專利名稱：像素結構的制作方法
像素結構
技術領域：
本發(fā)明涉及一種像素結構，且特別涉及一種薄膜晶體管的品質良好的像素結構。
背景技術：
—般的薄膜晶體管液晶顯示器主要是由一薄膜晶體管陣列基板、一對向基板以及 一夾于前述二基板之間的液晶層所構成。薄膜晶體管陣列基板主要包括多條掃描線、多條 數(shù)據(jù)線、排列于掃描線與數(shù)據(jù)線間的薄膜晶體管以及與每一薄膜晶體管對應配置的像素電 極(Pixel Electrode)。而上述的薄膜晶體管包括柵極、半導體圖案、源極與漏極，其用來作 為液晶顯示單元的開關元件。 薄膜晶體管陣列基板的制作過程通常包括多次的顯影及蝕刻步驟。在一般的制 造技術當中，柵極與掃描線是第一金屬層(Metal 1)，源極、漏極與數(shù)據(jù)線是第二金屬層 (Metal 2)。而且，在第一金屬層以及第二金屬層之間至少具有一層介電層。薄膜晶體管的 結構中，柵極與漏極至少有部分重疊，因此柵極與漏極之間通常會存在所謂的柵極-漏極 寄生電容(以下稱作Cgd)。 就液晶顯示器而言，施加在液晶電容Clc上的電壓與液晶分子的光穿透率之間
具有特定關系。因此，只要依據(jù)所要顯示的畫面來控制施加在液晶電容Clc上的電壓，即
可使顯示器顯示預定的畫面。但由于柵極_漏極寄生電容Cgd的存在，液晶電容Clc上
所保持的電壓將會隨著掃描線上的電壓變化而有所改變。此電壓變動量稱為饋通電壓
(feed-th麗ghvoltage) AVp，其可表示為公式(1): AVp = [Cgd/(Clc+Cgd+Cst)] (Vgon-Vgoff) (1) 其中Vgon-Vgoff為掃描線上的電壓變化，而Cst為儲存電容。 在目前的主動元件陣列工藝中，機臺移動時的位移偏差量將導致各個元件的相
對位置有所差異。特別是，在柵極與漏極的重疊面積不同時，將使得同一面板的像素的柵
極-漏極寄生電容Cgd不同。如此一來，不同顯示像素具有不同的饋通電壓AVp，進而在顯
示過程中產(chǎn)生顯示亮度不均勻的問題。 為了改善柵極-漏極寄生電容Cgd的變化所造成的負面影響，美國專利US 5，097，297、中國專利公開案CN 101359692以及中國專利CN201000520分別提出了不同的 顯示像素設計。然而，薄膜晶體管的設計方式眾多，這些專利所提供的技術并不能適用于各 種薄膜晶體管中。換言之，柵極-漏極寄生電容Cgd的變化對顯示品質造成的負面影響在 本技術領域中仍有待解決。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種像素結構，有效改善因為工藝中的對位誤差造成柵極-漏極寄生 電容產(chǎn)生變化的問題。 本發(fā)明提出一種像素結構，包括一掃描線、一數(shù)據(jù)線、一柵極、一半導體圖案、一源 極、一漏極以及一像素電極。掃描線以及數(shù)據(jù)線彼此交錯并且電絕緣。柵極電連接至掃描線。半導體圖案位于柵極上方。至少部分源極與至少部分漏極位于半導體圖案上。源極連 接至數(shù)據(jù)線。漏極包括一環(huán)繞源極的梳型部以及一連接部。梳型部具有至少兩分支。至少 一分支延伸至柵極之外以定義出位于柵極之外的至少一凸出部。連接部由梳型部延伸至柵 極外，且凸出部與連接部分別位于柵極的相對兩側。凸出部與柵極邊界切齊處具有一第一 寬度，連接部與柵極邊界切齊處具有一第二寬度，且第一寬度實質上等于第二寬度。像素電 極電連接漏極的連接部。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的一分支延伸至柵極之外，而其余分支完全地位于
柵極所在區(qū)域中以使至少一凸出部的數(shù)量為一。舉例而言，源極位于凸出部與掃描線之間。
或是，凸出部位于源極與掃描線之間。此外，第一寬度實質上等于凸出部的寬度。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的兩分支延伸至柵極之外以使至少一凸出部的數(shù)量
為二。此時，第一寬度實質上等于凸出部的寬度總和。在一實施方式中，兩凸出部的寬度實
質上相等。在另一實施方式中，兩凸出部的寬度實質上不同。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的連接部具有一接觸部，接觸部位于連接部遠離梳 型部的一端且像素電極接觸接觸部。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的梳型部實質上由至少兩分支以及一條狀底部所構 成，至少兩分支由條狀底部向一第一方向凸出，而連接部連接于條狀底部并由條狀底部背 離第一方向凸出。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的梳型部與連接部實質上構成一叉狀圖案。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的漏極為一體成型。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的源極與數(shù)據(jù)線為一體成型。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的柵極位于掃描線之外并與掃描線為一體成型。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的分支實質上平行于數(shù)據(jù)線。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的掃描線的一部分構成柵極。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的凸出部與連接部分別位于掃描線的相對兩側。 本發(fā)明另提出一種像素結構，包括一掃描線、一數(shù)據(jù)線、一柵極、一半導體圖案、一
源極、一漏極以及一像素電極。掃描線與數(shù)據(jù)線彼此交錯并且電絕緣。柵極電連接至掃描
線，而半導體圖案位于柵極上方。至少部分源極位于半導體圖案上并連接至數(shù)據(jù)線。至少
部分漏極位于半導體圖案上。此外，漏極包括一梳型部以及一連接部。梳型部環(huán)繞源極，且
梳型部具有至少兩分支。這些分支中的至少一個為折曲狀并具有一第一平行部、一斜向部
以及一第二平行部，其中斜向部連接第一平行部以及第二平行部，且第二平行部凸出于柵
極之外以定義出至少一凸出部。連接部由梳型部延伸至柵極外，且凸出部與連接部分別位
于柵極的相對兩側。凸出部與柵極邊界切齊處具有一第一寬度，連接部與該柵極邊界切齊
處具有一第二寬度，第一寬度實質上等于第二寬度。像素電極電連接漏極。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的源極位于凸出部與掃描線之間。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的第一寬度實質上等于凸出部的寬度。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的連接部具有一接觸部，位于連接部遠離梳型部的
一端且像素電極接觸接觸部。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的梳型部實質上由上述的至少兩分支以及一條狀底 部所構成，至少兩分支由條狀底部向一方向凸出，而連接部連接于條狀底部并由條狀底部背離該方向凸出。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的連接部與柵極部分重疊。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的梳型部與連接部實質上構成一叉狀圖案。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的柵極擴展到掃描線的位置和數(shù)據(jù)線的位置。 在本發(fā)明之一實施例中，上述的半導體圖案與凸出部重疊的面積為零。 根據(jù)以上所述，本發(fā)明的漏極在柵極相對兩側分別具有凸出的圖案，且凸出的圖
案位于柵極所在區(qū)域之外。因此，制作薄膜晶體管的過程中，第一導體層與第二導體層之間
的相對偏移并不影響柵極與漏極之間的重疊面積。也就是，柵極-漏極寄生電容的大小為
恒定的。因此，本發(fā)明的像素結構不因工藝上的對位誤差而在顯示效果有負面的影響。換
言之，本發(fā)明的像素結構具有良好的品質以及產(chǎn)品良率。 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式 作詳細說明如下。


圖1是本發(fā)明的第一實施例的像素結構的局部俯視示意圖。 圖2是本發(fā)明的第二實施例的像素結構的局部俯視示意圖。 圖3是本發(fā)明的第三實施例的像素結構的局部俯視示意圖。 圖4是本發(fā)明的第四實施例的像素結構的局部俯視示意圖。 圖5是本發(fā)明的第五實施例的像素結構的局部俯視示意圖。 圖6是本發(fā)明的第六實施例的像素結構的局部俯視示意圖。
具體實施方式

圖1是本發(fā)明的第一實施例的像素結構的局部俯視示意圖。請參照圖l，像素結 構100包括一掃描線110、一數(shù)據(jù)線120、一柵極130、一半導體圖案140、一源極150、一漏極 160以及一像素電極170。掃描線110以及數(shù)據(jù)線120彼此交錯并且電絕緣。柵極130連 接至掃描線IIO。半導體圖案140位于柵極130上方。源極150與漏極160均至少部分位 于半導體圖案140上，且源極150連接至數(shù)據(jù)線120。在本實施例中，柵極130、半導體圖案 140、源極150以及漏極160可構成一薄膜晶體管(未標示)。像素電極170則電連接至漏 極160以通過薄膜晶體管的開啟或是關閉來接收數(shù)據(jù)線120上所傳輸?shù)男盘枴?
在本實施例中，漏極160為一體成型，而源極150與數(shù)據(jù)線120為一體成型。另外， 柵極130位于掃描線110之外并與掃描線110為一體成型。具體而言，掃描線110與柵極 130是由第一金屬層圖案化而成的元件，而數(shù)據(jù)線120、源極150以及漏極160是由第二金 屬層圖案化而成的元件。 —旦第一金屬層與第二金屬層的圖案化工藝中，對位的精準度產(chǎn)生了誤差，將使 兩層金屬層圖案化后的元件在相對位置上發(fā)生偏移。如此一來，柵極130與漏極160之間 的重疊面積可能產(chǎn)生變化而使像素結構100的元件特性受到影響。換言之，背景技術中所 提到的柵極-漏極寄生電容不同使顯示像素的饋通電壓改變不同，進而在顯示過程中產(chǎn)生 顯示亮度不均勻的問題將會發(fā)生。 因此，為了避免顯示亮度不均勻的問題發(fā)生，本實施例提出一種漏極160的圖案，其設計概念如下所述。在本實施例中，漏極160包括一環(huán)繞源極150的梳型部162以及一 連接部166。舉例而言，梳型部162具有一第一分支162a、一第二分支162b以及一條狀底 部162c。也就是說，梳型部162可以為U形圖案，不過梳型部162也可以具有三個或三個以 上數(shù)目的分支，即梳型部162可以具有兩個分支，也可以具有兩個或兩個以上的分支。第一 分支162a與第二分支162b例如由條狀底部162c的兩端沿方向D凸出以使梳型部162圍 繞源極150。連接部166的一端連接至條狀底部162c，另一端則背離方向D凸出于柵極130 之外，因此，連接部166會與柵極130部分重疊。 在本實施例中，梳型部162與連接部166實質上構成一叉狀圖案。也就是說，梳型 部162的底部連接一長條狀的連接部166可構成一如叉子狀的圖形。另外，連接部166具 有一接觸部168，接觸部168位于連接部166遠離梳型部162的一端且像素電極170接觸接 觸部168以電連接至漏極160。由于像素電極170與接觸部168連接的方式是本領域中常 用的技術，因此本實施例不再另作說明。另外，第一金屬層與第二金屬層之間實質上配置有 至少一層絕緣層，而像素電極170與第二金屬層之間也至少配置有一層絕緣層。所屬技術 領域中的普通技術人員也都應了解，在本實施例中，這些絕緣層都未繪示出來是為了清楚 呈現(xiàn)本發(fā)明的概念。 值得一提的是，第一分支162a延伸至柵極130之外以定義出位于柵極130外的一 凸出部164，且凸出部164與第一分支162a未延伸至柵極130之外的部分具有相同寬度。 同時，在這樣的圖案設計下，凸出部164與連接部166分別位于柵極130的相對兩側。假設 像素結構100中各元件的相對位置應為圖1中實線部分所繪示的樣貌。不過，在圖案化的 對位步驟中發(fā)生了對位誤差而使第一金屬層在方向D上產(chǎn)生了偏移，于是數(shù)據(jù)線120、源極 150以及漏極160相對于柵極130的位置關系實際上如虛線所繪示。也就是說，數(shù)據(jù)線120、 源極150以及漏極160整體地相對柵極130朝向圖面的右側，也就是背離方向D，平移。第 一分支162a重疊于柵極130的面積因而增大而連接部166重疊于柵極130的面積則隨之 縮小。也就是說，凸出部164的面積在對位誤差下被縮小了。 本實施例中，第一分支162a例如具有一第一寬度Wl，即凸出部164與柵極130邊 界切齊處的寬度為W1，第二分支162b例如具有一第二寬度W2，而連接部166例如具有一第 三寬度W3，即連接部166與柵極130邊界切齊處的寬度為W3，其中位于柵極140相對兩側的 凸出部164與連接部166都分別由柵極140所在位置凸出于柵極140之外。因此，為了柵 極_漏極寄生電容的恒定性，凸出部164與柵極130邊界切齊處的寬度實質上等于連接部 166與柵極130邊界切齊處的寬度，也就是說，第一寬度W1實質上等于第三寬度W3。如此 一來，漏極160與柵極130的重疊面積將與預定的圖案設計相仿，甚至相同以達到柵極-漏 極寄生電容的恒定。 具體而言，梳型部162以及連接部166為一體成型的圖案。所以，梳型部162以及 連接部166相對于柵極130的位移量是相同的。因此，第一寬度W1等于第三寬度W2可使漏 極160與柵極130的重疊面積與預定的圖案設計相仿而維持柵極_漏極寄生電容恒定性。 通過這樣的圖案設計，本實施例可以維持像素結構100的品質。即使工藝對位精準度并非 十分理想的情形下，像素結構IOO仍具有預設的品質。值得一提的是，當工藝步驟中的對位 偏移是背離方向D時，梳型部162以及連接部166的設計仍有助于柵極-漏極寄生電容的 恒定性。簡言之，本實施例的設計可以避免工藝在平行或背離方向D上產(chǎn)生對位偏移時對元件特性所造成的負面影響而使像素結構100具有相當不錯的品質及良率。 值得一提的是，凸出部164在平行方向D上的長度較佳是大于或至少等于圖案化
工藝中對位步驟可能產(chǎn)生的誤差。如此一來，對位步驟的誤差使柵極130與漏極160在平
行方向D或背離方向D上所產(chǎn)生的位移都可以獲得補償而不致造成像素結構100的不良情
形。另外，在對位誤差之下，本實施例的第二分支162b例如不凸出于柵極130之外以確保
柵極-漏極寄生電容的恒定。 另外，本實施例可以使像素結構100維持穩(wěn)定的柵極-漏極寄生電容。然而，由于 漏極160與柵極130的重疊面積因凸出部164的設置而增加，柵極-漏極寄生電容也會隨 之增加。由現(xiàn)有技術的公式(1)可知，柵極-漏極寄生電容的增加可能使得饋通電壓AVp 增加。 像素結構100應用于顯示面板(未繪示)時，顯示面板中設有與像素電極170相對 的共用電極，顯示面板便是利用像素電極170與共用電極之間的壓差來控制畫面顯示。饋 通電壓AVp的增加會使數(shù)據(jù)線120所傳輸?shù)男盘栐趯懭胂袼仉姌O170時產(chǎn)生較大的壓降， 因此，顯示效果可能受到比較嚴重影響，例如產(chǎn)生比較嚴重的閃爍現(xiàn)象。為了避免上述的壓 降影響顯示面板的顯示效果，在驅動像素結構100時可以調整共用電極上的共用電壓的大 小。因此，像素結構IOO仍可以具有相當理想的顯示效果。 舉例來說，在一顯示畫面中，像素電極170與共用電極之間的壓差例如需為3伏 特，最初的饋通電壓A Vp為0. 4伏特。在像素電極170充正電時，數(shù)據(jù)線120會傳輸3. 4伏 特的電壓以寫入像素電極170，并且共用電極的共用電壓為0伏特，饋通電壓A Vp產(chǎn)生0. 4 伏特的壓降，因此，得到像素電極與共用電極之間的壓差為3伏特。在像素電極170充負電 時，數(shù)據(jù)線120會傳輸-2. 6伏特的電壓以寫入像素電極170，并且共用電極的共用電壓為0 伏特，饋通電壓A Vp會產(chǎn)生0. 4伏特壓降，因此，得到像素電極與共用電極之間的壓差為3 伏特。假設采用本發(fā)明的設計，饋通電壓AVp由先前的0.4伏特增加到0.5伏特。在像素 電極170充正電的狀態(tài)下，數(shù)據(jù)線120傳輸3. 4伏特的電壓以寫入像素電極170，并且共用 電極的共用電壓為O伏特，饋通電壓AVp產(chǎn)生0.5伏特的壓降，此時，得到像素電極與共用 電極之間的壓差為2. 9伏特，與需要的3伏特的壓差相差0. 1伏特。在像素電極170充負 電的狀態(tài)下，數(shù)據(jù)線120傳輸-2.6伏特的電壓以寫入像素電極170，并且共用電極的共用電 壓為O伏特，饋通電壓AVp產(chǎn)生0.5伏特的壓降，此時，得到像素電極與共用電極之間的壓 差為3. 1伏特，與需要的3伏特的壓差相差0. 1伏特。因此，當像素充正電時，畫面會顯示 較亮；當像素充負電時，畫面會顯示較暗。從而產(chǎn)生畫面的閃爍。此時，為了維持顯示面板 的顯示效果，共用電極的共用電壓可以調降為-O. l伏特。如此一來，利用本發(fā)明的設計，無 論像素電極170充正電或是像素電極170充負電，像素結構100仍可以具有相當理想的顯 示效果。 當然，上述實施例僅是一種實施方式的說明，為了維持柵極_漏極寄生電容的恒
定性，以下還提出數(shù)種像素結構設計。這些像素結構的設計主要是使相對于柵極兩側的凸
出部與連接部在寬度上具有相等或相仿的數(shù)值以使像素結構具有理想的品質。 圖2是本發(fā)明一第二實施例的像素結構的局部俯視示意圖。請參照圖2，像素結構
200的構成元件實質上與像素結構100相同，因此像素結構200與像素結構100相同的元
件將以相同的元件符號標示。簡言之，像素結構200包括有掃描線110、數(shù)據(jù)線120、像素電
8極170以及由柵極130、半導體圖案140、源極150以及漏極260所構成的薄膜晶體管(未 標示)。值得一提的是，像素結構200與像素結構100不同之處在于漏極260的圖案設計。
具體而言，漏極260為一體成型的圖案。漏極260包括一環(huán)繞源極150的梳型部 262以及一連接部166。與前述實施例相同地，連接部166具有一接觸部168，接觸部168位 于連接部遠離梳型部262的一端且像素電極170接觸接觸部168以電連接至漏極160。
在本實施例中，梳型部262具有一第一分支262a、一第二分支262b以及一條狀底 部262c。第一分支262a與第二分支262b例如分別由條狀底部262c的兩端朝向方向D凸 出以使梳型部262圍繞源極150。此外，在本實施例中，第二分支262b延伸至柵極130之 外以定義出位于柵極130外的一凸出部264，且凸出部264與第二分支262b未延伸至柵極 130之外的部分具有相同寬度。在這樣的圖案設計下，凸出部264與連接部166分別位于柵 極130的相對兩側。換言之，像素結構200不同于像素結構100之處在于梳型部262的圖 案設計為相反的。因此，本實施例是使源極150位于凸出部264與掃描線110之間，而像素 結構100所述的實施例是使凸出部164位于源極150以及掃描線110之間。
在像素結構200中，凸出部264與連接部166分別位于柵極130的相對兩側，且都 延伸至柵極130所在區(qū)域之外。因此，在工藝中若發(fā)生了對位誤差而使漏極260相對于柵 極130的位置發(fā)生偏移，像素結構200中的柵極-漏極寄生電容仍維持原圖案設計所設定 的大小。 具體而言，假設制作像素結構200時的對位誤差造成漏極260相對于柵極130朝 向方向D位移，漏極260的圖案會由實線所繪示的位置偏移至虛線所繪示的位置。也就是 說，第二分支262b凸出于柵極130的部分更多而使第二分支262b與柵極130的重疊面積 減小。同時，連接部166也會朝向方向D平移而使連接部166與柵極130的重疊面積增大。 此時，凸出部264的面積將大于預設面積。 —般而言，為了維持柵極-漏極寄生電容的恒定性，第二分支262b與柵極130的 重疊面積減小的量較佳是等于連接部166與柵極130的重疊面積增大的量。因此，本實施 例進一步使凸出部264與柵極130邊界切齊處的寬度實質上等于連接部166與柵極130邊 界切齊處的寬度，即第二分支262b的第二寬度W2實質上等于連接部的第三寬度W3。通過 這樣的漏極260圖案設計，像素結構200可以具有相當良好的品質，且像素結構200對工藝 誤差的容受度也可大幅提升。換言之，本實施例也是利用漏極260的圖案設計使得漏極262 不與柵極130重疊的部分分別地位于柵極130的相對兩側，且這些部分具有大致相同的線 寬來避免工藝誤差對像素結構200的品質所產(chǎn)生的不良影響。 以上的設計都使梳型部的其中一個分支延伸至柵極所在區(qū)域外，不過本發(fā)明并不 限定于此。在其他的實施方式中梳型部的兩個分支可以都延伸到柵極所在區(qū)域外，并通過 圖案線寬的調整來達到柵極_漏極寄生電容的恒定性。舉例而言，圖3是本發(fā)明一第三實 施例的像素結構的局部俯視示意圖。請參照圖3，像素結構300與前述實施例的差異在于漏 極360的圖案設計，因此像素結構300中部分的元件沿用前述實施例已經(jīng)使用的元件符號 來標示。換言之，在像素結構100、200以及300中，相同的元件符號均表示相同功能與相同 配置方式的元件。 具體而言，在本實施例中，漏極360包括一第一分支362a、一第二分支362b以及一 條狀底部362c。第一分支362a與第二分支362b例如由條狀底部362c的兩端沿方向D凸出以使梳型部362圍繞源極150。值得一提的是，第一分支362a與第二分支362b均延伸至 柵極130之外以分別定義出位于柵極130外的二凸出部364a與364b，且二凸出部364a和 364b分別與第一分支362a和第二分支362b未延伸至柵極130之外的部分具有相同寬度。 在這樣的圖案設計下，二凸出部364a、364b與連接部166分別位于柵極130的相對兩側，而 漏極360的梳型部362與連接部166也是構成一叉狀圖案。換言之，像素結構300不同于 像素結構100及200之處在于梳型部362的圖案設計具有兩個凸出部364a與364b。
在像素結構300中，當工藝誤差造成漏極360相對于柵極130的位置平行方向D產(chǎn) 生位移，則連接部166與柵極130的重疊面積將會增加，而第一分支326a與第二分支362b 重疊于柵極130的面積將會減少。當然，凸出部364a、364b的面積隨之擴大。
此時，為了維持柵極-漏極寄生電容的恒定，連接部166與柵極130的重疊面積增 加量應等于第一分支362a與第二分支362b重疊于柵極130的面積減少量。因此，本實施 例中，第一分支362a的第一寬度Wl、第二分支362b的第二寬度W2與連接部166的第三寬 度W3例如可符合第一寬度W1與第二寬度W2的總和實質上等于第三寬度W3的關系。也就 是說，漏極362在凸出于柵極130右側的圖案所具有的寬度與漏極362在凸出于柵極130 左側的所有圖案所具有的總寬度相同。 另外，本實施例的漏極362設計例如是使第一寬度W1等于第二寬度W2，不過在其 他的實施方式中，第一寬度W1也可以不等于第二寬度W2。舉例而言，圖4是本發(fā)明一第四 實施例的像素結構的局部俯視示意圖。請參照圖4，像素結構400與像素結構300的差異 僅在于像素結構400中第一寬度W1與第二寬度W2不同。也就是說，像素結構400中，漏極 460的梳型部462為分支寬度不對稱的設計，其中第一分支462a與第二分支462b具有不同 的寬度。在這樣的圖案布局下，由第一分支462a與第二分支462b延伸出來的凸出部464a 與凸出部464b也具有不同的寬度。 具體來說，本實施例的第一寬度W1小于第二寬度W2，且第一寬度W1與第二寬度 W2的總和實質上等于第三寬度W3。通過這樣的寬度設計，像素結構400在工藝上若因對位 誤差而使柵極130與漏極460的相對位置發(fā)生位移，則柵極130與漏極460的重疊面積仍 維持恒定。如此一來，柵極-漏極寄生電容可以維持在固定的數(shù)值而使像素結構400具有 良好的品質且使像素結構400對工藝誤差的容受性更加提升。值得一提的是，本實施例并 不限定第一寬度Wl小于第二寬度W2，實際上第一寬度Wl也可以大于第二寬度W2。
以上實施例的像素結構中梳型部的分支都是以直線狀為例。實際上，梳型部的分 支也可以是折曲狀的設計。圖5是本發(fā)明一第五實施例的像素結構的局部俯視示意圖。請 參照圖5，像素結構500包括有掃描線110、數(shù)據(jù)線120、像素電極170以及由柵極530、半導 體圖案140、源極150以及漏極560所構成的薄膜晶體管(未標示)。值得一提的是，漏極 560為一體成型的圖案。漏極560包括一環(huán)繞源極150的梳型部562以及一連接部166。與 前述實施例相同地，連接部166具有一接觸部168，接觸部168位于連接部遠離梳型部562 的一端且像素電極170接觸接觸部168以電連接至漏極560。值得一提的是，本實施例的柵 極530實質上可以由掃描線110的一部分所構成。另外，源極150與數(shù)據(jù)線120也可以為 一體成型。 在本實施例中，梳型部562具有一第一分支562a以及一第二分支562b。梳型部 562實質上由上述之兩分支562a、562b以及連接于兩分支562a、562b之間的一條狀底部(未標示)所構成。兩分支562a、562b由條狀底部(未標示)向數(shù)據(jù)線120的一方向凸出， 而連接部166則由條狀底部(未標示)背離數(shù)據(jù)線120的方向凸出。因此，梳型部562與連 接部166實質上構成一叉狀圖案，而漏極560為一體成型。第一分支562a與第二分支562b 例如分別位于源極150相對兩偵U，也即源極150位于凸出部564與掃描線110之間。此夕卜， 第二分支562b為折曲狀設計。第二分支562b由一第一平行部P1、一斜向部C以及一第二 平行部P2所構成。斜向部C連接第一平行部P1以及第二平行部P2，且第二平行部P2延伸 至柵極130之外以定義出一凸出部564，且凸出部564與第二平行部P2未延伸至柵極130 之外的部分具有相同寬度。 值得一提的是，斜向部C連接第一平行部P1的一端例如較接近源極150，而斜向 部C連接第二平行部P2的一段則較遠離源極150。并且，第二分支562b中，第一平行部Pl 以及斜向部C都位于柵極130以及半導體圖案140上方，而僅有第二平行部P2凸出于柵極 130之外。另外，半導體圖案140在本實施例中，都位于柵極130之內。因此，半導體圖案 140與凸出部564沒有重疊的部分，也就是說，半導體圖案140與凸出部564重疊的面積為 零。因此不會因為受到光線的照射而產(chǎn)生漏電流的問題。另外，在本實施例中，柵極530擴 展到掃描線110的位置和數(shù)據(jù)線120的位置。即如圖5所示，柵極530與掃描線110有部 分重疊，因為柵極530與掃描線110是一體成型，所以掃面線110的部分區(qū)域具有柵極530 的功能；另外，柵極530與數(shù)據(jù)線120也重疊。因此可以提高像素結構500的開口率。在本 實施例中柵極530的設計為習知技術，因此不詳加描述。進一步而言，為了與像素電極170 連接，連接部166具有一接觸部168，且接觸部168位于連接部166遠離梳型部562的一端。
在本實施例中，凸出部564與柵極130邊界切齊處具有一第一寬度W1，該第一寬度 Wl實質上等于凸出部564的寬度。此外，連接部166與柵極130部分重疊，連接部166與 柵極130邊界切齊處具有一第二寬度W2，也就是連接部166的寬度，且第一寬度Wl實質上 等于第二寬度W2。所以，第一寬度Wl與第二寬度W2的匹配使得制作像素結構500的過程 中，對位誤差的發(fā)生不會使像素結構500的元件特性發(fā)生改變。如此一來，像素結構500具 有相當不錯的品質及工藝良率。 另外，像素結構中，薄膜晶體管的設計并非僅限于上述實施例的說明。圖6是本發(fā) 明一第六實施例的像素結構的局部俯視示意圖。請參照圖6，像素結構600包括有掃描線 110、數(shù)據(jù)線120、像素電極170以及由柵極630、半導體圖案140、源極650以及漏極660所 構成的薄膜晶體管(未標示)。值得一提的是，柵極630部分由掃描線110構成，而源極650 為L型圖案的電極。漏極660包括一環(huán)繞源極650的梳型部662以及一連接部666。與前 述實施例相同地，連接部666具有一接觸部668，接觸部668位于連接部遠離梳型部662的 一端且像素電極170接觸接觸部668以電連接至漏極660。 在本實施例中，漏極660的第一分支662a與第二分支662b實質上平行于數(shù)據(jù)線 120，其中第一分支662a凸出于柵極630之外以定義出凸出部664，且凸出部664與第一分 支662a未延伸至柵極630之外的部分具有相同寬度。由于柵極630部分由掃描線110所構 成，凸出部664與連接部666分別位于掃描線110的相對兩側。值得一提的是，凸出部664 與柵極630邊界切齊的一第一寬度Wl實質上等于連接部666與柵極630邊界切齊的一第 二寬度W2。所以，像素結構600同樣地對于工藝中的對位誤差具有較高的容受度。換言之， 像素結構600具有良好的品質。
綜上所述，本發(fā)明的漏極具有梳型部及連接部，且梳型部的分支與連接部分別延 伸到柵極相對兩側以外。而且，本發(fā)明的梳型部不限于上述實施例所描述只具有兩個分支， 多個分支在本領域的技術人員所能理解的范圍內也是可以的；此外，本發(fā)明的梳型部的寬 度設計亦不限于上述實施例所描述的內容。也就是，分支未延伸至柵極之外的部分與凸出 部的寬度大小可以相同。不過，分支未延伸至柵極之外的部分與凸出部的寬度不同在本領 域的技術人員所能理解的范圍內也是可以的；更進一步而言，本發(fā)明梳型部的分支不限于 上述實施例描述的直線狀、折曲狀，其他形狀在本領域的技術人員所能理解的范圍內也是 可以的。同時，漏極延伸到柵極相對兩側以外的圖案處具有實質上相同的線寬。因此，像素 結構中的薄膜晶體管具有恒定的柵極-漏極寄生電容。換言之，本發(fā)明的像素結構對于工 藝在對位誤差上的容受度較高而具有較為穩(wěn)定的品質。所以，本發(fā)明的像素結構實際應用 于顯示器上有助于提高顯示器的顯示效果。 雖然本發(fā)明已以實施例揭露如上，但其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術領域 中的技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，可對其作出修改，因此本發(fā)明的保護范圍 應以權利要求所限定為準。
權利要求
一種像素結構，其特征在于該像素結構包括一掃描線以及一數(shù)據(jù)線，彼此交錯并且電絕緣；一柵極，電連接至該掃描線；一半導體圖案，位于該柵極上方；一源極，至少部分位于該半導體圖案上并連接至該數(shù)據(jù)線；一漏極，至少部分位于該半導體圖案上，該漏極包括一梳型部，環(huán)繞該源極，該梳型部具有至少兩分支，該分支中的至少一個延伸至該柵極之外以定義出位于該柵極之外的至少一凸出部；一連接部，由該梳型部延伸至該柵極外，且該凸出部與該連接部分別位于該柵極的相對兩側，其中該凸出部與該柵極邊界切齊處具有一第一寬度，該連接部與該柵極邊界切齊處具有一第二寬度，該第一寬度等于該第二寬度；以及一像素電極，電連接該漏極。
2. 根據(jù)權利要求l所述的像素結構，其特征在于該分支中的一個延伸至該柵極之外， 而另一個完全地位于該柵極所在區(qū)域中以使該至少一凸出部的數(shù)量為一。
3. 根據(jù)權利要求2所述的像素結構，其特征在于間。
4. 根據(jù)權利要求2所述的像素結構，其特征在于間。
5. 根據(jù)權利要求2所述的像素結構，其特征在于:
6. 根據(jù)權利要求l所述的像素結構，其特征在于 以使該至少一凸出部的數(shù)量為二。
7. 根據(jù)權利要求6所述的像素結構，其特征在于和。
8. 根據(jù)權利要求7所述的像素結構，其特征在于:
9. 根據(jù)權利要求7所述的像素結構，其特征在于::該源極位于該凸出部與該掃描線之:該凸出部位于該源極與該掃描線之該第一寬度等于該凸出部的寬度。 :該分支中的兩個延伸至該柵極之外:該第一寬度為該兩凸出部的寬度總該兩凸出部的寬度相等。 該兩凸出部的寬度不同。
10. 根據(jù)權利要求1所述的像素結構，其特征在于該連接部具有一接觸部，位于該連 接部遠離該梳型部的一端且該像素電極接觸該接觸部。
11. 根據(jù)權利要求l所述的像素結構，其特征在于該梳型部由該至少兩分支以及一條 狀底部所構成，該至少兩分支由該條狀底部向一方向凸出，而該連接部連接于該條狀底部 并由該條狀底部背離該方向凸出。
12. 根據(jù)權利要求1所述的像素結構，其特征在于該連接部與該柵極部分重疊。
13. 根據(jù)權利要求1所述的像素結構，其特征在于該梳型部與該連接部構成一叉狀圖案。
14. 根據(jù)權利要求1所述的像素結構，其特征在于該漏極為一體成型。
15. 根據(jù)權利要求1所述的像素結構，其特征在于該源極與該數(shù)據(jù)線為一體成型。
16. 根據(jù)權利要求1所述的像素結構，其特征在于該柵極位于該掃描線之外并與該掃 描線為一體成型。
17. 根據(jù)權利要求1所述的像素結構，其特征在于該分支平行于該數(shù)據(jù)線。
18. 根據(jù)權利要求17所述的像素結構，其特征在于該掃描線的一部分構成該柵極。
19. 根據(jù)權利要求17所述的像素結構，其特征在于該凸出部與該連接部分別位于該 掃描線的相對兩側。
20. —種像素結構，其特征在于該像素結構包括 一掃描線以及一數(shù)據(jù)線，彼此交錯并且電絕緣； 一柵極，電連接至該掃描線； 一半導體圖案，位于該柵極上方；一源極，至少部分位于該半導體圖案上并連接至該數(shù)據(jù)線； 一漏極，至少部分位于該半導體圖案上，該漏極包括一梳型部，環(huán)繞該源極，該梳型部具有至少兩分支，該分支中的至少一個為折曲狀并具 有一第一平行部、一斜向部以及一第二平行部，該斜向部連接該第一平行部以及該第二平 行部，且該第二平行部凸出于該柵極之外以定義出至少一凸出部；一連接部，由該梳型部延伸至該柵極外，且該凸出部與該連接部分別位于該柵極的相 對兩側，其中該凸出部與該柵極邊界切齊處具有一第一寬度，該連接部與該柵極邊界切齊 處具有一第二寬度，該第一寬度等于該第二寬度；以及一像素電極，電連接該漏極。
21. 根據(jù)權利要求20所述的像素結構，其特征在于該源極位于該凸出部與該掃描線 之間。
22. 根據(jù)權利要求20所述的像素結構，其特征在于該第一寬度等于該凸出部的寬度。
23. 根據(jù)權利要求20所述的像素結構，其特征在于該連接部具有一接觸部，位于該連 接部遠離該梳型部的一端且該像素電極接觸該接觸部。
24. 根據(jù)權利要求20所述的像素結構，其特征在于該梳型部由該至少兩分支以及一 條狀底部所構成，該至少兩分支由該條狀底部向一方向凸出，而該連接部連接于該條狀底 部并由該條狀底部背離該方向凸出。
25. 根據(jù)權利要求20所述的像素結構，其特征在于該連接部與該柵極部分重疊。
26. 根據(jù)權利要求20所述的像素結構，其特征在于該梳型部與該連接部構成一叉狀 圖案。
27. 根據(jù)權利要求20所述的像素結構，其特征在于該柵極擴展到該掃描線的位置和 該數(shù)據(jù)線的位置。
28. 根據(jù)權利要求20所述的像素結構，其特征在于該半導體圖案與該凸出部重疊的 面積為零。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素結構，包括一掃描線、一數(shù)據(jù)線、一柵極、位于柵極上方的一半導體圖案、一源極、一漏極以及電連接漏極的一像素電極。掃描線以及數(shù)據(jù)線彼此交錯并電絕緣。柵極、源極分別連接至掃描線與數(shù)據(jù)線。源極與漏極均至少部分位于半導體圖案上。漏極包括一環(huán)繞源極的梳型部以及一連接部。梳型部的至少一分支延伸至柵極之外以定義出位于柵極之外的至少一凸出部。連接部由梳型部延伸至柵極外。凸出部與連接部分別位于柵極的相對兩側。凸出部與柵極邊界切齊處具有一第一寬度，連接部與柵極邊界切齊處具有一第二寬度，第一寬度實質上等于第二寬度。
文檔編號G02F1/1362GK101750826SQ20091026541
公開日2010年6月23日 申請日期2009年12月28日 優(yōu)先權日2009年12月28日
發(fā)明者柳智忠 申請人:深超光電(深圳)有限公司