一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括陽(yáng)極導(dǎo)電基板、功能層、發(fā)光層、陰極層和封裝層，陽(yáng)極導(dǎo)電基板和封裝層形成封閉空間，功能層、發(fā)光層和陰極層容置在該封閉空間內(nèi)，封裝層依次包括保護(hù)層、阻擋層和聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜，阻擋層依次包括第一有機(jī)阻擋層、氧化物層、第二有機(jī)阻擋層和氮化物層，第一有機(jī)阻擋層和第二有機(jī)阻擋層材質(zhì)相同。所述第一有機(jī)阻擋層、氧化物層、第二有機(jī)阻擋層和氮化物層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，所述阻擋層為多個(gè)基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成。本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，該方法可有效地減少水汽、氧對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，可顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。
【專利說(shuō)明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子器件相關(guān)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制備幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí)，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]OLED器件具有主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無(wú)視角限制等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來(lái)的照明和顯示器件市場(chǎng)上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過(guò)去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來(lái)越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動(dòng)了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0004]有機(jī)電致發(fā)光器件目前普遍存在壽命短，因此封裝的好壞直接影響器件的壽命。傳統(tǒng)技術(shù)中采用玻璃蓋或金屬蓋進(jìn)行封裝，其邊沿用紫外聚合樹脂密封，但這種方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大，增加了器件的重量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件可有效地減少水汽、氧對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，保護(hù)有機(jī)電致發(fā)光器件的有機(jī)功能材料和電極免遭破壞，滿足封裝的密封性要求，可顯著地提高OLED器件的壽命，本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模使用。
[0006]一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括陽(yáng)極導(dǎo)電基板、功能層、發(fā)光層、陰極層和封裝層，陽(yáng)極導(dǎo)電基板和封裝層形成封閉空間，功能層、發(fā)光層和陰極層容置在該封閉空間內(nèi)，所述封裝層依次包括保護(hù)層、阻擋層和聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)膜；
[0007]所述阻擋層依次包括第一有機(jī)阻擋層、氧化物層、第二有機(jī)阻擋層和氮化物層，所述第一有機(jī)阻擋層、氧化物層、第二有機(jī)阻擋層和氮化物層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，所述阻擋層為多個(gè)基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成。
[0008]所述第一有機(jī)阻擋層和第二有機(jī)阻擋層材質(zhì)相同，均為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹脂或甲基環(huán)戊烯醇酮；
[0009]所述氧化物層材質(zhì)為二氧化硅(Si02)、氧化鋁(A1203)、二氧化鈦(Ti02)、二氧化鋯(ZrO2)、二氧化鉿(HfO2)或五氧化二鉭(Ta2O5)；
[0010]所述氮化物層材質(zhì)為氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(A1N)、氮化硼(BN)、一氮化硅(SiN)、氮化鉭(TaN)或氮化鈦(TiN)。
[0011]第一有機(jī)阻擋層和第二有機(jī)阻擋層屬于有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層的存在一方面可以阻擋外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，另一方面可以增加封裝層的柔性，防止封裝層的出現(xiàn)裂紋，同時(shí)有機(jī)阻擋層具有質(zhì)量輕、制備簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)。有機(jī)阻擋層的重復(fù)制備強(qiáng)化了封裝層的柔韌性。
[0012]氧化物層和氮化物層屬于無(wú)機(jī)阻擋層，絕緣性好，具有良好的水、氧阻隔能力。同時(shí)由于氧化層和氮化物層材質(zhì)和性質(zhì)不同，單一氧化層或單一氮化物層存在缺陷時(shí)，不會(huì)影響其他層的絕緣效果，提高封裝效果，延長(zhǎng)封裝壽命。
[0013]優(yōu)選地，氧化物層的厚度為IOOnm?150nm。
[0014]優(yōu)選地，氮化物層的厚度為IOOnm?150nm。
[0015]優(yōu)選地，所述阻擋層為3?4個(gè)基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成。
[0016]所述阻擋層可以減小單一有機(jī)阻擋層、單一無(wú)機(jī)阻擋層的缺陷對(duì)封裝效果的影響，延長(zhǎng)水、氧滲透路徑，使水、氧進(jìn)入有機(jī)電致發(fā)光器件的路徑更加復(fù)雜，有效減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，同時(shí)可以提高封裝層的柔韌性，達(dá)到封裝要求。
[0017]通過(guò)真空蒸鍍的方法在陰極層上制備保護(hù)層，保護(hù)層的存在可以保護(hù)陰極在后續(xù)操作過(guò)程中免遭破壞。
[0018]保護(hù)層材料選自有機(jī)小分子材料、無(wú)機(jī)材料或金屬材料中的一種，優(yōu)選自酞菁銅(CuPc), N, N，- (1_萘基)州，N，- 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)、八羥基喹啉鋁(Alq3)、氧化硅(SiO )、氟化鎂(MgF2)或硫化鋅(ZnS )。
[0019]優(yōu)選地，保護(hù)層的厚度為200nm?300nm。
[0020]在帶有所述阻擋層的PET膜邊緣涂布封裝膠，將所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述PET膜和基板內(nèi)。
[0021]優(yōu)選地，陽(yáng)極導(dǎo)電基板為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板。
[0022]功能層通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。發(fā)光層設(shè)置于空穴傳輸層和電子傳輸層之間。優(yōu)選地，功能層和發(fā)光層為通過(guò)真空蒸鍍的方法設(shè)置。
[0023]采用蒸鍍方法制備陰極層。
[0024]優(yōu)選地，陰極層為金屬陰極層。
[0025]更優(yōu)選地，陰極層為鋁、銀或金。
[0026]另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0027](I)在潔凈的導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板上制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極圖形；采用真空蒸鍍的方法在基板上制備功能層、發(fā)光層和陰極層；
[0028](2)采用真空蒸鍍的方法在陰極層上制備保護(hù)層；
[0029](3)在PET膜上制備阻擋層，阻擋層的制備方法如下:
[0030](a)在PET膜上采用先旋涂后曝光的方法制備第一有機(jī)阻擋層，第一有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹脂或甲基環(huán)戊烯醇酮；
[0031](b)采用磁控濺射的方法在第一有機(jī)阻擋層上制備氧化物層，氧化物層材質(zhì)為Si02、A1203、TiO2> ZrO2> HfO2 或 Ta2O5 ；
[0032](C)采用先旋涂后曝光的方法在氧化物層上制備第二有機(jī)阻擋層，第二有機(jī)阻擋層和第一有機(jī)阻擋層材質(zhì)和制備方法相同；
[0033](d)采用磁控濺射的方法在第二有機(jī)阻擋層上制備氮化物層，氮化物層材質(zhì)為Si3N4' AIN、BN、SiN、TaN 或 TiN ；[0034](e)在步驟(d)后采用和步驟(a)相同的方法和材質(zhì)在氮化物層上制備第一有機(jī)阻擋層，再在所述第一有機(jī)阻擋層上采用步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層，在所述的氧化物層上采用步驟(C)相同的方法和材質(zhì)制備第二有機(jī)阻擋層，在所述的第二有機(jī)阻擋層上采用步驟(d)相同的方法和材質(zhì)制備氮化物層，所述第一有機(jī)阻擋層、氧化物層、第二有機(jī)阻擋層和氮化物層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，制備多個(gè)所述基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成阻擋層。
[0035](4)在帶有所述阻擋層的PET膜邊緣涂布封裝膠，用UV光進(jìn)行固化，將所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述PET膜和基板內(nèi)。
[0036]優(yōu)選地，步驟(3)中第一有機(jī)阻擋層和第二有機(jī)阻擋層的制備條件均為:采用先旋涂后曝光的方法制備，在惰性氛圍下制備，涂膠厚度I~1.5 μ m，然后用UV光進(jìn)行固化，光強(qiáng)10~15mW/cm2，曝光時(shí)間 200~300s。
[0037]優(yōu)選地，步驟(3)中氧化物層的制備條件為:采用磁控濺射方法制備，本底真空度為 1Χ10-5 ~IXlO-3Pa0
[0038]優(yōu)選地，步驟(3)氮化物層的制備條件為:采用磁控濺射方法制備，本底真空度為1Χ10-5 ~IXlO-3Pa0
[0039]優(yōu)選地，所述阻擋層為3~4個(gè)基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成。
[0040]所述阻擋層結(jié)構(gòu)可以延長(zhǎng)水、氧滲透路徑，有效減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，彌補(bǔ)了單一無(wú)機(jī)物層和單一有機(jī)物層的缺點(diǎn)，使封裝層質(zhì)量更輕、阻隔水、氧的能力更強(qiáng)。
[0041]步驟(2)通過(guò)真空蒸鍍的方法在陰極層上制備保護(hù)層，保護(hù)層的存在可以保護(hù)功能層和金屬陰極在后續(xù)操作過(guò)程中免遭破壞。
[0042]優(yōu)選地，保護(hù)層的材質(zhì)為CuPc、NPB、Alq3、SiO、MgF2或ZnS。優(yōu)選地，保護(hù)層的厚度為 200nm ~300nm。
[0043]優(yōu)選地，步驟(2)真空蒸鍍過(guò)程的真空度lX10_5Pa~lX10_3Pa，蒸發(fā)速度
0.5A ~ 5 A /Sc
[0044]步驟(4)為在帶有所述無(wú)機(jī)阻擋層和有機(jī)阻擋層的PET膜邊緣涂布封裝膠，用UV光進(jìn)行固化，將所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述PET膜和基板內(nèi)。
[0045]優(yōu)選地，用UV光進(jìn)行固化時(shí)，光強(qiáng)為15~25mW/cm2，曝光時(shí)間為300~400s。
[0046]優(yōu)選地,陽(yáng)極基板為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板。
[0047]采用真空蒸鍍的方法在基板上制備功能層、發(fā)光層和陰極層。
[0048]功能層通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。發(fā)光層設(shè)置于空穴傳輸層和電子傳輸層之間。
[0049]采用蒸鍍方法制備陰極層。
[0050]優(yōu)選地，陰極層為金屬陰極層。
[0051]更優(yōu)選地，陰極層為鋁、銀或金。
[0052]本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果:
[0053](I)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件可以有效地減少外部水、氧等活性物質(zhì)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對(duì)器件有機(jī)功能材料及電極形成有效的保護(hù)，顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命；
[0054](2)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件封裝層的防水性能(WVTR)達(dá)到4.3X 10_6g/m2 -day,壽命達(dá) 14，500 小時(shí)以上(T70@1000cd/m2)；
[0055](3)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件材料廉價(jià)，制備方法簡(jiǎn)單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模使用。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0056]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】 [0057]以下所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和調(diào)整，這些改進(jìn)和調(diào)整也視為在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0058]實(shí)施例1:
[0059]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0060](I)ITO玻璃基板I前處理:丙酮清洗一乙醇清洗一去離子水清洗一乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，單項(xiàng)洗滌清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，烘箱烤干待用；?duì)洗凈后的ITO玻璃基板I還需進(jìn)行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高導(dǎo)電層表面的功函數(shù)；ΙΤ0厚度為IOOnm;
[0061](2)功能層及發(fā)光層的制備:空穴注入層2:在ITO玻璃基板I上蒸鍍MoO3摻雜NPB得到的混合材料，MoO3的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，蒸鍍均采用高真空鍍膜設(shè)備進(jìn)行，蒸鍍時(shí)真空度為1父10_^，蒸發(fā)速度為0.1人/8，得到空穴注入層2，厚度為IOnm;
[0062]空穴傳輸層3:采用4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，在空穴注入層2上蒸鍍TCTA，真空度I X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1A/S,蒸發(fā)厚度30nm ；
[0063]發(fā)光層4:在空穴傳輸層3上蒸鍍發(fā)光層4,發(fā)光層4主體材料米用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)，客體材料質(zhì)量占主體材料的5 %，蒸鍍真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S,蒸發(fā)厚度20nm ；
[0064]電子傳輸層5的制備:在發(fā)光層4上蒸鍍4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸材料，真空度1\10々&，蒸發(fā)速度0.1人/3，蒸發(fā)厚度IOnm ；
[0065]電子注入層6的制備:在電子傳輸層5上蒸鍍電子注入材料形成電子注入層6，電子注入層6材質(zhì)為CsN3摻雜Bphen，，摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)30%，真空度I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度
0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm ；
[0066](3)陰極層7的制備:在電子注入層6上蒸鍍金屬陰極7，金屬陰極7采用鋁(Al)，厚度為lOOnm，蒸鍍真空度1父10_午&，蒸發(fā)速度5力3;
[0067](4)保護(hù)層801的制備:采用真空蒸鍍的方法在陰極層7上制備NPB，真空度5父10-%，蒸發(fā)速度卜5人/8,厚度300nm ；
[0068](5)阻擋層的制備:
[0069](a)第一有機(jī)阻擋層813的制備:在PET膜814上制備第一有機(jī)阻擋層813，第一有機(jī)阻擋層813材料為甲基丙烯酸樹脂，采用先旋涂后曝光的方法制備，在惰性氛圍下制備，涂膠厚度1.2 μ m，然后用UV光(λ = 365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)12mW/cm2，曝光時(shí)間250s ；[0070](b)氧化物層812的制備:在第一有機(jī)阻擋層813上制備，氧化物層812材料為Al2O3，采用磁控濺射制備，本底真空度5 X10_5Pa，厚度120nm ；
[0071](c)第二有機(jī)阻擋層811的制備:在氧化物層812上制備，第二有機(jī)阻擋層811的材質(zhì)和制備方法同第一有機(jī)阻擋層813 ；
[0072](d)氮化物層810的制備:在第二有機(jī)阻擋層811上制備，氮化物層810材料為A1N，采用磁控濺射方法制備，本底真空度5X 10_5Pa，厚度120nm ；
[0073](e)第一有機(jī)阻擋層805、809，氧化物層804、808，第二有機(jī)阻擋層803、807，氮化物層802、806的制備:在步驟(d)后采用和步驟(a)相同的方法和材質(zhì)在氮化物層810上制備第一有機(jī)阻擋層809，再在第一有機(jī)阻擋層809上采用步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層808，在氧化物層808上采用步驟(c)相同的方法和材質(zhì)制備第二有機(jī)阻擋層807，在第二有機(jī)阻擋層807上采用步驟(d)相同的方法和材質(zhì)制備氮化物層806，再在氮化物層806上采用和步驟(a)相同的方法和材質(zhì)制備第一有機(jī)阻擋層805，在第一有機(jī)阻擋層805上采用步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層804，在氧化物層804上采用步驟(c)相同的方法和材質(zhì)制備第二有機(jī)阻擋層803，在第二有機(jī)阻擋層803采用步驟(d)相同的方法和材質(zhì)制備氮化物層802，最終得到含有3層基本結(jié)構(gòu)的阻擋層。
[0074](6) PET膜814的覆蓋:在帶有阻擋層的PET膜814邊緣涂布封裝膠，用UV光(λ=365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)15mW/cm2，曝光時(shí)間300s ;將所述的有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述PET膜814及玻璃基板I內(nèi)。
[0075]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2 -day)為4.6X 10_6，有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為15，809h (T70@1000cd/m2)。
[0076]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括ITO玻璃基板1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、電子注入層6、陰極層7和`封裝層8，封裝層8依次包括保護(hù)層801，氮化物層802、806、810，第二有機(jī)阻擋層803、807、811，氧化物層804、808、812，第一有機(jī)阻擋層805、809,813和PET膜814，第一有機(jī)阻擋層813制備在PET膜814上。ITO玻璃基板I和封裝層8通過(guò)封裝膠密封形成封閉空間，空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、電子注入層6、陰極層7容置在該封閉空間內(nèi)。
[0077]實(shí)施例2:
[0078]—種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0079](1)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0080](4)保護(hù)層的制備:采用真空蒸鍍的方法在陰極層上制備CuPc，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/s,厚度200nm ；
[0081](5)阻擋層的制備:
[0082](a)第一有機(jī)阻擋層的制備:在PET膜上制備，第一有機(jī)阻擋層為聚四氟乙稀，米用先旋涂后曝光的方法制備，在惰性氛圍下制備，涂I父厚度1.5 μ m,然后用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)15mW/cm2,曝光時(shí)間300s ；
[0083](b)氧化物層的制備:在第一有機(jī)阻擋層上制備，氧化物層材料為SiO2，采用磁控濺射制備，本底真空度I X 10?,厚度150nm ；
[0084](C)第二有機(jī)阻擋層的制備:在氧化物層上制備，第二有機(jī)阻擋層的材質(zhì)和制備方法同第一有機(jī)阻擋層；
[0085](d)氮化物層的制備:在第二有機(jī)阻擋層上制備，氮化物層材料為Si3N4，采用磁控濺射方法制備，本底真空度I X 10?,厚度150nm ；
[0086](e)在步驟(d)后采用和步驟(a)相同的方法和材質(zhì)制備第一有機(jī)阻擋層，再在所述第一有機(jī)阻擋層上采用步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層，在所述的氧化物層上采用步驟(c)相同的方法和材質(zhì)制備第二有機(jī)阻擋層，在所述的第二有機(jī)阻擋層上采用步驟(d)相同的方法和材質(zhì)制備氮化物層，所述第一有機(jī)阻擋層、氧化物層、第二有機(jī)阻擋層和氮化物層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，制備多個(gè)所述基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成阻擋層，最終得到含有4層基本結(jié)構(gòu)的阻擋層；
[0087](6)PET膜的覆蓋:在帶有阻擋層的PET膜邊緣涂布封裝膠，用UV光(λ = 365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)25mW/cm2，曝光時(shí)間400s ;將所述的有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述PET膜及基板內(nèi)。
[0088]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2 -day)為4.3X 10_6，有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為16，112h (T70@1000cd/m2)。
[0089]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括ITO玻璃基板、功能層、發(fā)光層、陰極層、保護(hù)層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層和PET膜。ITO玻璃基板和PET膜通過(guò)封裝膠密封形成封閉空間，功能層、發(fā)光層、陰極層、保護(hù)層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層容置在該封閉空間內(nèi)。
[0090]實(shí)施例3:
[0091]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0092](1)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0093](4)保護(hù)層的制備:采用真空蒸鍍的方法在陰極層上制備Alq3，真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2人/S，厚度250nm ；
[0094](5)阻擋層的制備:
[0095]Ca)第一有機(jī)阻擋層的制備:在PET膜上制備，第一有機(jī)阻擋層為甲基環(huán)戊烯醇酮，采用先旋涂后曝光的方法制備，在惰性氛圍下制備，涂膠厚度I μ m，然后用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)10mW/cm2,曝光時(shí)間200s ；
[0096](b)氧化物層的制備:在第一有機(jī)阻擋層上制備，氧化物層材料為TiO2，采用磁控濺射制備，本底真空度5 X10_5Pa，厚度IOOnm ；
[0097](C)第二有機(jī)阻擋層的制備:在氧化物層上制備，第二有機(jī)阻擋層的材質(zhì)和制備方法同第一有機(jī)阻擋層；
[0098](d)氮化物層的制備:在第二有機(jī)阻擋層上制備，氮化物層的材料為BN，采用磁控濺射方法制備，本底真空度5X 10_5Pa，厚度120nm ；
[0099](e)在步驟(d)后采用和步驟(a)相同的方法和材質(zhì)制備第一有機(jī)阻擋層，再在所述第一有機(jī)阻擋層上采用步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層，在所述的氧化物層上采用步驟(C)相同的方法和材質(zhì)制備第二有機(jī)阻擋層，在所述的第二有機(jī)阻擋層上采用步驟(d)相同的方法和材質(zhì)制備氮化物層，所述第一有機(jī)阻擋層、氧化物層、第二有機(jī)阻擋層和氮化物層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，制備多個(gè)所述基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成阻擋層，最終得到含有3層基本結(jié)構(gòu)的阻擋層；
[0100](6) PET膜的覆蓋:在帶有阻擋層的PET膜邊緣涂布封裝膠，用UV光(λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強(qiáng)20mW/cm2，曝光時(shí)間350s ;將所述的有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述PET膜及基板內(nèi)。
[0101]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2 -day)為5.1X10_6，有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為15，305h (T70@1000cd/m2)。
[0102]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括ITO玻璃基板、功能層、發(fā)光層、陰極層、保護(hù)層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層和PET膜。ITO玻璃基板和PET膜通過(guò)封裝膠密封形成封閉空間，功能層、發(fā)光層、陰極層、保護(hù)層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層容置在該封閉空間內(nèi)。
[0103]實(shí)施例4:
[0104]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0105](I)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0106](4)保護(hù)層的制備:采用真空蒸鍍的方法在陰極層上制備SiO，真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S,厚度200nm ；
[0107](5)阻擋層的制備:
[0108](a)第一有機(jī)阻擋層的制備:在PET膜上制備，第一有機(jī)阻擋層材料為聚四氟乙稀，米用先旋涂后曝光的方法制備，在惰性氛圍下制備，涂I父厚度1.2 μ m,然后用UV光(λ=365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)llmW/cm2，曝光時(shí)間250s ；
[0109](b)氧化物層的制備:在第一有機(jī)阻擋層上制備，氧化物層為ZrO2，采用磁控濺射制備，本底真空度5 X 10_5Pa，厚度120nm ；
[0110](C)第二有機(jī)阻擋層的制備:在氧化物層上制備，第一有機(jī)阻擋層的材質(zhì)和制備方法同第一有機(jī)阻擋層；
[0111](d)氮化物層的制備:在第二有機(jī)阻擋層上制備，第二有機(jī)阻擋層材料為SiN，采用磁控濺射方法制備，本底真空度5 X 10_5Pa，厚度IOOnm ；
[0112](e)在步驟(d)后采用和步驟(a)相同的方法和材質(zhì)制備第一有機(jī)阻擋層，再在所述第一有機(jī)阻擋層上采用步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層，在所述的氧化物層上采用步驟(c)相同的方法和材質(zhì)制備第二有機(jī)阻擋層，在所述的第二有機(jī)阻擋層上采用步驟(d)相同的方法和材質(zhì)制備氮化物層，所述第一有機(jī)阻擋層、氧化物層、第二有機(jī)阻擋層和氮化物層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，制備多個(gè)所述基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成阻擋層，最終得到含有3層基本結(jié)構(gòu)的阻擋層；
[0113](6) PET膜的覆蓋:在帶有阻擋層的PET膜邊緣涂布封裝膠，用UV光(λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強(qiáng)20mW/cm2，曝光時(shí)間350s ;將所述的有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述PET膜及基板內(nèi)。[0114]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2 - day)為6.2X10_6，有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為15，008h (T70@1000cd/m2)。
[0115]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括ITO玻璃基板、功能層、發(fā)光層、陰極層、保護(hù)層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層和PET膜。ITO玻璃基板和PET膜通過(guò)封裝膠密封形成封閉空間，功能層、發(fā)光層、陰極層、保護(hù)層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層容置在該封閉空間內(nèi)。
[0116]實(shí)施例5:
[0117]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0118](I)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0119](4)保護(hù)層的制備:采用真空蒸鍍的方法在陰極層上制備MgF2，真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度5A/S,厚度300nm ；
[0120](5)阻擋層的制備:
[0121](a)第一有機(jī)阻擋層的制備:在PET膜上制備，第一有機(jī)阻擋層材料為甲基丙烯Ife樹脂，米用先旋涂后曝光的方法制備，在惰性氛圍下制備，涂I父厚度1.2 μ m,然后用UV光(入=365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)12mW/cm2，曝光時(shí)間260s ；
[0122](b)氧化物層的制備:在第一有機(jī)阻擋層上制備，氧化物層為HfO2，采用磁控濺射制備，本底真空度5 X 10_5Pa，厚度120nm ；
[0123](C)第二有機(jī)阻擋層的制備:在氧化物層上制備，第二有機(jī)阻擋層的材質(zhì)和制備方法同第一有機(jī)阻擋層；
[0124](d)氮化物層的制備:在第二有機(jī)阻擋層上制備，氮化物層材料為TaN，采用磁控濺射方法制備，本底真空度5X 10_5Pa，厚度120nm ；
[0125](e)在步驟(d)后采用和步驟(a)相同的方法和材質(zhì)制備第一有機(jī)阻擋層，再在所述第一有機(jī)阻擋層上采用步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層，在所述的氧化物層上采用步驟(c)相同的方法和材質(zhì)制備第二有機(jī)阻擋層，在所述的第二有機(jī)阻擋層上采用步驟(d)相同的方法和材質(zhì)制備氮化物層，所述第一有機(jī)阻擋層、氧化物層、第二有機(jī)阻擋層和氮化物層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，制備多個(gè)所述基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成阻擋層，最終得到含有3層基本結(jié)構(gòu)的阻擋層；
[0126](6) PET膜的覆蓋:在帶有阻擋層的PET膜邊緣涂布封裝膠，用UV光(λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強(qiáng)20mW/cm2，曝光時(shí)間350s ;將所述的有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述PET膜及基板內(nèi)。
[0127]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2 -day)為6.5X 10_6，有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為14，907h (T70@1000cd/m2)。
[0128]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括ITO玻璃基板、功能層、發(fā)光層、陰極層、保護(hù)層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層和PET膜。ITO玻璃基板和PET膜通過(guò)封裝膠密封形成封閉空間，功能層、發(fā)光層、陰極層、保護(hù)層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層容置在該封閉空間內(nèi)。
[0129]實(shí)施例6:
[0130]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0131](I)、(2)、(3)同實(shí)施例1 ;
[0132](4)保護(hù)層的制備:采用真空蒸鍍的方法在陰極層上制備ZnS，真空度lX10_3Pa，蒸發(fā)速度2A7s,厚度250nm ；
[0133](5)阻擋層的制備:
[0134](a)第一有機(jī)阻擋層的制備:在PET膜上制備，第一有機(jī)阻擋層材料為甲基環(huán)戊烯醇酮，采用先旋涂后曝光的方法制備，在惰性氛圍下制備，涂膠厚度1.2 μ m，然后用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)llmW/cm2,曝光時(shí)間250s ；
[0135](b)氧化物層的制備:在第一有機(jī)阻擋層上制備，氧化物層為Ta2O5，采用磁控濺射制備，本底真空度I X 10?,厚度IOOnm ；
[0136](C)第二有機(jī)阻擋層的制備:在氧化物層上制備，第二有機(jī)阻擋層的材質(zhì)和制備方法同第一有機(jī)阻擋層；
[0137](d)氮化物層的 制備:在第二有機(jī)阻擋層上制備，氮化物層材料為TiN，采用磁控濺射方法制備，本底真空度I X 10?,厚度IOOnm ；
[0138](e)在步驟(d)后采用和步驟(a)相同的方法和材質(zhì)制備第一有機(jī)阻擋層，再在所述第一有機(jī)阻擋層上采用步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層，在所述的氧化物層上采用步驟(c)相同的方法和材質(zhì)制備第二有機(jī)阻擋層，在所述的第二有機(jī)阻擋層上采用步驟(d)相同的方法和材質(zhì)制備氮化物層，所述第一有機(jī)阻擋層、氧化物層、第二有機(jī)阻擋層和氮化物層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，制備多個(gè)所述基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成阻擋層，最終得到含有3層基本結(jié)構(gòu)的阻擋層；
[0139](6)PET膜的覆蓋:在帶有阻擋層的PET膜邊緣涂布封裝膠，用UV光(λ = 365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)20mW/cm2，曝光時(shí)間360s ;將所述的有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述PET膜及基板內(nèi)。
[0140]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的水氧滲透率(WVTR，g/m2 -day)為6.9X 10_6，有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命為14，506h (T70@1000cd/m2)。
[0141]本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括ITO玻璃基板、功能層、發(fā)光層、陰極層、保護(hù)層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層和PET膜，第一有機(jī)阻擋層制備在PET膜上。ITO玻璃基板和PET膜通過(guò)封裝膠密封形成封閉空間，功能層、發(fā)光層、陰極層、保護(hù)層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層、氮化物層、第二有機(jī)阻擋層、氧化層、第一有機(jī)阻擋層容置在該封閉空間內(nèi)。
[0142]效果實(shí)施例
[0143]為有效證明本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法的有益效果，提供相關(guān)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)如下。
[0144]表1.實(shí)施例1飛有機(jī)電致發(fā)光器件水氧滲透率
[0145]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括陽(yáng)極導(dǎo)電基板、功能層、發(fā)光層、陰極層和封裝層，陽(yáng)極導(dǎo)電基板和封裝層形成封閉空間，功能層、發(fā)光層和陰極層容置在該封閉空間內(nèi)，其特征在于，所述封裝層依次包括保護(hù)層、阻擋層和聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜； 所述阻擋層依次包括第一有機(jī)阻擋層、氧化物層、第二有機(jī)阻擋層和氮化物層，所述第一有機(jī)阻擋層、氧化物層、第二有機(jī)阻擋層和氮化物層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，所述阻擋層為多個(gè)基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成； 所述第一有機(jī)阻擋層和第二有機(jī)阻擋層材質(zhì)相同，均為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹脂或甲基環(huán)戊烯醇酮； 所述氮化物層材質(zhì)為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、一氮化硅、氮化鉭或氮化鈦； 所述氧化物層材質(zhì)為二氧化硅、氧化鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿或五氧化二鉭。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述阻擋層為3~4個(gè)基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氧化物層的厚度為IOOnm ~150nmo
4.如權(quán)利要求1所述的 有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氮化物層的厚度為IOOnm ~150nmo
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述保護(hù)層材質(zhì)為酞菁銅、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)_1，I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅，保護(hù)層的厚度為200nm~300nm。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)在潔凈的導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板上制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極圖形；采用真空蒸鍍的方法在基板上制備功能層、發(fā)光層和陰極層； (2)采用真空蒸鍍的方法在陰極層上制備保護(hù)層； (3)在聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜上制備阻擋層，阻擋層的制備方法如下: (a)在聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜上采用先旋涂后曝光的方法制備第一有機(jī)阻擋層，第一有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸樹脂或甲基環(huán)戊烯醇酮； (b)采用磁控濺射的方法在第一有機(jī)阻擋層上制備氧化物層，氧化物層材質(zhì)為二氧化硅、氧化鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鉿或五氧化二鉭； (C)采用先旋涂后曝光的方法在氧化物層上制備第二有機(jī)阻擋層，第二有機(jī)阻擋層和第一有機(jī)阻擋層材質(zhì)和制備方法相同； (d)采用磁控濺射的方法在第二有機(jī)阻擋層上制備氮化物層，氮化物層材質(zhì)為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、一氮化硅、氮化鉭或氮化鈦； (e)在步驟(d)后采用和步驟(a)相同的方法和材質(zhì)在氮化物層上制備第一有機(jī)阻擋層，再在所述第一有機(jī)阻擋層上采用步驟(b)相同的方法和材質(zhì)制備氧化物層，在所述的氧化物層上采用步驟(C)相同的方法和材質(zhì)制備第二有機(jī)阻擋層，在所述的第二有機(jī)阻擋層上采用步驟(d)相同的方法和材質(zhì)制備氮化物層，所述第一有機(jī)阻擋層、氧化物層、第二有機(jī)阻擋層和氮化物層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu)，制備多個(gè)所述基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成阻擋層； (4)在帶有所述阻擋層的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜邊緣涂布封裝膠，用UV光進(jìn)行固化，將所述有機(jī)電致發(fā)光器件封裝在所述聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜和基板內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述第一有機(jī)阻擋層和第二有機(jī)阻擋層均采用先旋涂后曝光的方法制備，在惰性氛圍下，涂膠厚度I~1.5 μ m，然后用UV光進(jìn)行固化，光強(qiáng)10~15mW/cm2，曝光時(shí)間200~300s。
8.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述氧化物層采用磁控濺射方法制備，本底真空度為I X 10_5~I X 10_3Pa。
9.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述氮化物層采用磁控濺射方法制備，本底真空度為I X 10_5~I X 10_3Pa。
10.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述阻擋層為3~4個(gè)基本 結(jié)構(gòu)重復(fù)形成。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK103730593SQ201210388816
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2012年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月15日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 馮小明 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司