專利名稱：像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種可改善液晶顯示器的垂直串音 (vertical cross-talk)的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
一般而言，液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)包括掃描線、數(shù)據(jù)線、主動元件與像素電極。 在像素結(jié)構(gòu)中，將像素電極的面積設(shè)計地愈大，可提升液晶顯示器的開口率(aperture ratio)。然而，當(dāng)像素電極與數(shù)據(jù)線過于接近時，像素電極與數(shù)據(jù)線之間的雜散電容 (capacitance between pixel and data line，Cpd)會變大。如此一來，在幵關(guān)兀件 關(guān)閉期間，像素電極的電壓會受到數(shù)據(jù)線所傳送的信號的影響而發(fā)生所謂的串音效應(yīng) (cross-talk)，進而影響液晶顯示器的顯示品質(zhì)。另外，目前大尺寸的液晶顯示器大多使用行反轉(zhuǎn)的驅(qū)動形式。在行反轉(zhuǎn)的驅(qū)動形 式之下，理論上像素電極與位于像素電極兩側(cè)的信號線(數(shù)據(jù)線)的耦合電容相等可使垂 直串音為零。其中，位于像素電極兩側(cè)的數(shù)據(jù)線的個數(shù)皆僅有一條，而每條數(shù)據(jù)線為筆直 的，且每條數(shù)據(jù)線皆不互相交錯。但是，實際上，由于像素結(jié)構(gòu)的多道掩膜工藝會存在某種 程度的對位偏移，導(dǎo)致像素結(jié)構(gòu)的各膜層之間存在一定程度的偏移量。如此將使得像素電 極與其兩側(cè)的信號線之間的距離不同，以致像素電極與其兩側(cè)的信號線之間的耦合電容并 不相等。換言之，實際上仍存在垂直串音的問題，而使液晶顯示器的顯示品質(zhì)受到影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其可以改善液晶顯示器的垂直串音現(xiàn)象。本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，其包括基板、掃描線、數(shù)據(jù)線組、主動元件以及像素電 極?；寰哂酗@示區(qū)及位于顯示區(qū)旁的周邊區(qū)，顯示區(qū)包含至少一個子像素區(qū)。掃描線設(shè) 置于基板上。數(shù)據(jù)線組是設(shè)置于基板上且僅位于子像素區(qū)的其中一側(cè)邊并與掃描線交錯形 成至少一第一交錯區(qū)，其中數(shù)據(jù)線組包括第一數(shù)據(jù)線以及第二數(shù)據(jù)線，且第一數(shù)據(jù)線以及 第二數(shù)據(jù)線相互交錯形成至少一第二交錯區(qū)，并且第一數(shù)據(jù)線以及第二數(shù)據(jù)線相互電性絕 緣。主動元件與掃描線電性連接且與數(shù)據(jù)線組中的第一數(shù)據(jù)線或第二數(shù)據(jù)線電性連接。像 素電極位于子像素區(qū)內(nèi)且與主動元件電性連接。本發(fā)明另提出一種像素結(jié)構(gòu)，其包括基板、掃描線、第一數(shù)據(jù)線組、第二數(shù)據(jù)線組、 第一主動元件、第二主動元件、第一像素電極以及第二像素電極?；寰哂酗@示區(qū)及位于顯 示區(qū)旁的周邊區(qū)，其中顯示區(qū)至少包含一像素區(qū)，且像素區(qū)具有第一子像素區(qū)以及第二子 像素區(qū)。掃描線設(shè)置于基板上。第一數(shù)據(jù)線組設(shè)置于基板上且位于像素區(qū)的其中一側(cè)邊并 與掃描線交錯形成至少一第一交錯區(qū)，其中第一數(shù)據(jù)線組包括第一數(shù)據(jù)線以及第二數(shù)據(jù)線 相互交錯形成至少第二交錯區(qū)，第一數(shù)據(jù)線以及第二數(shù)據(jù)線相互電性絕緣。第二數(shù)據(jù)線組 設(shè)置于基板上且位于像素區(qū)的另一側(cè)邊并與掃描線交錯形成至少第三交錯區(qū)，其中第二數(shù) 據(jù)線組包括第三數(shù)據(jù)線以及第四數(shù)據(jù)線相互交錯形成至少一第四交錯區(qū)，且第三數(shù)據(jù)線以及第四數(shù)據(jù)線相互電性絕緣。第一主動元件與掃描線電性連接且與第一數(shù)據(jù)線組中的第一 數(shù)據(jù)線或第二數(shù)據(jù)線電性連接。第一像素電極位于第一子像素區(qū)內(nèi)且與第一主動元件電性 連接。第二主動元件與掃描線電性連接且與第二數(shù)據(jù)線組中的第三數(shù)據(jù)線或第四數(shù)據(jù)線電 性連接。第二像素電極位于第二子像素區(qū)內(nèi)且與第二主動元件電性連接?；谏鲜?，由于本發(fā)明在子像素區(qū)的其中一側(cè)是設(shè)置數(shù)據(jù)線組，數(shù)據(jù)線組包括第 一數(shù)據(jù)線以及第二數(shù)據(jù)線，且第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線相互交錯以形成至少一交錯區(qū)。當(dāng) 在第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線分別給予不同極性的信號時，在像素電極的單一側(cè)就具有兩種 不同極性的數(shù)據(jù)線。因此，即使像素結(jié)構(gòu)因工藝偏移而導(dǎo)致像素電極與其兩側(cè)的數(shù)據(jù)線之 間的距離不同時，像素電極與位于同一側(cè)的數(shù)據(jù)線的耦合電容就可以相互抵銷，而達到降 低垂直串音現(xiàn)象的目的。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖 作詳細說明如下。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一-實施例的顯示面板的俯視示意圖2A是根據(jù)本發(fā)明-一實施例的像素陣列的局部俯視示意圖2B是沿著圖2A的剖面線A-A’以及B-B’的剖面示意圖3至圖10是根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的像素陣列的局部俯視示意圖。
其中，附圖標(biāo)記
100 基板102 顯示區(qū)
104 周邊區(qū)U 像素區(qū)
P、P1、P2 次像素區(qū)SL 掃描線
DLSU DLS2 數(shù)據(jù)線Ia DLl DL4 數(shù)據(jù)線
T、T1、T2 主動元件PE、PE1、PE2 像素電極
202、204、208、210、212、214、218、220 交錯區(qū)
206a 206e，216a --216e, 250a 250c，260a 260c 線段
110、120 絕緣層
具體實施例方式圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的顯示面板的俯視示意圖。圖2A是根據(jù)本發(fā)明一實 施例的像素陣列的局部俯視示意圖。圖2B是沿著圖2A的剖面線A-A’以及B-B’的剖面示 意圖。請參照圖1、圖2A以及圖2B，像素陣列是由多個陣列排列的像素結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，且每一 個像素結(jié)構(gòu)包括基板100、掃描線SL、數(shù)據(jù)線組DLS1、主動元件T以及像素電極PE。更詳細而言，基板100具有顯示區(qū)102及位于顯示區(qū)102旁的周邊區(qū)104，顯示區(qū) 102包含至少一個子像素區(qū)P。特別是，在上述基板100的顯示區(qū)102內(nèi)的每一個子像素區(qū) P是對應(yīng)設(shè)置一個像素結(jié)構(gòu)。換言之，由多個設(shè)置于子像素區(qū)P內(nèi)的像素結(jié)構(gòu)即可構(gòu)成顯 示面板的像素陣列。基板100的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料 (例如導(dǎo)電材料、金屬、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。若使 用導(dǎo)電材料或金屬時，則在基板100上覆蓋一層絕緣層(未繪示)，以避免短路問題。
掃描線SL設(shè)置于基板100上。數(shù)據(jù)線組DLSl是設(shè)置于基板100上且位于子像素 區(qū)P的其中一側(cè)邊。在本實施例中，掃描線SL與數(shù)據(jù)線組DLSl彼此交錯設(shè)置。換言之，數(shù) 據(jù)線組DLSl的延伸方向與掃描線SL的延伸方向不平行，較佳的是，數(shù)據(jù)線組DLSlL的延伸 方向與掃描線SL的延伸方向垂直。另外，掃描線SL與數(shù)據(jù)線組DLSl之間夾有絕緣層110， 以使兩者電性絕緣。此外，數(shù)據(jù)線組DLSl上方更覆蓋有另一絕緣層120?；趯?dǎo)電性的考 慮，掃描線SL與數(shù)據(jù)線組DLSl —般是使用金屬材料。但，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其他實施 例，掃描線SL與數(shù)據(jù)線組DLSl也可以使用其他導(dǎo)電材料(例如合金、金屬材料的氮化物、 金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它導(dǎo)電 材料的堆迭層。承上所述，數(shù)據(jù)線組DLSl與掃描線SL交錯之處為第一交錯區(qū)202。此外，數(shù)據(jù)線 組DLSl包括第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2，且第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2 相互交錯形成至少一第二交錯區(qū)204，而且第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2相互電性絕緣。在圖2A的實施例中，第一數(shù)據(jù)線DLl為一完整信號線，且第二數(shù)據(jù)線DL2是由多 個線段206a，206b，206c所構(gòu)成。特別是，位于第二交錯區(qū)204中的第二數(shù)據(jù)線DL2的線段 206b的層別與位于第二交錯區(qū)204中的第一數(shù)據(jù)線DLl的層別是不同的。在本實施例中， 第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線DL2的線段206a，206c是屬于同一膜層。而第二數(shù)據(jù)線DL2 的線段206b是位于第一數(shù)據(jù)線DLl的上方且跨越第一數(shù)據(jù)線DLl，且線段206b可以是金屬 材料或者是其他導(dǎo)電材料(例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料 的氮氧化物、或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它導(dǎo)電材料的堆迭層。此外，第二數(shù)據(jù) 線DL2的線段206b與第一數(shù)據(jù)線DLl之間夾有絕緣層120，以使第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二 數(shù)據(jù)線DL2相互電性絕緣。另外，第二數(shù)據(jù)線DL2的多個線段206a，206b，206c之間可以直 接電性連接，或者是通過形成在絕緣層120中的接觸窗(未繪示)而電性連接。主動元件T與掃描線SL電性連接并且與數(shù)據(jù)線組DLSl中的第一數(shù)據(jù)線DLl或第 二數(shù)據(jù)線DL2電性連接(本實施例是以主動元件T與第二數(shù)據(jù)線DL2電性連接為例來說 明)。另外，主動元件T可以是底部柵極型薄膜晶體管或是頂部柵極型薄膜晶體管，其包括 柵極、源極以及漏極。主動元件T的柵極與掃描線SL電性連接，源極與第二數(shù)據(jù)線DL2電 性連接。其中，底部柵極型薄膜晶體管或是頂部柵極型薄膜晶體管中的半導(dǎo)體材料為單層 或多層結(jié)構(gòu)，其包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、單晶硅、有機半導(dǎo)體材料、氧化物半導(dǎo)體材料 (例如銦鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或是其它合適的材料、或上述的組合)、或其它合適的 材料、或含有摻雜物(dopant)于上述材料中、或上述的組合。像素電極PE位于子像素區(qū)P內(nèi)且與主動元件T電性連接。像素電極PE可以是透 明像素電極、反射像素電極或是半穿透半反射式像素電極。透明像素電極的材質(zhì)包括金屬 氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它 合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆迭層。反射像素電極的材質(zhì)包括具有高反射率的 金屬材料。根據(jù)一實施例，像素電極PE是形成在絕緣層120的上方，且通過形成在絕緣層 120中的接觸窗(未繪示)而與主動元件T的漏極電性連接。另外，在本實施例中，第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2的極性不相同。更詳細 而言，當(dāng)在操作或驅(qū)動上述的像素結(jié)構(gòu)時，在同一時區(qū)(time period)內(nèi)，第一數(shù)據(jù)線DLl上的信號是負(fù)極性(-)且第二數(shù)據(jù)線DL2是正極性(+)，或者是第一數(shù)據(jù)線DLl上的信號是 正極性(+)且第二數(shù)據(jù)線DL2是負(fù)極性(-)。上述的第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2 的極性是相對于顯示面板中的共用電壓(Vcom)而言。在上述實施例中，像素結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)線組DLS 1的第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線 DL2相互交錯形成至少一第二交錯區(qū)204，且第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2的極性不 相同。換言之，本實施例的像素結(jié)構(gòu)的單一側(cè)邊就具有兩種不同極性的數(shù)據(jù)線。因此，即使 上述的像素結(jié)構(gòu)因工藝偏移而導(dǎo)致像素電極PE與側(cè)邊的數(shù)據(jù)線之間的距離有所偏移時， 像素電極PE與位于同一側(cè)的數(shù)據(jù)線組DLSl (第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2)的耦合 電容就可以相互抵銷，而達到降低垂直串音現(xiàn)象的目的。請繼續(xù)參照圖2A，根據(jù)另一實施例，在子像素區(qū)P的另一側(cè)邊處更包含另一數(shù)據(jù) 線組DLS2。數(shù)據(jù)線組DLS2與掃描線SL交錯之處為第三交錯區(qū)212。另外，其中所述數(shù)據(jù)線 組DLS2包括第三數(shù)據(jù)線DL3以及第四數(shù)據(jù)線DL4，且第三數(shù)據(jù)線DL3以及第四數(shù)據(jù)線DL4 相互交錯形成至少一第四交錯區(qū)214，而且第三數(shù)據(jù)線DL3以及第四數(shù)據(jù)線DL4相互電性絕緣。類似地，在圖2A的實施例中，第三數(shù)據(jù)線DL3為一完整信號線，且第四數(shù)據(jù)線DL4 是由多個線段216a，216b，216c所構(gòu)成。特別是，位于第四交錯區(qū)214中的第四數(shù)據(jù)線DL4 的線段216b的層別與位于第四交錯區(qū)214中的第三數(shù)據(jù)線DL3的層別是不同的。在本實 施例中，第三數(shù)據(jù)線DL3與第四數(shù)據(jù)線DL4的線段216a，216c是屬于同一膜層。而第四數(shù) 據(jù)線DL4的線段216b是位于第三數(shù)據(jù)線DL3的上方且跨越第三數(shù)據(jù)線DL3。同樣地，第四 數(shù)據(jù)線DL4的線段216b與第三數(shù)據(jù)線DL3之間夾有絕緣層120，以使第三數(shù)據(jù)線DL3以及 第四數(shù)據(jù)線DL4相互電性絕緣。另外，第四數(shù)據(jù)線DL4的多個線段216a，216b，216c之間可 以直接電性連接，或者是通過形成在絕緣層120中的接觸窗(未繪示)而電性連接。另外，在本實施例中，第三數(shù)據(jù)線DL3以及第四數(shù)據(jù)線DL4的極性不相同。更詳細 而言，當(dāng)于操作或驅(qū)動上述的像素結(jié)構(gòu)時，在同一時區(qū)(time period)內(nèi)，第三數(shù)據(jù)線DL3 上的信號是負(fù)極性(_)且第四數(shù)據(jù)線DL4是正極性(+)，或者是第三數(shù)據(jù)線DL3上的信號是 正極性(+)且第四數(shù)據(jù)線DL4是負(fù)極性(_)。上述的第三數(shù)據(jù)線DL3以及第四數(shù)據(jù)線DL4 的極性是相對于顯示面板中的共用電壓(Vcom)而言。承上所述，在圖2A的像素結(jié)構(gòu)中，在像素電極PE的一側(cè)是設(shè)置數(shù)據(jù)線組DLSl (第 一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2)，且在像素電極PE的另一側(cè)是設(shè)置數(shù)據(jù)線組DLS2 (第三 數(shù)據(jù)線DL3以及第四數(shù)據(jù)線DL4)。由于第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2的極性不相 同，且第三數(shù)據(jù)線DL3以及第四數(shù)據(jù)線DL4的極性不相同。因此，即使上述的像素結(jié)構(gòu)因工 藝偏移而導(dǎo)致像素電極PE與兩側(cè)邊的數(shù)據(jù)線組DLSl，DLS2之間的距離不相同，像素電極PE 與位于兩側(cè)的數(shù)據(jù)線組DLSl (第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2)以及數(shù)據(jù)線組DLS2(第 三數(shù)據(jù)線DL3以及第四數(shù)據(jù)線DL4)的耦合電容可以相互抵銷，而達到降低垂直串音現(xiàn)象的 目的。值得一提的是，在上述圖2A的實施例中，第二數(shù)據(jù)線DL2的線段206b是位于第一 數(shù)據(jù)線DLl的上方且跨越第一數(shù)據(jù)線DL1，第四數(shù)據(jù)線DL4的線段216b是位于第三數(shù)據(jù)線 DL3的上方且跨越第三數(shù)據(jù)線DL3，但，本發(fā)明不限于此。根據(jù)其他實施例，第二數(shù)據(jù)線DL2 的線段206b也可以是位于第一數(shù)據(jù)線DLl的下方且越過第一數(shù)據(jù)線DL1，第四數(shù)據(jù)線DL4的線段216b是位于第三數(shù)據(jù)線DL3的下方且越過第三數(shù)據(jù)線DL3。圖3是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素陣列的局部俯視示意圖。圖3的實施例與圖2A 相似，因此在此與圖2A相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)贅述。圖3的實施例與 圖2A的實施例不同之處在于第二數(shù)據(jù)線DL2的線段206b不僅位于交錯區(qū)204中且更延伸 至交錯區(qū)204之外。同樣地，第四數(shù)據(jù)線DL4的線段216b不僅位于交錯區(qū)214中且更延伸 至交錯區(qū)214之外。換言之，在圖3的實施例中，第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線DL2的線段 206a, 206c屬于同一膜層/層別，而第二數(shù)據(jù)線DL2的線段206b則是屬于另一膜層/層別， 其可以是位于線段206a，206c與第一數(shù)據(jù)線DLl之上的膜層或是之下的膜層。類似地，第 三數(shù)據(jù)線DL3與第四數(shù)據(jù)線DL4的線段216a，216c屬于同一膜層/層別，而第四數(shù)據(jù)線DL4 的線段216b則是屬于另一膜層/層別，其可以是位于線段216a，216c與第三數(shù)據(jù)線DL3之 上的膜層或是之下的膜層。在上述圖2A以及圖3的實施例中，每一數(shù)據(jù)線組DLS1、DLS2之中僅設(shè)計有一個交 錯區(qū)。但，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其他實施例，數(shù)據(jù)線組DLS1、DLS2之中可以設(shè)計有多個交 錯區(qū)，詳述說明如下。圖4是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素陣列的局部俯視示意圖。圖4的實施例與圖3 相似，因此在此與圖3相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)贅述。圖4的實施例與圖 3的實施例不同之處在于第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線DL2之間具有兩個交錯區(qū)204，208， 且第三數(shù)據(jù)線DL3以及第四數(shù)據(jù)線DL4之間具有兩個交錯區(qū)214，218。圖5是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素陣列的局部俯視示意圖。圖5的實施例與圖3 相似，因此在此與圖3相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)贅述。圖5的實施例與圖 3的實施例不同之處在于第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線DL2之間具有更多交錯區(qū)204，208， 210，且第三數(shù)據(jù)線DL3以及第四數(shù)據(jù)線DL4之間具有更多交錯區(qū)214，218，220。在上述圖2A至圖5的實施例中，各數(shù)據(jù)線組之中的其中一條數(shù)據(jù)線為完整信號線 且另一條數(shù)據(jù)線是由多個線段所構(gòu)成。但，本發(fā)明不限于此。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，數(shù) 據(jù)線組中的兩條數(shù)據(jù)都是由多個線段所構(gòu)成，如下所述。圖6是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素陣列的局部俯視示意圖。圖6的實施例與圖3 相似，因此在此與圖3相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)贅述。圖6的實施例與圖 3的實施例不同之處在于第一數(shù)據(jù)線DLl包括多個線段250a，250b，250c,且第二數(shù)據(jù)線DL2 包括多個線段206a，206b，206c。特別是，位于交錯區(qū)204中的第二數(shù)據(jù)線DL2的線段206b 的層別與位于交錯區(qū)204中的第一數(shù)據(jù)線DLl之線段250b的層別是不同的。更詳細來說， 第一數(shù)據(jù)線DLl的線段250a，250c與第二數(shù)據(jù)線DL2的線段206a，206c是屬于同一膜層/ 層別。第二數(shù)據(jù)線DL2的線段206b是位于第一數(shù)據(jù)線DLl的線段250b上方且跨過第一數(shù) 據(jù)線DLl的線段250b。當(dāng)然，在其他實施例中，也可以是第二數(shù)據(jù)線DL2的線段206b是位 于第一數(shù)據(jù)線DLl的線段250b下方且越過第一數(shù)據(jù)線DLl的線段250b。類似地，第一數(shù)據(jù) 線DLl的線段250a，250b，250c之間可以直接電性連接或者是通過接觸窗而電性連接。第 二數(shù)據(jù)線DL2的線段206a，206b，206c之間可以直接電性連接或者是通過接觸窗而電性連 接。同樣地，在圖6的實施例中，第三數(shù)據(jù)線DL3包括多個線段260a，260b，260c，第四 數(shù)據(jù)線DL4包括多個線段216a，216b，216c。特別是，位于交錯區(qū)214中的第四數(shù)據(jù)線DL4的線段216b的層別與位于交錯區(qū)214中的第三數(shù)據(jù)線DL3的線段260b的層別是不同的。 更詳細來說，第三數(shù)據(jù)線DL3的線段260a，260c與第四數(shù)據(jù)線DL4的線段216a，216c是屬 于同一膜層/層別。第四數(shù)據(jù)線DL4的線段216b是位于第三數(shù)據(jù)線DL3的線段260b上方 且跨過第三數(shù)據(jù)線DL3的線段260b。當(dāng)然，在其他實施例中，也可以是第四數(shù)據(jù)線DL4的線 段216b是位于第三數(shù)據(jù)線DL3的線段260b下方且越過第三數(shù)據(jù)線DL3的線段260b。類似 地，第三數(shù)據(jù)線DL3的線段260a，260b, 260c之間可以直接電性連接或者是通過接觸窗而電 性連接。第四數(shù)據(jù)線DL4的線段216a，216b，216c之間可以直接電性連接或者是透過接觸 窗而電性連接。圖7是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素陣列的局部俯視示意圖。圖7的實施例與圖2A 相似，因此在此與圖2A相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)贅述。請參照圖7且同時參照圖1，本實施例的像素結(jié)構(gòu)包括基板100、掃描線SL、第一數(shù) 據(jù)線組DLS1、第二數(shù)據(jù)線組DLS2、第一主動元件Tl、第二主動元件T2、第一像素電極PEl以 及第二像素電極PE2。基板100具有顯示區(qū)102及位于顯示區(qū)102旁的周邊區(qū)104，顯示區(qū)102包含至少 一個像素區(qū)U,且每一個像素區(qū)U具有第一子像素區(qū)Pl以及第二子像素區(qū)P2。掃描線SL設(shè)置于基板100上。在本實施例中，掃描線SL是位于像素區(qū)U的中間。 也就是，掃描線SL是位于第一子像素區(qū)Pl以及第二子像素區(qū)P2之間。第一數(shù)據(jù)線組DLSl設(shè)置于基板100上且僅位于像素區(qū)U的其中一側(cè)邊。更詳細 來說，第一數(shù)據(jù)線組DLSl是位于第一子像素區(qū)Pl以及第二子像素區(qū)P2的左側(cè)邊。此外， 第一數(shù)據(jù)線組DLSl與掃描線SL交錯之處為第一交錯區(qū)202。上述的第一數(shù)據(jù)線組DLSl包 括第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2且兩者相互交錯形成第二交錯區(qū)204，208，且第一數(shù) 據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2相互電性絕緣。在本實施例中，第一數(shù)據(jù)線DLl為一完整信號線，且第二數(shù)據(jù)線DL2是由多個線 段206a，206b, 206c, 206d, 206e所構(gòu)成。特別是，位于第二交錯區(qū)204，208中的第二數(shù)據(jù)線 DL2的線段206b，206d的層別與位于第二交錯區(qū)204，208中的第一數(shù)據(jù)線DLl的層別是不 同的。在本實施例中，第一數(shù)據(jù)線DLl與第二數(shù)據(jù)線DL2的線段206a，206c，206e是屬于同 一膜層。而第二數(shù)據(jù)線DL2的線段206b，206d是位于第一數(shù)據(jù)線DLl的上方且跨越第一數(shù) 據(jù)線DL1，且線段206b，206d可以是金屬材料或其他導(dǎo)電材料(例如合金、金屬材料的氮 化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料)、或是金屬材料與其它 導(dǎo)電材料的堆迭層。此外，第二數(shù)據(jù)線DL2的線段206b，206d與第一數(shù)據(jù)線DLl之間夾有 絕緣層，以使第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2相互電性絕緣。另外，第二數(shù)據(jù)線DL2的 多個線段206a，206b, 206c, 206d, 206e之間可以直接電性連接，或者是透過接觸窗而電性 連接。第二數(shù)據(jù)線組DLS2設(shè)置于基板100上且僅位于像素區(qū)U的另一側(cè)邊。更詳細來 說，第二數(shù)據(jù)線組DLS2是位于第一子像素區(qū)Pl以及第二子像素區(qū)P2的右側(cè)邊。此外，第 二數(shù)據(jù)線組DLS2與掃描線SL交錯之處為第三交錯區(qū)212。第二數(shù)據(jù)線組DLS2包括第三數(shù) 據(jù)線DL3以及第四數(shù)據(jù)線DL4且兩者相互交錯形成第四交錯區(qū)214，218，且第三數(shù)據(jù)線DL3 以及第四數(shù)據(jù)線DL4相互電性絕緣。在本實施例中，第三數(shù)據(jù)線DL3為一完整信號線，且第四數(shù)據(jù)線DL4是由多個線段216a，216b，216C，216d，216e所構(gòu)成。特別是，位于第四交錯區(qū)214中的第四數(shù)據(jù)線DL4的 線段216b，216d的層別與位于第四交錯區(qū)214中的第三數(shù)據(jù)線DL3的層別是不同的。在本 實施例中，第三數(shù)據(jù)線DL3與第四數(shù)據(jù)線DL4的線段216a，216c，216e是屬于同一膜層。而 第四數(shù)據(jù)線DL4的線段216b，216d是位于第三數(shù)據(jù)線DL3的上方且跨越第三數(shù)據(jù)線DL3。 同樣地，第四數(shù)據(jù)線DL4的線段216b，216d與第三數(shù)據(jù)線DL3之間夾有絕緣層，以使第三 數(shù)據(jù)線DL3以及第四數(shù)據(jù)線DL4相互電性絕緣。另外，在第四數(shù)據(jù)線DL4的所述多個線段 216a, 216b，216c, 216d，216e之間可以直接電性連接，或者是通過接觸窗而電性連接。第一主動元件Tl與掃描線SL電性連接且與第一數(shù)據(jù)線組DLS 1中的第一數(shù)據(jù)線 DLl或第二數(shù)據(jù)線DL2電性連接，本實施例是第一主動元件Tl與第一數(shù)據(jù)線DLl為例。第 二主動元件T2與掃描線SL電性連接且與第二數(shù)據(jù)線組DLS2中的第三數(shù)據(jù)線DL3或第四 數(shù)據(jù)線DL4電性，本實施例是第二主動元件T2與第四數(shù)據(jù)線DL4為例。第一主動元件Tl 以及第二主動元件T2可以是底部柵極型薄膜晶體管或是頂部柵極型薄膜晶體管，其分別 包括柵極、源極以及漏極。第一主動元件Tl的柵極與掃描線SL電性連接且源極與第一數(shù) 據(jù)線DL 1電性連接。第二主動元件T2的柵極與掃描線SL電性連接且源極與第四數(shù)據(jù)線 DL4電性連接。第一像素電極PEl位于第一子像素區(qū)Pl內(nèi)且與第一主動元件Tl電性連接。第二 像素電極PE2位于第二子像素區(qū)P2內(nèi)且與第二主動元件T2電性連接。第一像素電極PEl 與第二像素電極PE2可以是透明像素電極、反射像素電極或是半穿透半反射式像素電極。 根據(jù)一實施例，第一像素電極PEl與第二像素電極PE2分別是通過接觸窗(未繪示)而與 第一主動元件Tl的漏極以及第二主動元件T2的漏極電性連接。在本實施例中，第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2的極性不相同。第三數(shù)據(jù)線 DL3以及第四數(shù)據(jù)線DL4的極性不相同。更詳細而言，當(dāng)于操作/驅(qū)動上述的像素結(jié)構(gòu)時， 在同一時區(qū)(time period)內(nèi)，第一數(shù)據(jù)線DLl上的信號是負(fù)極性(-)且第二數(shù)據(jù)線DL2 是正極性(+)，或者是，第一數(shù)據(jù)線DLl上的信號是正極性(+)且第二數(shù)據(jù)線DL2是負(fù)極性 (_)。另外，第三數(shù)據(jù)線DL3上的信號是負(fù)極性(-)且第四數(shù)據(jù)線DL4是正極性(+)，或者 是，第三數(shù)據(jù)線DL3上的信號是正極性(+)且第四數(shù)據(jù)線DL4是負(fù)極性(-)。上述的第一數(shù) 據(jù)線DL1、第二數(shù)據(jù)線DL2、第三數(shù)據(jù)線DL3以及第四數(shù)據(jù)線DL4的極性是相對于顯示面板 中的共用電壓(Vcom)而言。在上述實施例中，在像素區(qū)U(第一子像素區(qū)Pl以及第二子像素區(qū)P2)的一側(cè)是 設(shè)置第一數(shù)據(jù)線組DLSl (第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2)，且在像素區(qū)U (第一子像 素區(qū)Pl以及第二子像素區(qū)P2)的另一側(cè)是設(shè)置第二數(shù)據(jù)線組DLS2(第三數(shù)據(jù)線DL3以及 第四數(shù)據(jù)線DL4)。由于第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2的極性不相同，且第三數(shù)據(jù)線 DL3以及第四數(shù)據(jù)線DL4的極性不相同。因此，即使上述的像素結(jié)構(gòu)因工藝偏移而導(dǎo)致像素 電極PE1，PE2與兩側(cè)邊的數(shù)據(jù)線組DLS1，DLS2之間的距離不相同，像素電極PE1，PE2與位 于兩側(cè)的數(shù)據(jù)線組DLSl (第一數(shù)據(jù)線DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2)以及數(shù)據(jù)線組DLS2 (第三 數(shù)據(jù)線DL3以及第四數(shù)據(jù)線DL4)的耦合電容可以相互抵銷，而達到降低垂直串音現(xiàn)象的目 的。圖8是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素陣列的局部俯視示意圖。圖8的實施例與圖7 相似，因此在此與圖7相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)贅述。圖8的實施例與圖7的實施例不同之處在于第一數(shù)據(jù)線DLl包括多個線段250a，250b，250c,第二數(shù)據(jù)線DL2 包括多個線段206a，206b，206c。特別是，位于交錯區(qū)204中的第二數(shù)據(jù)線DL2的線段206b 的層別與位于交錯區(qū)204中的第一數(shù)據(jù)線DLl的線段250b的層別是不同的。更詳細來說， 第一數(shù)據(jù)線DLl的線段250a，250c與第二數(shù)據(jù)線DL2的線段206a，206c是屬于同一膜層/ 層別。第二數(shù)據(jù)線DL2的線段206b位于第一數(shù)據(jù)線DLl的線段250b上方且跨過第一數(shù)據(jù) 線DLl的線段250b。當(dāng)然，在其他實施例中，也可以是第二數(shù)據(jù)線DL2的線段206b位于第 一數(shù)據(jù)線DLl的線段250b下方且越過第一數(shù)據(jù)線DLl的線段250b。類似地，第一數(shù)據(jù)線 DLl的線段250a，250b，250c之間可以直接電性連接或者是通過接觸窗而電性連接。第二數(shù) 據(jù)線DL2的線段206a，206b，206c之間可以直接電性連接或者是通過接觸窗而電性連接。類似地，第三數(shù)據(jù)線DL3包括多個線段260a，260b, 260c，第四數(shù)據(jù)線DL4包括多個 線段216a，216b，216c。特別是，位于交錯區(qū)214中的第四數(shù)據(jù)線DL4的線段216b的層別與 位于交錯區(qū)214中的第三數(shù)據(jù)線DL3的線段260b的層別是不同的。更詳細來說，第三數(shù)據(jù) 線DL3的線段260a，260c與第四數(shù)據(jù)線DL4的線段216a，216c是屬于同一膜層/層別。第 四數(shù)據(jù)線DL4的線段216b位于第三數(shù)據(jù)線DL3的線段260b上方且跨過第三數(shù)據(jù)線DL3的 線段260b。當(dāng)然，在其他實施例中，也可以是第四數(shù)據(jù)線DL4的線段216b位于第三數(shù)據(jù)線 DL3的線段260b下方且越過第三數(shù)據(jù)線DL3的線段260b。類似地，第三數(shù)據(jù)線DL3的線段 260a，260b，260c之間可以直接電性連接或者是通過接觸窗而電性連接。第四數(shù)據(jù)線DL4的 線段216a，216b，216c之間可以直接電性連接或者是通過接觸窗而電性連接。圖9是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素陣列的局部俯視示意圖。圖9的實施例與圖7 相似，因此在此與圖7相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)贅述。圖9的實施例與圖 7的實施例不同之處在于掃描線SL是位于像素區(qū)U的一側(cè)邊，也就是掃描線SL是位于第 一子像素區(qū)Pl以及第二子像素區(qū)P2的一側(cè)邊，圖9的實施例是以掃描線SL是位于第一子 像素區(qū)Pl以及第二子像素區(qū)P2的底部為例。另外，在第一子像素區(qū)Pl以及第二子像素區(qū) P2之間具有空隙。也就是，在第一子像素區(qū)Pl以及第二子像素區(qū)P2之間并未設(shè)置有數(shù)據(jù) 線或者是其它與數(shù)據(jù)線實質(zhì)上平行的導(dǎo)電線路。較佳地，在空隙下方，并未設(shè)置有數(shù)據(jù)線或 者是其它與數(shù)據(jù)線實質(zhì)上平行的導(dǎo)電線路。在其它實施例中，為了能夠增加電容量或遮光 效果，在第一子像素區(qū)Pl以及第二子像素區(qū)P2之間可能有共同電壓線(common line)或 浮動電極(floating electrode)。在圖9的實施例中，第一數(shù)據(jù)線組DLSl設(shè)置于基板100上且位于像素區(qū)U的其中 一側(cè)邊。第二數(shù)據(jù)線組DLS2設(shè)置于基板100上且位于像素區(qū)U的另一側(cè)邊。更詳細來說， 第一數(shù)據(jù)線組DLSl是位于第一子像素區(qū)Pl的左側(cè)邊。第二數(shù)據(jù)線組DLS2是位于第二子 像素區(qū)P2的右側(cè)邊。此外，第一數(shù)據(jù)線組DLSl與掃描線SL交錯之處為第一交錯區(qū)202。第二數(shù)據(jù)線組 DLS2與掃描線SL交錯之處為第三交錯區(qū)212。上述的第一數(shù)據(jù)線組DLSl包括第一數(shù)據(jù)線 DLl以及第二數(shù)據(jù)線DL2且兩者相互交錯形成第二交錯區(qū)204，208，且第一數(shù)據(jù)線DLl以及 第二數(shù)據(jù)線DL2相互電性絕緣。第二數(shù)據(jù)線組DLS2包括第三數(shù)據(jù)線DL3以及第四數(shù)據(jù)線 DL4且兩者相互交錯形成第四交錯區(qū)214，218，且第三數(shù)據(jù)線DL3以及第四數(shù)據(jù)線DL4相互 電性絕緣。另外，第一數(shù)據(jù)線DLl為一完整信號線，且第二數(shù)據(jù)線DL2是由多個線段206a， 206b，206c，206d，206e所構(gòu)成。特別是，位于第二交錯區(qū)204，208中的第二數(shù)據(jù)線DL2的線段206b，206d的層別與位于第二交錯區(qū)204，208中的第一數(shù)據(jù)線DLl的層別是不同的。 再者，第三數(shù)據(jù)線DL3為一完整信號線，且第四數(shù)據(jù)線DL4是由多個線段216a，216b，216c, 216d，216e所構(gòu)成。特別是，位于第四交錯區(qū)214中的第四數(shù)據(jù)線DL4的線段216b，216d的 層別與位于第四交錯區(qū)214中的第三數(shù)據(jù)線DL3的層別是不同的。圖10是根據(jù)本發(fā)明一實施例的像素陣列的局部俯視示意圖。圖10的實施例與圖 9相似，因此在此與圖9相同的元件以相同的符號表示，且不再重復(fù)贅述。圖10的實施例 與圖9的實施例不同之處在于第一數(shù)據(jù)線DLl包括多個線段250a，250b，250c，第二數(shù)據(jù)線 DL2包括多個線段206a，206b，206c。特別是，位于交錯區(qū)204中的第二數(shù)據(jù)線DL2的線段 206b的層別與位于交錯區(qū)204中的第一數(shù)據(jù)線DLl的線段250b的層別是不同的。類似地， 第三數(shù)據(jù)線DL3包括多個線段260a，260b, 260c，第四數(shù)據(jù)線DL4包括多個線段216a，216b， 216c。特別是，位于交錯區(qū)214中的第四數(shù)據(jù)線DL4的線段216b的層別與位于交錯區(qū)214 中的第三數(shù)據(jù)線DL3的線段260b的層別是不同的。再者，本發(fā)明上述實施例皆可相互引用，且可運于各類的顯示面板中，例如液晶 顯示面板、有機發(fā)光顯示面板、可撓式顯示面板、電子紙、或是其它合適的顯示面板、或是上 述的組合。由于本發(fā)明在子像素區(qū)的一側(cè)是設(shè)置數(shù)據(jù)線組，且數(shù)據(jù)線組包括兩條相互交錯的 數(shù)據(jù)線。當(dāng)在兩條數(shù)據(jù)線上分別給予不同極性的信號時，在像素電極的單一側(cè)就具有兩種 不同極性的數(shù)據(jù)線。因此，即使像素結(jié)構(gòu)因工藝偏移而導(dǎo)致像素電極與其兩側(cè)的數(shù)據(jù)線之 間的距離不同時，像素電極與位于同一側(cè)的數(shù)據(jù)線的耦合電容就可以相互抵銷，而達到降 低垂直串音現(xiàn)象的目的。此外，本發(fā)明的另一實施例是在子像素區(qū)的兩側(cè)分別是設(shè)置兩組數(shù)據(jù)線組，且每 一數(shù)據(jù)線組包括兩條相互交錯的數(shù)據(jù)線。當(dāng)在每一數(shù)據(jù)線組的兩條數(shù)據(jù)線上分別給予不同 極性的信號時，在像素電極的兩側(cè)各自都具有兩種不同極性的數(shù)據(jù)線。因此，即使像素結(jié)構(gòu) 因工藝偏移而導(dǎo)致像素電極與其兩側(cè)的數(shù)據(jù)線之間的距離不同時，像素電極與位于兩側(cè)的 數(shù)據(jù)線的耦合電容可以相互抵銷，而達到降低垂直串音現(xiàn)象的目的。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟 悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變 形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板，具有一顯示區(qū)及位于該顯示區(qū)旁的一周邊區(qū)，其中該顯示區(qū)包含至少一子像素區(qū)；一掃描線，設(shè)置于該基板上；一數(shù)據(jù)線組，設(shè)置于該基板上且位于該子像素區(qū)的其中一側(cè)邊并與該掃描線交錯形成至少一第一交錯區(qū)，其中該數(shù)據(jù)線組包括一第一數(shù)據(jù)線以及一第二數(shù)據(jù)線，該第一數(shù)據(jù)線以及該第二數(shù)據(jù)線相互交錯形成至少一第二交錯區(qū)，且該第一數(shù)據(jù)線以及該第二數(shù)據(jù)線相互電性絕緣；一主動元件，其與該掃描線電性連接且與該數(shù)據(jù)線組中的該第一數(shù)據(jù)線或該第二數(shù)據(jù)線電性連接；以及一像素電極，位于該子像素區(qū)內(nèi)且與該主動元件電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一數(shù)據(jù)線以及該第二數(shù)據(jù)線的 極性不相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一數(shù)據(jù)線為一完整信號線，該第 二數(shù)據(jù)線包括多個線段，其中位于該第二交錯區(qū)中的該第二數(shù)據(jù)線的這些線段其中一個的 層別與位于該第二交錯區(qū)中的該第一數(shù)據(jù)線的層別是不同的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一數(shù)據(jù)線包括多個第一線段，該 第二數(shù)據(jù)線包括多個第二線段，其中位于該第二交錯區(qū)中的該第二數(shù)據(jù)線的這些第二線段 其中一個的層別與位于該第二交錯區(qū)中的該第一數(shù)據(jù)線的這些第一線段其中一個的層別 是不同的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包含另一數(shù)據(jù)線組，設(shè)置于該基板 上且位于該子像素區(qū)的另一側(cè)邊并與該掃描線交錯形成至少一第三交錯區(qū)，其中該另一數(shù) 據(jù)線組包括一第三數(shù)據(jù)線以及一第四數(shù)據(jù)線，且該第三數(shù)據(jù)線以及該第四數(shù)據(jù)線相互交錯 形成至少一第四交錯區(qū)，而該第三數(shù)據(jù)線以及該第四數(shù)據(jù)線相互電性絕緣。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該另一數(shù)據(jù)線組中的該第三數(shù)據(jù)線 以及該第四數(shù)據(jù)線的極性不相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三數(shù)據(jù)線為一完整信號線，該第 四數(shù)據(jù)線包括多個線段，其中位于該第四交錯區(qū)中的該第四數(shù)據(jù)線的這些線段其中一個的 層別與位于該第四交錯區(qū)中的該第三數(shù)據(jù)線的層別是不同的。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三數(shù)據(jù)線包括多個第一線段，該 第四數(shù)據(jù)線包括多個第二線段，其中位于該第四交錯區(qū)中的該第四數(shù)據(jù)線的這些第二線段 其中一個的層別與位于該第四交錯區(qū)中的該第三數(shù)據(jù)線的這些第一線段其中一個的層別 是不同的。
9.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板，具有一顯示區(qū)及位于該顯示區(qū)旁的一周邊區(qū)，其中該顯示區(qū)包含至少一像素 區(qū)，且該像素區(qū)具有一第一子像素區(qū)以及一第二子像素區(qū)；一掃描線，設(shè)置于該基板上；一第一數(shù)據(jù)線組，設(shè)置于該基板上且位于該像素區(qū)的其中一側(cè)邊并與該掃描線交錯形 成至少一第一交錯區(qū)，其中該第一數(shù)據(jù)線組包括一第一數(shù)據(jù)線以及一第二數(shù)據(jù)線相互交錯形成至少一第二交錯區(qū)，且該第一數(shù)據(jù)線以及該第二數(shù)據(jù)線相互電性絕緣；一第二數(shù)據(jù)線組，設(shè)置于該基板上且位于該像素區(qū)的另一側(cè)邊并與該掃描線交錯形成 至少一第三交錯區(qū)，其中該第二數(shù)據(jù)線組包括一第三數(shù)據(jù)線以及一第四數(shù)據(jù)線相互交錯形 成至少一第四交錯區(qū)，且該第三數(shù)據(jù)線以及該第四數(shù)據(jù)線相互電性絕緣；一第一主動元件，其與該掃描線電性連接且與該第一數(shù)據(jù)線組中的該第一數(shù)據(jù)線或該 第二數(shù)據(jù)線電性連接；一第一像素電極，位于該第一子像素區(qū)內(nèi)且與該第一主動元件電性連接；一第二主動元件，其與該掃描線電性連接且與該第二數(shù)據(jù)線組中的該第三數(shù)據(jù)線或該 第四數(shù)據(jù)線電性連接；以及一第二像素電極，位于該第二子像素區(qū)內(nèi)且與該第二主動元件電性連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該掃描線是位于該像素區(qū)的中間并 且位于該第一子像素區(qū)以及該第二子像素區(qū)之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該掃描線是位于該像素區(qū)的一側(cè)邊。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一數(shù)據(jù)線組中的該第一數(shù)據(jù)線 以及該第二數(shù)據(jù)線的極性不相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二數(shù)據(jù)線組中的該第三數(shù)據(jù)線 以及該第四數(shù)據(jù)線的極性不相同。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一數(shù)據(jù)線為一完整信號線，該 第二數(shù)據(jù)線包括多個線段，其中位于該第二交錯區(qū)中的該第二數(shù)據(jù)線的這些線段其中一個的層別與位于該第二 交錯區(qū)中的該第一數(shù)據(jù)線的層別是不同的。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一數(shù)據(jù)線包括多個第一線段， 該第二數(shù)據(jù)線包括多個第二線段，其中位于該第二交錯區(qū)中的該第二數(shù)據(jù)線的這些第二線 段其中一個的層別與位于該第二交錯區(qū)中的該第一數(shù)據(jù)線的這些第一線段其中一個的層 別是不同的。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三數(shù)據(jù)線為一完整信號線，該 第四數(shù)據(jù)線包括多個線段，其中位于該第四交錯區(qū)中的該第四數(shù)據(jù)線的這些線段其中一個 的層別與位于該第四交錯區(qū)中的該第三數(shù)據(jù)線的層別是不同的。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三數(shù)據(jù)線包括多個第一線段， 該第四數(shù)據(jù)線包括多個第二線段，其中位于該第四交錯區(qū)中的該第四數(shù)據(jù)線的這些第二線 段其中一個的層別與位于該第四交錯區(qū)中的該第三數(shù)據(jù)線的這些第一線段其中一個的層 別是不同的。
全文摘要
本發(fā)明公開一種像素結(jié)構(gòu)，其包括基板、掃描線、數(shù)據(jù)線組、主動元件以及像素電極?；寰哂酗@示區(qū)及位于顯示區(qū)旁的周邊區(qū)，顯示區(qū)包含至少一個子像素區(qū)。掃描線設(shè)置于基板上。數(shù)據(jù)線組是設(shè)置于基板上且位于子像素區(qū)的其中一側(cè)邊并與掃描線交錯形成至少一第一交錯區(qū)，其中數(shù)據(jù)線組包括第一數(shù)據(jù)線以及第二數(shù)據(jù)線，且第一數(shù)據(jù)線以及第二數(shù)據(jù)線相互交錯形成至少一第二交錯區(qū)，并且第一數(shù)據(jù)線以及第二數(shù)據(jù)線相互電性絕緣。主動元件與掃描線電性連接且與數(shù)據(jù)線組中的第一數(shù)據(jù)線或第二數(shù)據(jù)線電性連接。像素電極位于子像素區(qū)內(nèi)且與主動元件電性連接。
文檔編號G02F1/1362GK101997008SQ20101028750
公開日2011年3月30日 申請日期2010年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月16日
發(fā)明者劉品妙, 林松輝, 鄭孝威, 黃銘涌 申請人:友達光電股份有限公司