在非傳導(dǎo)表面上形成傳導(dǎo)圖像的方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及用于在非傳導(dǎo)或電介質(zhì)表面上形成浮凸傳導(dǎo)圖像的方法，方法包括在襯底的表面上放置金屬配位絡(luò)合物，使表面暴露在電磁輻射下，還原暴露的絡(luò)合物，去除未暴露的金屬絡(luò)合物，留下元素金屬圖像，干燥表面，以及隨后使用高傳導(dǎo)材料對(duì)結(jié)果元素金屬圖像進(jìn)行電鍍。
【專(zhuān)利說(shuō)明】在非傳導(dǎo)表面上形成傳導(dǎo)圖像的方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)交叉引用
本申請(qǐng)涉及(I) 2011年8月19日以William Wismann的名義提交的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)61/525662、(2) 2011年12月9日以William Wismann的名義提交的美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)61/568736并且要求具有這些申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，以及(3)是2012年2月23日以WilliamWismann的名義提交的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)13/403797的繼續(xù)申請(qǐng)，所有申請(qǐng)通過(guò)引用結(jié)合于本文中，就好象其全文在此陳述了 一樣。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及電子器件制造領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0003]非傳導(dǎo)或電介質(zhì)表面上的傳導(dǎo)圖像在今天的技術(shù)驅(qū)動(dòng)世界中是普遍存在的。此類(lèi)情況的最廣為人知的示例可能是在實(shí)際上所有電子器件中存在的集成電路。集成電路從一系列的照相和化學(xué)處理步驟形成，電路通過(guò)這些步驟逐漸在諸如硅晶片等電介質(zhì)襯底上形成。
[0004]典型的晶片由生長(zhǎng)成直徑高達(dá)300毫米，稱為晶棒的單晶柱形塊的極純硅制成。晶棒隨后被切片成大約0.75毫米厚的晶片，并且被拋光以得到極其光滑平面表面。
[0005]晶片上電路的形成要求進(jìn)行許多步驟，這些步驟能夠歸類(lèi)為兩大部分:前段工序(FEOL)處理和后段工序(BEOL)處理。
[0006]FEOL處理指直接在硅中電路的形成。裸晶圓先要進(jìn)行外延生長(zhǎng)，超純硅晶在晶片上的生長(zhǎng)，其中，晶體模仿襯底的定向。
[0007]在外延生長(zhǎng)后，前端表面工程一般由傳統(tǒng)上為娃酸鹽玻璃(Si02)的柵電介質(zhì)的生長(zhǎng)、柵極的圖案化、源極和漏極區(qū)域的圖案化及摻雜物的隨后植入或擴(kuò)散以獲得所需互補(bǔ)電屬性的步驟組成。在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)器件中，存儲(chǔ)電容器也在此時(shí)制造，一般堆疊在存取晶體管的上方。
[0008]一旦各種半導(dǎo)體器件已形成，它們便必須互連以形成所需電路，這包括工序的BEOL部分。BEOL涉及形成由電介質(zhì)層隔離的金屬互連導(dǎo)線。絕緣材料傳統(tǒng)上是硅酸鹽玻璃SiO2的形式，但其它低介電常數(shù)材料也能夠使用。
[0009]金屬互連導(dǎo)線經(jīng)常包括鋁。在稱為消減鋁的布線方案中，將鋁的覆蓋膜沉積、圖案化和蝕刻以形成導(dǎo)線。隨后，在暴露的導(dǎo)線上沉積電介質(zhì)材料。通過(guò)在絕緣材料中蝕刻稱為通路的孔洞并且在孔洞中沉積鎢，將各種金屬層互連。由于互連級(jí)別的數(shù)量小，因此，此方案仍在諸如DRAM等存儲(chǔ)器芯片的制造中使用。
[0010]最近以來(lái)，隨著互連級(jí)別的數(shù)量由于現(xiàn)在在現(xiàn)代微處理器中需要互連的大量晶體管而增大，布線中的定時(shí)延遲已變得重要，從而促進(jìn)布線材料從鋁更改到銅以及從二氧化硅到更新的低K材料。結(jié)果不但是增強(qiáng)了性能而且也降低了成本，這是因?yàn)樵阼偳短幚硖娲讼麥p鋁技術(shù)，由此消除了幾個(gè)步驟。在鑲嵌處理中，電介質(zhì)材料作為覆蓋膜沉積，隨后被圖案化和蝕刻，留下孔洞或溝槽。在單個(gè)鑲嵌處理中，隨后在薄屏障膜環(huán)繞的孔洞或溝槽中沉積銅，從而產(chǎn)生填充通路或?qū)Ь€。在雙鑲嵌技術(shù)中，溝槽和通路均在銅的沉積之前制造，同時(shí)形成通路和導(dǎo)線，從而進(jìn)一步降低處理步驟的數(shù)量。稱為銅屏障種(CBS)的薄屏障膜是防止銅擴(kuò)散到電介質(zhì)中所必需的。理想的屏障膜是盡可能薄。由于存在的過(guò)多屏障膜與可用銅線橫截面競(jìng)爭(zhēng)，因此，最薄連續(xù)屏障的形成代表了今天在銅處理中最大持續(xù)挑戰(zhàn)之一 O
[0011]隨著互連級(jí)別的數(shù)量增大，要求進(jìn)行以前層的平面化以確保在隨后光刻前有平坦表面。在不進(jìn)行此操作的情況下，級(jí)別將變得越來(lái)越彎曲，并且延伸到可用光刻的焦深，從而干擾圖案化的能力。CMP (化學(xué)機(jī)械平面化)是實(shí)現(xiàn)此類(lèi)平面化的一種處理方法，但如果互連級(jí)別的數(shù)量低，則有時(shí)仍采用干法回蝕。
[0012]上述過(guò)程雖然具體相對(duì)于硅芯片制造描述，但對(duì)于大多數(shù)類(lèi)型的印刷電路、印刷電路板、天線、太陽(yáng)能電池、太陽(yáng)能薄膜、半導(dǎo)體及諸如此類(lèi)相當(dāng)普通。如能夠看到的一樣，該過(guò)程是減去的；即，通常為銅的金屬均勻沉積在襯底表面上，并且隨后去除不需要的金屬，即，不包括最終電路的某一部分的金屬。多個(gè)加成過(guò)程為人所熟知，這些過(guò)程解決了與減去過(guò)程相關(guān)聯(lián)的一些問(wèn)題，但產(chǎn)生了其自己的問(wèn)題，其中重要的一個(gè)問(wèn)題涉及將形成的傳導(dǎo)層粘合到襯底。
[0013]需要的是具有其它加成過(guò)程的所有優(yōu)點(diǎn)但展示到襯底的改進(jìn)粘合屬性，用于集成電路制造的加成過(guò)程。本發(fā)明提供了 一種此類(lèi)加成過(guò)程。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]因此，一方面，本發(fā)明涉及一種在表面上形成傳導(dǎo)層的方法，包括:
活化非傳導(dǎo)襯底表面的至少一部分；
應(yīng)用磁場(chǎng)到表面；
在表面的活化部分的至少一部分上沉積金屬配位絡(luò)合物；
消除磁場(chǎng)；
將金屬配位絡(luò)合物暴露在電磁輻射下；
將金屬配位絡(luò)合物還原成元素金屬；
從表面去除未還原的金屬配位絡(luò)合物；
干燥表面；以及 將傳導(dǎo)材料沉積到表面上。
[0015]在本發(fā)明的一方面，活化襯底表面包括蝕刻表面。
[0016]在本發(fā)明的一方面，蝕刻表面包括化學(xué)蝕刻。
[0017]在本發(fā)明的一方面，化學(xué)蝕刻包括酸蝕刻、基底蝕刻或氧化蝕刻。
[0018]在本發(fā)明的一方面，蝕刻表面包括機(jī)械蝕刻。
[0019]在本發(fā)明的一方面，蝕刻表面包括等離子蝕刻。
[0020]在本發(fā)明的一方面，蝕刻表面包括激光蝕刻。
[0021]在本發(fā)明的一方面，等離子或激光蝕刻包括以預(yù)確定的圖案蝕刻。
[0022]在本發(fā)明的一方面，磁場(chǎng)具有至少1000高斯的磁通量密度。
[0023]在本發(fā)明的一方面，磁場(chǎng)與表面正交。[0024]在本發(fā)明的一方面，在表面的至少一部分上沉積金屬配位絡(luò)合物包括使用掩膜。
[0025]在本發(fā)明的一方面，掩膜包括電子電路。
[0026]在本發(fā)明的一方面，電子電路從由模擬電路、數(shù)字電路、混合信號(hào)電路和RF電路組成的群組中選擇。
[0027]本發(fā)明的一方面是使用本文中公開(kāi)的方法制造的模擬電路。
[0028]本發(fā)明的一方面是使用本文中公開(kāi)的方法制造的數(shù)字電路。
[0029]本發(fā)明的一方面是使用本文中公開(kāi)的方法制造的混合信號(hào)電路。
[0030]本發(fā)明的一方面是使用本文中公開(kāi)的方法制造的RF電路。
[0031]在本發(fā)明的一方面，使金屬配位絡(luò)合物暴露在電磁輻射下包括微波輻射、紅外線輻射、可見(jiàn)光輻射、紫外線輻射、X射線輻射或伽瑪輻射。
[0032]在本發(fā)明的一方面，使金屬配位絡(luò)合物還原成零氧化態(tài)金屬包括使用金屬和/或催化劑的組合。
[0033]在本發(fā)明的一方面，從表面去除未還原的金屬配位絡(luò)合物包括使用溶劑沖洗表面。
[0034]在本發(fā)明的一方面，干燥表面包括在環(huán)境溫度干燥或者在升高溫度干燥。
[0035]在本發(fā)明的一方面，在環(huán)境或升高溫度干燥表面包括使用真空室。
[0036]在本發(fā)明的一方面，將傳導(dǎo)材料沉積到表面上包括金屬到包括還原金屬配位絡(luò)合物的表面的部分上的電解沉積。
[0037]在本發(fā)明的一方面，金屬到包括還原金屬配位絡(luò)合物的表面的部分上的電解沉積包括:
使直流電源的負(fù)極端子至少接觸包括還原金屬配位絡(luò)合物的表面的部分；
提供包括要沉積的金屬鹽的水溶液、由浸入水溶液的金屬形成的電極或其組合； 使直流電源的正極端子接觸水溶液；
至少使包括還原金屬配位絡(luò)合物的表面的部分接觸水溶液；以及 打開(kāi)電源。
[0038]在本發(fā)明的一方面，將傳導(dǎo)材料沉積到表面上包括金屬到包括還原金屬配位絡(luò)合物的表面的部分上的無(wú)電沉積。
[0039]在本發(fā)明的一方面，將金屬無(wú)電沉積到包括還原金屬配位絡(luò)合物的表面的部分上包括至少使包括金屬配位絡(luò)合物的表面的部分接觸包括金屬鹽、絡(luò)合劑和還原劑的溶液。
[0040]在本發(fā)明的一方面，將傳導(dǎo)材料沉積到表面上包括非金屬傳導(dǎo)物質(zhì)到包括還原金屬配位絡(luò)合物的表面的部分上的沉積。
[0041]在本發(fā)明的一方面，非金屬傳導(dǎo)物質(zhì)通過(guò)靜電分散沉積到包括還原金屬配位絡(luò)合物的表面的部分上。
[0042]在本發(fā)明的一方面，整個(gè)非傳導(dǎo)襯底表面被活化，并且金屬配位絡(luò)合物被沉積到整個(gè)表面上。
[0043]在本發(fā)明的一方面，整個(gè)非傳導(dǎo)襯底表面被活化，并且金屬配位絡(luò)合物被沉積到活化表面的一部分上。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0044]本文中的圖形只提供用于幫助理解本發(fā)明，并且無(wú)意或不得視為以無(wú)論任何方式限制本發(fā)明的范圍。
[0045]圖1示出要使用本發(fā)明的方法處理的襯底，其中，襯底位于磁場(chǎng)中，使得磁場(chǎng)與襯底的表面的平面正交。
【具體實(shí)施方式】
[0046]討論
要理解的是，關(guān)于本描述和隨附權(quán)利要求，以單數(shù)對(duì)本發(fā)明的任何方面的引用包括復(fù)數(shù)，且反之亦然，但在從上下文明確表明或者清楚地明白無(wú)意于此類(lèi)使用時(shí)除外。
[0047]在本文中使用時(shí)，諸如但不限于附近、大約、大概、大致、基本上及諸如此類(lèi)等近似的任何術(shù)語(yǔ)表示由近似的術(shù)語(yǔ)修飾的字詞或詞語(yǔ)無(wú)需正好是書(shū)寫(xiě)的內(nèi)容，而是可在一定程度上與書(shū)面描述有所不同。描述可有所不同的程度將取決于多大程度的更改能夠?qū)嵭胁⑶沂贡绢I(lǐng)域技術(shù)人員將修飾版本認(rèn)識(shí)為仍具有近似的術(shù)語(yǔ)未修飾的字詞或詞語(yǔ)的屬性、特性和能力。通常，但鑒于前面的討論，除非另有明確說(shuō)明，否則，由近似詞修飾的本文中的數(shù)值可與所述值有土 10%的不同。
[0048]在本文中使用時(shí)，“優(yōu)選的”、“優(yōu)選地”或“更優(yōu)選”及諸如此類(lèi)的使用指在本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)峤粫r(shí)存在的偏好。
[0049]在本文中使用時(shí)，“傳導(dǎo)層”指導(dǎo)電表面，例如但不限于印刷電路。
[0050]在本文中使用時(shí)，“非傳導(dǎo)物質(zhì)”指由非導(dǎo)電材料(有時(shí)指絕緣體或電介質(zhì))形成的襯底。此類(lèi)材料包括但不限于諸如硅石、氧化鋁、鎂、氧化鋯及諸如此類(lèi)的礦物、玻璃和大多數(shù)塑料。特定的非限制性示例包括FR4，它是用于玻璃纖維強(qiáng)化環(huán)氧樹(shù)脂的通用級(jí)指定，諸如但不限于DuPont Kapton? PV9103聚酰亞胺和ULTRALAM?液晶聚合物(Rogers公司，Chandler AZ)。
[0051]在本文中使用時(shí)，“活化非傳導(dǎo)襯底表面”或其部分指使表面更可以某種方式處理以便與布置在襯底表面上的另一材料交互以及隨后到該材料的物理或化學(xué)結(jié)合。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，另一材料能夠包括金屬配位絡(luò)合物。另外，改變表面屬性也指使表面向入射電磁輻射更呈散布性。改變表面屬性能夠通過(guò)改變表面的形貌或滲透率或兩者的組合來(lái)完成。表面的形貌能夠通過(guò)機(jī)械或化學(xué)方式或兩者的組合來(lái)改變。
[0052]改變襯底的表面屬性的機(jī)械方式包括但不限于表面的簡(jiǎn)單磨耗，如使用砂紙或另一研磨材料，使用銼刀銼磨表面，使用諸如但不限于刀頭等尖銳物和激光蝕刻在表面刻痕。產(chǎn)生磨損表面的這些和任何其它方法的組合在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0053]在一些實(shí)施例中，可一開(kāi)始便使用包括磨損表面外形的模具，通過(guò)將熔化的聚合物布置到模中以形成表面屬性改變的襯底來(lái)制備表面。在去除模具后，與使用平滑表面模鑄造的對(duì)象相比，鑄造的對(duì)象將具有改變的表面。改變表面屬性的這些方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，并且無(wú)需進(jìn)一步描述。
[0054]改變襯底的表面屬性的化學(xué)方式包括但不限于酸蝕刻、基底蝕刻、氧化蝕刻和等離子蝕刻。
[0055]酸蝕刻如其名稱所暗示的一樣，指使用諸如硫酸、鹽酸和硝酸等強(qiáng)酸。鹽酸和硝酸混合產(chǎn)生王水，王水是能夠用于改變襯底的表面屬性的一種極強(qiáng)酸。然而，最常見(jiàn)的是，要酸蝕刻的表面是玻璃，并且用于蝕刻玻璃的酸是鹽酸。此酸蝕刻技術(shù)和其它酸蝕刻技術(shù)在本領(lǐng)域中是熟知的，并且同樣地?zé)o需詳細(xì)解釋。
[0056]基底蝕刻與酸蝕刻相反，并且涉及使用基本物質(zhì)改變襯底的表面的形貌。許多有機(jī)聚合物易于受帶有基本物質(zhì)的化學(xué)溶解的影響。例如，但不是出于限制，氫氧化鉀將與聚酯、聚酰亞胺和聚環(huán)氧化物發(fā)生反應(yīng)以改變其表面屬性。易于受基底蝕刻影響的其它材料將為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知。所有此類(lèi)材料在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0057]氧化蝕刻指通過(guò)使表面接觸強(qiáng)氧化劑，改變襯底的表面屬性，強(qiáng)氧化劑是但不限于是高錳酸鉀。
[0058]等離子蝕刻指通過(guò)適當(dāng)氣體的高速輝光放電流，沖擊襯底的表面的過(guò)程。蝕刻物種可包括帶電離子或中性原子和自由基。在蝕刻過(guò)程期間，被蝕刻材料的元素可與等離子生成的活性物種產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)。另外，等離子生成物質(zhì)的原子可將自己嵌在襯底的表面，或正好嵌在其下方，從而進(jìn)一步改變表面的屬性。關(guān)于改變表面的屬性的其它方法，等離子蝕刻在本領(lǐng)域是熟知的，并且無(wú)需為本發(fā)明做進(jìn)一步描述。
[0059]激光蝕刻在本領(lǐng)域是熟知的。簡(jiǎn)要地說(shuō)，激光束指向在激光的焦平面內(nèi)的表面。激光的移動(dòng)由計(jì)算機(jī)控制。激光焦點(diǎn)跨表面移動(dòng)時(shí)，表面的材料通常汽化，由此留下由表面上的激光跟蹤的圖像。關(guān)于本發(fā)明，激光可用于在襯底的表面上賦予總體圖案，或者它可用于跟蹤實(shí)際圖像以最后在襯底上致使傳導(dǎo)。
[0060]改變襯底的表面屬性的另一方式涉及將襯底的表面暴露在已知使表面軟化的液體中，通常伴有表面的膨脹。涂料被應(yīng)用到膨脹表面時(shí)，該材料能夠在其與膨脹表面之間的邊界物理交互，這能夠使材料更牢固粘附到表面，特別是在有涂層的襯底干燥時(shí)。
[0061]在本文中使用時(shí)，“應(yīng)用磁場(chǎng)”到襯底表面涉及將襯底的表面放置在磁場(chǎng)源上或附近。磁場(chǎng)可由永久性磁體、電磁體或其組合生成?？墒褂脝蝹€(gè)磁體或多個(gè)磁體。與磁體接觸或在其附近的襯底的表面可以是金屬配位絡(luò)合物要沉淀到的該表面相反的表面，或者它可以是金屬配位絡(luò)合物要沉淀到的表面。也就是說(shuō)，磁場(chǎng)源可以高于或低于襯底，其中，“高于”指襯底的活化表面，并且“低于”指在活化表面相反的表面。如果使用永久性磁體生成磁場(chǎng)，則只要場(chǎng)強(qiáng)度是至少1000高斯，更優(yōu)選的是至少2000高斯，便可使用任何類(lèi)型的磁體。當(dāng)前優(yōu)選的永久性磁體是釹磁體。也優(yōu)選的是，永久性磁體具有尺寸，使得襯底的接近或所有活化表面包含在磁體的尺寸內(nèi)。此類(lèi)布置在圖1中示出。在圖1中，襯底10具有活化表面15。永久性磁體20布置在襯底10下方,并且其定位使得磁體生成的磁場(chǎng)與活化表面15正交,這是當(dāng)前優(yōu)選的配置。
[0062]在本文中使用時(shí)，“順磁或鐵磁金屬配位絡(luò)合物”要理解成具有本領(lǐng)域技術(shù)人員將歸于金屬絡(luò)合物的那些類(lèi)的含意。金屬配位絡(luò)合物必須是鐵磁或順磁性的，因此，布置在襯底的表面上時(shí)，它受正交磁場(chǎng)的影響。在不堅(jiān)持任何特定理論的情況下，我們認(rèn)為在磁場(chǎng)的影響下，絡(luò)合物將被完全吸向磁場(chǎng)源，并且由此更深地注入襯底的表面，或者磁場(chǎng)可促使絡(luò)合物的配體與磁場(chǎng)對(duì)齊，由此將配體進(jìn)一步吸入到襯底中。也可進(jìn)行兩種過(guò)程的組合。任何情況下的結(jié)果將是比在無(wú)磁場(chǎng)的影響下將獲得的更緊密粘附的絡(luò)合物。
[0063]在應(yīng)用的磁場(chǎng)的影響下將金屬配位絡(luò)合物應(yīng)用到襯底的表面后，去除磁場(chǎng)源。
[0064]隨后，將金屬配位絡(luò)合物涂敷的襯底暴露在電磁輻射下以活化朝向還原劑的金屬配位絡(luò)合物。在本文中使用時(shí)，電磁輻射包括實(shí)際上此類(lèi)輻射的整個(gè)頻譜，即微波、紅外線、可見(jiàn)光、紫外線、X射線和伽瑪射線輻射。能夠調(diào)整金屬配位絡(luò)合物的成分使其對(duì)電磁頻譜的特定范圍敏感，或者在需要時(shí)，可在絡(luò)合物布置在襯底上時(shí)將敏化劑加到絡(luò)合物以使絡(luò)合物變得光敏，或者如果絡(luò)合物本身是光敏，則使其變得甚至更光敏。在本文中使用時(shí)，“光敏”具有其詞典定義:對(duì)光或其它輻射能量敏感或有響應(yīng)，這將包括上面提及的每種類(lèi)型的輻射。
[0065]暴露在輻射下使得金屬配位絡(luò)合物的一部分易受還原影響。還原劑將使金屬配位絡(luò)合物還原成元素金屬。還原劑能夠是任何含金屬鹽，其中，金屬具有更大的還原電勢(shì)，即按常規(guī)具有比配位絡(luò)合物的金屬更多負(fù)還原電勢(shì)。以下圖表示出多個(gè)普通物質(zhì)的還原電勢(shì)。列表上更高的物質(zhì)能夠是還原其下方的那些物質(zhì)。
[0066]還原劑還原電勢(shì)(V)
【權(quán)利要求】
1.一種在表面上形成傳導(dǎo)層的方法，包括: 活化非傳導(dǎo)襯底表面的至少一部分； 應(yīng)用磁場(chǎng)到所述表面； 在所述表面的活化部分的至少一部分上沉積金屬配位絡(luò)合物； 消除所述磁場(chǎng)； 將所述金屬配位絡(luò)合物暴露在電磁輻射下； 將所述金屬配位絡(luò)合物還原成元素金屬； 從所述表面去除未還原的金屬配位絡(luò)合物； 干燥所述表面；以及 將傳導(dǎo)材料沉積到所述表面上。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中活化所述襯底表面包括蝕刻所述表面。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中蝕刻所述表面包括化學(xué)蝕刻。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中化學(xué)蝕刻包括酸蝕刻、基底蝕刻或氧化蝕刻。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中蝕刻所述表面包括機(jī)械蝕刻。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其中蝕刻所述表面包括等離子蝕刻。
7.如權(quán)利要求2所述的方法，其中蝕刻所述表面包括激光蝕刻。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中等離子或激光蝕刻包括以預(yù)確定的圖案蝕刻。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述磁場(chǎng)具有至少1000高斯的磁通量密度。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述磁場(chǎng)與所述表面正交。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述表面的至少一部分上沉積金屬配位絡(luò)合物包括使用掩膜。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述掩膜包括電子電路。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述電子電路從由模擬電路、數(shù)字電路、混合信號(hào)電路和RF電路組成的群組中選擇。
14.一種使用如權(quán)利要求1所述方法制造的模擬電路。
15.一種使用如權(quán)利要求1所述方法制造的數(shù)字電路。
16.一種使用如權(quán)利要求1所述方法制造的混合信號(hào)電路。
17.一種使用如權(quán)利要求1所述方法制造的RF電路。
18.如權(quán)利要求1所述的方法，其中使金屬配位絡(luò)合物暴露在電磁輻射下包括微波輻射、紅外線輻射、可見(jiàn)光輻射、紫外線輻射、X射線輻射或伽瑪輻射。
19.如權(quán)利要求1所述的方法，其中使所述金屬配位絡(luò)合物還原成零氧化態(tài)金屬包括使用金屬和/或催化劑的組合。
20.如權(quán)利要求1所述的方法，其中從所述表面去除未還原的金屬配位絡(luò)合物包括使用溶劑沖洗所述表面。
21.如權(quán)利要求1所述的方法，其中干燥所述表面包括在環(huán)境溫度干燥或者在升高溫度干燥。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中在環(huán)境或升高溫度干燥所述表面包括使用真空室。
23.如權(quán)利要求1所述的方法，其中將傳導(dǎo)材料沉積到所述表面上包括金屬到包括所述還原金屬配位絡(luò)合物的表面的部分上的電解沉積。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中金屬到包括所還原金屬配位絡(luò)合物的表面的所述部分上的電解沉積包括: 使直流電源的負(fù)極端子至少接觸包括所述還原金屬配位絡(luò)合物的表面的所述部分； 提供包括要沉積的金屬鹽的水溶液、由浸入所述水溶液的金屬形成的電極或其組合； 使所述直流電源的正極端子接觸所述水溶液； 至少使包括所還原金屬配位絡(luò)合物的表面的部分接觸所述水溶液；以及 打開(kāi)所述電源。
25.如權(quán)利要求1所述的方法，其中將傳導(dǎo)材料沉積到所述表面上包括金屬到包括所還原金屬配位絡(luò)合物的表面的部分上的無(wú)電沉積。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中將金屬無(wú)電沉積到包括所還原金屬配位絡(luò)合物的表面的部分上包括至少使包括金屬配位絡(luò)合物的表面的部分接觸包括所述金屬鹽、絡(luò)合劑和還原劑的溶液。
27.如權(quán)利要求1所述的方法，其中將傳導(dǎo)材料沉積到所述表面上包括非金屬傳導(dǎo)物質(zhì)到包括所還原金屬配位絡(luò)合物的表面的部分上的沉積。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述非金屬傳導(dǎo)物質(zhì)通過(guò)靜電分散沉積到包括所還原金屬配位絡(luò)合物的表面的部分上。
29.如權(quán)利要求1所述的方法，其中整個(gè)非傳導(dǎo)襯底表面被活化，并且所述金屬配位絡(luò)合物被沉積到整個(gè)表面上。
30.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述整個(gè)非傳導(dǎo)襯底表面被活化，并且所述金屬配位絡(luò)合物被沉積到所述活化表面的一部分上。
【文檔編號(hào)】H01L21/768GK104025724SQ201280051161
【公開(kāi)日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2012年8月16日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月19日
【發(fā)明者】W.維斯曼 申請(qǐng)人:全球第一電路技術(shù)公司