像素結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)，包括可撓性基板、主動元件、導(dǎo)通圖案、第一絕緣層以及像素電極。主動元件配置于可撓性基板上并包括柵極、溝道、源極與漏極。源極與漏極連接于溝道并彼此分離。溝道與柵極在厚度方向上堆疊設(shè)置。主動元件配置于導(dǎo)通圖案與可撓性基板之間。導(dǎo)通圖案電性連接至主動元件的漏極。第一絕緣層覆蓋導(dǎo)通圖案并具有彼此分離且暴露出導(dǎo)通圖案的多個第一接觸窗。第一絕緣層配置于像素電極與導(dǎo)通圖案之間。像素電極通過第一接觸窗而電性連接至導(dǎo)通圖案。
【專利說明】像素結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種設(shè)置于可撓性基板上的像素 結(jié)構(gòu)

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示技術(shù)的突飛猛進(jìn)，顯示器已從早期的陰極射線管（CRT)顯示器逐漸地發(fā) 展到目前的平面顯示器（Flat Panel Display,FPD)。相較于硬質(zhì)載板（例如是玻璃基板） 所構(gòu)成的平面顯示器，由于可撓性基板（例如是塑膠基板）具有可撓曲及耐沖擊等特性，因 此近年來已著手研究將像素結(jié)構(gòu)制作于可撓性基板上的可撓式顯示器。
[0003] 這樣的顯示器對外力沖擊必須具有良好的耐受性。不過，在沖擊試驗中發(fā)現(xiàn)現(xiàn)行 的可撓式顯示器常常發(fā)生像素結(jié)構(gòu)破碎無法通過試驗。這也意味著，現(xiàn)行的這類產(chǎn)品在使 用過程中若受到外力的撞擊，可能容易破裂而損壞。因此，現(xiàn)行可撓式產(chǎn)品的信賴性在沖擊 的耐受性上仍需要改良。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其不易因外力的沖擊而失效。
[0005] 本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)。此像素結(jié)構(gòu)包括可撓性基板、主動元件、導(dǎo)通圖案、第 一絕緣層以及像素電極。主動元件配置于可撓性基板上并包括柵極、溝道、源極與漏極。源 極與漏極連接于溝道并彼此分離。溝道與柵極在厚度方向上堆疊設(shè)置。主動元件配置于導(dǎo) 通圖案與可撓性基板之間。導(dǎo)通圖案電性連接至主動元件的漏極。第一絕緣層具有彼此分 離且暴露出導(dǎo)通圖案的多個第一接觸窗。第一絕緣層配置于像素電極與導(dǎo)通圖案之間。像 素電極通過第一接觸窗而電性連接至導(dǎo)通圖案。
[0006] 在本發(fā)明的實施例中，上述的第一絕緣層的多個第一接觸窗分別暴露出導(dǎo)通圖案 的多個導(dǎo)通點，而這些導(dǎo)通點分散地設(shè)置。
[0007] 在本發(fā)明的實施例中，上述的多個導(dǎo)通點分散地位于像素電極的周邊。
[0008] 在本發(fā)明的實施例中，上述的導(dǎo)通圖案位于像素電極的周邊。
[0009] 在本發(fā)明的實施例中，上述的導(dǎo)通圖案為環(huán)繞像素電極的環(huán)狀圖案。
[0010] 在本發(fā)明的實施例中，沿著垂直于上述的可撓性基板的方向看去，導(dǎo)通圖案與像 素電極的周邊重疊。
[0011] 在本發(fā)明的實施例中，上述的像素結(jié)構(gòu)更包括輔助電極。輔助電極配置于可撓性 基板與電容電極之間。輔助電極電性連接至導(dǎo)通圖案。
[0012] 在本發(fā)明的實施例中，上述的像素結(jié)構(gòu)更包括電容電極。電容電極配置于可撓性 基板與像素電極之間。電容電極電性連接至參考電位。
[0013] 在本發(fā)明的實施例中，上述的像素結(jié)構(gòu)更包括第二絕緣層以及第三絕緣層。第二 絕緣層位于輔助電極與電容電極之間。第三絕緣層位于電容電極與導(dǎo)通圖案之間。
[0014] 在本發(fā)明的實施例中，上述的第二絕緣層具有第二接觸窗，第三絕緣層具有兩個 第三接觸窗，這些第三接觸窗之一與第二接觸窗相通，這些第三接觸窗之另一暴露出主動 元件的漏極，導(dǎo)通圖案填入第二接觸窗以及這些第三接觸窗之一而電性連接至輔助電極。 導(dǎo)通圖案填入這些第三接觸窗之另一而電性連接至主動元件的漏極。
[0015] 在本發(fā)明的實施例中，上述的像素結(jié)構(gòu)更包括資料線以及掃描線。資料線與源極 連接。掃描線與柵極連接。
[0016] 基于上述，在本發(fā)明的實施例的像素結(jié)構(gòu)中，像素電極通過多個接觸窗而電性連 接至導(dǎo)通圖案，又導(dǎo)通圖案電性連接至主動元件。因此，即使像素電極在沖擊測試中碎裂成 多片分離的子像素電極，這些子像素電極仍可通過對應(yīng)的接觸窗連接至導(dǎo)通圖案，進(jìn)而與 主動元件電性連接。如此一來，像素結(jié)構(gòu)通過沖擊測試的機(jī)率便可提高。
[0017] 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式 作詳細(xì)說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018] 圖1為本發(fā)明的實施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
[0019] 圖2為圖1的像素結(jié)構(gòu)沿剖線A-A'及B-B'的剖面示意圖。
[0020] 圖3為本發(fā)明另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
[0021] 圖4為本發(fā)明又一實施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
[0022] 圖5至圖12為圖1的像素結(jié)構(gòu)中各膜層的俯視示意圖。
[0023] 【符號說明】
[0024] 100:像素結(jié)構(gòu) 110:可撓性基板
[0025] 120、120A、120B :導(dǎo)通圖案 122 :導(dǎo)通點
[0026] 130 :第一絕緣層 132 :第一接觸窗
[0027] 140:像素電極 142:子像素電極
[0028] 150:第三絕緣層 152、154 :第三接觸窗
[0029] 160:輔助電極 170 :第二絕緣層
[0030] 172:第二接觸窗 180:電容電極
[0031] 182:電極部 184:連接部
[0032] A-A'、B-B ' ：剖線 AM :溝道
[0033] D :漏極 DL :資料線
[0034] d :距離 G :柵極
[0035] K:厚度方向 Ml :第一金屬層
[0036] M2 :第二金屬層 M3 :第三金屬層
[0037] S :源極 SL :掃描線
[0038] T :主動元件

【具體實施方式】
[0039] 為進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段以及其功效，以下結(jié) 合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的像素結(jié)構(gòu)的【具體實施方式】、結(jié)構(gòu)、特征及其功 效，詳細(xì)說明如后。
[0040] 圖1為本發(fā)明的實施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2為圖1的像素結(jié)構(gòu)沿剖線 A-A'及B-B'的剖面示意圖。請參照圖1及圖2,像素結(jié)構(gòu)100包括可撓性基板110、配置于 可撓性基板110上的主動元件T、導(dǎo)通圖案120、第一絕緣層130以及像素電極140。主動元 件T包括柵極G、溝道AM、源極S與漏極D。源極S與漏極D連接于溝道AM并彼此分離，而 溝道AM與柵極G在厚度方向K上（標(biāo)示于圖2)堆疊設(shè)置。在本實施例中，導(dǎo)電圖案120 可位于像素電極140與可撓性基板110之間。可撓性基板110是指軟性的基板?？蓳闲曰?板110的材質(zhì)例如為塑膠，但本發(fā)明不以此為限。
[0041] 主動元件T配置于導(dǎo)通圖案120與可撓性基板110之間，且導(dǎo)通圖案120電性連 接至主動元件T的漏極D。具體而言，本實施例的像素結(jié)構(gòu)100更包括配置于導(dǎo)通圖案120 與主動元件T的漏極D之間的第三絕緣層150。第三絕緣層150具有第三接觸窗152。導(dǎo) 通圖案120填入第三接觸窗152而與主動元件T的漏極D電性連接。在本實施例中，主動 元件T以底部柵極型晶體管為示例。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實施例中，主動元件T 亦可為頂部柵極型或其他適當(dāng)型式的晶體管。
[0042] 第一絕緣層130覆蓋導(dǎo)通圖案120并具有彼此分離且暴露出導(dǎo)通圖案120的多個 第一接觸窗132。第一絕緣層130配置于像素電極140與導(dǎo)通圖案120之間。在本實施例 中，導(dǎo)通圖案120可配置于像素電極140與可撓性基板110之間。導(dǎo)通圖案120及像素電極 140可為反射性及延展性佳的導(dǎo)電材質(zhì)，例如金屬。值得注意的是，像素電極140通過多個 第一接觸窗132而電性連接至導(dǎo)通圖案120,又導(dǎo)通圖案120電性連接至主動元件T的漏極 D。因此，如圖1所示，若像素電極140在沖擊測試中碎裂成多片分離的子像素電極142,則 子像素電極142仍可通過導(dǎo)通圖案120電性連接至主動元件T的漏極D，而使像素電極140 不致失效。換言之，通過導(dǎo)通圖案120及多個第一接觸窗132,像素結(jié)構(gòu)100可增加像素電 極140與主動元件T間的導(dǎo)通點122的面積，進(jìn)而降低像素電極140在沖擊測試中失效的 機(jī)率。
[0043] 第一絕緣層130的這些第一接觸窗132分別暴露出導(dǎo)通圖案120的多個導(dǎo)通點 122。在本實施例中，這些導(dǎo)通點122可分散地設(shè)置。舉例而言，如圖1所示，這些導(dǎo)通點 122可分散地位于像素電極140的周邊。分散配置的多個導(dǎo)通點122可增加碎裂成多片的 子像素電極142仍與主動元件T電性連接的機(jī)率，而更進(jìn)一步地提高像素結(jié)構(gòu)100通過沖 擊測試的機(jī)率。
[0044] 請繼續(xù)參照圖1及圖2,本實施例的像素結(jié)構(gòu)100更包括輔助電極160。在本實施 例中，輔助電極160可為反射性及延展性佳的導(dǎo)電材質(zhì)，例如金屬。輔助電極160配置于可 撓性基板110與導(dǎo)通圖案120之間，且電性連接至導(dǎo)通圖案120。具體而言，像素結(jié)構(gòu)100 更包括配置于輔助電極160與導(dǎo)通圖案120之間的第二絕緣層170。第三絕緣層150配置 于導(dǎo)通圖案120與第二絕緣層170之間。第二絕緣層170具有第二接觸窗172。第二接觸 窗172與第三絕緣層150的第三接觸窗154相通。導(dǎo)通圖案120填入第二接觸窗172以及 第三接觸窗154而電性連接至輔助電極160。
[0045] 本實施例的像素結(jié)構(gòu)100更包括電容電極180。電容電極180配置于可撓性基板 110與像素電極140之間。輔助電極160配置于可撓性基板110與電容電極180之間，且電 容電極180電性連接至參考電位。在本實施例中，電容電極180與像素電極140沒有實體上 連接而彼此耦合。此外，電容電極180與輔助電極160也沒有實體上連接而彼此耦合。在 本實施例中，電容電極180耦合于像素電極140與輔助電極160的設(shè)計構(gòu)成了儲存電容結(jié) 構(gòu)。電容電極180重疊于像素電極140與輔助電極160的面積可決定儲存電容值的大小。 具體而言，電容電極180與輔助電極160及像素電極140可大部份重疊，借以提高儲存電容 值的大小而維持像素結(jié)構(gòu)100的顯示穩(wěn)定性。
[0046] 在本實施例中，為了適度地分散導(dǎo)通點122的位置并使像素結(jié)構(gòu)100的儲存電容 值不致于過大，導(dǎo)通圖案120可設(shè)計為適當(dāng)?shù)膱D樣，且與像素電極140、電容電極180及輔助 電極160保持適當(dāng)?shù)南鄬ξ恢?。舉例而言，導(dǎo)通圖案120可為環(huán)繞像素電極140的環(huán)狀圖 案。沿著垂直于可撓性基板110的方向看去（即垂直于圖1紙面的方向，亦即圖2所示的 厚度方向K)，此環(huán)狀圖案可與像素電極140的周邊重疊。電容電極180可劃分為與輔助電 極160重疊的電極部182以及由電極部182向外延伸的連接部184。導(dǎo)通圖案120可跨越 連接部184并包圍電極部182，且導(dǎo)通圖案120與電極部182可不重疊。
[0047] 從另一角度來說，本實施例的像素結(jié)構(gòu)100更包括與主動元件T的源極S連接的 資料線DL以及與主動元件T的柵極G連接的掃描線SL。沿著垂直于可撓性基板110的方 向看去，導(dǎo)通圖案120可位于電容電極180與資料線DL以及掃描線SL之間。在此配置下， 導(dǎo)通圖案120與電容電極180重疊面積便不會過大，而使像素結(jié)構(gòu)100的儲存電容值可被 控制在適當(dāng)范圍內(nèi)，且導(dǎo)通點122的位置亦可適度地被分散。
[0048] 需說明的是，導(dǎo)通圖案120的圖樣以及導(dǎo)通圖案120與像素電極140、電容電極 180及輔助電極160的相對位置并不限于圖1及圖2中所示。設(shè)計者可根據(jù)像素結(jié)構(gòu)100 實際的需求變化之。以下以圖2及圖3舉例說明。圖3為本發(fā)明另一實施例的像素結(jié)構(gòu)的 俯視示意圖。在圖3中，除導(dǎo)通圖案120A之外的元件與圖1的對應(yīng)元件相同，故采用相同 的標(biāo)號。在圖3中，導(dǎo)通圖案120A大致上可為位于像素電極140周邊的U型圖案。此U型 圖案的兩邊的長度可相同或不相同。圖4為本發(fā)明又一實施例的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。 在圖4中，除導(dǎo)通圖案120B之外的元件與圖1的對應(yīng)元件相同，故采用相同的標(biāo)號。在圖 4中，導(dǎo)通圖案120B大致上可為位于像素電極140周邊的L型圖案。
[0049] 為了更清楚地表示各膜層的圖案，圖5至圖12為圖1的像素結(jié)構(gòu)中各膜層的俯視 示意圖。請參照圖1、圖2與圖5，第一金屬層Ml位于第二絕緣層170與可撓性基板110之 間。第一金屬層Ml包括有掃描線SL、柵極G與輔助電極160。掃描線SL與柵極G彼此實 體連接而電性連接在一起。另外，輔助電極160不與掃描線SL實體連接也不與柵極G實體 連接。因此，輔助電極160電性絕緣于掃描線SL與柵極G。
[0050] 請同時參照圖1、圖2與圖6，第二絕緣層170實質(zhì)上覆蓋住第一金屬層M1，并具 有第二接觸窗172，其中第二接觸窗172暴露出輔助電極160。請同時參照圖1、圖2與圖 7，溝道層具有溝道AM，其中溝道AM覆蓋部份的柵極G。請同時參照圖1、圖2與圖8，第二 金屬層M2位于第三絕緣層150與第二絕緣層170之間。第二金屬層M2包括有資料線DL、 源極S、漏極D與電容電極180。源極S實體連接于資料線DL。在此，源極S與漏極D為彼 此分離的兩個導(dǎo)體圖案。在圖2中，源極S與漏極D對應(yīng)地連接于位在柵極G上方的溝道 AM。電容電極180沒有實體連接資料線DL、源極S與漏極D，而電性絕緣于資料線DL、源極 S與漏極D。在本實施例中，電容電極180與漏極D相隔距離d使得第二絕緣層170中的第 二接觸窗172位在距離d所定義的區(qū)域當(dāng)中。如此，輔助電極160有一部份的面積不與電 容電極180重疊而被第二接觸窗172暴露出來。
[0051] 請同時參照圖1、圖2與圖9,第三絕緣層150具有第三接觸窗152與第三接觸窗 154。第三接觸窗152的位置對應(yīng)于第二金屬層M2中的漏極D。第三接觸窗154則對應(yīng)于 第二絕緣層170的第二接觸窗172。因此，第三接觸窗154與第二接觸窗172共同地暴露出 輔助電極160。請同時參照圖1、圖2與圖10,第三金屬層M3包括導(dǎo)通圖案120。在本實施 例中，導(dǎo)通圖案120覆蓋輔助電極160的部份邊緣以及電容電極180的連接部184,并包圍 且暴露出電容電極180的電極部182。請同時參照圖1、圖2與圖11，第一絕緣層130具有 多個第一接觸窗132。第一接觸窗132暴露出導(dǎo)通圖案120的多個導(dǎo)通點122。請同時參 照圖1、圖2與圖12,像素電極140填入多個第一接觸窗132而與導(dǎo)通圖案120的多個導(dǎo)通 點122接觸。
[0052] 綜上所述，在本發(fā)明的實施例的像素結(jié)構(gòu)中，像素電極通過多個接觸窗而電性連 接至導(dǎo)通圖案，又導(dǎo)通圖案電性連接至主動元件。因此，即便像素電極在沖擊測試中碎裂成 多片分離的子像素電極，這些子像素電極仍可通過對應(yīng)的接觸窗連接至導(dǎo)通圖案，進(jìn)而與 主動元件電性連接。如此一來，即使像素電極在沖擊測試中碎裂仍不易失效，進(jìn)而提升像素 結(jié)構(gòu)通過沖擊測試的機(jī)率。
[0053] 以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖 然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更 動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的 技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案 的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于包括： 可撓性基板； 主動元件，配置于該可撓性基板上，并包括柵極、溝道、源極與漏極，該源極與該漏極連 接于該溝道并彼此分離，而該溝道與該柵極在厚度方向上堆疊設(shè)置； 導(dǎo)通圖案，該主動元件配置于該導(dǎo)通圖案與該可撓性基板之間，且該導(dǎo)通圖案電性連 接至該主動元件的該漏極； 第一絕緣層，覆蓋該導(dǎo)通圖案，并具有彼此分離且暴露出該導(dǎo)通圖案的多個第一接觸 窗；以及 像素電極，該第一絕緣層配置于該像素電極與該導(dǎo)通圖案之間，其中該像素電極通過 所述第一接觸窗而電性連接至該導(dǎo)通圖案。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第一絕緣層的所述第一接觸窗分 別暴露出該導(dǎo)通圖案的多個導(dǎo)通點，而所述導(dǎo)通點分散地設(shè)置。
3. 如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述導(dǎo)通點分散地位于該像素電極 的周邊。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該導(dǎo)通圖案位于該像素電極的周 邊。
5. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該導(dǎo)通圖案為環(huán)繞該像素電極的環(huán) 狀圖案。
6. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中沿著垂直于該可撓性基板的方向 看，該導(dǎo)通圖案與該像素電極的周邊重疊。
7. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：電容電極，配置于該可撓性基板 與該像素電極之間，且該電容電極電性連接至參考電位。
8. 如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：輔助電極，配置于該可撓性基板 與該電容電極之間，且該輔助電極電性連接至該導(dǎo)通圖案。
9. 如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：第二絕緣層以及第三絕緣層，該 第二絕緣層位于該輔助電極與該電容電極之間，而該第三絕緣層位于該電容電極與該導(dǎo)通 圖案之間。
10. 如權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第二絕緣層具有第二接觸窗，該 第三絕緣層具有兩個第三接觸窗，所述第三接觸窗的一個與該第二接觸窗相通，所述第三 接觸窗的另一個暴露出該主動元件的該漏極，該導(dǎo)通圖案填入該第二接觸窗以及所述第三 接觸窗的該一個而電性連接至該輔助電極，且該導(dǎo)通圖案填入所述第三接觸窗的該另一個 而電性連接至該主動元件的該漏極。
11. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括：資料線以及掃描線，且該資料 線與該源極連接，該掃描線與該柵極連接。
【文檔編號】H01L27/12GK104051470SQ201410006848
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年1月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月12日
【發(fā)明者】江明盛, 林懷正, 王志誠 申請人:元太科技工業(yè)股份有限公司