專利名稱：像素結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種像素結構，且特別是有關于一種像素結構中共享配線的設計。
背景技術：
現今社會多媒體技術相當發(fā)達，多半受惠于半導體組件與顯示裝置的進步。就顯示器而言，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示器(Thin film transistor liquid crystal display,TFT-LCD)已逐漸成為市場的主流。 一般而言，薄膜晶體管液晶顯示器是由一主動組件數組基板、一彩色濾光基板與夾于兩者之間的液晶層所構成。其中，主動組件數組基板會具有多個像素結構。
圖1是公知像素結構的上視圖。請參考圖l，公知像素結構IOO包括一基板110、一掃描線120、一數據線130、一共享配線140、一薄膜晶體管150與一像素電極160。其中，位于基板110上的薄膜晶體管150可與掃描線120與數據線130電性連接。實務上，開關訊號可以透過掃描線120的傳遞而將薄膜晶體管150開啟。在薄膜晶體管150開啟后，顯示訊號可以透過數據線130而傳遞至與薄膜晶體管150電性連接的像素電極160中。
值得注意的是，位于共享配線140旁的區(qū)域A很容易因研磨(Rubbing)不良而有漏光現象。詳言之，共享配線140會使覆蓋于其上方的膜層較為凸出，且共享配線140的延伸方向與配向制程的研磨方向R具有相當的差異。如此一來，當配向用的刷毛(未繪示)沿著研磨方向R進行研磨時，配向用的刷毛并不易有效地對區(qū)域A進行研磨，因此區(qū)域A很容易有研磨不良的問題。這會造成公知的像素結構IOO會產生漏光以及對比降低的問題，實有改進的必要。

發(fā)明內容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種像素結構，其可有效改善漏光問題且能具有良好的對比。 本發(fā)明提出一種像素結構，其包括一基板、一掃描線、一圖案化共享配線、一主動組件、一數據線、一保護層與一像素電極。掃描線、圖案化共享配線與主動組件皆配置于基板上。其中，主動組件具有一 向外延伸的絕緣層，以覆蓋掃描線與圖案化共享配線。此外，圖案化共享配線至少具有一第一側邊與一第二側邊。第一側邊的延伸方向與第二側邊的延伸方向夾一第一角度。另外，數據線配置于絕緣層上，且主動組件電性連接掃描線與數據線。本發(fā)明的保護層覆蓋主動組件。上述的像素電極配置于保護層上，且與主動組件電性連接。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的第一角度介于15度 60度之間。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的圖案化共享配線更包括二分支，分別連接于圖案化共享配線的兩端，以呈現出H形。 在本發(fā)明的一實施例中，上述的圖案化共享配線更包括一分支，此分支的一端連接至圖案化共享配線的一端，以呈現出反L形。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的掃描線具有一第三側邊與一第四側邊，第三側邊
的延伸方向與第四側邊的延伸方向夾一第二角度。 在本發(fā)明的一實施例中，上述的像素結構，其中第二角度介于度15 60度之間。
本發(fā)明圖案化共享配線的第一側邊與第二側邊的延伸方向會夾一第一角度。通過改變所形成的第一角度，以避免圖案化共享配線的延伸方向與研磨(Rubbing)方向差異過大，進而可改善配向不良的問題。此外，掃描線的第三側邊與第四側邊亦可形成一第二角度，以進一步改善配向不良的問題。因此，本發(fā)明的像素結構可有效改善因配向不良而產生的漏光現象，進而能有良好的對比。


圖1是公知像素結構的上視 圖2A是本發(fā)明第一實施例的像素結構示意 圖2B是圖2A中沿著I-I'剖面線的剖面示意 圖3是本發(fā)明第二實施例的像素結構示意 圖4是本發(fā)明第二實施例的像素結構示意圖。 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。
具體實施方式
第一實施例 圖2A是本發(fā)明第一實施例的像素結構示意圖，而圖2B是圖2A中沿著剖面線的剖面示意圖。為了圖式的簡明，圖2A中省略了保護層與絕緣層的繪示，而保護層與絕緣層可清楚見于圖2B中。請同時參考圖2A與圖2B，本發(fā)明像素結構200包括一基板210、一掃描線220、一數據線230、一圖案化共享配線240、一主動組件250、一保護層260與一像素電極270。詳言之，如圖2B所示的主動組件250可包括一柵極250g、一絕緣層252、一通道層250c、一奧姆接觸層250m、一源極250s與一漏極250d。柵極250g配置于基板210上，且此柵極250g可以是圖2A中掃描線220的一部分。當然，所屬技術領域中具有通常知識者應知柵極250g也可以是掃描線220向外凸出的部分所形成，在此僅舉例說明并不刻意局限。 此外，絕緣層252會覆蓋此柵極250g以及圖2A中配置于基板210上的掃描線220與圖案化共享配線240。為了降低金屬材料與半導體材料之間的接觸阻抗，奧姆接觸層250m會配置于源極250s與通道層250c之間，以及漏極250d與通道層250c之間。這里要說明的是，圖2B所示的主動組件250為底柵極(Bottom gate)結構的薄膜晶體管，當然主動組件250也可以是雙載子晶體管或其它具有三端子的主動組件250，在此并不刻意限制。
此外，保護層260會覆蓋此主動組件250。其中，保護層260具有一接觸窗開口(Contact window) C。位于保護層260上的像素電極270可透過接觸窗開口 C，而與主動組件250的漏極250d電性連接。值得注意的是，圖案化共享配線240、像素電極270以及夾于兩者之間的膜層可構成一儲存電容Cst。實務上，開關訊號可以透過掃描線220的傳遞而將主動組件250開啟。在主動組件250開啟后，顯示訊號可依序透過數據線230、源極250s與漏極250d而傳遞至像素電極270中。此外，像素結構200可通過其儲存電容Cst的輔助， 而維持正常的顯示功能。 特別的是，如圖2A所示的圖案化共享配線240至少具有一第一側邊240a與一第 二側邊240b。第一側邊240a的延伸方向與第二側邊240b的延伸方向會夾一第一角度e 1。 在一實施例中，上述的第一角度9 1可介于15度 60度之間。如此一來，本發(fā)明可通過改 變第一角度9 1，便能有效縮小第二側邊240b的延伸方向與研磨方向R的差異，以使配向刷 毛(未繪示)能有效地對區(qū)域B進行配向。因此，圖案化共享配線240旁的區(qū)域B便不會 有因配向不良而產生的漏光現象，進而能使像素結構200能有良好的對比。在一實施例中， 第二側邊240b的延伸方向也可藉由調整第一角度ei，而與研磨方向R完全一致。為了進 一步改善配向不良的問題，本發(fā)明的掃描線220具有一第三側邊220a與一第四側邊220b。 第三側邊220a的延伸方向與第四側邊220b的延伸方向夾一第二角度9 2。在一實施例中， 此第二角度9 2可介于15度 60度之間。 值得一提的是，在開口率(Aperture ratio)不變的情況下，圖案化共享配線240 的面積可以藉由增加第一側邊240a與第二側邊240b之間的第一角度e 1而適當增加，而 掃描線220的面積可相對減小。如此一來，如圖2B所示的儲存電容值便能有效提升，進而 提高本發(fā)明像素結構200的顯示質量。
第二實施例 第二實施例與第一實施例類似，相同之處不再贅述。兩者主要不同之處在于圖案 化共享配線的布局(Layout)。圖3是本發(fā)明第二實施例的像素結構示意圖。請參考圖3， 本實施例的像素結構300中圖案化共享配線240更包括二分支242、244。分支242、244可 分別連接于圖案化共享配線240的兩端以呈現出H形，進而可有效提高像素結構300的儲 存電容。 第三實施例 圖4是本發(fā)明第二實施例的像素結構示意圖。請參考圖4，本實施例的像素結構 400至少包括一基板410、一掃描線420、一數據線430、一圖案化共享配線440、一主動組件 450與一像素電極470。其中，掃描線420與數據線430會與位于基板410上的主動組件 450電性連接，而主動組件450會透過接觸窗開口 C'而與像素電極270電性連接。
特別的是，圖案化共享配線440的布局也可如圖4所示。圖案化共享配線440至 少具有一第一側邊440a與一第二側邊440b，且第一側邊440a的延伸方向與第二側邊440b 的延伸方向會夾一第一角度9 1。在一實施例中，上述的第一角度9 1可介于15度 60度 之間。如此一來，通過改變第一角度ei，便能有效縮小第二側邊440b的延伸方向與研磨 方向R的差異，進而有效改善配向不良的問題。此外，圖案化共享配線440更可包括一分支 446。此分支446的一端連接于圖案化共享配線440的一端，以呈現出反L形。這同樣可提 高像素結構400的儲存電容。 綜上所述，本發(fā)明圖案化共享配線的第一側邊與第二側邊的延伸方向會夾第一角 度。藉由改變所形成的第一角度，以避免圖案化共享配線的延伸方向與研磨制程的方向差 異過大，進而改善配向不良的問題。此外，掃描線的第三側邊與第四側邊亦可形成第二角 度，以進一步改善配向不良的問題。本發(fā)明的像素結構可有效改善因配向不良而產生的漏 光現象，進而能有良好的對比。
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雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術 領域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，因此 本發(fā)明的保護范圍當視申請專利范圍所界定者為準。
權利要求
一種像素結構，包括一基板；一掃描線，配置于該基板上；一圖案化共享配線，配置于該基板上，其中該圖案化共享配線至少具有一第一側邊與一第二側邊，該第一側邊的延伸方向與該第二側邊的延伸方向夾一第一角度；一主動組件，配置于該基板上，且該主動組件具有一向外延伸的絕緣層，以覆蓋該掃描線與該圖案化共享配線；一數據線，配置于該絕緣層上，其中該主動組件電性連接該掃描線與該數據線；一保護層，覆蓋該主動組件；以及一像素電極，配置于該保護層上，且與該主動組件電性連接。
2. 如權利要求1所述的像素結構，其中該第一角度介于15度 60度之間。
3. 如權利要求1所述的像素結構，其中該圖案化共享配線更包括二分支，分別連接于 該圖案化共享配線的兩端，以呈現出H形。
4. 如權利要求1所述的像素結構，其中該圖案化共享配線更包括一分支，該分支的一 端連接至該圖案化共享配線的一端，以呈現出反L形。
5. 如權利要求1所述的像素結構，其中該掃描線具有一第三側邊與一第四側邊，該第 三側邊的延伸方向與該第四側邊的延伸方向夾一第二角度。
6. 如權利要求5所述的像素結構，其中該第二角度介于15度 60度之間。
全文摘要
一種像素結構包括一基板、一掃描線、一圖案化共享配線、一主動組件、一數據線、一保護層與一像素電極。掃描線、圖案化共享配線與主動組件配置于基板上。主動組件具有一向外延伸的絕緣層，以覆蓋掃描線與圖案化共享配線。此外，圖案化共享配線至少具有一第一側邊與一第二側邊。第一側邊的延伸方向與第二側邊的延伸方向夾一第一角度。另外，數據線配置于絕緣層上，且主動組件電性連接掃描線與數據線。本發(fā)明的保護層覆蓋主動組件。像素電極配置于保護層上，且與主動組件電性連接。
文檔編號H01L27/12GK101728400SQ20081020121
公開日2010年6月9日 申請日期2008年10月15日 優(yōu)先權日2008年10月15日
發(fā)明者何宣儀, 何建國 申請人:華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司