一種白光有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種白光有機電致發(fā)光器件及其制備方法，所述有機電致發(fā)光器件包括柔性基板，所述柔性基板包括相對設置的第一端面和第二端面；柔性基板上自第二端面向第一端面方向設置依次層疊的第一陽極、第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層、第一陰極和第一柔性蓋板，所述第一陽極包括依次層疊的第一半導體層、第一金屬層和第一空穴注入緩沖層；柔性基板上自第一端面向第二端面方向設置依次層疊的第二陽極、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層、第二陰極和第二柔性蓋板，所述第二陽極包括依次層疊的第二半導體層、第二金屬層和第二空穴注入緩沖層，本發(fā)明有機電致發(fā)光器件發(fā)光效率高。
【專利說明】一種白光有機電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領域，特別涉及一種白光有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術】
[0002]有機電致發(fā)光(Organic Light Emiss1n D1de,以下簡稱OLED),具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅動電壓低、全固化主動發(fā)光等特性，同時擁有高清晰、廣視角，以及響應速度快等優(yōu)勢，是一種極具潛力的顯示技術和光源，符合信息時代移動通信和信息顯示的發(fā)展趨勢，以及綠色照明技術的要求，是目前國內(nèi)外眾多研究者的關注重點。
[0003]現(xiàn)有技術的OLED大部分只能將光從陽極或者陰極的一側取出，制得底發(fā)射或頂發(fā)射OLED裝置。一些研究者發(fā)明的雙面發(fā)光顯示的OLED裝置，同時采用兩個OLED發(fā)光單元，通過粘合劑背靠背貼合在一起，這樣的結構變得比較復雜，整套裝置的制程也比較多，同時使OLED裝置的重量變重。采用柔性OLED發(fā)光裝置的優(yōu)點在于，其具有撓曲性和輕便性，但是OLED發(fā)光裝置也存在一些問題，例如導電陽極通常是ITO—類的氧化物薄膜，但是這些材料需要采用濺射工藝制備，其工藝過程對柔性基板如聚合物薄膜基板容易產(chǎn)生破壞，從而使基板表面變得不平整。此外，對于實現(xiàn)白光發(fā)射的OLED發(fā)光裝置而言，這種雙面發(fā)光的OLED意味著需要同時將多色發(fā)光層，如紅，藍，綠等發(fā)光材料進行合理配置，容易存在各個發(fā)光層之間能量轉移，使發(fā)光顏色不穩(wěn)定，難以控制均一度。
[0004]此外，對于雙面發(fā)光的OLED器件，如果能進一步優(yōu)化成穿透式的白光，不僅能實現(xiàn)照明和顯示，還能在裝置未通電使用時，作為一種透明件來使用，這樣極大的拓寬了該新型裝置的使用領域。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種白光有機電致發(fā)光器件，所述有機電致發(fā)光器件包括柔性基板，所述柔性基板包括相對設置的第一端面和第二端面；柔性基板上自第二端面向第一端面方向設置依次層疊的第一陽極、第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層、第一陰極和第一柔性蓋板，所述第一陽極包括依次層疊的第一半導體層、第一金屬層和第一空穴注入緩沖層；柔性基板上自第一端面向第二端面方向設置依次層疊的第二陽極、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層、第二陰極和第二柔性蓋板，所述第二陽極包括依次層疊的第二半導體層、第二金屬層和第二空穴注入緩沖層，本發(fā)明有機電致發(fā)光器件發(fā)光效率高；本發(fā)明還公開了該有機電致發(fā)光器件的制備方法，制備方法簡單。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了一種白光有機電致發(fā)光器件，包括:
[0007]柔性基板，所述柔性基板包括相對設置的第一端面和第二端面；
[0008]柔性基板上自第二端面向第一端面方向設置依次層疊的第一陽極、第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層、第一陰極和第一柔性蓋板，所述第一陽極包括依次層疊的第一半導體層、第一金屬層和第一空穴注入緩沖層，所述第一封裝蓋板和柔性基板形成第一封閉空間，所述第一陽極、第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層和第一陰極容置在所述第一封閉空間內(nèi)；
[0009]柔性基板上自第一端面向第二端面方向設置依次層疊的第二陽極、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層、第二陰極和第二柔性蓋板，所述第二陽極包括依次層疊的第二半導體層、第二金屬層和第二空穴注入緩沖層，所述第二封裝蓋板和柔性基板形成第二封閉空間，所述第二陽極、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層和第二陰極容置在所述第二封閉空間內(nèi)；
[0010]所述第一半導體層和第二半導體層材質均選自硫化鋅(ZnS)和硒化鋅(ZnSe)中的一種，所述第一金屬層和第二金屬層的材質均選自銀(Ag)、金(Au)、招(Al)和鎂(Mg)中的一種或多種，所述第一空穴注入緩沖層和第二空穴注入緩沖層材質均選自三氧化鎢(WO3)、三氧化鑰(MoO3)、五氧化二I凡(V2O5)和三氧化錸(ReO3)中的一種。
[0011]優(yōu)選地，所述藍光發(fā)光層的材質為熒光發(fā)光材料或摻雜有磷光材料的藍光主體材料，所述熒光發(fā)光材料為4，4' -二(2，2-二苯乙烯基)-1，I'-聯(lián)苯(DPVBi)或4，4'-雙[4-( 二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)，所述磷光材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)或雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6);所述藍光主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或4,4/ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP);所述磷光材料在藍光主體材料中的摻雜質量分數(shù)為2%?20%。
[0012]優(yōu)選地，所述紅光發(fā)光層的材質為摻雜有客體材料的紅光主體材料，所述客體材料為4-(二腈甲基)-2- 丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)_4H_吡喃(DCJTB)、(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ) 2 (acac))、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir (piq) 3)或雙(2-(苯并[b]噻吩-2-基)卩比唳)(乙酰丙酮)合銥Ir (btp) 2 (acac),所述紅光主體材料為8_輕基喹啉鋁(Alq3)、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯 _4，4' -二胺(NPB)或4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，所述客體材料在紅光主體材料中的摻雜質量分數(shù)為1%?10%。
[0013]優(yōu)選地,所述藍光發(fā)光層和紅光發(fā)光層的厚度均為5nm?20nm。
[0014]優(yōu)選地，所述第一柔性蓋板和柔性基板通過光固化粘合劑連接形成第一封閉空間，自所述光固化粘合劑向第一封閉空間設置有第一干燥劑層；所述第二柔性蓋板和柔性基板通過光固化粘合劑連接形成第二封閉空間，自所述光固化粘合劑向第二封閉空間設置有第二干燥劑層。
[0015]更優(yōu)選地，所述光固化粘合劑為光固化聚丙烯酸樹脂或光固化環(huán)氧樹脂。
[0016]更優(yōu)選地，所述柔性蓋板為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚碳酸酯(PC),所述柔性蓋板的厚度為0.1mm?0.5mm。
[0017]所選柔性蓋板選用的材料在可見光的透過率>80%，柔性蓋板的存在不會影響器件的出光。
[0018]更優(yōu)選地，所述第一干燥層和第二干燥層材質均選自金屬鈣或鋇的氧化物、沸石、具有長鏈碳化氫的金屬醇化物、硫酸鹽、鹵化物和高氯酸鹽中的一種或多種。
[0019]特別優(yōu)選地，所述第一干燥層和第二干燥層的材質為氧化鈣和氧化鋇中的一種或兩種。
[0020]在第一陰極上覆蓋第一柔性蓋板，在第二陰極上覆蓋第二柔性蓋板，可以防止水、氧對有機電致發(fā)光器件的腐蝕，提高器件的使用壽命。第一干燥層和第二干燥層的存在可以防止水氧從器件的邊緣滲透進入器件內(nèi)部，且第一干燥層和第二干燥層設在器件藍光發(fā)光層和紅光發(fā)光層出光方向的水平方向，不會影響兩面發(fā)光或頂發(fā)射的有機電致發(fā)光器件的發(fā)光。
[0021]優(yōu)選地，所述柔性基板為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚碳酸酯(PC)，所述柔性基板的厚度為0.1?0.5mm。
[0022]所選柔性基板選用的材料在可見光的透過率>80%，有機電致發(fā)光器件中間的柔性基板為透明柔性材質，使紅光發(fā)光層和藍光發(fā)光層的發(fā)射光都能穿透中間基板，然后混合，形成白光發(fā)射，發(fā)光效率高。
[0023]優(yōu)選地,所述第一半導體層和第二半導體層的厚度均為40nm?80nm,所述第一金屬層和第二金屬層的厚度均為8nm?20nm，所述第一空穴注入緩沖層和第二空穴注入緩沖層的厚度均為3nm?7nm。
[0024]優(yōu)選地，所述第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層的材質均選自4，4'，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(21嫩了々)、隊^ - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4，4' - 二胺(NPB)、4，4'，4 "-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N，N ' - 二苯基-N，N ' -二(3-甲基苯基)-1，I '-聯(lián)苯-4，4 ' -二胺(TPD)和4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)中的一種，所述第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層的厚度為1nm?60nm。
[0025]優(yōu)選地，所述第一電子傳輸層和第二電子傳輸層的材質均選自2- (4-聯(lián)苯基)-5-( 4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、4，7- 二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)和3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)中的一種，所述第一電子傳輸層和第二電子傳輸層的厚度均為20nm?60nm。
[0026]優(yōu)選地，所述第一電子注入層和第二電子注入層的材質均選自氟化鋰(LiF)和氟化銫(CsF)中的一種,所述第一電子注入層和第二電子注入層的厚度均為0.5nm?lnm。
[0027]優(yōu)選地，所述第一陰極和第二陰極的材質均選自銀(Ag)、鋁(Al)、釤(Sm)和金(Au)中的一種，厚度為18nm?30nm。
[0028]本發(fā)明所述第一陽極包括依次層疊的第一半導體層、第一金屬層和第一空穴注入緩沖層，所述第二陽極包括依次層疊的第二半導體層、第二金屬層和第二空穴注入緩沖層，第一半導體層和第二半導體層在可見光范圍內(nèi)具有較高的透過率，且其折射率較高，在第一半導體層和第二半導體層的上下界面，可以產(chǎn)生界面的光線干涉相消作用，從而提高光線在半導體層中的透過率；第一金屬層和第二金屬層材質為金屬單質及其合金，主要起導電作用；第一空穴注入緩沖層和第二空穴注入緩沖層材質為功函較高的金屬氧化物，可以提聞空穴的注入能力。
[0029]有機電致發(fā)光器件中間的柔性基板為透明柔性材質，使藍光發(fā)光層和紅光發(fā)光層的發(fā)射光都能穿透中間基板，然后混合，形成白光發(fā)射，不存在多個發(fā)光層之間能量轉移的問題，發(fā)光顏色穩(wěn)定，發(fā)光效率高。同時，本發(fā)明每層的材質都屬于透明材料，因此在不通電的時候，其呈現(xiàn)透明的狀態(tài)，還可以作為透明件來使用。
[0030]另一方面，本發(fā)明提供了一種白光有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0031](I)提供清洗干凈的柔性基板；所述柔性基板包括相對設置的第一端面和第二端面；
[0032](2)在柔性基板上自第二端面向第一端面方向真空蒸鍍第一陽極、第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層和第一陰極，所述第一陽極包括依次層疊的第一半導體層、第一金屬層和第一空穴注入緩沖層；然后在第一陰極上覆蓋第一柔性蓋板，所述第一柔性蓋板和柔性基板第一端面通過粘合劑連接形成第一封閉空間，所述第一陽極、第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層和第一陰極容置在所述第一封閉空間內(nèi)；
[0033]在柔性基板上自第一端面向第二端面方向真空蒸鍍第二陽極、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層和第二陰極，所述第二陽極包括依次層疊的第二半導體層、第二金屬層和第二空穴注入緩沖層；然后在第二陰極上覆蓋第二柔性蓋板，所述第二柔性蓋板和柔性基板第二端面通過粘合劑連接形成第二封閉空間內(nèi)；所述第二陽極、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層和第二陰極容置在所述第二封閉空間內(nèi)；
[0034]所述第一半導體層和第二半導體層材質均選自硫化鋅(ZnS)和硒化鋅(ZnSe)中的一種，所述第一金屬層和第二金屬層的材質均選自銀(Ag)、金(Au)、招(Al)和鎂(Mg)中的一種或多種，所述第一空穴注入緩沖層和第二空穴注入緩沖層材質均選自三氧化鎢(WO3)、三氧化鑰(MoO3)、五氧化二I凡(V2O5)和三氧化錸(ReO3)中的一種；
[0035]其中，所述真空蒸鍍均在真空度為I X 10_5Pa?I X 10_3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中進行；
[0036]所述第一金屬層、第二金屬層、第一陰極和第二陰極的蒸鍍速率均為0.2nm/s?2nm/s ;
[0037]所述第一空穴傳輸層、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第二電子傳輸層的蒸鍍速率為0.0 lnm/s?lnm/s ；
[0038]所述第一半導體層、第二半導體層、第一空穴注入緩沖層和第二空穴注入緩沖層、第一電子注入層和第二電子注入層的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0039]優(yōu)選地，所述藍光發(fā)光層的材質為熒光發(fā)光材料或摻雜有磷光材料的藍光主體材料，所述熒光發(fā)光材料為4，4' -二(2，2-二苯乙烯基)-1，I'-聯(lián)苯(DPVBi)或4，4'-雙[4-( 二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)，所述磷光材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)或雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6);所述藍光主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(IPBi)或4,4/ -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP);所述磷光材料在藍光主體材料中的摻雜質量分數(shù)為2%?20%。
[0040]優(yōu)選地，所述紅光發(fā)光層的材質為摻雜有客體材料的紅光主體材料，所述客體材料為4-(二腈甲基)-2- 丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)_4H_吡喃(DCJTB)、(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ) 2 (acac))、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir (piq) 3)或雙(2-(苯并[b]噻吩-2-基)卩比唳)(乙酰丙酮)合銥Ir (btp) 2 (acac),所述紅光主體材料為8_輕基喹啉鋁(Alq3)、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯 _4，4' -二胺(NPB)或4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)，所述客體材料在紅光主體材料中的摻雜質量分數(shù)為1%?10%。
[0041 ] 本發(fā)明白光有機電致發(fā)光器件在制備過程中，可以在柔性基板自第二端面向第一端面方向依次真空蒸鍍第一陽極、第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層和第一陰極，然后在柔性基板自第一端面向第二端面方向依次真空蒸鍍第二陽極、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層和第二陰極；可以在制備第一空穴傳輸層以后，調轉基板180度，制備第二空穴傳輸層，依此類推，通過多次調轉基板方向，同時制備同一類型材料的層狀結構，也可以自由選擇調轉基板方向的時間，制備過程自由度高。
[0042]優(yōu)選地，步驟(2)為:
[0043]在柔性基板上自第二端面向第一端面方向真空蒸鍍第一陽極、第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層和第一陰極，然后在第一陰極上覆蓋第一柔性蓋板，所述第一柔性蓋板和柔性基板第一端面通過粘合劑連接形成第一封閉空間；調轉柔性基板平面180度，然后在柔性基板上自第一端面向第二端面方向真空蒸鍍第二陽極、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層和第二陰極，然后在第二陰極上覆蓋第二柔性蓋板，所述第二柔性蓋板和柔性基板第二端面通過粘合劑連接形成第二封閉空間，得到所述的白光有機電致發(fā)光器件。
[0044]優(yōu)選地，步驟(2)為:
[0045]在柔性基板上自第二端面向第一端面方向真空蒸鍍第一陽極，在柔性基板上自第一端面向第二端面方向真空蒸鍍第二陽極，在第一陽極上真空蒸鍍第一空穴傳輸層，調轉基板平面180度，在第二陽極上真空蒸鍍第二空穴傳輸層；在的第二空穴傳輸層上真空蒸鍍藍光發(fā)光層，然后調轉基板平面180度,在第一空穴傳輸層上真空蒸鍍紅光發(fā)光層,在紅光發(fā)光層上真空蒸鍍第一電子傳輸層，然后調轉基板平面180度,在藍光發(fā)光層真空蒸鍍第二電子傳輸層，在第二電子傳輸層上真空蒸鍍第二電子注入層，在第二電子注入層上真空蒸鍍第二陰極，然后調轉基板平面180度，在第一電子傳輸層上真空蒸鍍第一電子注入層，在第一電子注入層上真空蒸鍍第一陰極；在第二陰極上覆蓋第二柔性蓋板，所述第二柔性蓋板和柔性基板第二端面通過粘合劑連接形成第二封閉空間，在第一陰極上覆蓋第一柔性基板，所述第一柔性蓋板和柔性基板第一端面通過粘合劑連接形成第一封閉空間，得到所述的白光有機電致發(fā)光器件。
[0046]優(yōu)選地,所述藍光發(fā)光層和紅光發(fā)光層的厚度均為5nm?20nm。
[0047]優(yōu)選地，所述第一柔性蓋板和柔性基板通過光固化粘合劑連接形成第一封閉空間，自所述光固化粘合劑向第一封閉空間設置有第一干燥劑層；所述第二柔性蓋板和柔性基板通過光固化粘合劑連接形成第二封閉空間，自所述光固化粘合劑向第二封閉空間設置有第二干燥劑層。
[0048]更優(yōu)選地，所述第一柔性蓋板和第二柔性蓋板均選自聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚碳酸酯(PC)中的一種，所述柔性蓋板的厚度為0.1mm?0.5mm。
[0049]所選柔性蓋板選用的材料在可見光的透過率>80%，柔性蓋板的存在不會影響器件的出光。
[0050]更優(yōu)選地，所述第一干燥層和第二干燥層材質均選自金屬鈣或鋇的氧化物、沸石、具有長鏈碳化氫的金屬醇化物、硫酸鹽、鹵化物和高氯酸鹽中的一種或多種。
[0051]特別優(yōu)選地，所述第一干燥層和第二干燥層的材質為氧化鈣和氧化鋇中的一種或兩種。
[0052]在第一陰極上覆蓋第一柔性蓋板，在第二陰極上覆蓋第二柔性蓋板，可以防止水氧對有機電致發(fā)光器件的腐蝕，提高器件的使用壽命。第一干燥層和第二干燥層的存在可以防止水氧從器件的邊緣滲透進入器件內(nèi)部，且第一干燥層和第二干燥層設在器件器件藍光發(fā)光層和紅光發(fā)光層出光方向的水平方向，不會影響兩面發(fā)光或頂發(fā)射的有機電致發(fā)光器件的發(fā)光。
[0053]優(yōu)選地，所述柔性基板為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚碳酸酯(PC)，柔性蓋板的厚度為0.1mm?0.5mm。
[0054]優(yōu)選地，所述清洗干凈是將柔性基板放在含有洗滌劑的去離子水中進行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣吹干。
[0055]所選柔性基板選用的材料在可見光的透過率>80%，有機電致發(fā)光器件中間的柔性基板為透明柔性材質，使紅光發(fā)光層和藍光發(fā)光層的發(fā)射光都能穿透中間基板，然后混合，形成白光發(fā)射，發(fā)光效率高。
[0056]優(yōu)選地，所述第一半導體層和第二半導體層的厚度均為40nm?80nm,所述第一金屬層和第二金屬層的厚度均為8nm?20nm，所述第一空穴注入緩沖層和第二空穴注入緩沖層的厚度均為3nm?7nm。
[0057]優(yōu)選地，所述第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層的材質均選自4，4'，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(21嫩了々)、隊^ - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4，4' - 二胺(NPB)、4，4'，4 "-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N，N ' - 二苯基-N，N ' -二(3-甲基苯基)-1，I '-聯(lián)苯-4，4 ' -二胺(TPD)和4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)中的一種，所述第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層的厚度為10?60nm。
[0058]優(yōu)選地，所述第一電子傳輸層和第二電子傳輸層的材質均選自2- (4-聯(lián)苯基)-5-( 4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑(PBD)、4，7- 二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2，9- 二甲基_4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)和3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)中的一種，所述第一電子傳輸層和第二電子傳輸層的厚度均為20nm?60nm。
[0059]優(yōu)選地，所述第一電子注入層和第二電子注入層的材質均選自氟化鋰(LiF)和氟化銫(CsF)中的一種,所述第一電子注入層和第二電子注入層的厚度均為0.5nm?lnm。
[0060]優(yōu)選地，所述第一陰極和第二陰極的材質均選自銀(Ag)、鋁(Al)、釤(Sm)和金(Au)中的一種，厚度為18nm?30nm。
[0061]本發(fā)明所述第一陽極包括依次層疊的第一半導體層、第一金屬層和第一空穴注入緩沖層，所述第二陽極包括依次層疊的第二半導體層、第二金屬層和第二空穴注入緩沖層，第一半導體層和第二半導體層在可見光范圍內(nèi)具有較高的透過率，且其折射率較高，在第一半導體層和第二半導體層的上下界面，可以產(chǎn)生界面的光線干涉相消作用，從而提高光線在半導體層中的透過率；第一金屬層和第二金屬層材質為金屬單質及其合金，主要起導電作用；第一空穴注入緩沖層和第二空穴注入緩沖層材質為功函較高的金屬氧化物，可以提聞空穴的注入能力。
[0062]同時，本發(fā)明第一陽極和第二陽極采用真空蒸鍍的方法制備，與濺射制備的ITO薄膜相比，本發(fā)明制備方法簡單，制備時對基板破壞小，非常適合制備在柔性基板上。此外，現(xiàn)有技術中ITO薄膜的熱膨脹系數(shù)與基板相差較大，與基板結合不夠牢固。本發(fā)明陽極與柔性基板的熱膨脹系數(shù)相差較小，可以和基板牢固結合。
[0063]有機電致發(fā)光器件中間的柔性基板為透明柔性材質，使藍發(fā)光層和紅光發(fā)光層的發(fā)射光都能穿透中間基板，然后混合，形成白光發(fā)射，不存在多個發(fā)光層之間能量轉移的問題，發(fā)光顏色穩(wěn)定，發(fā)光效率高。同時，本發(fā)明每層的材質都屬于透明材料，因此在不通電的時候，其呈現(xiàn)透明的狀態(tài)，還可以作為透明件來使用。
[0064]實施本發(fā)明實施例，具有以下有益效果:
[0065](I)第一陽極和第二陽極采用真空蒸鍍的方法制備，方法簡單且制備時對基板破壞??；
[0066](2)白光有機電致發(fā)光器件發(fā)光顏色穩(wěn)定,不存在多個發(fā)光層之間能量轉移的問題，均一度好；
[0067](3)器件在不通電的時候，呈現(xiàn)透明的狀態(tài)，可以作為透明件來使用，極大地拓寬了該器件的使用領域。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0068]為了更清楚地說明本發(fā)明的技術方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0069]圖1是本發(fā)明白光有機電致發(fā)光器件的結構示意圖；
[0070]圖2是本發(fā)明白光有機電致發(fā)光器件的第一陽極的結構示意圖；
[0071]圖3是本發(fā)明白光有機電致發(fā)光器件的第二陽極的結構示意圖；
[0072]圖4是本發(fā)明實施例1?4制備器件的撓曲性能圖。

【具體實施方式】
[0073]下面將結合本發(fā)明實施方式中的附圖，對本發(fā)明實施方式中的技術方案進行清楚、完整地描述。
[0074]實施例1
[0075]—種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0076](I)提供厚度為0.1mm的PET基板，將柔性基板放在含有洗滌劑的去離子水中進行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣吹干；柔性基板包括相對設置的第一端面和第二端面；
[0077](2)在真空度為5X10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，柔性基板上自第二端面向第一端面方向真空蒸鍍第一陽極，第一陽極包括依次層疊的第一半導體層、第一金屬層和第一空穴注入緩沖層，柔性基板上自第一端面向第二端面方向真空蒸鍍第二陽極；第二陽極包括依次層疊的第二半導體層、第二金屬層和第二空穴注入緩沖層，第一半導體層和第二半導體層的材質均為ZnS,厚度為60nm,第一金屬層和第二金屬層的材質均為Ag,厚度為1nm,第一空穴注入緩沖層和第二空穴注入緩沖層的材質均為ReO3，厚度為3nm ；
[0078]在第一陽極上真空蒸鍍第一空穴傳輸層，調轉基板平面180度，在第二空穴注入層上真空蒸鍍第二空穴傳輸層；第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層的材質均為NPB，厚度為30nm ;在第二空穴傳輸層上真空蒸鍍藍光發(fā)光層,藍光發(fā)光層的材質為摻雜有FIrpic的TPBi，F(xiàn)Irpic在TPBi中的摻雜質量分數(shù)為10%，藍光發(fā)光層厚度為20nm ;然后調轉基板平面180度,在第一空穴傳輸層上真空蒸鍍紅光發(fā)光層,紅光發(fā)光層的材質為摻雜有DCJTB的Alq3, DCJTB在Alq3中的摻雜質量分數(shù)為1%，紅光發(fā)光層厚度為1nm ;在紅光發(fā)光層上真空蒸鍍第一電子傳輸層，然后調轉基板平面180度，在藍光發(fā)光層真空蒸鍍第二電子傳輸層，第一電子傳輸層和第二電子傳輸層的材質為Bphen,厚度為30nm,在第二電子傳輸層上依次真空蒸鍍第二電子注入層和第二陰極，然后調轉基板平面180度，在第一電子傳輸層上依次真空蒸鍍第一電子注入層和第一陰極；第一電子注入層和第二電子注入層的材質均為LiF,厚度均為0.5nm,第一陰極和第二陰極的材質均為Ag,厚度均為30nm ；
[0079]其中，第一金屬層、第二金屬層、第一陰極和第二陰極的蒸鍍速率均為0.2nm/s ；
[0080]第一空穴傳輸層、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第二電子傳輸層的蒸鍍蒸鍍速率均為0.0 lnm/s ；
[0081]所述第一半導體層、第二半導體層、第一空穴注入緩沖層和第二空穴注入緩沖層、第一電子注入層和第二電子注入層的蒸鍍速率為0.lnm/s ；
[0082]然后在第一陰極上覆蓋第一柔性蓋板，第一柔性蓋板材質為PET，第一柔性蓋板和柔性基板第一端面通過光固化聚丙烯酸樹脂連接形成第一封閉空間，第一陽極、第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層和第一陰極容置在所述第一封閉空間內(nèi)；自光固化聚丙烯酸樹脂向第一封閉空間設置有第一干燥劑層；第一干燥劑層材質為氧化鋇；
[0083]在第二陰極上覆蓋第二柔性蓋板，第二柔性蓋板材質為PET，第二柔性蓋板和柔性基板第二端面通過光固化聚丙烯酸樹脂連接形成第二封閉空間，第二陽極、第二空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層和第二陰極容置在第二封閉空間內(nèi)；自光固化聚丙烯酸樹脂向第二封閉空間設置有第二干燥劑層；第二干燥劑層材質為氧化鈣。
[0084]圖1為本實施例制備的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖，本實施例制備的有機電致發(fā)光器件，包括柔性基板1，柔性基板I上自第二端面向第一端面方向設置依次層疊的第一陽極2、第一空穴傳輸層3、紅光發(fā)光層4、第一電子傳輸層5和第一電子注入層6、第一陰極7和第一柔性蓋板8，第一柔性蓋板8和柔性基板I第一端面通過粘合劑9連接形成第一封閉空間，第一陽極2、第一空穴傳輸層3、紅光發(fā)光層4、第一電子傳輸層5和第一電子注入層6和第一陰極7容置在第一封閉空間內(nèi)；自粘合劑9向第一封閉空間設置有第一干燥劑層10 ；
[0085]柔性基板上自第一端面向第二端面方向設置依次層疊的第二陽極11、第二空穴傳輸層12、藍光發(fā)光層13、第二電子傳輸層14和第二電子注入層15、第二陰極16和第二柔性蓋板17，第二柔性蓋板17和柔性基板I第二端面通過粘合劑9連接形成第二封閉空間，第二陽極11、第二空穴傳輸層12、藍光發(fā)光層13、第二電子傳輸層14、第二電子注入層15和第二陰極16容置在第二封閉空間內(nèi)；自粘合劑9向第二封閉空間設置有第二干燥劑層18。
[0086]圖2為本實施例制備的有機電致發(fā)光器件中第一陽極的結構示意圖，第一陽極2包括依次層疊的第一半導體層21、第一金屬層22和第一空穴注入緩沖層23。
[0087]圖3為本實施例制備的有機電致發(fā)光器件中第二陽極的結構示意圖，所述第二陽極11包括依次層疊的第二半導體層111、第二金屬層112和第二空穴注入緩沖層113。
[0088]本實施例制備的有機電致發(fā)光器件的結構為:第二柔性蓋板/第二陰極/第二電子注入層/第二電子傳輸層/藍光發(fā)光層/第二空穴傳輸層/第二陽極/柔性基板/第一陽極/第一空穴傳輸層/紅光發(fā)光層/第一電子傳輸層/第一電子注入層/第二陰極/第二柔性蓋板，表示為:
[0089]PET/Ag (30nm) /LiF (0.5nm) /Bphen (30nm) /FIrpic: TPBi (20nm) /NPB (30nm) /ReO3(3nm) /Ag (1nm)/ZnS (60nm) /PET/ZnS (60nm) /Ag (1nm)/ReO3 (3nm) /NPB (30nm) /DCJTB:Alq3(1nm)/Bphen(30nm)//LiF(0.5nm)/Ag (30nm)/PET ;其中，斜杠“/”表示層狀結構，F(xiàn)Irpic:TPBi和DCJTB:Alq3中的冒號“:”表示混合，下同。
[0090]實施例2
[0091]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0092](I)提供厚度為0.5mm的PES基板，將柔性基板放在含有洗滌劑的去離子水中進行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣吹干；柔性基板包括相對設置的第一端面和第二端面；
[0093](2)在真空度為lX10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在柔性基板上自第二端面向第一端面方向真空蒸鍍第一陽極，第一陽極包括依次層疊的第一半導體層、第一金屬層和第一空穴注入緩沖層，在柔性基板上自第一端面向第二端面方向真空蒸鍍第二陽極；第二陽極包括依次層疊的第二半導體層、第二金屬層和第二空穴注入緩沖層，第一半導體層和第二半導體層的材質均為ZnSe,厚度為40nm,第一金屬層和第二金屬層的材質為Al,厚度為8nm,第一空穴注入緩沖層和第二空穴注入緩沖層的材質均為WO3，厚度為7nm ；
[0094]在第一陽極上依次真空蒸鍍第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層；然后調轉基板平面180度，在第二陽極上依次真空蒸鍍第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層；第一空穴傳輸層的材質為NPB,厚度為60nm ;紅光發(fā)光層的材質為摻雜有Ir(Piq)3的CBP，Ir(piq)3在CBP中的質量分數(shù)為8%，紅光發(fā)光層厚度為12nm ;第一電子傳輸層的材質為TPBi,厚度為60nm ;第一電子注入層為的材質為CsF,厚度為Inm ;第一陰極的材質為Al,厚度為20nm ;第二空穴傳輸層材質為
2-TNATA，厚度為60nm，藍光發(fā)光層材質為DPVBi，藍光發(fā)光層厚度為10nm，第二電子傳輸層材質為BCP，厚度為60nm，第二電子注入層材質為LiF，厚度為0.5nm,第二陰極材質為Al，厚度為20nm。
[0095]其中，第一金屬層、第二金屬層、第一陰極和第二陰極的蒸鍍速率均為2nm/s ；
[0096]第一空穴傳輸層、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第二電子傳輸層的蒸鍍蒸鍍速率均為lnm/s ；
[0097]所述第一半導體層、第二半導體層、第一空穴注入緩沖層和第二空穴注入緩沖層、第一電子注入層和第二電子注入層的蒸鍍速率均為lnm/s ；
[0098]然后在第一陰極上覆蓋第一柔性蓋板，第一柔性蓋板材質為PES，第一柔性蓋板和柔性基板第一端面通過光固化聚丙烯酸樹脂連接形成第一封閉空間，第一陽極、第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層和第一陰極容置在所述第一封閉空間內(nèi)；自光固化聚丙烯酸樹脂向第一封閉空間設置有第一干燥劑層；第一干燥劑層材質為氧化鋇；
[0099]在第二陰極上覆蓋第二柔性蓋板，第二柔性蓋板材質為PES，第二柔性蓋板和柔性基板第二端面通過光固化聚丙烯酸樹脂連接形成第二封閉空間，第二陽極、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層和第二陰極容置在第二封閉空間內(nèi)；自光固化聚丙烯酸樹脂向第二封閉空間設置有第二干燥劑層；第二干燥劑層材質為氧化鈣。
[0100]本實施例制備的有機電致發(fā)光器件的結構為:第二柔性蓋板/第二陰極/第二電子注入層/第二電子傳輸層/藍光發(fā)光層/第二空穴傳輸層/第二陽極/柔性基板/第一陽極/第一空穴傳輸層/紅光發(fā)光層/第一電子傳輸層/第一電子注入層/第二陰極/第二柔性蓋板，表示為:
[0101 ] PES/A1 (20nm) /CsF (lnm) /TPBi (60nm)/Ir (piq) 3: CBP (12nm) /NPB (60nm) /WO3 (7nm)/Al (8nm) /ZnSe (40nm) /PES/ZnSe (40nm) /Al (8nm) /WO3 (7nm) /2-TNATA (60nm) /DPVBi(1nm)/BCP(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(20nm)/PES。
[0102]實施例3
[0103]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0104](I)提供厚度為0.2mm的PC基板，將柔性基板放在含有洗滌劑的去離子水中進行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣吹干；柔性基板包括相對設置的第一端面和第二端面；
[0105](2)在真空度為lX10_3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在柔性基板上自第二端面向第一端面方向真空蒸鍍第一陽極，第一陽極包括依次層疊的第一半導體層、第一金屬層和第一空穴注入緩沖層，在柔性基板上自第一端面向第二端面方向真空蒸鍍第二陽極；第二陽極包括依次層疊的第二半導體層、第二金屬層和第二空穴注入緩沖層，第一半導體層和第二半導體層的材質均為ZnSe,厚度為80nm,第一金屬層和第二金屬層的材質為Al,厚度為20nm,第一空穴注入緩沖層和第二空穴注入緩沖層的材質均為MoO3，厚度為5nm ；
[0106]在第一陽極依次真空蒸鍍第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層；然后調轉基板平面180度，在第二陽極上依次真空蒸鍍第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層；第一空穴傳輸層的材質為m-MTDATA,厚度為30nm ;紅光發(fā)光層的材質為摻雜有Ir (btp)2(acac)的CBP, Ir (btp) 2 (acac)在CBP中的質量分數(shù)為10%,紅光發(fā)光層厚度為5nm ;第一電子傳輸層的材質為Bphen,厚度為30nm ;第一電子注入層為的材質為LiF,厚度為Inm ;第一陰極的材質為Au,厚度為25nm ;第二空穴傳輸層材質為m-MTDATA，厚度為30nm，藍光發(fā)光層材質為FIr6摻雜在CBP形成的混合材料，F(xiàn)Ir6在CBP中的質量分數(shù)為2%，藍光發(fā)光層厚度為5nm，第二電子傳輸層材質為TAZ，厚度為30nm,第二電子注入層材質為LiF,厚度為0.5nm,第二陰極材質為Au,厚度為25nm ；
[0107]其中，第一金屬層的蒸鍍速率為lnm/s,第二金屬層的蒸鍍速率為1.5nm/s,第一陰極的蒸鍍速率為lnm/s ;第二陰極的蒸鍍速率為1.5nm/s ；
[0108]第一空穴傳輸層的蒸鍍速率為0.2nm/s，第二空穴傳輸層的蒸鍍速率為0.lnm/s,藍光發(fā)光層的蒸鍍速率為0.3nm/s，紅光發(fā)光層的蒸鍍速率為0.2nm/s，第一電子傳輸層的蒸鍍速率為0.5nm/s，第二電子傳輸層的蒸鍍速率為0.4nm/s ；
[0109]第一半導體層的蒸鍍速率為0.2nm/s,第二半導體層的蒸鍍速率為0.5nm/s,第一空穴注入緩沖層的蒸鍍速率為0.3nm/s，第二空穴注入緩沖層的蒸鍍速率為0.4nm/s，第一電子注入層的蒸鍍速率為0.3nm/s，第二電子注入層的蒸鍍速率為0.7nm/s ；
[0110]然后在第一陰極上覆蓋第一柔性蓋板，第一柔性蓋板材質為PC，第一柔性蓋板和柔性基板第一端面通過光固化環(huán)氧樹脂連接形成第一封閉空間，第一陽極、第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層和第一陰極容置在所述第一封閉空間內(nèi)；自光固化環(huán)氧樹脂向第一封閉空間設置有第一干燥劑層；第一干燥劑層材質為氧化鈣；
[0111]在第二陰極上覆蓋第二柔性蓋板，第二柔性蓋板材質為PC，第二柔性蓋板和柔性基板第二端面通過光固化環(huán)氧樹脂連接形成第二封閉空間，第二陽極、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層和第二陰極容置在第二封閉空間內(nèi)；自光固化環(huán)氧樹脂向第二封閉空間設置有第二干燥劑層；第二干燥劑層材質為氧化鋇。
[0112]本實施例制備的有機電致發(fā)光器件的結構為:第二柔性蓋板/第二陰極/第二電子注入層/第二電子傳輸層/藍光發(fā)光層/第二空穴傳輸層/第二陽極/柔性基板/第一陽極/第一空穴傳輸層/紅光發(fā)光層/第一電子傳輸層/第一電子注入層/第二陰極/第二柔性蓋板，表示為:
[0113]PC/Au (25nm) /LiF (lnm) /BPhen (30nm) /Ir (btp) 2 (acac): CBP (5nm) /m-MTDATA (30nm)/MoO3 (5nm)/Au (20nm)/ZnSe (80nm)/PC/ZnSe (80nm)/Cu (20nm)/Mo03(5nm) /m-MTDATA(30nm)/FIr6:CBP(5nm)/TAZ(30nm)/LiF(Inm)/Au (25nm)/PC。
[0114]實施例4
[0115]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟:
[0116](I)提供厚度為0.2mm的PEN基板，將柔性基板放在含有洗滌劑的去離子水中進行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣吹干；柔性基板包括相對設置的第一端面和第二端面；
[0117](2)在真空度為lX10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在柔性基板上自第二端面向第一端面方向真空蒸鍍第一陽極，第一陽極包括依次層疊的第一半導體層、第一金屬層和第一空穴注入緩沖層，在柔性基板上自第一端面向第二端面方向真空蒸鍍第二陽極；第二陽極包括依次層疊的第二半導體層、第二金屬層和第二空穴注入緩沖層，第一半導體層和第二半導體層的材質均為ZnS,厚度為80nm,第一金屬層和第二金屬層的材質為Mg,厚度為12nm,第一空穴注入緩沖層和第二空穴注入緩沖層的材質均為V2O5，厚度為5nm ；
[0118]在第二陽極上依次真空蒸鍍第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層；然后調轉基板平面180度，在第一陽極依次真空蒸鍍第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層；第二空穴傳輸層的材質為TPD,厚度為40nm ;藍光發(fā)光層的材質為DPAVBi，藍光發(fā)光層厚度為15nm ;第二電子傳輸層的材質為PBD，厚度為40nm ;第二電子注入層為的材質為LiF,厚度為Inm ;第二陰極的材質為Sm,厚度為30nm ；第一空穴傳輸層材質為TCTA，厚度為40nm，紅光發(fā)光層材質為Ir (MDQ) 2 (acac)摻雜到NPB形成的混合材料，Ir (MDQ) 2 (acac)在NPB中的質量分數(shù)為8%，紅光發(fā)光層厚度為20nm，第一電子傳輸層材質為Alq3,厚度為40nm,第一電子注入層材質為LiF,厚度為lnm,第一陰極材質為Sm,厚度為30nm。
[0119]其中，第一金屬層的蒸鍍速率為lnm/s,第二金屬層的蒸鍍速率為1.5nm/s,第一陰極的蒸鍍速率為lnm/s ;第二陰極的蒸鍍速率為2nm/s ；
[0120]第一空穴傳輸層的蒸鍍速率為0.2nm/s，第二空穴傳輸層的蒸鍍速率為0.lnm/s,藍光發(fā)光層的蒸鍍速率為0.3nm/s，紅光發(fā)光層的蒸鍍速率為0.2nm/s，第一電子傳輸層的蒸鍍速率為0.5nm/s，第二電子傳輸層的蒸鍍速率為0.4nm/s ；
[0121]第一半導體層的蒸鍍速率為0.2nm/s,第二半導體層的蒸鍍速率為0.5nm/s,第一空穴注入緩沖層的蒸鍍速率為0.3nm/s，第二空穴注入緩沖層的蒸鍍速率為0.4nm/s，第一電子注入層的蒸鍍速率為0.5nm/s，第二電子注入層的蒸鍍速率為0.5nm/s ；
[0122]然后在第一陰極上覆蓋第一柔性蓋板，第一柔性蓋板材質為PEN，第一柔性蓋板和柔性基板第一端面通過光固化環(huán)氧樹脂連接形成第一封閉空間，第一陽極、第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層和第一陰極容置在所述第一封閉空間內(nèi)；自光固化環(huán)氧樹脂向第一封閉空間設置有第一干燥劑層；第一干燥劑層材質為氧化鋇；
[0123]在第二陰極上覆蓋第二柔性蓋板，第二柔性蓋板材質為PEN，第二柔性蓋板和柔性基板第二端面通過光固化環(huán)氧樹脂連接形成第二封閉空間，第二陽極、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層和第二陰極容置在第二封閉空間內(nèi)；自光固化環(huán)氧樹脂向第二封閉空間設置有第二干燥劑層；第二干燥劑層材質為氧化鈣。
[0124]本實施例制備的有機電致發(fā)光器件的結構為:第二柔性蓋板/第二陰極/第二電子注入層/第二電子傳輸層/藍光發(fā)光層/第二空穴傳輸層/第二陽極/柔性基板/第一陽極/第一空穴傳輸層/紅光發(fā)光層/第一電子傳輸層/第一電子注入層/第二陰極/第二柔性蓋板，表示為:
[0125]PEN/Sm (30nm) /LiF(Inm) /PBD (40nm) /DPAVBi (15nm) /TPD (40nm) /V2O5 (5nm)/Mg (12nm) /ZnS (60nm) /PEN/ZnS (60nm) /Mg (12nm) /V2O5 (5nm) /TCTA (40nm) /Ir (MDQ) 2 (acac):NPB (20nm) /Alq3 (40nm) /LiF (lnm) /Sm(30nm) /PEN。
[0126]效果實施例
[0127]采用光纖光譜儀(美國海洋光學Ocean Optics公司，型號:USB4000)，電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號:2400)、色度計(日本柯尼卡美能達公司，型號:CS_100A)測試有機電致發(fā)光器件的發(fā)光性能數(shù)據(jù)。
[0128]表I為實施例1?4的發(fā)光效率和CIE1931色坐標數(shù)據(jù)。
[0129]表I實施例1?4的發(fā)光效率和CIE1931色坐標數(shù)據(jù)
[0130]

I發(fā)光效率(lm/W) ICIE1931色坐標實施例1 12.6(0.35,0.38)

實施例 2 15.3(0.35,0.40)

【權利要求】
1.一種白光有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括: 柔性基板，所述柔性基板包括相對設置的第一端面和第二端面； 柔性基板上自第二端面向第一端面方向設置依次層疊的第一陽極、第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層、第一陰極和第一柔性蓋板，所述第一陽極包括依次層疊的第一半導體層、第一金屬層和第一空穴注入緩沖層，所述第一柔性蓋板和柔性基板形成第一封閉空間，所述第一陽極、第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層和第一陰極容置在所述第一封閉空間內(nèi)； 柔性基板上自第一端面向第二端面方向設置依次層疊的第二陽極、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層、第二陰極和第二柔性蓋板，所述第二陽極包括依次層疊的第二半導體層、第二金屬層和第二空穴注入緩沖層，所述第二柔性蓋板和柔性基板形成第二封閉空間，所述第二陽極、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層和第二陰極容置在所述第二封閉空間內(nèi)； 所述第一半導體層和第二半導體層的材質均選自硫化鋅和硒化鋅中的一種，所述第一金屬層和第二金屬層的材質均選自銀、金、鋁和鎂中的一種或多種，所述第一空穴注入緩沖層和第二空穴注入緩沖層的材質均選自三氧化鎢、三氧化鑰、五氧化二釩和三氧化錸中的一種。
2.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述藍光發(fā)光層的材質為熒光發(fā)光材料或摻雜有磷光材料的藍光主體材料，所述熒光發(fā)光材料為4，4, -二(2，2-二苯乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯或4，4'-雙[4-( 二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯,所述磷光材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥或雙(4，6- 二氟苯基吡啶)_四(1-吡唑基)硼酸合銥；所述藍光主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或4，V -二(9-咔唑)聯(lián)苯；所述磷光材料在藍光主體材料中的摻雜質量分數(shù)為2%?20%。
3.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述紅光發(fā)光層的材質為摻雜有客體材料的紅光主體材料，所述客體材料為4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、(乙酰丙酮)合銥、三(1-苯基-異喹啉)合銥或雙(2-(苯并[b]噻吩-2-基)卩比啶)(乙酰丙酮)合銥，所述紅光主體材料為8-羥基喹啉鋁、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4，4' - 二胺或 4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯，所述客體材料在紅光主體材料中的摻雜質量分數(shù)為1%?10%。
4.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一柔性蓋板和柔性基板通過光固化粘合劑連接形成第一封閉空間，自所述光固化粘合劑向第一封閉空間設置有第一干燥劑層；所述第二柔性蓋板和柔性基板通過光固化粘合劑連接形成第二封閉空間，自所述光固化粘合劑向第二封閉空間設置有第二干燥劑層。
5.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述藍光發(fā)光層和紅光發(fā)光層的厚度均為5nm?20nm。
6.一種白光有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下操作步驟: (1)提供清洗干凈的柔性基板；所述柔性基板包括相對設置的第一端面和第二端面； (2)在柔性基板上自第二端面向第一端面方向真空蒸鍍依次層疊的第一陽極、第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層和第一陰極，所述第一陽極包括依次層疊的第一半導體層、第一金屬層和第一空穴注入緩沖層；然后在第一陰極上覆蓋第一柔性蓋板，所述第一柔性蓋板和柔性基板第一端面通過粘合劑連接形成第一封閉空間，所述第一陽極、第一空穴傳輸層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第一電子注入層和第一陰極容置在所述第一封閉空間內(nèi)； 在柔性基板上自第一端面向第二端面方向真空蒸鍍依次層疊的第二陽極、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層和第二陰極，所述第二陽極包括依次層疊的第二半導體層、第二金屬層和第二空穴注入緩沖層；然后在第二陰極上覆蓋第二柔性蓋板，所述第二柔性蓋板和柔性基板第二端面通過粘合劑連接形成第二封閉空間；所述第二陽極、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、第二電子傳輸層和第二電子注入層和第二陰極容置在所述第二封閉空間內(nèi)； 所述第一半導體層和第二半導體層的材質均選自硫化鋅和硒化鋅中的一種，所述第一金屬層和第二金屬層的材質均選自銀、金、鋁和鎂中的一種或多種，所述第一空穴注入緩沖層和第二空穴注入緩沖層的材質均選自三氧化鎢、三氧化鑰、五氧化二釩和三氧化錸中的一種； 其中，所述真空蒸鍍均在真空度為IX 10_5Pa?IX 10_3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中進行； 所述第一金屬層、第二金屬層、第一陰極和第二陰極的蒸鍍速率均為0.2nm/s?2nm/s ； 所述第一空穴傳輸層、第二空穴傳輸層、藍光發(fā)光層、紅光發(fā)光層、第一電子傳輸層和第二電子傳輸層的蒸鍍速率為0.0lnm/s?lnm/s ； 所述第一半導體層、第二半導體層、第一空穴注入緩沖層和第二空穴注入緩沖層、第一電子注入層和第二電子注入層的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
7.如權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述藍光發(fā)光層的材質為熒光發(fā)光材料或摻雜有磷光材料的藍光主體材料，所述熒光發(fā)光材料為4,4' -二(2，2-二苯乙烯基)-1，I'-聯(lián)苯或4，4' _雙[4-( 二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯，所述磷光材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥或雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥；所述藍光主體材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯；所述磷光材料在藍光主體材料中的摻雜質量分數(shù)為2%?20%。
8.如權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述紅光發(fā)光層的材質為摻雜有客體材料的紅光主體材料，所述客體材料為4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (I, 1,7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、(乙酰丙酮)合銥、三(1-苯基-異喹啉)合銥或雙(2-(苯并[b]噻吩-2-基)吡啶)(乙酰丙酮)合銥，所述紅光主體材料為8-羥基喹啉鋁、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4，4' - 二胺或4,4/ -二(9-咔唑)聯(lián)苯，所述客體材料在紅光主體材料中的摻雜質量分數(shù)為1%?10%。
9.如權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述藍光發(fā)光層和紅光發(fā)光層的厚度均為5nm?20nm。
10.如權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一柔性蓋板和柔性基板通過光固化粘合劑連接形成第一封閉空間，自所述光固化粘合劑向第一封閉空間設置有第一干燥劑層；所述第二柔性蓋板和柔性基板通過光固化粘合劑連接形成第二封閉空間，自所述光固化粘合劑向第二封閉空間設置有第二干燥劑層。
【文檔編號】H01L51/52GK104183770SQ201310194851
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2013年5月21日 優(yōu)先權日:2013年5月21日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 陳吉星, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司