專利名稱：一種晶體硅太陽能電池雙層減反射膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種太陽能電池制造技術(shù)，特別涉及一種晶體硅太陽能電池雙層減反射膜。
背景技術(shù)：
為了提高晶體硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，應(yīng)減少電池表面光的反射損失，增加光的透射。減反射膜的制作直接影響著太陽能電池對入射光的反射率，對太陽能電池效率的提高起著非常重要的作用。目前已大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的是采用高溫氣相化學(xué)沉積PECVD設(shè)備直接在擴散完成后的硅片表面上進行氮化硅沉積，氮化硅薄膜具有較低減反射效果的同時還具有一定的鈍化效果。在制作氮化硅薄膜過程中，反應(yīng)氣體氨氣和硅烷離子化后，其中氫離子與硅表面的懸掛鍵結(jié)合，形成鈍化效果，這樣可以降低電池硅片表面載流子復(fù)合，提高電池單晶硅片的開路電壓、短路電流。然而氮化硅減反射膜硅太陽能電池的反射率還不是很低，常規(guī)單層減反射膜材料都很難達到很好的減反射效果，因此現(xiàn)有的太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率還是很低，如何進一步降低反射率成為一大難題。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的就是解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，提供一種鈍化效果好、 反射率更低的晶體硅太陽能電池雙層減反射膜。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型的技術(shù)解決方案是一種晶體硅太陽能電池雙層減反射膜，其是由二氧化鈦薄膜和氮化硅薄膜鈍化層組成的；所述的氮化硅薄膜鈍化層位于二氧化鈦薄膜和硅片之間；所述的氮化硅薄膜鈍化層厚度為42 45nm，折射率為2. 02 2. 12，二氧化鈦薄膜厚度為42 45nm，折射率為2. 15 2. 25。由于本實用新型的二氧化鈦薄膜主要起減反射作用，減少太陽能電池對光的反射，提高太陽能的光電轉(zhuǎn)換效率；氮化硅薄膜鈍化層主要起鈍化作用，減少電池的表面復(fù)合，改善電池性能。本實用新型的雙層減反射膜可以明顯降低電池表面對光的反射，在光譜范圍300nm 1200nm之間的反射率與未涂敷相比降低了 10%左右；硅片表面對光子吸收的幾率增加，提高了太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率，光電轉(zhuǎn)換效率與未涂敷相比提高以上。

圖1為本實用新型制成的太陽能電池片的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合具體實施例對本實用新型做進一步的描述。如圖1所示，本實施例的晶體硅太陽能電池雙層減反射膜是由二氧化鈦薄膜2和氮化硅薄膜鈍化層3組成的。所述的氮化硅薄膜鈍化層3位于二氧化鈦薄膜2和硅片4之間。所述的氮化硅薄膜鈍化層3厚度為42 45nm，如42nm、43nm、44nm、45nm ；折射率為 2. 02 2. 12，如 2. 02,2. 04,2. 06,2. 08,2. 10,2. 12。二氧化鈦薄膜 2 厚度為 42 45nm,如 42nm、43nm、44nm、45nm ；折射率為 2. 15,2. 18,2. 20,2. 23,2. 25。1 為柵線。上述所述晶體硅太陽能電池雙層減反射膜是由以下方法制備的，其包括以下步驟將多晶硅原料片使用有雙沉積腔室的PECVD設(shè)備進行單面鍍雙層保護膜。(1)在PECVD設(shè)備的第一沉積腔室內(nèi)充氣體流量比為2. 7 1 2. 9 1的氨氣 NH3和硅烷氣體SiH4，沉積溫度為400 450°C，時間為1 2min，壓力為0. 2 0. 3mbar, 在原料片上沉積一層厚為42 45nm的氮化硅薄膜；(2)在PECVD設(shè)備的第二沉積腔室內(nèi)，以Ti (OC3H7)4為源物質(zhì)，Ti (OC3H7)4體積份數(shù)為0. 5 2%，以&為反應(yīng)氣體，體積份數(shù)為0. 5 2%，以N2為攜帶氣體，體積份數(shù)為 96 99%，沉積溫度為500 550°C，時間2 3min，壓力0. 2 0. 3mbar,在在沉積有氮化硅薄膜的原料片上再沉積一層厚度42 45nm 二氧化鈦薄膜。
權(quán)利要求1. 一種晶體硅太陽能電池雙層減反射膜，其特征在于其是由二氧化鈦薄膜和氮化硅薄膜鈍化層組成的；所述的氮化硅薄膜鈍化層位于二氧化鈦薄膜和硅片之間；所述的氮化硅薄膜鈍化層厚度為42 45nm，折射率為2. 02 2. 12，二氧化鈦薄膜厚度為42 45nm， 折射率為2. 15 2. 25。
專利摘要本實用新型公開了一種晶體硅太陽能電池雙層減反射膜，其是由二氧化鈦薄膜和氮化硅薄膜鈍化層組成的；所述的氮化硅薄膜鈍化層位于二氧化鈦薄膜和硅片之間；所述的氮化硅薄膜鈍化層厚度為42～45nm，折射率為2.02～2.12，二氧化鈦薄膜厚度為42～45nm，折射率為2.15～2.25。本實用新型的雙層減反射膜鈍化效果好，可以明顯降低電池表面對光的反射，在光譜范圍300nm～1200nm之間的反射率與未涂敷相比降低10％左右；硅片表面對光子吸收的幾率增加，提高了太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率，光電轉(zhuǎn)換效率與未涂敷相比提高1％以上。
文檔編號H01L31/0216GK202268353SQ20112021887
公開日2012年6月6日 申請日期2011年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月27日
發(fā)明者劉粉霞, 王月勤 申請人:光為綠色新能源股份有限公司