專利名稱：輥到輥蒸發(fā)系統(tǒng)和制造ibiiiavia族光電裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用來制備半導(dǎo)體膜的薄膜的方法和設(shè)備，這些半導(dǎo)體膜用于輻射探測器和光電用途。
背景技術(shù)：
太陽能電池是將太陽光直接轉(zhuǎn)換成電力的光電裝置。大多數(shù)普通太陽能電池材料是硅，硅呈現(xiàn)為單晶或多晶晶片的形式。然而，使用硅基太陽能電池產(chǎn)生的電能的成本比由更為傳統(tǒng)的方法產(chǎn)生的電能的成本高。因此，從1970年代早期起，對于地區(qū)使用已經(jīng)有降低太陽能電池成本的努力。降低太陽能電池成本的一種途徑是開發(fā)低成本薄膜生長技術(shù)，這些技術(shù)可將太陽能電池質(zhì)量的吸收材料淀積在大面積基片上；并且使用高生產(chǎn)率、低成本方法構(gòu)造這些裝置。IBIIIAVIA族化合物半導(dǎo)體是用于薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)的優(yōu)良吸收材料。IBIIIAVIA族化合物半導(dǎo)體包括如下的一些周期表的IB族元素，如銅(Cu)、銀(Ag)以及金(Au);周期表的IIIA族元素，如硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)以及(Tl);以及周期表的VIA族元素，如氧(O)、硫(S)、硒(Se)、碲(Te)以及釙(Po)。特別是，Cu、In、Ga、Se及S的化合物已經(jīng)用在太陽能電池結(jié)構(gòu)中，這些化合物一般稱作CIGS (S)、或Cu (In,Ga) (S、Se)2或CuIrvxGax (SySei_y)k，其中O彡x彡1，0彡y彡1，k近似是2，這些太陽能電池結(jié)構(gòu)產(chǎn)生接近20%的轉(zhuǎn)換效率。包含IIIA族元素Al和/或VIA族元素Te的吸收劑也有前途。因此，對于太陽能電池用途，對包含如下的化合物感興趣i)來自IB族的Cu;ii)來自IIIA族的In、Ga以及Al中的至少一種；及iii)來自VIA族的S、Se以及Te中的至少一種。IA族的堿金屬，如K、Na及Li，常常包括在CIGS (S)吸收劑中作為摻雜物，以改進(jìn)它們的光電性能。常規(guī)IBIIIAVIA族化合物光電池10，如Cu (In, Ga, Al) (S、Se、Te) 2薄膜太陽能電池，的結(jié)構(gòu)表示在圖I中。光電池10包括基體11，該基體11具有基片12和導(dǎo)電層13，該導(dǎo)電層13形成在基片上?；?2可以是玻璃片、金屬片、絕緣箔或腹板、或?qū)щ姴蚋拱?。吸收薄?4形成在導(dǎo)電層13上，該吸收薄膜14包括在Cu (In, Ga, Al) (S、Se、Te)2的族系中的材料。導(dǎo)電層可以是Mo、Ta、W、或Ti層，并且起到對于光電池的歐姆接觸的作用。然而，如果基片12是適當(dāng)選擇的導(dǎo)電材料，如Ta箔或Mo箔，則也可能的是，不使用導(dǎo)電層，因?yàn)榛?2可以用作對于光電池的歐姆接觸。在形成吸收膜14之后，透明層15，例如CdS、ZnO或CdS/ZnO膜的疊堆，形成在吸收膜上。光16穿過透明層15進(jìn)入光電池10。金屬柵格(未示出)形成在透明層15上，以減小裝置的有效串聯(lián)電阻。吸收膜14的優(yōu)選電氣類型是P型，并且透明層15的優(yōu)選電氣類型是η型。然而，也可以形成η型吸收劑和P型窗口層。在圖I中所示的裝置結(jié)構(gòu)被稱為基片型結(jié)構(gòu)。所謂的覆蓋層型結(jié)構(gòu)也可通過如下方式形成將透明導(dǎo)電層淀積在透明基片上，如淀積玻璃或透明聚合物箔上；然后淀積Cu(In、Ga、Al) (S、Se、Te) 2吸收膜；最后由導(dǎo)電層形成對于裝置的歐姆接觸。在覆蓋層結(jié)構(gòu)中，光從透明覆蓋層側(cè)進(jìn)入裝置。用來生長用于太陽能電池用途的Cu (In、Ga) (S、Se) 2型吸收薄膜的一種技術(shù)是兩階段過程，其中，首先將Cu (In、Ga) (S、Se)2材料的金屬成分或組分，即Cu、In及Ga，淀積到基片上，并且然后在高溫退火過程中，與非金屬組分(或半金屬組分)反應(yīng)，即與S和/或Se反應(yīng)?？蛇x擇地 ，VIA族材料層也可包括在前體中。例如，Se和/或S可淀積在Cu、In和/或Ga膜的疊堆上，并且這個(gè)前體疊堆在升高的溫度(400-600° C)下退火，以開始在金屬元素和VIA族材料(一種或更多種)之間的反應(yīng)而形成Cu (In、Ga) (S、Se)2K合物。在退火期間，另外的Se和/或S源，如Se和S蒸汽、或含Se和S氣體，也可輸送到反應(yīng)器中。到相鄰站和設(shè)備的硒蒸汽遷移，是在使用Se蒸發(fā)器的淀積系統(tǒng)中的重要問題。在這樣的系統(tǒng)中，在淀積期間，硒蒸汽遷移到相鄰淀積站或端部站和機(jī)構(gòu)，如在端部站中的纏繞機(jī)構(gòu)或在淀積期間支承腹板的各個(gè)輥。一種現(xiàn)有技術(shù)解決方案是增大腹板的自由跨度距離，以將相鄰站和纏繞機(jī)構(gòu)移動(dòng)而遠(yuǎn)離硒蒸發(fā)器。然而，這種解決方案存在缺陷，因?yàn)檩^長跨度使腹板按懸垂形狀下垂，這由于不均勻張力導(dǎo)致在淀積層中的均勻性的降級。這樣大的自由跨度也增加了系統(tǒng)的占地面積。在圖I中所示的吸收層14除形成吸收層要求的基本元素(Cu、In、Ga、Se和/或S)之外，可以包含摻雜元素，如Na，以提高電池性能。對于IBIIIAVIA族吸收層關(guān)于可能摻雜物的以前研究已經(jīng)表明，堿金屬，如Na、K以及Li，影響這樣的吸收層的結(jié)構(gòu)和電氣性能。特別是，在CIGS層中Na的包括表明，對于它們的結(jié)構(gòu)和電氣性能和對于提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率是有益的-該太陽能電池構(gòu)造在這樣的層上，條件是其濃度被良好地控制。實(shí)現(xiàn)VIA族材料和/或摻雜材料淀積的系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，對于所生成的吸收膜的質(zhì)量、太陽能電池的效率、生產(chǎn)率、材料利用率及過程的成本是關(guān)鍵的。來自熱源的淀積通量往往在淀積過程期間顯著地變化。具有測量和控制淀積通量的能力對于過程穩(wěn)定性是關(guān)鍵的。因此，需要能夠高效地淀積這樣的層的新型過程和工具，以形成用于太陽能電池的高質(zhì)量、低成本CIGS型吸收層。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所提供的方法和設(shè)備采用從一個(gè)或更多個(gè)組分供給源蒸發(fā)的組分，以形成前體層的一個(gè)或更多個(gè)膜，該前體層形成在連續(xù)柔性工件的表面上。具有特別意義的是蒸汽淀積系統(tǒng)的實(shí)施，這些蒸汽淀積系統(tǒng)在連續(xù)柔性工件的水平布置部分和連續(xù)柔性工件的豎向布置部分上操作，優(yōu)選地與連續(xù)柔性工件的部分的短自
由跨度區(qū)一道。在一個(gè)方面，提供的是一種輥到輥系統(tǒng)，該輥到輥系統(tǒng)用來將IA族和VIA族材料的多個(gè)膜淀積在連續(xù)片形工件的前部表面上，該連續(xù)片形工件在工藝方向上前進(jìn)，該輥到輥系統(tǒng)包括工藝外殼，穿過該工藝外殼，連續(xù)片形工件在工藝外殼的進(jìn)入開口與離開開口之間前進(jìn)，工藝外殼包括第一工藝段和第二工藝段，該第一工藝段由工藝外殼的水平周緣壁布置，該第二工藝段由工藝外殼的豎向周緣壁布置，其中，第一工藝段與連續(xù)片形工件的水平布置部分相關(guān)聯(lián)，并且第二工藝段與連續(xù)片形工件的豎向布置部分相關(guān)聯(lián)；工件張緊和驅(qū)動(dòng)組件，用來使連續(xù)片形工件在工藝方向上在工藝外殼的進(jìn)入開口與離開開口之間前進(jìn)；第一淀積站，包括至少一個(gè)第一淀積單元，該至少一個(gè)第一淀積單元布置在第一工藝段處，以當(dāng)連續(xù)片形工件穿過至少第一淀積單元前進(jìn)時(shí)，將第一膜連續(xù)地淀積到連續(xù)片形工件的水平布置部分上；及第二淀積站，包括至少一個(gè)第二淀積單元，該至少一個(gè)第二淀積單元布置在第二工藝段處，以當(dāng)連續(xù)片形工件穿過至少第二淀積單元前進(jìn)時(shí)，將第二膜連續(xù)地淀積到連續(xù)片形工件的豎向布置部分上；其中，第一淀積站和第二淀積站中的一者直接淀積到連續(xù)片形工件的前部表面部分上，以得到新的前部表面部分，并且第一淀積站和第二淀積站中的另一者淀積到新的前部表面部分上。在對于上述方案的一個(gè)優(yōu)選方面中，第一淀積站直接淀積到連續(xù)片形工件的前部表面部分上，以得到新的前部表面部分，并且第二淀積站淀積到新的前部表面部分上。在另一個(gè)方面，提供的是一種將IA族和VIA族材料的多個(gè)膜蒸汽淀積在連續(xù)工件的前部表面上的方法，該連續(xù)工件在工藝方向上在輥到輥淀積系統(tǒng)中前進(jìn)，該方法包括使連續(xù)工件在工藝方向上在工藝外殼的進(jìn)入開口與離開開口之間前進(jìn)，工藝外殼包括第一 工藝段和第二工藝段，其中，第一工藝段與連續(xù)工件的水平布置部分相關(guān)聯(lián)，并且第二工藝段與連續(xù)工件的豎向布置部分相關(guān)聯(lián)；將第一膜淀積到連續(xù)工件的水平布置部分的前部表面的前部表面部分上，其中，第一膜的淀積使用至少一個(gè)第一蒸發(fā)淀積設(shè)備，該至少一個(gè)第一蒸發(fā)淀積設(shè)備布置在第一工藝段處，以當(dāng)連續(xù)工件穿過至少一個(gè)第一蒸發(fā)淀積設(shè)備前進(jìn)時(shí)，將第一膜連續(xù)地淀積到連續(xù)工件的前部表面的一部分上；及將第二膜淀積到連續(xù)工件的豎向布置部分的前部表面的第一膜的表面部分上，其中，第二膜的淀積使用至少一個(gè)第二蒸發(fā)淀積設(shè)備，該至少一個(gè)第二蒸發(fā)淀積設(shè)備布置在第二工藝段處，以當(dāng)連續(xù)工件穿過至少一個(gè)第一蒸發(fā)淀積設(shè)備前進(jìn)時(shí)，將第二膜連續(xù)地淀積到連續(xù)工件的第一膜的前部表面的一部分上。


圖I是現(xiàn)有技術(shù)的例示性太陽能電池結(jié)構(gòu)的橫截面示意圖；圖2A是連續(xù)柔性工件的橫截面示意圖，該連續(xù)柔性工件具有部分前體層；圖2B是圖2A的連續(xù)柔性工件的橫截面示意圖，該連續(xù)柔性工件具有前體層，該前體層在本發(fā)明的系統(tǒng)中形成；圖3A是本發(fā)明的淀積系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖示意圖；圖3B是在圖3A中所示的淀積系統(tǒng)的自由跨度位置的示意圖；及圖4A-4B是當(dāng)柔性工件穿過在自由跨度位置中的可密封門的開口時(shí)，可密封門的示意性側(cè)部和前部圖。
具體實(shí)施例方式這里所描述的優(yōu)選實(shí)施例提供使用蒸發(fā)技術(shù)淀積多個(gè)材料層的系統(tǒng)、和使用這些系統(tǒng)的方法。具體地說，論述的是如下方法和設(shè)備按直線方式，優(yōu)選地按輥到輥或卷軸到卷軸方式，淀積VIA族和IA族材料，以形成用于太陽能電池或光電池的CIGS (S)型吸收劑的前體層。直線處理對于制造是有吸引力的，在直線處理中，在工件穿過淀積系統(tǒng)連續(xù)地運(yùn)動(dòng)的同時(shí)，在工件上形成前體或前體的一部分。輥到輥處理技術(shù)提高生產(chǎn)率，并且使基片處
理最小化。一個(gè)實(shí)施例包括第一淀積站，將第一材料-例如IA族材料中的材料、或摻雜材料-如Na、K及Li之一，淀積到連續(xù)柔性工件的表面上；和第二淀積站，將第二材料，例如VIA族材料,如Se,淀積到在第一淀積站中淀積的IA族材料上。第一淀積站和第二淀積站優(yōu)選地可以是蒸發(fā)淀積站。在本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例中在第一淀積站和第二淀積站中淀積的膜的厚度可以取決于前體層的厚度和生成的吸收層厚度，并且可以分別在10至50nm和I至4ym的范圍內(nèi)。連續(xù)柔性工件可以包括基體，該基體具有柔性基片，如不銹鋼或鋁箔基片或腹板；和接觸層，如Mo、W、Ru、Os及Ir層、或它們的多層疊堆，這些多層疊堆包括兩個(gè)或更多個(gè)層、或用作太陽能電池接觸層的其它材料。工件可以是厚度在25與100 μ m之間和寬度在300與IOOOmm之間或更寬的不銹鋼腹板。連續(xù)柔性工件也包括前體層的第一部分，該第一部分包括前體材料的至少一些，以形成吸收層，該吸收層形成在接觸層上。如下文將 更充分地論述的那樣，在這個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)用來在第一部分上形成前體層的第二部分，以在以上在背景技術(shù)段落中描述的退火和反應(yīng)步驟之前，完成前體結(jié)構(gòu)。前體層的第二部分在一個(gè)具體實(shí)施例中包括第一材料，例如IA族材料；和第二材料，例如VIA族材料。前體層的第一部分的前體材料可以包括CIGS (S)型吸收層的組分，如Cu、In及Ga、和選擇性地Se。前體層的第一部分可以形成為疊堆，該疊堆包括一些組分材料的膜、或包括它們的合金的膜，這些膜按各種順序彼此上下淀積，如Cu/In/Ga、Cu/Ga/Cu/In、Cu/In/Ga/Se、Cu/Ga/Cu/In/Se或任何其它順序組合。在淀積過程期間，連續(xù)柔性工件可以從供給輥供給；穿過第一淀積站和第二淀積站沿工藝方向前進(jìn)，以形成前體層；并且在接收輥處被拾取和纏繞。在系統(tǒng)中，第一淀積站包括第一淀積腔室，以將優(yōu)選地來自第一材料蒸汽的第一材料淀積到工件上，并且第二淀積站包括第二淀積腔室，以將優(yōu)選地來自第二材料蒸汽的第二材料淀積到第一材料上。第一和第二淀積腔室彼此隔離，從而在各腔室之一中產(chǎn)生的蒸汽不會(huì)遷移到其它腔室或它們的外面、優(yōu)選地不會(huì)遷移到上述兩者。第一和第二淀積腔室優(yōu)選地是長形腔室，這些長形腔室分別沿第一過程軸線和第二過程軸線延伸。第一過程軸線可以是水平軸線，并且第二過程軸線可以是豎向軸線，該豎向軸線與第一過程軸線相垂直。在這種構(gòu)造中，隨著工件從供給輥在工藝方向上進(jìn)給到第一淀積腔室中，工件與第一過程軸線相平行地行進(jìn)，同時(shí)第一材料淀積到工件表面上。具有第一材料的工件離開第一淀積腔室，并且進(jìn)入第二淀積腔室，在該處，工件與第二過程軸線相平行地豎向行進(jìn)，同時(shí)第二材料淀積到第一材料上，由此形成前體層。具有前體層的工件離開第二淀積腔室，并且繞接收輥纏繞。圖2A表示連續(xù)柔性工件100(表示在圖3中)的一個(gè)例示性未處理部分100A，該連續(xù)柔性工件100使用系統(tǒng)200 (表示在圖3中)處理。連續(xù)柔性工件100這里也稱作工件。未處理部分100A包括基體102，該基體102具有基片104，如不銹鋼箔；和接觸層106，如Mo、W、Ru、Os及Ir層，該接觸層106形成在基片104上。接觸層也可以是淀積到基片上的Mo層、和淀積到Mo層上的Ru層。具有在10和IOOnm之間的厚度的薄Cu層可以淀積到Ru層上。第一前體層部分108A形成在接觸層106上，該第一前體層部分108A包括Cu、In以及Ga，并且選擇性地包括Se。第一前體層部分108A可以使用任何淀積方法形成，如使用電鍍、蒸發(fā)、濺射、納米粒子涂敷等。圖2B表示工件100 (表示在圖3中)的已處理部分100B，其包括前體層110，該前體層110通過使用系統(tǒng)200將第二前體層部分108B淀積到第一前體層部分108A上而形成。第一和第二前體層部分形成前體層110。第二前體層部分108B可以使用兩個(gè)淀積步驟而形成，這兩個(gè)淀積步驟優(yōu)選地采用本發(fā)明的蒸發(fā)過程。在過程的第一步驟中，第一材料的第一膜112可以淀積到工件100的未處理部分100A的第一前體層部分108A上，該第一材料包括摻雜材料，如Na。在過程的第二步驟中，第二材料的第二膜114可以淀積到第一膜112上，以完成前體層110的形成，該第二材料包括VIA族材料，如Se。第二膜114形成在工件100的已處理部分100B的頂部上。圖3A按側(cè)視圖表示輥到輥淀積系統(tǒng)200的一個(gè)實(shí)施例，該輥到輥淀積系統(tǒng)200處理工件100。淀積系統(tǒng)200包括工藝外殼(process housing) 201 ;第一淀積站202，用以淀積第一材料，以形成第一膜112 (圖2B)，該第一材料包括IA族材料(摻雜材料)，如Na、Li或K ;以及第二淀積站204，用以淀積第二材料，以形成第二膜114 (圖2B)，該第二材料包括 VIA族材料，如Se。如上文描述的那樣，第一材料和第二材料形成第二前體層部分108B(見 圖2B)，該第二前體層部分108B包括摻雜材料和Se，其在工件100上完成前體層110的形成。工藝外殼201在淀積系統(tǒng)200的加載站205A與卸載站205B之間延伸。工藝外殼201優(yōu)選地包括第一段201A、第二段201B、以及選擇性地第三段201C，從而與每一段相關(guān)聯(lián)的是這里所描述的淀積站。第一淀積站202布置在第一段201A內(nèi)，從而連續(xù)柔性工件100的水平部分從加載站205A穿過第一淀積站202前進(jìn)，并且在第一淀積站202內(nèi)，水平工藝間隙(process gap)保持在其中的連續(xù)柔性工件的那部分的前部表面與第一淀積單元之間，該第一淀積單元下文進(jìn)一步描述，該第一淀積單元與第一淀積站202相關(guān)聯(lián)。第二淀積站204布置在第二段201B內(nèi)，從而連續(xù)柔性工件100的豎向部分穿過第二淀積站204前進(jìn)，并且在第二淀積站204內(nèi)，豎向工藝間隙保持在其中的連續(xù)柔性工件的那部分的前部表面與第二淀積單元之間，該第二淀積單元在下文中進(jìn)一步描述，該第二淀積單元與第二淀積站204相關(guān)聯(lián)。第三段201C在工藝方向上布置在第二段201B與卸載站205B之間，并且提供用于使連續(xù)柔性工件100到達(dá)卸載站205B的路徑。第三段201C是冷卻區(qū)，可以具有布置在其中的主動(dòng)冷卻單元，并且如在優(yōu)選實(shí)施例中所示的那樣，與第一段201A相平行。第一段201A由第一周緣壁220限定，該第一周緣壁220包括第一壁220A、第二壁220B及側(cè)壁(未不出)。第一段201A的第一和第二側(cè)壁優(yōu)選地彼此平行，并且在第一壁220A與第二壁220B之間的距離成為第一段201A的間隙高度。第二段201B由第二周緣壁230限定，該第二周緣壁230包括第一壁230A、第二壁230B及側(cè)壁(未示出)。第二段201B的第一和第二側(cè)壁優(yōu)選地彼此平行，并且在第一壁220A與第二壁220B之間的距離成為第二段201B的間隙高度。在兩個(gè)段中，間隙高度都在Icm至20cm的范圍中，優(yōu)選地I至5cm。在過程期間，工件100的未處理部分100A從供給輥206A解繞，該供給輥206A布置在加載站205A中；在工藝方向‘P’上前進(jìn)，同時(shí)在第一淀積站202和第二淀積站204中被處理；工件100的處理部分100B在接收輥206B處被拾取和纏繞，該接收輥206B布置在卸載站205B中。卸載站205B也可以包括中間層輥209，以隨著工件纏繞，將保護(hù)性中間層片213提供到工件的前部表面IOlB上。
當(dāng)在系統(tǒng)200中由移動(dòng)機(jī)構(gòu)(未示出)移動(dòng)時(shí)，工件100的后部表面IOlA由多個(gè)輔助輥支承，如由初級輥208A-208E、和次級輥218A和218B支承，同時(shí)將工件100的前部表面IOlB設(shè)置成暴露于上述淀積過程，而不由任何系統(tǒng)元件物理地觸及，即不由輥等觸及。輔助輥208A-208E、218A和218B用來支承、張緊及改變工件的運(yùn)動(dòng)方向或運(yùn)動(dòng)方向的角度。如下文將更充分描述的那樣，工件100從加載站205A穿過工藝外殼201的第一可密封門21IA前進(jìn)。在行進(jìn)過第一段201A、第二段201B及第三段201C之后，工件100在其張緊狀態(tài)下穿過工藝外殼201的第二可密封門211B進(jìn)入到卸載站205B中。初級輥208A和208D設(shè)置在加載和卸載站內(nèi)，分別非常密切地靠近可密封門21IA和211B。工件100也優(yōu)選地通過第三可密封門211C，該第三可密封門211C設(shè)置在第一段201A之后，與初級輥208B相鄰并且在其之前。而且，選擇性地，可以包括第四可密封門211D，該第四可密封門211D設(shè)置在第二段201B之前和在初級輥208B之后。而且，選擇性地可使用第五可密封門211E，該第五可密封門211E設(shè)置在第二段201B之后并且在初級輥208C之前。而且選擇性地,可使用第六可密封門211F，該第六可密封門211F設(shè)置在第三段20IC之前和在初級輥208C之后。在這方面，初級輥208B和208C定位在系統(tǒng)的角部處在輥位置231和232處，并且分別由可密封門211C、211D、和211E、211F密封。借助于各個(gè)可密封門211的使用，這也允許不同腔室的控制，從而一個(gè)淀積腔室可正在用于運(yùn)行(淀積或其它處理發(fā)生在其內(nèi))，而其它腔室在真空下(沒有淀積或其它處理發(fā)生)。初級輥208B將工件的取向從水平變到豎向，并且初級輥208C再次改變?nèi)∠?，這次從豎向變到水平。次級輥218A和218B通過使分別在初級輥208A和208B處的包角是約15°，進(jìn)一步張緊工件?？擅芊忾T211A-211F可以優(yōu)選地是矩形窄縫，這些矩形窄縫的尺寸設(shè)定成非常接近工件100的寬度和厚度。下面聯(lián)系圖3B-4B將描述使工件在工藝外殼201內(nèi)和穿過可密封門運(yùn)動(dòng)的技術(shù)細(xì)節(jié)(mechanics)。可密封門211A-211F阻止任何材料蒸汽遷移到相鄰段和加載和卸載腔室中，并且允許淀積站的獨(dú)立維護(hù)，同時(shí)在相鄰站中維持真空。參照圖2A、2B及3A，將認(rèn)識(shí)到，盡管為了清楚將它稱作前部表面101B，但工件的前部表面IOlB在系統(tǒng)200中進(jìn)行的過程的各種階段具有不同的材料膜，這些材料膜在以上描述。例如，在進(jìn)入第一淀積站202之前，前部表面IOlB包括第一前體層部分108A ;在進(jìn)入第二淀積站204之前，前部表面IOlB包括第一膜112，該第一膜112淀積到第一前體層部分 108A上；而在第二淀積站204之后，前部表面IOlB包括第二膜114。返回參照圖3A，第一淀積站202包括第一淀積單元203，該第一淀積單元203具有第一淀積腔室210和第一蒸發(fā)設(shè)備212，以提供第一材料蒸汽，例如Na蒸汽，以在工件100在水平方向上穿過第一淀積站202的第一淀積腔室210前進(jìn)的同時(shí)，在前部表面IOlB上形成第一膜112。第一蒸發(fā)設(shè)備212布置在第一淀積腔室210內(nèi)的工件的前部表面IOlB的對面，該腔室210這里也稱作水平工藝間隙，該水平工藝間隙在一定實(shí)施例中是第一段201A的子集區(qū)域，如下文將更充分解釋的那樣。蒸發(fā)設(shè)備212優(yōu)選地安裝成，來自它的蒸汽穿過在第一段201A的周緣壁中的開口而提供到在第一段201A內(nèi)的區(qū)域，在該區(qū)域處，發(fā)生淀積，并且該區(qū)域因而稱作第一淀積腔室210。第一淀積腔室210將優(yōu)選地占據(jù)第一段201A的一部分，例如占據(jù)在點(diǎn)‘A’和‘B’之間的部分。工件100穿過第一淀積腔室的水平行進(jìn)方向與在圖3中所示的X-軸相平行。盡管在這個(gè)實(shí)施例中，第一淀積站202僅具有一個(gè)淀積單元，但它可以包括多個(gè)其它淀積單元，以淀積其它材料，并且這方面在本發(fā)明的范圍內(nèi)。第二淀積站204包括第二淀積單元207，該第二淀積單元207具有第二淀積腔室214和第二蒸發(fā)設(shè)備216，以提供第二材料蒸汽，即Se蒸汽，以在工件100豎向地向上和穿過第二淀積站204的第二淀積腔室214前進(jìn)的同時(shí)，在豎向布置的前部表面IOlB上形成第二膜114。第二蒸發(fā)設(shè)備216布置在第二淀積腔室內(nèi)的工件的前部表面IOlB的對面，并且能夠?qū)⒌矸e蒸汽輸送到豎向布置的工件，該腔室214這里也稱作豎向工藝間隙，該豎向工藝間隙在一定實(shí)施例中是第一段201B的子集區(qū)域，如下文將更充分解釋的那樣。第二蒸發(fā)設(shè)備216優(yōu)選地安裝成，來自它的蒸汽穿過在第二段20IB的周緣壁中的開口而提供到在第二段201B內(nèi)的區(qū)域，在該區(qū)域處，發(fā)生淀積，并且該區(qū)域因而稱作第二淀積腔室214。第二淀積腔室214將優(yōu)選地占據(jù)第二段201B的一部分，例如占據(jù)在點(diǎn)‘C’和‘D’之間的部分。盡管在這個(gè)實(shí)施例中，第二淀積站204僅具有一個(gè)淀積單元，但它可以包括多個(gè)其它淀積單元，以淀積其它材料。第二淀積腔室214與在圖3中表示Y-軸相平行，從而工件100在第二淀積腔室214 中豎向地向上前進(jìn)。如圖3A所示，在Se的淀積期間，由于被操作的工件的部分在豎向方位中，所以將不需要施加高張力而弄平工件；作為結(jié)果，Se層按均勻方式淀積。而且，Se的淀積發(fā)生在所謂的自由跨度區(qū)中，在該處，系統(tǒng)的輥或其它運(yùn)動(dòng)元件不觸及工件100。這有利地防止過多Se聚積在這樣的元件上，并由此減少用于清掃的系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間和相關(guān)成本。在這個(gè)實(shí)施例中，第一段201A的第一周緣壁220和第二段201B的第二周緣壁230由可更換屏蔽層(未示出)或板屏蔽，這些可更換屏蔽層或板由金屬或陶瓷制成。屏蔽層可以由冷卻系統(tǒng)部分地或全部地冷卻，以將過多材料蒸汽收集在屏蔽層上，從而蒸汽不淀積到其它系統(tǒng)元件或段的周緣壁上，并且限制Se到相鄰區(qū)中的遷移。具有過多材料的屏蔽層在過程間隔中更換。第二淀積站204的豎向構(gòu)造也有效地減小系統(tǒng)占地面積，并且提供一種緊湊的系統(tǒng)。第二淀積站204的豎向構(gòu)造、以及第一淀積站202的水平構(gòu)造，也導(dǎo)致第二淀積站的蒸汽淀積的視線(line-of-sight),該視線不在第一淀積站的視線內(nèi)，并且同樣第一淀積站的蒸汽淀積的視線不在第二淀積站的蒸汽淀積的視線內(nèi)。在淀積系統(tǒng)200中，當(dāng)工件100在自由跨度區(qū)中時(shí)，執(zhí)行每個(gè)淀積步驟。現(xiàn)在借助于圖3B將進(jìn)一步描述本發(fā)明的這個(gè)方面，圖3B是圖A的簡化圖示，以解釋在系統(tǒng)200中的自由跨度構(gòu)造的技術(shù)細(xì)節(jié)。相應(yīng)地，在所示的系統(tǒng)200中，工件100隨著它在工藝方向上行進(jìn)具有三個(gè)依次自由跨度區(qū)，即第一自由跨度區(qū)250A或第一水平自由跨度區(qū)、第二自由跨度區(qū)250B或豎向自由跨度區(qū)以及第三自由跨度區(qū)250C或第二水平自由跨度區(qū)。在工件在初級輥208A和208B之間張緊的同時(shí)，第一自由跨度區(qū)250A出現(xiàn)，以將摻雜材料(由箭頭描繪，盡管發(fā)生在淀積單元內(nèi))淀積到前部表面IOlB上。如以上在背景技術(shù)段落中提到的那樣，在現(xiàn)有技術(shù)中，長自由跨度區(qū)使工件按懸垂形狀下垂，由于不均勻張力，導(dǎo)致淀積層的均勻性的變化。例如，在900牛頓(N)的張力下的Im寬、50 μ m厚不銹鋼腹板或基片在5m自由跨度的中心處將撓曲幾乎I. 4cm。通過將自由跨度減小到2. 5m，在中心處同一腹板的撓曲將是僅O. 3cm。此外，特別是對于寬基片，由于不平坦的腹板形狀和不完全的腹板路徑對準(zhǔn)，難以跨過寬度均勻地張緊。在這種情況下，施加到腹板上的張力可能集中在兩個(gè)邊緣之一、兩個(gè)邊緣、或兩個(gè)邊緣之間的某一地方處。腹板還可能產(chǎn)生軌道線(tramline)、對角皺紋，這些軌道線、對角皺紋跨過在自由跨度中的腹板傳播。在較低張力下的腹板部分將比在較高張力下的部分撓曲得大，并由此降級淀積均勻性，因?yàn)閺牡矸e源到基片的距離將變化，并且一般地淀積通量與距離的平方成反比地變化。如在以上例子中那樣，增大腹板的自由跨度將加劇撓曲，并且因此加劇淀積均勻性的降級。例如，如果從淀積源到腹板的名義距離是15cm，并且自由跨度是5m，則在腹板的中心中的I. 4cm撓曲會(huì)將到淀積源的距離減小到13. 6cm,并且將淀積速率增大超過20%。相反，對于2. 5m自由跨度，關(guān)于O. 3cm的撓曲，淀積速率增大僅4%。通過將初級輥208A和208B分離成，使得在它們之間有最小間隔，同時(shí)仍然允許淀積單元202在它們之間存在，將使自由跨度區(qū)長度最小化。由于也使工件100在初級輥208A和208B之間大體是水平的和平坦的，所以這允許具有均勻厚度的層的淀積。如下文將描述的那樣，當(dāng)工件100在第一自由跨度區(qū)中是水平的和平坦的時(shí)，可密封門211A和211B可以有利地制成為非常窄的縫。具有窄縫的這樣的可密封門，當(dāng)在淀積期間敞開時(shí)，提供更好的密封，防止在淀積過程期間產(chǎn)生不希望蒸汽從淀積單元202和204的逃逸。由于在第二淀積站204中被操作的工件100的那部分的豎向取向，第二自由跨度區(qū)250B對于水平自由跨度區(qū)的缺陷不敏感，因?yàn)榈诙杂煽缍葏^(qū)對于在水平布置輥之間 的中部中的彎曲較不敏感。而是，在第二自由跨度區(qū)250B中，即使使第二自由跨度區(qū)比第一自由跨度區(qū)250A長，也固有地實(shí)現(xiàn)和有利地建立工件的平坦度，因?yàn)榈诙杂煽缍葏^(qū)250B由初級輥208B和208C建立，并且將豎向布置工件部分布置在它們之間。這樣，當(dāng)將硒(由箭頭描繪)淀積到工件100的前部表面IOlB的部分上時(shí)，豎向布置的工件100的那部分基本上懸掛在頂部輥208C上，并所以即使沒有張力，豎向工件部分的重量也將導(dǎo)致希望的平坦度，并且在初級輥208B和208C之間的輕微張力下，實(shí)現(xiàn)平坦度。因?yàn)樵诘诙杂煽缍葏^(qū)250B中的豎向工件部分的平坦度，可以使可密封門211D和211F的縫隙非常窄，以更好地防止硒蒸汽到相鄰淀積區(qū)的遷移，這些可密封門211D和211F豎向地布置在第二淀積站204的相對側(cè)上。與第一自由跨度區(qū)250A相似，第三自由跨度區(qū)250C也有益于較短自由跨度區(qū)，并且導(dǎo)致可密封門208C和208D具有更好的密封能力。在另一個(gè)實(shí)施例中，通過在淀積區(qū)之間添加從動(dòng)輥，可以獨(dú)立地控制張力。在豎向淀積區(qū)中，張力可比在水平段中低，而不犧牲淀積均勻性。在每個(gè)區(qū)中要求的張力可以取決于腹板材料、厚度以及腹板的寬度，并且可以在200至4000N的范圍內(nèi)。圖4A詳細(xì)地表示在第一自由跨度區(qū)250A中的工件100的另一部分。圖4B按前部橫截面視圖表示當(dāng)工件100通過可密封門(如第一可密封門211A)時(shí)的工件100。在這個(gè)實(shí)施例中，可密封門21IA是在上部密封部件240A與下部密封部件240B之間的矩形開口。由于工件的平坦度，可以使開口的高度‘H’和寬度‘W’非常接近工件100的厚度和寬度。例如，寬度只需要比腹板寬2-4mm，優(yōu)選地寬2mm，以允許某一腹板誤對準(zhǔn)。由于使撓曲最小化，所以開口的高度可減小到2-10_，優(yōu)選地2-5_，而不引起機(jī)械干涉。淀積系統(tǒng)200也可以包括計(jì)量站(未示出),該計(jì)量站包括XRF分析儀,該XRF分析儀例如布置在系統(tǒng)的卸載站205B中。XRF分析儀測量淀積Se層的厚度，并且為淀積控制系統(tǒng)提供反饋。XRF定位在輥上，以保證恒定測量高度和測量精度。而且，在淀積腔室之前布置的加熱和冷卻站，使工件在受控溫度下退火。
盡管關(guān)于一些優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明，但對于本發(fā)明的修改對于本領(lǐng)域的技術(shù) 人員將是顯然的。
權(quán)利要求
1.一種輥到輥系統(tǒng)，用來將IA族和VIA族材料的多個(gè)膜淀積在連續(xù)片形エ件的前部表面上，該連續(xù)片形エ件在エ藝方向上前迸，該輥到輥系統(tǒng)包括 エ藝外売，穿過該エ藝外売，所述連續(xù)片形エ件在所述エ藝外殼的進(jìn)入開ロ與離開開ロ之間前進(jìn)，所述エ藝外殼包括第一エ藝段和第二エ藝段，該第一エ藝段由所述エ藝外殼的水平周緣壁布置，該第二エ藝段由所述エ藝外殼的豎向周緣壁布置，其中，所述第一エ藝段與所述連續(xù)片形エ件的水平布置部分相關(guān)聯(lián)，并且所述第二エ藝段與所述連續(xù)片形エ件的豎向布置部分相關(guān)聯(lián)； エ件張緊和驅(qū)動(dòng)組件，其用來使所述連續(xù)片形エ件在所述エ藝方向上在所述エ藝外殼的所述進(jìn)入開ロ與所述離開開ロ之間前進(jìn)； 第一淀積站，其包括至少ー個(gè)第一淀積單元，該至少ー個(gè)第一淀積單元布置在所述第ーエ藝段處，以當(dāng)所述連續(xù)片形エ件穿過所述至少第一淀積單元前進(jìn)時(shí)，將第一膜連續(xù)地淀積到所述連續(xù)片形エ件的所述水平布置部分上；及 第二淀積站，其包括至少ー個(gè)第二淀積單元，該至少ー個(gè)第二淀積單元布置在所述第ニエ藝段處，以當(dāng)所述連續(xù)片形エ件穿過所述至少第二淀積單元前進(jìn)時(shí)，將第二膜連續(xù)地淀積到所述連續(xù)片形エ件的所述豎向布置部分上； 其中，所述第一淀積站和第二淀積站中的一者直接淀積到所述連續(xù)片形エ件的前部表面部分上，以得到新的前部表面部分，并且所述第一淀積站和第二淀積站中的另ー者淀積到所述新的前部表面部分上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的系統(tǒng)，其中，所述第一淀積站直接淀積到所述連續(xù)片形エ件的所述前部表面部分上，以得到所述新的前部表面部分，并且所述第二淀積站淀積到所述新的前部表面部分上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中，所述第二膜的所述淀積發(fā)生，同時(shí)在淀積所述第ニ膜時(shí)，不存在與設(shè)置在所述第二淀積單元中的所述連續(xù)片形エ件的所述豎向布置部分的相應(yīng)后部表面的物理接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，還包括加載腔室和卸載腔室，所述加載腔室和卸載腔室分別可密封地連接到所述エ藝外殼的所述進(jìn)入開口和所述離開開口上。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中，所述加載腔室包括供給輥，所述連續(xù)片形エ件使用所述エ件張緊和驅(qū)動(dòng)組件從該供給輥穿過所述進(jìn)入開口前進(jìn)到所述エ藝外殼中，并且其中，所述卸載腔室包括接收輥，穿過所述離開開ロ從所述エ藝外殼接收的所述連續(xù)片形エ件繞該接收輥包覆。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其中，卸載站包括計(jì)量工具以測量所述第一膜和第二膜的厚度，并且將所述第一膜和第二膜的測量厚度的反饋提供給淀積控制系統(tǒng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其中，所述連續(xù)片形エ件的所述水平布置部分布置在水平自由跨度區(qū)中的所述第一エ藝段內(nèi)，在該水平自由跨度區(qū)中，所述連續(xù)片形エ件的所述水平布置部分不被支承，所述水平自由跨度區(qū)通過張緊在第一輥與第二輥之間的所述連續(xù)片形エ件的所述水平布置部分而建立在所述第一輥與第二輥之間，當(dāng)所述連續(xù)片形エ件在所述第一エ藝段內(nèi)前進(jìn)時(shí)，使用所述エ件張緊和驅(qū)動(dòng)組件使所述連續(xù)片形エ件的所述水平布置部分的后部表面靠置在所述第一輥和第二輥上，其中，所述連續(xù)片形エ件的所述水平布置部分在所述水平自由跨度區(qū)中大體上是平坦的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中，在所述第一輥與所述第一エ藝段之間設(shè)有第一可密封開ロ，并且在所述第一エ藝段與所述第二輥之間設(shè)有第二可密封開ロ，以密封所述第一エ藝段，并且其中，所述連續(xù)片形エ件通過所述第一可密封開口和第二可密封開ロ。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中，所述連續(xù)片形エ件的所述豎向布置部分布置在豎向自由跨度區(qū)中的所述第二エ藝段內(nèi)，在該豎向自由跨度區(qū)中，所述連續(xù)片形エ件的所述豎向布置部分不被支承，所述豎向自由跨度區(qū)通過張緊在第二輥與第三輥之間的所述連續(xù)片形エ件的所述豎向布置部分而建立，當(dāng)所述連續(xù)片形エ件在所述第二エ藝段內(nèi)前進(jìn)時(shí)，使用所述エ件張緊和驅(qū)動(dòng)組件使所述連續(xù)片形エ件的所述豎向布置部分的所述后部表面靠置在所述第二輥和第三輥上，其中，所述連續(xù)片形エ件的所述豎向布置部分在所述豎向自由跨度區(qū)中大體上是平坦的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，在所述第二輥與所述第二エ藝段之間設(shè)有第三 可密封開ロ，并且在所述第二エ藝段與所述第三輥之間設(shè)有第四可密封開ロ，以密封所述第二エ藝段，并且其中，所述連續(xù)片形エ件通過所述第三可密封開口和第四可密封開ロ。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中，所述至少第一淀積單元包括第一蒸發(fā)設(shè)備，用以蒸汽淀積所述第一膜，并且所述至少第二淀積單元包括第二蒸發(fā)設(shè)備，用以蒸汽淀積所述第二膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中，所述第一周緣壁和第二周緣壁的內(nèi)表面都用保護(hù)性屏蔽物屏蔽，以收集來自所述第一蒸發(fā)設(shè)備和第二蒸發(fā)設(shè)備的過量蒸汽。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中，所述第一蒸發(fā)設(shè)備淀積IA族材料，所述第二蒸發(fā)設(shè)備淀積VIA族材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，所述VIA族材料是Se，并且其中，所述IA族材料是Na、K及Li中的ー種。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中，卸載站包括計(jì)量工具以測量所述第一膜和第ニ膜的厚度，并且將所述第一膜和第二膜的測量厚度的反饋提供給淀積控制系統(tǒng)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中，所述淀積控制系統(tǒng)控制所述第一蒸發(fā)設(shè)備、所述第二蒸發(fā)設(shè)備及所述エ件張緊和驅(qū)動(dòng)組件。
17.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中，所述第一膜的所述淀積發(fā)生，同時(shí)在淀積所述第一膜時(shí)，不存在與設(shè)置在所述至少第一淀積單元中的所述連續(xù)片形エ件的所述水平布置部分的相應(yīng)后部表面的物理接觸。
18.根據(jù)權(quán)利要求I所述的系統(tǒng)，其中，所述至少第二淀積單元包括蒸發(fā)設(shè)備，用以蒸汽淀積所述第二膜。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其中，所述蒸發(fā)設(shè)備是Se蒸發(fā)設(shè)備，該Se蒸發(fā)設(shè)備蒸汽淀積Se膜作為第二膜。
20.根據(jù)權(quán)利要求I所述的系統(tǒng)，還包括可密封門，該可密封門將所述第一エ藝段與所述第二エ藝段分離，由此防止它們之間的交叉污染。
21.根據(jù)權(quán)利要求I所述的系統(tǒng)，還包括冷卻系統(tǒng)，該冷卻系統(tǒng)在所述エ藝方向上布置在所述至少第二淀積單元之后，以冷卻通過所述至少第二淀積單元的所述連續(xù)片形エ件的所 述部分。
22.—種將IA族和VIA族材料的多個(gè)膜蒸汽淀積在連續(xù)エ件的前部表面上的方法，該連續(xù)エ件在エ藝方向上在輥到輥淀積系統(tǒng)中前進(jìn)，該方法包括 使所述連續(xù)エ件在エ藝方向上在エ藝外殼的進(jìn)入開ロ與離開開ロ之間前進(jìn)，所述エ藝外殼包括第一エ藝段和第二エ藝段，其中，所述第一エ藝段與所述連續(xù)エ件的水平布置部分相關(guān)聯(lián)，并且所述第二エ藝段與所述連續(xù)エ件的豎向布置部分相關(guān)聯(lián)； 將第一膜淀積到所述連續(xù)エ件的所述水平布置部分的前部表面的前部表面部分上，其中，所述第一膜的淀積使用至少ー個(gè)第一蒸發(fā)淀積設(shè)備，該至少ー個(gè)第一蒸發(fā)淀積設(shè)備布置在所述第一エ藝段處，以當(dāng)所述連續(xù)エ件穿過所述至少ー個(gè)第一蒸發(fā)淀積設(shè)備前進(jìn)時(shí)，將所述第一膜連續(xù)地淀積到所述連續(xù)エ件的所述前部表面的一部分上；及 將第二膜淀積到所述連續(xù)エ件的所述豎向布置部分的前部表面的所述第一膜的表面部分上，其中，所述第二膜的淀積使用至少ー個(gè)第二蒸發(fā)淀積設(shè)備，該至少ー個(gè)第二蒸發(fā)淀積設(shè)備布置在所述第二エ藝段處，以當(dāng)所述連續(xù)エ件穿過所述至少ー個(gè)第二蒸發(fā)淀積設(shè)備前進(jìn)時(shí)，將所述第二膜連續(xù)地淀積到所述連續(xù)エ件的所述第一膜的前部表面的一部分上。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述第一膜包括IA族材料，所述第二膜包括VIA族材料。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述VIA族材料是Se，并且其中，所述IA族材料是Na、K及Li中的ー種。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，淀積所述第一膜的步驟包括將所述第一膜淀積在前體膜上，該前體膜形成在所述連續(xù)エ件的前部表面上，所述前體膜包括至少ー種IB族材料和至少ー種IIIA族材料。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，所述前體膜形成在所述連續(xù)エ件的基體上，其中，所述基體包括基片和接觸層，該接觸層形成在所述基片上。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中，所述基片包括不銹鋼箔和鋁箔中的ー種，并且接觸層包括Mo、Ru及Os中的至少ー種。
28.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述第二膜的淀積發(fā)生，同時(shí)在淀積所述第二膜時(shí)、和在所述連續(xù)エ件穿過所述至少ー個(gè)第二蒸發(fā)淀積設(shè)備前進(jìn)時(shí)，不建立與所述連續(xù)エ件的所述豎向布置部分的相應(yīng)后部表面的物理接觸以支承所述連續(xù)エ件的所述后部表面。
29.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述第一膜的淀積發(fā)生，同時(shí)在淀積所述第一膜時(shí)、和在所述連續(xù)エ件穿過所述至少ー個(gè)第一蒸發(fā)淀積設(shè)備前進(jìn)時(shí)，不建立與所述連續(xù)エ件的所述水平布置部分的相應(yīng)后部表面的物理接觸以支承所述連續(xù)エ件的所述后部表面。
30.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，還包括在使所述連續(xù)エ件在エ藝方向上前進(jìn)的同時(shí)張緊所述連續(xù)エ件的步驟。
31.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述連續(xù)エ件的所述水平布置部分布置在水平自由跨度區(qū)中的所述第一エ藝段內(nèi)，在該水平自由跨度區(qū)中，所述連續(xù)エ件的所述水平布置部分不被支承，所述水平自由跨度區(qū)通過張緊在第一輥與第二輥之間的所述連續(xù)エ件的所述水平布置部分而建立在所述第一輥與第二輥之間，當(dāng)所述連續(xù)エ件在所述第一エ藝段內(nèi)前進(jìn)時(shí)，所述連續(xù)エ件的所述水平布置部分的后部表面靠置在所述第一輥和第二輥上，其中，所述連續(xù)エ件的所述水平布置部分在所述水平自由跨度區(qū)中大體上是平坦的。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中，在所述第一輥與所述第一エ藝段之間設(shè)有第一可密封開ロ，并且在所述第一エ藝段與所述第二輥之間設(shè)有第二可密封開ロ，以密封所述第一エ藝段，并且其中，所述連續(xù)エ件通過所述第一可密封開口和第二可密封開ロ。
33.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述連續(xù)エ件的所述豎向布置部分布置在豎向自由跨度區(qū)中的所述第二エ藝段內(nèi)，在該豎向自由跨度區(qū)中，所述連續(xù)エ件的所述豎向布置部分不被支承，所述豎向自由跨度區(qū)通過張緊在第二輥與第三輥之間的所述連續(xù)エ件的所述豎向布置部分而建立，當(dāng)所述連續(xù)エ件在所述第二エ藝段內(nèi)前進(jìn)時(shí)，所述連續(xù)エ件的所述豎向布置部分的后部表面靠置在所述第二輥和第三輥上，其中，所述連續(xù)エ件的所述豎向布置部分在所述豎向自由跨度區(qū)中大體上是平坦的。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中，在所述第二輥與所述第二エ藝段之間設(shè)有第三可密封開ロ，并且在所述第二エ藝段與所述第三輥之間設(shè)有第四可密封開ロ，以密封所述第二エ藝段，并且其中，所述連續(xù)エ件通過所述第三可密封開口和第四可密封開ロ。
全文摘要
本發(fā)明提供方法和設(shè)備，該方法和設(shè)備采用從一個(gè)或更多個(gè)組分供給源蒸發(fā)的組分，以形成前體層的一個(gè)或更多個(gè)膜，該前體層形成在連續(xù)柔性工件的表面上。具有特別意義的是蒸汽淀積系統(tǒng)的實(shí)施，這些蒸汽淀積系統(tǒng)影響連續(xù)柔性工件的水平布置部分和連續(xù)柔性工件的豎向布置部分，優(yōu)選地與連續(xù)柔性工件的部分的短自由跨度區(qū)一道。
文檔編號H01L21/20GK102844838SQ201180005147
公開日2012年12月26日 申請日期2011年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月15日
發(fā)明者J·瓦斯克斯, J·弗賴塔格, M·皮納巴斯 申請人:索羅能源公司