置于該基板上，并包括柵極、通道、源極與漏 極，該源極與該漏極連接于該通道并彼此分離，而該通道與該柵極在厚度方向上堆疊；第二 反射圖案，與該主動(dòng)元件的該漏極電性連接；以及浮置通道層，與該主動(dòng)元件的該通道屬于 同一膜層，其中該浮置通道層位于該第二反射圖案與該基板之間且具有多個(gè)開口，且該第 二反射圖案覆蓋浮置通道層的所述開口并堆疊于該浮置通道層上。
[0025] 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
[0026] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二反射圖案與該主動(dòng)元件的該漏極屬于同一膜 層。
[0027] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：電容電極線，連接至參考電位，其中該電容 電極線位于該基板與該浮置通道層之間。
[0028] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：第一絕緣層，配置于該浮置通道層與該基板 之間，而該第一絕緣層具有多個(gè)第一接觸窗。
[0029] 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外再采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提 出的一種像素結(jié)構(gòu)，其中包括：基板；主動(dòng)元件，配置于該基板上，并包括柵極、通道、源極 與漏極，該源極與該漏極連接于該通道并彼此分離，而該通道與該柵極在厚度方向上堆疊； 第一反射圖案，與該主動(dòng)元件的該柵極電性絕緣且屬于同一膜層，該第一反射圖案具有多 個(gè)第一貫孔；以及第二反射圖案，電性連接至該主動(dòng)元件的該漏極，其中該第二反射圖案堆 疊于該第一反射圖案上且全面性覆蓋該第一反射圖案及所述第一貫孔。
[0030] 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
[0031] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于且與該第二反射圖案與該主動(dòng)元件的該漏極屬于同 一膜層。
[0032] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：第一絕緣層，配置于該第一反射圖案與該第 二反射圖案之間。
[0033] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一絕緣層具有多個(gè)第一接觸窗，而該第二反射 圖案填入所述第一接觸窗。
[0034] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一接觸窗暴露出該第一反射圖案，而該第二 反射圖案填入所述第一接觸窗而與該第一反射圖案電性連接。
[0035] 前述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述接觸窗位于該第一反射圖案的所述第一貫孔 中。
[0036] 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā) 明的主要技術(shù)內(nèi)容如下：提出一種像素結(jié)構(gòu)。此像素結(jié)構(gòu)包括基板、配置于基板上的主動(dòng) 元件、第二反射圖案以及第三反射圖案。主動(dòng)元件包括柵極、通道、源極與漏極。源極與漏 極連接于通道并彼此分離。通道與柵極在厚度方向上堆疊。第二反射圖案及第三反射圖案 電性連接至主動(dòng)元件的漏極。第二反射圖案具有多個(gè)第二貫孔。第三反射圖案堆疊于第二 反射圖案上且覆蓋第二反射圖案的多個(gè)第二貫孔。第二反射圖案設(shè)置于第三反射圖案與 基板之間。本發(fā)明提出另一種像素結(jié)構(gòu)。此像素結(jié)構(gòu)包括基板、配置于基板的主動(dòng)元件、第 二反射圖案以及浮置通道層。主動(dòng)元件包括柵極、通道、源極與漏極。源極與漏極連接于 通道并彼此分離。通道與柵極在厚度方向上堆疊。第二反射圖案與主動(dòng)元件的漏極電性連 接。浮置通道層與主動(dòng)元件的通道屬于同一膜層。浮置通道層位于第二反射圖案與基板之 間且具有多個(gè)開口。第二反射圖案覆蓋浮置通道層的多個(gè)開口并堆疊于浮置通道層上。本 發(fā)明提出又一種像素結(jié)構(gòu)。此像素結(jié)構(gòu)包括基板、主動(dòng)元件、第一反射圖案以及第二反射圖 案。主動(dòng)元件配置于基板上并包括柵極、通道、源極與漏極。源極與漏極連接于通道并彼此 分離。通道與柵極在厚度方向上堆疊。第二反射圖案與主動(dòng)元件的漏極電性連接。浮置通 道層與主動(dòng)元件的通道屬于同一膜層。浮置通道層位于第二反射圖案與基板之間且具有多 個(gè)開口。第二反射圖案覆蓋浮置通道層的開口并堆疊于浮置通道層上。本發(fā)明提出再一種 像素結(jié)構(gòu)。此像素結(jié)構(gòu)包括基板、主動(dòng)元件、第一反射圖案以及第二反射圖案。主動(dòng)元件配 置于基板上并包括柵極、通道、源極與漏極。源極與漏極連接于通道并彼此分離。通道與柵 極在厚度方向上堆疊。第一反射圖案與主動(dòng)元件的柵極電性絕緣且屬于同一膜層。第一反 射圖案具有多個(gè)第一貫孔。第二反射圖案電性連接至主動(dòng)元件的漏極。第二反射圖案堆疊 于第一反射圖案上且全面性覆蓋第一反射圖案及第一貫孔。上述的第三反射圖案具有至少 第三貫孔，而第三反射圖案的第三貫孔暴露出第二反射圖案且在厚度方向上與第二貫孔不 重疊。上述的第二反射圖案具有面向基板的底面，第二反射圖案的每一貫孔具有相對(duì)于基 板傾斜的斜面。第二反射圖案的底面與第二反射圖案的貫孔的斜面在第二反射圖案的材質(zhì) 內(nèi)夾有第一角度。第三反射圖案具有面向基板的底面。第三反射圖案的貫孔具有相對(duì)于基 板傾斜的斜面。第三反射圖案的底面與第三反射圖案的貫孔的斜面在第三反射圖案的材質(zhì) 內(nèi)夾有第二角度。第一角度與第二角度不同。上述的像素結(jié)構(gòu)更包括第二絕緣層。第二絕 緣層配置于第二反射圖案與第三反射圖案之間。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第二絕緣 層具有多個(gè)第二接觸窗。第三反射圖案填入這些第二接觸窗而與第二反射圖案電性連接。 上述的第二絕緣層具有面向基板的底面。每一第二接觸窗具有相對(duì)于基板傾斜的斜面。第 二絕緣層的底面與第二接觸窗的斜面在絕緣層的材質(zhì)內(nèi)夾有第三角度。第三角度與第一角 度不同。上述的第三反射圖案具有至少一第三貫孔。第三反射圖案的第三貫孔暴露出第二 反射圖案以及第二絕緣層。上述的像素結(jié)構(gòu)更包括浮置通道層。浮置通道層配置于第二反 射圖案與基板之間且具有多個(gè)開口。第二反射圖案覆蓋浮置通道層的多個(gè)開口并堆疊于浮 置通道層上。上述的浮置通道層與主動(dòng)元件的通道屬于同一膜層。上述的浮置通道層的每 一開口具有相對(duì)于基板傾斜的斜面。浮置通道層具有面向基板的底面。浮置通道層的開口 的斜面在浮置通道層的材質(zhì)內(nèi)與浮置通道層的底面夾有第四角度。第四角度與第一角度不 同。上述的第三反射圖案與第二反射圖案接觸。上述的第二反射圖案與主動(dòng)元件的漏極屬 于同一膜層。上述的像素結(jié)構(gòu)更包括連接至參考電位的電容電極線。電容電極線位于基板 與第二反射圖案之間。第二反射圖案位于第三反射圖案與電容電極線之間。上述的像素結(jié) 構(gòu)更包括數(shù)據(jù)線以及掃描線。數(shù)據(jù)線與源極連接。掃描線與柵極連接。上述的像素結(jié)構(gòu)更 包括配置于基板與第二反射圖案之間的第一絕緣層。上述的像素結(jié)構(gòu)更包括第一反射圖 案。第一反射圖案與主動(dòng)元件的柵極電性絕緣且屬于同一膜層。第一反射圖案具有多個(gè)第 一貫孔。上述的像素結(jié)構(gòu)更包括連接至參考電位的電容電極線。電容電極線位于基板與浮 置通道層之間。上述的像素結(jié)構(gòu)更包括第一絕緣層。第一絕緣層配置于浮置通道層與基板 之間，而第一絕緣層具有多個(gè)第一接觸窗。上述的像素結(jié)構(gòu)更包括第一絕緣層。第一絕緣 層配置于第一反射圖案與第二反射圖案之間。上述的第一絕緣層具有多個(gè)第一接觸窗，而 第二反射圖案填入第一接觸窗。上述的第一接觸窗暴露出第一反射圖案，而第二反射圖案 填入第一接觸窗而與第一反射圖案電性連接。上述的接觸窗位于第一反射圖案的第一貫孔 中?；谏鲜?，在本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)中，利用浮置通道層、第二反射圖案及第三反 射圖案中任二者的堆疊可創(chuàng)造出不同傾斜方向或傾斜角度的反射面。利用這些反射面，像 素結(jié)構(gòu)可將入射光線朝多個(gè)不同方向反射，進(jìn)而使具有此像素結(jié)構(gòu)的反射式顯示器的光學(xué) 特性佳。
[0037] 借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果：綜上所述，在 本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)中，利用第一反射圖案、第二反射圖案、第三反射圖案及浮置通道 層中任至少二者的堆疊可創(chuàng)造出不同傾斜方向或傾斜角度的反射面。利用這些反射面，像 素結(jié)構(gòu)可將入射光線朝多個(gè)不同方向反射，進(jìn)而使具有此像素結(jié)構(gòu)的反射式顯示器的光學(xué) 特性佳。
[0038] 上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠 更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0039] 圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
[0040] 圖2為圖1的像素結(jié)構(gòu)沿剖線A-A'及B-B'的剖面示意圖。
[0041] 圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0042] 圖4為本發(fā)明又一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0043] 圖5為本發(fā)明再一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0044] 圖6為本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0045] 圖7為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0046] 圖8為本發(fā)明又一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0047] 圖9為本發(fā)明再一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0048] 100、100A-100G :像素結(jié)構(gòu)
[0049] 110:基板 120 :第二反射圖案
[0050] 120a、130a、162、01 :貫孔
[0051] 120b、130b、144、166 :底面
[0052] 120c、130c、146、164 :斜面
[0053] 130 :第三反射圖案 132 :反射圖案
[0054] 140 :第二絕緣層 142 :第二接觸窗
[0055] 160 :浮置通道層 170 :第二反射圖案
[0056] A-A'、B-B' ：剖線
[0057] AM:通道 CL:電容電極線
[0058] D :漏極 DL :數(shù)據(jù)線
[0059] d:厚度方向 G:柵極
[0060] GI :第一絕緣層 Μ :遮光圖案
[0061] Ml:第一反射圖案 0:第一接觸窗
[0062] S :源極 SL :掃描線
[0063] T :主動(dòng)元件 θ 1- Θ 4 :角度

【具體實(shí)施方式】
[0064] 為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合 附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的像素結(jié)構(gòu)其【具體實(shí)施方式】、結(jié)構(gòu)、特征及其功效， 詳細(xì)說明如后。
[0065] 圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2為圖1的像素結(jié)構(gòu)沿剖線 A-A'及B-B'的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1及圖2,像素結(jié)構(gòu)100包括基板110、配置于基板 110上的主動(dòng)元件T、第二反射圖案120以及第三反射圖案130。主動(dòng)元件T包括柵極G、通 道AM、源極S與漏極D。源極S與漏極D連接于通道AM并彼此分離。通道AM與柵極G在 厚度方向d上堆疊。在本實(shí)施例中，柵極G可位于通道AM與基板110之間。換言之，本實(shí) 施例的主動(dòng)元件T可為底部柵極型薄膜晶體管。然而，本發(fā)明不限于此，在其它實(shí)施例中， 主動(dòng)元件T可為頂部柵極型薄膜晶體管或其它適當(dāng)形式的薄膜晶體管。此外，主動(dòng)元件T 更可包括覆蓋通道AM的遮光圖案M。遮光圖案Μ與第三反射圖案130可屬同一膜層。遮光 圖案Μ可阻擋外界光線照射主動(dòng)元件Τ的通道ΑΜ，而降低主動(dòng)元件Τ的光漏電效應(yīng)，進(jìn)而使 像素結(jié)構(gòu)100的電氣特性佳。
[0066] 如圖1所示，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)100更包括掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL。掃描線SL 與主動(dòng)元件Τ的柵極G可屬于同一膜層。進(jìn)一步而言，在本實(shí)施例中，柵極G可為自掃描線 SL延伸出的導(dǎo)電圖案。數(shù)據(jù)線DL與主動(dòng)元件Τ的源極S、漏極D可屬于同一膜層。進(jìn)一步 而言，在本實(shí)施例中，源極S可為自數(shù)據(jù)線DL的一部分。如圖2所示，像素結(jié)構(gòu)100更包括 配置于柵極G與通道AM之間的第一絕緣層GI。第一絕緣層GI更配置于基板110與第二反 射圖案120之間。如圖1及圖2所示，像素結(jié)構(gòu)100更包括連接至參考電位的電容電極線 CL。如圖2所示，電容電極線CL位于基板110與第二反射圖案120之間，且第二反射圖案 120位于第三反射圖案130與電容電極線CL之間。換言之，電容電極線CL與第二反射圖案 120及第三反射圖案130屬于不同膜層。在本實(shí)施例中，電容電極線CL可與主動(dòng)元件T的 柵極G屬于同一膜層。電容電極線CL與第二反射圖案120及第三反射圖案130重疊而構(gòu) 成本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)100的儲(chǔ)存電容。
[0067] 如圖1及圖2所示，第二反射圖案120電性連接至主動(dòng)元件T的漏極D且具有多 個(gè)第二貫孔120a。第二反射圖案120是不透光的且具有高反射性。如圖1所示，在本實(shí)施 例中，第二反射圖案120可呈不規(guī)則狀。另外，第二反射圖案120可與主動(dòng)元件T的漏極D 屬于同一膜層。進(jìn)一步而言，第二反射圖案120可為自漏極D延伸出的圖案。在本實(shí)施例 中，第二反射圖案120的材質(zhì)例如為金屬。但本發(fā)明不限于此，在其它實(shí)施例中，第二反射 圖案120的材質(zhì)亦可為合金或其它不透光且具高反射性的材料。
[0068] 如圖2所示，第二反射圖案120設(shè)置于第三反射圖案130與基板110之間。換言 之，第二反射圖案120與第三反射圖案130是屬于不同膜層。第三反射圖案130是不透明 的且具高反射性?；?10具有像素區(qū)。像素區(qū)是對(duì)應(yīng)于顯示影像的區(qū)域，而第二反射圖 案120與第三反射圖案130共同覆蓋整個(gè)像素區(qū)。第三反射圖案130電性連接至主動(dòng)元件 T的漏極D。詳言之，第三反射圖案130填入第二絕緣層140的第二接觸窗142,而與第二反 射圖案120接觸。第三反射圖案130透過與第二反射圖案120與主動(dòng)元件T的漏極D電性 連接。第三反射圖案130的材質(zhì)例如為金屬。但本發(fā)明不限于此，在其它實(shí)施例中，第三反 射圖案130的材質(zhì)亦可為合金或其它不透光且具高反射性的材料。
[0069] 值得注意的是，如圖1及圖2所示，第三反射圖案130堆疊于第二反射圖案120上 且覆蓋第二反射圖案120的第二貫孔120a。因此，第二反射圖案120與第三反射圖案130 所構(gòu)成的迭構(gòu)可具有多個(gè)不同傾斜方向及角度的反射面。借由這些反射面，像素結(jié)構(gòu)100 可將入射的光線反射至多個(gè)不同方向，進(jìn)而使具有像素結(jié)構(gòu)100的反射式顯示器的光學(xué)特 性（例如視角）佳。
[0070] 如圖2所示，在本實(shí)施例中，第三反射圖案130更可具有第三貫孔130a。換言之， 如圖1所示，第三反射圖案130可包括多個(gè)彼此分離的反射圖案132,而這些反射圖案132 之間的空隙即為第三貫孔130a。在本實(shí)施例中，反射圖案132可呈不規(guī)則狀。如圖1及圖 2所示，由于第三反射圖案130的第三貫孔130a暴露出第二反射圖案120且在厚度方向d 上與第二貫孔120a不重疊，因此第二反射圖案120與第三反射圖案130所構(gòu)成的迭構(gòu)的反 射面的變化性可進(jìn)一步地增加，而使具有像素結(jié)構(gòu)100的反射式顯示器的光學(xué)特性更佳。
[0071] 如圖2所示，在本實(shí)施例中，第二反射圖案120具有面向基板110的底面120b。第 二貫孔120a具有相對(duì)于基板110傾斜的斜面120c。底面120b與斜面120c在第二反射圖 案120的材質(zhì)內(nèi)夾有角度Θ 1。第三反射圖案130具有面向基板110的底面130b。第三貫 孔130a具有相對(duì)于基板110傾斜的斜面130c。底面130b與斜面130c在第三反射圖案130 的材質(zhì)內(nèi)夾有角度Θ 2。角度θ 1與角度Θ 2可不相同。由于角度θ 1與角度Θ 2不同，因 此第二反射圖案120與第三反射圖案130所構(gòu)成迭構(gòu)的反射面（例如斜面120c、130c)可 具有多種傾斜角度，利用這些不同傾斜角度的反射面像素結(jié)構(gòu)1〇〇可將入射的光線反射至 多個(gè)不同方向，而使具有像素結(jié)構(gòu)100的反射式顯示器的光學(xué)特性更佳。
[0072] 如圖2所示，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)100更包括配置于第二反射圖案120與第三反 射圖案130之間的第二絕緣層140。第三貫孔130a暴露出第二反射圖案120以及第二絕緣 層140。第二絕緣層140可增加第二反射圖案120與第三反射圖案130的間距，進(jìn)而提升像 素結(jié)構(gòu)100將光線反射至多個(gè)不同方向的能力。
[0073] 在本實(shí)施例中，第二絕緣層140具有多個(gè)第二接觸窗142。如圖2所示，第二絕緣層 140具有面向基板110的底面144。第二接觸窗142具有相對(duì)于基板110傾斜的斜面146。 底面144與斜面146在絕緣層140的材質(zhì)內(nèi)夾有角度Θ 3。角度Θ 3與角度Θ 1、Θ 2可不 相同。由于角度Θ 3與角度Θ1、Θ 2不相同，因此當(dāng)?shù)谌瓷鋱D案130填入這些第二接觸 窗142時(shí)，第三反射圖案130與斜面146對(duì)應(yīng)的表面的傾斜角度與斜面120c、130c的的傾 斜角度不同。如此一來，第二反射圖案120與第三反射圖案130所構(gòu)成迭構(gòu)的反射面的變 化性便更高，進(jìn)而使具有像素結(jié)構(gòu)100的反射式顯示器的光學(xué)特性更佳。
[0074] 然而，本發(fā)明不限于上段所述，在其它實(shí)施例中，第二反射圖案120與第三反射圖 案130之間亦可不存在第二絕緣層140。以下以圖3為例說明的。圖3為本發(fā)明另一實(shí)施 例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖3的像素結(jié)構(gòu)100A與圖1、圖2的像素結(jié)構(gòu)100相似，因 此相同的構(gòu)件以相同的標(biāo)號(hào)表示。請(qǐng)參照?qǐng)D3,在此實(shí)施例中，第二反射圖案120與第三反 射圖案130之間可不存在絕緣層。第三反射圖案130可完全地與第二反射圖案120接觸。 由第二反射圖案120與第三反射圖案130直接堆疊而成的迭構(gòu)亦可創(chuàng)造出多個(gè)不同傾斜方 向及角度的反射面。這些反射面亦可將入射光線反射至多個(gè)不同的方向，而使具有像素結(jié) 構(gòu)100A的反射式顯示器的光學(xué)特性佳。此外，由于圖3的像素結(jié)構(gòu)100A可省略第二反射 圖案120與第三反射圖案130之間的絕緣層，因此像素結(jié)構(gòu)100A可減少一道光罩的制程， 而使像素結(jié)構(gòu)100A的制作成本低。
[0075] 除了運(yùn)用第二反射圖案120與第三反射圖案130的堆疊而創(chuàng)造出多個(gè)不同傾斜方 向及角度的反射面之外，更可運(yùn)用其它膜層與第二反射圖案120及第三反射圖案130堆疊 以使第二反射圖案120及第三反射圖案130所形成的反射面的變化性更為豐富，進(jìn)而使具 有此膜層、第二反射圖案120及第三反射圖案130的反射式顯示器光學(xué)特性更佳。以下以 圖4為例說明的。
[0076] 圖4為本發(fā)明又一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4,圖4的像素結(jié)構(gòu) 100B與圖1、圖2的像素結(jié)構(gòu)100相似，因此相同的構(gòu)件以相同的標(biāo)號(hào)表示。像素結(jié)構(gòu)100B 與圖1、圖2的像素結(jié)構(gòu)100的差異在于像素結(jié)構(gòu)100B更包括浮置通道層160。浮置通道 層160配置于第二反射圖案120與基板110的間且具有多個(gè)開口 162。開口 162在厚度方 向d上可貫穿浮置通道層160。在此實(shí)施例中，浮置通道層160與主動(dòng)元件T的通道AM屬 于同一膜層。浮置通道層160與通道AM是彼此分離的。換言的，浮置通道層160不與主動(dòng) 元件T電性連接，而呈現(xiàn)浮置（floating)的狀態(tài)。
[0077] 如圖4所示，第二反射圖案120覆蓋開口 162并堆疊于浮置通道層160上。開口 162與在第三貫孔130a在厚度方向d上可不重疊。具有開口 162的浮置通道層160可增加 第二反射圖案120與第三反射圖案130之間的高低落差，而使堆疊于其上的第二反射圖案 120及第三反射圖案130所形成的反射面的變化性更加豐富，進(jìn)而使具像素結(jié)構(gòu)100B的反 射式顯不器的光學(xué)特性佳。
[0078] 此外，開口 162具有相對(duì)于基板110傾斜的斜面164。浮置通道層160具有面向基 板110的底面166。斜面164在浮置通道層160的材質(zhì)內(nèi)與底面166夾有角度Θ 4。角度 Θ 4可與角度Θ1不同。進(jìn)一步而言，角度Θ 4更可角度Θ 2、Θ 3不同，而使堆疊于其上的 第二反射圖案120及第三反射圖案130所形成的反射面的變化性更為豐富。
[0079] 需說明的是，圖4的像素結(jié)構(gòu)100B是利用浮置通道層160與第二反射圖案120及 第三反射圖案130創(chuàng)造出多個(gè)不同傾斜方向及角度的反射面，進(jìn)而使具像素結(jié)構(gòu)100B的反 射式顯示器的光學(xué)特性佳。然而，本發(fā)明不限于此，凡利用像素結(jié)構(gòu)中任至少二膜層的堆疊 (至少其中一膜層需具反射性），例如浮置通道層160、第一反射圖案、第二反射圖案120及 第三反射圖案130中任至少二者的堆疊可創(chuàng)造出不同傾斜方向及角度的反射面，進(jìn)而達(dá)到 增進(jìn)反射式顯示器光學(xué)特性的效果均屬本發(fā)明的范疇。以下以圖5、圖6、圖7、圖8、圖9為 例說明的。
[0080] 圖5為本發(fā)明再一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5,圖5的像素結(jié)構(gòu) 100C與圖1、圖2的像素結(jié)構(gòu)100相似，因此相同的構(gòu)件以相同的標(biāo)號(hào)表示。像素結(jié)構(gòu)100C 包括基板110、配置于基板110上的主動(dòng)元件T、第二反射圖案170以及浮置通道層160。主 動(dòng)元件T包括柵極G、通道AM、源極S與漏極D。源極S與漏極D連接于通道AM并彼此分 離。通道AM與柵極G在厚度方向d上堆疊。第二反射圖案170與主動(dòng)元件T的漏極D電 性連接。第二反射圖案170可為完整圖案，并覆蓋整個(gè)像素區(qū)。在本實(shí)施例中，第二反射圖 案170可與主動(dòng)兀件T的漏極D屬于同一膜層。
[0081] 浮置通道層160與主動(dòng)元件T的通道AM屬于同一膜層。浮置通道層160位于第 二反射圖案170與基板110之間且具有多個(gè)開口 162。第二反射圖案170覆蓋開口 162并 堆疊于浮置通道層160上。在本實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)100C更包括連接至參考電位的電容電 極線CL。電容電極線CL位于基板110與浮置通道層160之間。電容電極線CL可與主動(dòng)元 件T的柵極G屬于同一膜層，但本發(fā)明不以此為限。像素結(jié)構(gòu)100C更包括位于基板110與 浮置通道層160之間的第一絕緣層GI。
[0082] 由于浮置通道層160具有多個(gè)開口 162且第二反射圖案170覆蓋開口 162并堆疊 于浮置通道層160上，因此第二反射圖案170可具有多個(gè)不同傾斜方向的反射面。如此一 來，像素結(jié)構(gòu)100C亦可將入射光線朝多個(gè)方向反射，進(jìn)而使具有像素結(jié)構(gòu)100C的反射式顯 不器的光學(xué)特性佳。
[0083] 圖6為本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6,圖6的像素結(jié)構(gòu) 100D與圖5的像素結(jié)構(gòu)100C相似，因此相同的構(gòu)件以相同的標(biāo)號(hào)表示。像素結(jié)構(gòu)100D與 像素結(jié)構(gòu)100C的差異在于：在像素結(jié)構(gòu)100D中，配置于浮置通道層160與基板110的第一 絕緣層GI更可具有多個(gè)第一接觸窗0。第一接觸窗0可貫穿第一絕緣層GI，而暴露出基板 110。第二反射圖案170可填入下凹的第一接觸窗0中，而使像素結(jié)構(gòu)100D的反射面種類 更為多元，進(jìn)而使具有像素結(jié)構(gòu)100D的反射式顯示器的光學(xué)特性佳。
[0084] 圖7為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D7,圖7的像素結(jié) 構(gòu)100E與圖1、圖2的像素結(jié)構(gòu)100相似，因此相同的構(gòu)件以相同的標(biāo)號(hào)表示。像素結(jié)構(gòu) 100E包括基板110、配置于基板110上的主動(dòng)元件T、第一反射圖案Ml以及第二反射圖案 120。主動(dòng)元件T包括柵極G、通道CH、源極S與漏極D。源極S與漏極D連接于通道CH并 彼此分離，而通道CH與柵極G在厚度方向d上堆疊。第一反射圖案Ml與主動(dòng)元件T的柵 極G電性絕緣且屬于同一膜層。第一反射圖案Ml與電容電極線CL電性絕緣且屬于同一膜 層。第一反射圖案Ml具有多個(gè)貫孔01。第二反射圖案120電性連接至主動(dòng)元T件的漏極 D。在本實(shí)施例中，第二反射圖案120可與漏極D屬于同一膜層。第二反射圖案120堆疊于 第一反射圖案Ml上且全面性覆蓋第一反射圖案Ml及第一貫孔01。換言之，第二反射圖案 120覆蓋整個(gè)像素區(qū)。像素結(jié)構(gòu)100E更包括配置于第一反射圖案Ml與第二反射圖案之間 的第一絕緣層GI。由于第一反射圖案Ml具有多個(gè)第一貫孔01且第二反射圖案120覆蓋第 一貫孔01并堆疊于第一反射圖案Ml上，因此第二反射圖案120可具有多個(gè)不同傾斜方向 的反射面。如此一來，像素結(jié)構(gòu)100E亦可將入射光線朝多個(gè)方向反射，進(jìn)而使具有像素結(jié) 構(gòu)100E的反射式顯不器的光學(xué)特性佳。
[0085] 圖8為本發(fā)明又一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D8,圖8的像素結(jié)構(gòu) 100F與圖7的像素結(jié)構(gòu)100E相似，因此相同的構(gòu)件以相同的標(biāo)號(hào)表示。像素結(jié)構(gòu)100F與 像素結(jié)構(gòu)100E的差異在于：在像素結(jié)構(gòu)100F中，配置于第二反射圖案120與基板110的第 一絕緣層GI更可具有多個(gè)第一接觸窗0。第二反射圖案120可填入第一接觸窗0。第一接 觸窗0可貫穿第一絕緣層GI。部份的第一接觸窗0暴露出第一反射圖案M1，而第二反射圖 案120填入第一接觸窗0而與第一反射圖案Ml電性連接。另一部份的第一接觸窗0暴露 出基板110且位于第一反射圖案Ml的第一貫孔01中，而第二反射圖案120填入這些第一 接觸窗0而與基板110接觸。第二反射圖案120可填入下凹的第一接觸窗0中，而使像素 結(jié)構(gòu)100F的反射面種類更為多元，進(jìn)而使具有像素結(jié)構(gòu)100F的反射式顯示器的光學(xué)特性 佳。
[0086] 圖9為本發(fā)明再一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D9,圖9的像素結(jié)構(gòu) 100G與圖1、圖2的像素結(jié)構(gòu)100相似，因此相同的構(gòu)件以相同的標(biāo)號(hào)表示。像素結(jié)構(gòu)100G 與圖1、圖2的像素結(jié)構(gòu)100的差異在于像素結(jié)構(gòu)100G更包括第一反射圖案Ml。第一反射 圖案Ml與主動(dòng)元件T的柵極G電性絕緣且屬于同一膜層。第一反射圖案Ml具有多個(gè)第一 貫孔01。第二反射圖案120與第三反射圖案130至少其中的一可與第一貫孔01在厚度方 向d上重疊。第一反射圖案Ml可使使像素結(jié)構(gòu)100G的反射面種類更為多元，進(jìn)而使具有 像素結(jié)構(gòu)100G的反射式顯示器的光學(xué)特性佳。
[0087] 綜上所述，在本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)中，利用第一反射圖案、第二反射圖案、 第三反射圖案及浮置通道層中任至少二者的堆疊可創(chuàng)造出不同傾斜方向或傾斜角度的反 射面。利用這些反射面，像素結(jié)構(gòu)可將入射光線朝多個(gè)不同方向反射，進(jìn)而使具有此像素結(jié) 構(gòu)的反射式顯示器的光學(xué)特性佳。
[〇〇88] 以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖 然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾 為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì) 對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于包括： 基板； 主動(dòng)元件，配置于該基板上，并包括柵極、通道、源極與漏極，該源極與該漏極連接于該 通道并彼此分離，而該通道與該柵極在厚度方向上堆疊； 第二反射圖案，電性連接至該主動(dòng)元件的該漏極且具有多個(gè)第二貫孔；以及 第三反射圖案，電性連接至該主動(dòng)元件的該漏極，其中該第三反射圖案堆疊于該第二 反射圖案上且覆蓋該第二反射圖案的所述第二貫孔，而該第二反射圖案設(shè)置于該第三反射 圖案與該基板之間。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第三反射圖案具有至少第三貫孔，而 該第三反射圖案的該第三貫孔暴露出該第二反射圖案且在該厚度方向上與所述第二貫孔 不重疊。
3. 如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二反射圖案具有面向該基板的底 面，每一該第二貫孔具有相對(duì)于該基板傾斜的斜面，該第二反射圖案的底面與第二貫孔的 斜面在該第二反射圖案的材質(zhì)內(nèi)夾有第一角度，該第三反射圖案具有面向該基板的底面， 該第三貫孔具有相對(duì)于該基板傾斜的斜面，該第三反射圖案的底面與該第三貫孔的斜面在 該第三反射圖案的材質(zhì)內(nèi)夾有第二角度，而該第一角度與該第二角度不同。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：第二絕緣層，配置于該第二反射 圖案與該第三反射圖案之間。
5. 如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二絕緣層具有多個(gè)第二接觸窗，該 第三反射圖案填入所述第二接觸窗而與該第二反射圖案電性連接。
6. 如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二反射圖案具有面向該基板的底 面，每一該第二貫孔具有相對(duì)于該基板傾斜的斜面，該第二反射圖案的底面與該第二貫孔 的斜面在該第二反射圖案的材質(zhì)內(nèi)夾有第一角度，該第二絕緣層具有面向該基板的底面， 每一該第二接觸窗具有相對(duì)于該基板傾斜的斜面，該第二絕緣層的底面與該第二接觸窗的 斜面在該第二絕緣層的材質(zhì)內(nèi)夾有第三角度，而該第一角度與該第三角度不同。
7. 如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第三反射圖案具有至少第三貫孔，而 該第三貫孔暴露出該第二反射圖案以及該第二絕緣層。
8. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：浮置通道層，配置于該第二反射 圖案與該基板之間且具有多個(gè)開口，其中該第二反射圖案覆蓋所述開口并堆疊于該浮置通 道層上。
9. 如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該浮置通道層與該主動(dòng)元件的該通道屬 于同一膜層。
10. 如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二反射圖案具有面向該基板的底 面，每一該第二貫孔具有相對(duì)于該基板傾斜的斜面，該第二反射圖案的底面與該第二貫孔 的斜面在該第二反射圖案的材質(zhì)內(nèi)夾有第一角度，該浮置通道層的每一該開口具有相對(duì)于 該基板傾斜的斜面，該浮置通道層具有面向該基板的底面，該開口的斜面在該浮置通道層 的材質(zhì)內(nèi)與該浮置通道層的底面夾有第四角度，而該第一角度與該第四角度不同。
11. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第三反射圖案與該第二反射圖案接 觸。
12. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二反射圖案與該主動(dòng)元件的該漏 極屬于同一膜層。
13. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：電容電極線，連接至參考電位， 其中該電容電極線位于該基板與該第二反射圖案之間，且該第二反射圖案位于該第三反射 圖案與該電容電極線之間。
14. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：數(shù)據(jù)線以及掃描線，且該數(shù)據(jù) 線與該源極連接，該掃描線與該柵極連接。
15. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：第一絕緣層，配置于該基板與 該第二反射圖案之間。
16. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：第一反射圖案，與該主動(dòng)元件 的該柵極電性絕緣且屬于同一膜層，該第一反射圖案具有多個(gè)第一貫孔。
17. -種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于包括： 基板； 主動(dòng)元件，配置于該基板上，并包括柵極、通道、源極與漏極，該源極與該漏極連接于該 通道并彼此分離，而該通道與該柵極在厚度方向上堆疊； 第二反射圖案，與該主動(dòng)元件的該漏極電性連接；以及 浮置通道層，與該主動(dòng)元件的該通道屬于同一膜層，其中該浮置通道層位于該第二反 射圖案與該基板之間且具有多個(gè)開口，且該第二反射圖案覆蓋浮置通道層的所述開口并堆 疊于該浮置通道層上。
18. 如權(quán)利要求17所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二反射圖案與該主動(dòng)元件的該漏 極屬于同一膜層。
19. 如權(quán)利要求17所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：電容電極線，連接至參考電 位，其中該電容電極線位于該基板與該浮置通道層之間。
20. 如權(quán)利要求17所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：第一絕緣層，配置于該浮置通 道層與該基板之間，而該第一絕緣層具有多個(gè)第一接觸窗。
21. -種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于包括： 基板； 主動(dòng)元件，配置于該基板上，并包括柵極、通道、源極與漏極，該源極與該漏極連接于該 通道并彼此分離，而該通道與該柵極在厚度方向上堆疊； 第一反射圖案，與該主動(dòng)元件的該柵極電性絕緣且屬于同一膜層，該第一反射圖案具 有多個(gè)第一貫孔；以及 第二反射圖案，電性連接至該主動(dòng)元件的該漏極，其中該第二反射圖案堆疊于該第一 反射圖案上且全面性覆蓋該第一反射圖案及所述第一貫孔。
22. 如權(quán)利要求21所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于且與該第二反射圖案與該主動(dòng)元件的 該漏極屬于同一膜層。
23. 如權(quán)利要求21所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：第一絕緣層，配置于該第一反 射圖案與該第二反射圖案之間。
24. 如權(quán)利要求23所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一絕緣層具有多個(gè)第一接觸窗， 而該第二反射圖案填入所述第一接觸窗。
25. 如權(quán)利要求24所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一接觸窗暴露出該第一反射圖 案，而該第二反射圖案填入所述第一接觸窗而與該第一反射圖案電性連接。
26. 如權(quán)利要求25所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述接觸窗位于該第一反射圖案的所 述第一貫孔中。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK104103644SQ201410053072
【公開日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2014年2月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月12日
【發(fā)明者】陳家弘, 林于茂, 梁廣恒, 邱志建 申請(qǐng)人:元太科技工業(yè)股份有限公司