一種晶體硅太陽(yáng)電池背面電極結(jié)構(gòu)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種太陽(yáng)電池背面電極結(jié)構(gòu)，背面電極由兩條以上主柵線和網(wǎng)狀背場(chǎng)組成。這種結(jié)構(gòu)專(zhuān)門(mén)針對(duì)背鈍化電池進(jìn)行開(kāi)發(fā)，主柵線可以為連續(xù)或者分段，網(wǎng)狀背場(chǎng)縱橫交錯(cuò)，覆蓋背鈍化開(kāi)槽或開(kāi)孔處。該實(shí)用新型可以降低鋁漿成本，對(duì)改善鋁漿附著力也有很好的改善。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種晶體硅太陽(yáng)電池背面電極結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)電池電極設(shè)計(jì)，具體涉及一種晶體硅太陽(yáng)電池背面電極結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]根據(jù)市場(chǎng)的需求，高效電池受到光伏界的熱捧，尤其是效率提升顯著地背鈍化技術(shù)，更是成為新技術(shù)引進(jìn)的目標(biāo)之一。背鈍化技術(shù)要求在電池原有工藝上，印刷鋁背場(chǎng)之前鍍上一層三氧化二鋁(或氮化硅、二氧化硅等)，然后再用激光打孔或開(kāi)槽，最后印刷銀電極和鋁背場(chǎng)。鋁背場(chǎng)通過(guò)開(kāi)孔或開(kāi)槽處與基體硅接觸并燒結(jié)導(dǎo)出光生電流。目前的背鈍化電池制作方式背面印刷銀電極和全部鋁背場(chǎng)，此種方式會(huì)有兩個(gè)問(wèn)題:一個(gè)是鋁背場(chǎng)只和開(kāi)孔或開(kāi)槽接觸的部分對(duì)效率有貢獻(xiàn)，印刷在鍍膜上的鋁漿沒(méi)有作用，這樣就會(huì)浪費(fèi)過(guò)多的鋁漿，造成成本不必要的升高；另一個(gè)方面是鋁漿和鍍膜處接觸，因燒結(jié)困難會(huì)造成鋁漿脫落，從而影響到電池的質(zhì)量，對(duì)后續(xù)組件造成隱患。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的目的就是針對(duì)上述存在的缺陷而提供的一種晶體硅太陽(yáng)電池背面電極結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)在不影響電池轉(zhuǎn)換效率的前提下，通過(guò)更改背面鋁背場(chǎng)圖形設(shè)計(jì)不但降低了生產(chǎn)過(guò)程中輔材的成本，并且有效的減少了電池質(zhì)量降低的隱患。
[0004]本實(shí)用新型的一種晶體硅太陽(yáng)電池背面電極結(jié)構(gòu)技術(shù)方案為，在晶體硅太陽(yáng)電池背面設(shè)置有鈍化層，在鈍化層表面設(shè)置晶體硅太陽(yáng)電池背面電極，鈍化層上開(kāi)有孔或槽，晶體硅太陽(yáng)電池背面電極由主柵線和網(wǎng)狀背場(chǎng)組成，網(wǎng)狀背場(chǎng)包括與主柵線平行的平行線，以及與主柵線垂直的垂直線。
[0005]背面電極覆蓋的鈍化層上開(kāi)有穿透鈍化層的孔或槽。
[0006]主柵線由銀漿或銀鋁漿燒結(jié)而成，條數(shù)≥2條。
[0007]優(yōu)選的，主柵線條數(shù)為3條。
[0008]主柵線的最大寬度為4mm。
[0009]網(wǎng)狀背場(chǎng)由鋁漿燒結(jié)而成。
[0010]網(wǎng)狀背場(chǎng)的平行線最小寬度為1mm。
[0011]網(wǎng)狀背場(chǎng)的垂直線最小寬度為1mm。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果為，背面電極由兩條以上主柵線和網(wǎng)狀背場(chǎng)組成。這種結(jié)構(gòu)專(zhuān)門(mén)針對(duì)背鈍化電池進(jìn)行開(kāi)發(fā)，網(wǎng)狀背場(chǎng)縱橫交錯(cuò)，覆蓋背鈍化開(kāi)槽或開(kāi)孔處。該設(shè)計(jì)在不影響電池轉(zhuǎn)換效率的前提下，通過(guò)更改背面鋁背場(chǎng)圖形設(shè)計(jì)不但降低了生產(chǎn)過(guò)程中輔材的成本，并且減少了鋁漿和鍍膜處接觸面積，降低了因燒結(jié)困難造成鋁漿脫落的幾率，有效的減少了電池質(zhì)量降低的隱患。
[0013]【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】:
[0014]圖1是本發(fā)明的晶體硅太陽(yáng)電池背面電極結(jié)構(gòu)示意圖。[0015]圖中，1.網(wǎng)狀背場(chǎng)，2.主柵線，3.開(kāi)孔點(diǎn)。
[0016]【具體實(shí)施方式】:
[0017]為了更好地理解本實(shí)用新型，下面結(jié)合附圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，但是本發(fā)明并不局限于此。
[0018]實(shí)施例1
[0019]在印刷背場(chǎng)之前，在硅片背面鍍上一層三氧化二鋁(或氮化硅、二氧化硅等)作為鈍化層，然后再用激光在鈍化層上打孔或開(kāi)槽，最后印刷銀電極和鋁背場(chǎng)。
[0020]分布5*5 (如說(shuō)明書(shū)附圖圖1所示)個(gè)開(kāi)孔點(diǎn)3。設(shè)計(jì)背場(chǎng)網(wǎng)版時(shí)，根據(jù)激光打孔的位置，設(shè)計(jì)出如說(shuō)明書(shū)附圖圖1縱橫交錯(cuò)的網(wǎng)狀背場(chǎng)1，要求開(kāi)孔點(diǎn)3被網(wǎng)狀背場(chǎng)I覆蓋，這樣就能保證所有光生電流都可以通過(guò)網(wǎng)狀背場(chǎng)I導(dǎo)出。
[0021]主柵線2為3條，由銀漿燒結(jié)而成，與網(wǎng)狀背場(chǎng)I相交，網(wǎng)狀背場(chǎng)I包括與主柵線2平行的平行線2條，以及與主柵線2垂直的垂直線5條。
[0022]主柵線的寬度為2_。
[0023]網(wǎng)狀背場(chǎng)的平行線寬度為4mm。
[0024]網(wǎng)狀背場(chǎng)的垂直線寬度為4mm。
[0025]實(shí)施例2
[0026]在印刷背場(chǎng)之前，在硅片背面鍍上一層三氧化二鋁(或氮化硅、二氧化硅等)作為鈍化層，然后再用激光在鈍化層上打孔或開(kāi)槽，最后印刷銀電極和鋁背場(chǎng)。
[0027]分布6*6個(gè)開(kāi)孔點(diǎn)3。設(shè)計(jì)背場(chǎng)網(wǎng)版時(shí)，根據(jù)激光打孔的位置，設(shè)計(jì)出如說(shuō)明書(shū)附圖圖1縱橫交錯(cuò)的網(wǎng)狀背場(chǎng)1，要求開(kāi)孔點(diǎn)3被網(wǎng)狀背場(chǎng)I覆蓋，這樣就能保證所有光生電流都可以通過(guò)網(wǎng)狀背場(chǎng)I導(dǎo)出。
[0028]主柵線2為4條，由銀漿燒結(jié)而成，與網(wǎng)狀背場(chǎng)I相交，網(wǎng)狀背場(chǎng)I包括與主柵線2平行的平行線2條，以及與主柵線2垂直的垂直線6條。
[0029]主柵線的寬度為1.5_。
[0030]網(wǎng)狀背場(chǎng)的平行線寬度為2.5mm。
[0031]網(wǎng)狀背場(chǎng)的垂直線寬度為4mm。
[0032]實(shí)施例3
[0033]在印刷背場(chǎng)之前，在硅片背面鍍上一層三氧化二鋁(或氮化硅、二氧化硅等)作為鈍化層，然后再用激光在鈍化層上打孔或開(kāi)槽，最后印刷銀電極和鋁背場(chǎng)。
[0034]分布4*5個(gè)開(kāi)孔點(diǎn)3。設(shè)計(jì)背場(chǎng)網(wǎng)版時(shí)，根據(jù)激光打孔的位置，設(shè)計(jì)出如說(shuō)明書(shū)附圖圖1縱橫交錯(cuò)的網(wǎng)狀背場(chǎng)1，要求開(kāi)孔點(diǎn)3被網(wǎng)狀背場(chǎng)I覆蓋，這樣就能保證所有光生電流都可以通過(guò)網(wǎng)狀背場(chǎng)I導(dǎo)出。
[0035]主柵線2為2條，由銀漿燒結(jié)而成，與網(wǎng)狀背場(chǎng)I相交，網(wǎng)狀背場(chǎng)I包括與主柵線2平行的平行線2條，以及與主柵線2垂直的垂直線5條。
[0036]主柵線的寬度為1.5_。
[0037]網(wǎng)狀背場(chǎng)的平行線寬度為20mm。
[0038]網(wǎng)狀背場(chǎng)的垂直線寬度為20mm。
[0039]實(shí)施例4
[0040]在印刷背場(chǎng)之前，在硅片背面鍍上一層三氧化二鋁(或氮化硅、二氧化硅等)作為鈍化層，然后再用激光在鈍化層上打孔或開(kāi)槽，最后印刷銀電極和鋁背場(chǎng)。
[0041]分布4*4 (如說(shuō)明書(shū)附圖圖1所示)個(gè)開(kāi)孔點(diǎn)3。設(shè)計(jì)背場(chǎng)網(wǎng)版時(shí)，根據(jù)激光打孔的位置，設(shè)計(jì)出如說(shuō)明書(shū)附圖圖1縱橫交錯(cuò)的網(wǎng)狀背場(chǎng)1，要求開(kāi)孔點(diǎn)3被網(wǎng)狀背場(chǎng)I覆蓋，這樣就能保證所有光生電流都可以通過(guò)網(wǎng)狀背場(chǎng)I導(dǎo)出。
[0042]主柵線2為3條，由銀漿燒結(jié)而成，與網(wǎng)狀背場(chǎng)I相交，網(wǎng)狀背場(chǎng)I包括與主柵線2平行的平行線I條，以及與主柵線2垂直的垂直線4條。
[0043]主柵線的寬度為1.5_。
[0044]網(wǎng)狀背場(chǎng)的平行線寬度為12mm。
[0045]網(wǎng)狀背場(chǎng)的垂直線寬度為10mm。
【權(quán)利要求】
1.一種晶體硅太陽(yáng)電池背面電極結(jié)構(gòu)，在晶體硅太陽(yáng)電池背面設(shè)置有鈍化層，在鈍化層表面設(shè)置晶體硅太陽(yáng)電池背面電極，鈍化層上開(kāi)有孔或槽，其特征在于，晶體硅太陽(yáng)電池背面電極由主柵線和網(wǎng)狀背場(chǎng)組成，網(wǎng)狀背場(chǎng)包括與主柵線平行的平行線，以及與主柵線垂直的垂直線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽(yáng)電池背面電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，背面電極覆蓋的鈍化層上開(kāi)有穿透鈍化層的孔或槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽(yáng)電池背面電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，主柵線為銀漿或銀鋁漿，條數(shù)> 2條。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽(yáng)電池背面電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，主柵線條數(shù)為3條。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽(yáng)電池背面電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，主柵線的最大寬度為4mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽(yáng)電池背面電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，網(wǎng)狀背場(chǎng)為招衆(zhòng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽(yáng)電池背面電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，網(wǎng)狀背場(chǎng)的平行線最小寬度為1mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅太陽(yáng)電池背面電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，網(wǎng)狀背場(chǎng)的垂直線最小寬度為1_。
【文檔編號(hào)】H01L31/0224GK203491270SQ201320537009
【公開(kāi)日】2014年3月19日 申請(qǐng)日期:2013年8月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月31日
【發(fā)明者】李鋼, 徐振華, 楊曉君 申請(qǐng)人:山東力諾太陽(yáng)能電力股份有限公司