專利名稱：薄膜晶體管、雙柵極驅(qū)動(dòng)橫向排列的像素結(jié)構(gòu)及顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管、雙柵極驅(qū)動(dòng)橫向排列的像素結(jié)構(gòu)及顯示面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(Liquid crystal display, LCD)是目前被廣泛應(yīng)用的一種平面顯示器。一般的，IXD的顯示區(qū)域包含多個(gè)主像素區(qū)，每個(gè)主像素區(qū)包括三個(gè)次像素區(qū)，每個(gè)次像素區(qū)內(nèi)設(shè)置有一個(gè)薄膜晶體管(thin film transistor, TFT)和像素電極(pixel electrode)，此薄膜晶體管為開關(guān)組件。
圖1示出了傳統(tǒng)液晶顯示器的一個(gè)次像素區(qū)的平面圖，圖中虛線框內(nèi)區(qū)域?yàn)楸∧ぞw管T，其包括源極S、漏極D和柵極G。柵極G延伸自柵極線，柵極G和柵極線設(shè)置在第一導(dǎo)電金屬層(簡(jiǎn)稱第一金屬層)，源極S、漏極D和數(shù)據(jù)線設(shè)置在第二導(dǎo)電金屬層(簡(jiǎn)稱第二金屬層)，圖中標(biāo)號(hào)18為通道保護(hù)層，24為像素電極，22為數(shù)據(jù)線，12為柵極線。漏極 D和柵極G部分交疊，形成柵極-漏極寄生電容Cgd，如圖中右邊的斜線區(qū)域，源極S和柵極 G部分交疊，形成柵極-源極寄生電容Cgs，如圖中左邊的斜線區(qū)域。
現(xiàn)有技術(shù)具有如下缺點(diǎn)
當(dāng)?shù)谝唤饘賹雍偷诙饘賹影l(fā)生相對(duì)偏移時(shí)，源極S和柵極G交疊的面積會(huì)發(fā)生變化，進(jìn)而使柵極-源極寄生電容Cgs會(huì)發(fā)生變化，這樣會(huì)導(dǎo)致液晶顯示器不能均勻的顯示圖像。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管、雙柵極驅(qū)動(dòng)橫向排列的像素結(jié)構(gòu)及顯示面板，能夠使第一金屬層和第二金屬層發(fā)生相對(duì)偏移時(shí)，柵極-源極寄生電容Cgs不發(fā)生變化。
有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供
一種薄膜晶體管，包括漏極、與數(shù)據(jù)線電連接的源極和與柵極線電連接的柵極； 其中，所述柵極線和所述柵極設(shè)置在第一金屬層；所述數(shù)據(jù)線、源極和漏極設(shè)置在第二金屬層；
所述源極具有第一端和第二端，所述柵極與所述源極的第一端部分重疊，且與所述源極的第二端部分交疊；
其中，當(dāng)?shù)谝唤饘賹优c第二金屬層的相對(duì)偏移范圍在預(yù)定范圍內(nèi)時(shí)，所述柵極與所述第一端交疊的面積和所述柵極與所述第二端交疊的面積之和不變。
一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，包括
水平相鄰的兩個(gè)主像素區(qū)，其中，每個(gè)主像素區(qū)分別包括垂直相鄰的三個(gè)次像素區(qū)；
六個(gè)薄膜晶體管，分別設(shè)置于對(duì)應(yīng)的次像素區(qū)內(nèi)；其中，每個(gè)薄膜晶體管包括漏極、源極和柵極；
兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線；
其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個(gè)薄膜晶體管的源極電連接，其中，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個(gè)薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接；
其中，兩條柵極線和每個(gè)薄膜晶體管的柵極設(shè)置在第一金屬層；三條數(shù)據(jù)線、每個(gè)薄膜晶體管的源極和漏極設(shè)置在第二金屬層；
其中，至少一個(gè)薄膜晶體管的源極具有第一端和第二端，且柵極與源極的第一端部分重疊，且柵極與源極的第二端部分交疊；當(dāng)?shù)谝唤饘賹优c第二金屬層的相對(duì)偏移范圍在預(yù)定范圍內(nèi)時(shí)，所述至少一個(gè)薄膜晶體管的柵極與第一端交疊的面積和柵極與第二端交疊的面積之和不變。
—種顯不面板，包括第一基板、第二基板和位于第一基板和第二基板之間的液晶層，其中，所述第一基板上設(shè)置有上述雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明中薄膜晶體管的源極具有第一端和第二端，薄膜晶體管的柵極與薄膜晶體管的源極的第一端部分重疊，且與該源極的第二端部分交疊，這樣，在第一金屬層和第二金屬層發(fā)生相對(duì)偏移時(shí)，可以保證柵極和源極的總交疊面積不發(fā)生變化，進(jìn)而保證柵極-源極寄生電容Cgs不發(fā)生變化，使得液晶顯示器顯示的圖像均勻。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的傳統(tǒng)的液晶顯示器的像素區(qū)的平面圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的基于圖2的像素結(jié)構(gòu)具體示意圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的采用雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)的一種驅(qū)動(dòng)方式示意圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的采用雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)的另一種驅(qū)動(dòng)方式示意圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的采用雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)的又一種驅(qū)動(dòng)方式示意圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖11是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖12是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖13是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)示意圖14是本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種帶薄膜晶體管的雙柵極橫向像素結(jié)構(gòu)的平面
圖15是本發(fā)明另一實(shí)施例提供另一種帶薄膜晶體管的雙柵極橫向像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括漏極、與數(shù)據(jù)線電連接的源極和與柵極線電連接的柵極；
其中，所述柵極線和所述柵極設(shè)置在第一金屬層；所述數(shù)據(jù)線、源極和漏極設(shè)置在第二金屬層；
其中，該薄膜晶體管的源極具有第一端和第二端，該薄膜晶體管的柵極與源極的第一端部分重疊，且與源極的第二端部分交疊；當(dāng)?shù)谝唤饘賹优c第二金屬層的相對(duì)偏移范圍在預(yù)定范圍內(nèi)時(shí)，該薄膜晶體管的柵極與源極的第一端交疊的面積和柵極與源極的第二端交疊的面積之和不變。
具體的，所述薄膜晶體管的源極的第一端和第二端分別位于薄膜晶體管的漏極的兩側(cè)，薄膜晶體管的柵極跨越漏極，且與源極的第一端部分交疊，與源極的第二端部分交疊。
在一種實(shí)施方式中，位于第一端與漏極間的第一溝道區(qū)域和位于第二端與漏極間的第二溝道區(qū)域沿著水平方向順序排列；其中，該水平方向與柵極線平行。在另一種實(shí)施方式中，位于第一端與漏極間的第一溝道區(qū)域和位于第二端與漏極間的第二溝道區(qū)域沿著豎 直方向順序排列；其中，該豎直方向與數(shù)據(jù)線平行。其中，薄膜晶體管的源極、柵極和漏極具體的位置見后續(xù)圖2和圖3所示實(shí)施例的詳細(xì)描述。
本發(fā)明中薄膜晶體管的源極具有第一端和第二端，薄膜晶體管的柵極與薄膜晶體管的源極的第一端部分重疊，且與該源極的第二端部分交疊，這樣，在第一金屬層和第二金屬層發(fā)生相對(duì)偏移時(shí)，可以保證柵極和源極的總交疊面積不發(fā)生變化，進(jìn)而保證柵極-源極寄生電容Cgs不發(fā)生變化；進(jìn)一步的，薄膜晶體管的源極的第一端和第二端分別位于漏極的兩側(cè)，而且柵極跨越漏極，這樣，在第一金屬層和第二金屬層發(fā)生相對(duì)偏移時(shí)，可以保證柵極和漏極的交疊面積不發(fā)生變化，進(jìn)而保證柵極-漏極寄生電容Cgd不發(fā)生變化，使得液晶顯示器顯示的圖像均勻。
本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管可適用于雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，該雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)包括
多個(gè)像素單元，所述像素單元包括
兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線；其中，兩條柵極線包括第一柵極線和第二柵極線，三條數(shù)據(jù)線包括順序排列的第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線和第三數(shù)據(jù)線；其中，兩條柵極線設(shè)置于基板上并沿著第一方向平行排列；三條數(shù)據(jù)線設(shè)置于基板上并沿著第二方向平行排列； 兩條柵極線與三條數(shù)據(jù)線交叉，在一種具體的實(shí)施方式中，第一方向與第二方向垂直；
水平相鄰的兩個(gè)主像素區(qū)，其中，每個(gè)主像素區(qū)分別包括垂直相鄰的三個(gè)次像素區(qū)；三個(gè)次像素區(qū)分別為R(紅)，G(綠)和B(藍(lán))；每個(gè)次像素的長(zhǎng)邊與第一方向基本平行，每個(gè)次像素的短邊與第二方向基本平行。
六個(gè)薄膜晶體管，分別設(shè)置于對(duì)應(yīng)的次像素區(qū)內(nèi)，即每個(gè)次像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管包括源極、漏極和柵極；
其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個(gè)薄膜晶體管的源極電連接，使三條數(shù)據(jù)線與六個(gè)薄膜晶體管的源極電連接，其中，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同，即第一數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管、與第二數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管、與第三數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管完全不同，這樣，就可以使三條數(shù)據(jù)線與六個(gè)薄膜晶體管的源極電連接；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個(gè)薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。
其中，兩條柵極線和各薄膜晶體管的柵極設(shè)置在第一金屬層；三條數(shù)據(jù)線、各薄膜晶體管的源極和漏極設(shè)置在第二金屬層；每個(gè)薄膜晶體管的源極具有第一端和第二端，該薄膜晶體管的柵極與源極的第一端部分重疊，且與源極的第二端部分交疊；當(dāng)?shù)谝唤饘賹优c第二金屬層的相對(duì)偏移范圍在預(yù)定范圍內(nèi)時(shí)，該薄膜晶體管的柵極與源極的第一端交疊的面積和柵極與源極的第二端交疊的面積之和不變。具體的，所述薄膜晶體管的源極的第一端和第二端分別位于薄膜晶體管的漏極的兩側(cè)，薄膜晶體管的柵極跨越漏極，且與源極的第一端部分交疊，與源極的第二端部分交疊。
該像素結(jié)構(gòu)還可以包括像素電極和與像素電極部分重迭構(gòu)成存儲(chǔ)電容的公共電極線，其中，像素電極覆蓋在對(duì)應(yīng)的次像素區(qū)的透光區(qū)上，每個(gè)像素電極分別與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極電連接；具體的可以包括兩條公共電極線，即第一公共電極線和第二公共電極線，其中，覆蓋在第一主像素區(qū)內(nèi)次像素區(qū)上的像素電極與所述第一公共電極線交疊形成三個(gè)存儲(chǔ)電容；覆蓋在第二主像素區(qū)內(nèi)次像素區(qū)上的像素電極與所述第二公共電極線交疊形成三個(gè)存儲(chǔ)電容，即第一公共電極線和第二公共電極線分別與數(shù)據(jù)線平行，兩條公共電極線形成六個(gè)存儲(chǔ)電容；或者，包括三條公共電極線，即第一公共電極線、第二公共電極線和第三公共電極線，這三條公共電極線分別平行于柵極線，每條公共電極線分別與第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)中各一個(gè)次像素區(qū)上的像素電極交疊形成存儲(chǔ)電容，即每條公共電極線與兩個(gè)不同主像素區(qū)的像素電極交疊形成兩個(gè)存儲(chǔ)電容，三條公共電極線形成六個(gè)存儲(chǔ)電容。
本發(fā)明實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)包括雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個(gè)薄膜晶體管的源極電連接；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個(gè)薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。采用這種像素結(jié)構(gòu)，對(duì)于分辨率為mXn的屏，η為水平分辨率，m為垂直分辨率，其需要的柵極線為2m條，其需要的數(shù)據(jù)線為3n/2條，這樣，每條柵極線驅(qū)動(dòng)時(shí)間縮短為單柵極驅(qū)動(dòng)的豎屏橫用的像素橫向排列方式的二分之一，當(dāng)分辨率比較高時(shí)普通的TFT也可以達(dá)到驅(qū)動(dòng)要求，適于廣泛應(yīng)用。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的雙柵極驅(qū)動(dòng)的像素縱向排列方式所需要的柵極線和數(shù)據(jù)線相同，這樣，源極驅(qū)動(dòng)芯片、柵極驅(qū)動(dòng)芯片的個(gè)數(shù)也相同，每條柵極線的驅(qū)動(dòng)時(shí)間和驅(qū)動(dòng)方式也可以相同，顯示面板尺寸 也可以相同，所以利用現(xiàn)有的雙柵極驅(qū)動(dòng)的縱向排列的像素結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝就可以生產(chǎn)出本發(fā)明實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)。
為了使本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案更加清楚，如下實(shí)施例對(duì)本發(fā)明上述技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述
本發(fā)明實(shí)施例提供一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，具體結(jié)構(gòu)可如圖2所示，其包括多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括
兩條柵極線，即第一柵極線G1和第二柵極線G2 ;兩條柵極線設(shè)置于基板上并沿著第一方向平行排列；
三條數(shù)據(jù)線，即順序排列的第一數(shù)據(jù)線D1、第二數(shù)據(jù)線D2和第三數(shù)據(jù)線D3，三條數(shù)據(jù)線設(shè)置于基板上并沿著第二方向平行排列；第二方向基本垂直于第一方向。
兩個(gè)主像素區(qū)，即第一主像素區(qū)和第二主像素區(qū)，其中，第一主像素區(qū)分別包括第一次像素區(qū)L1，第二次像素區(qū)L2和第三次像素區(qū)L3 ;第二主像素區(qū)分別包括第四次像素區(qū) L4，第五次像素區(qū)LjP第六次像素區(qū)L6。其中，PpPyPyPpPpPe分別為第一次像素區(qū)U、 第二次像素區(qū)L2、第三次像素區(qū)L3、第四次像素區(qū)L4、第五次像素區(qū)L5和第六次像素區(qū)L6的透光區(qū)，每個(gè)次像素區(qū)的長(zhǎng)邊與第一方向基本平行，每個(gè)次像素區(qū)的短邊與第二方向基本平行，其中，兩個(gè)主像素區(qū)優(yōu)選的包括兩個(gè)紅色次像素區(qū)、兩個(gè)綠色次像素區(qū)和兩個(gè)藍(lán)色次像素，其中可以有多重組合方式；兩個(gè)主像素區(qū)也可以包括任意種色彩次像素區(qū)的排列組合方式。
六個(gè)薄膜晶體管，分別設(shè)置于對(duì)應(yīng)的次像素區(qū)內(nèi)，即每個(gè)次像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)薄膜晶體管，如第一次像素區(qū)的薄膜晶體管T1，第二次像素區(qū)的薄膜晶體管T2，第三次像素區(qū)的薄膜晶體管T3,第四次像素區(qū)的薄膜晶體管T4，第五次像素區(qū)的薄膜晶體管T5，第六次像 素區(qū)的薄膜晶體管T6，每個(gè)薄膜晶體管包括源極、漏極和柵極；
六個(gè)像素電極(圖中未示出)，每個(gè)像素電極覆蓋在對(duì)應(yīng)的次像素區(qū)的透光區(qū)上， 分別與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的漏極電連接；
兩條公共電極線(圖中未示出)，即第一公共電極線C1和第二公共電極線C2，其中，與TpTyT3的漏極電連接的像素電極(即覆蓋在Lp L2、L3上的像素電極)分別與第一公共電極線交疊形成三個(gè)存儲(chǔ)電容；與T4, T5, T6的漏極電連接的像素電極(即覆蓋在L4、 L5> L6上的像素電極)分別與第二公共電極線交疊形成三個(gè)存儲(chǔ)電容，其中，第一公共電極線、第二公共電極線分別與數(shù)據(jù)線平行。
其中，兩條柵極線和各薄膜晶體管的柵極設(shè)置在第一金屬層；三條數(shù)據(jù)線、各薄膜晶體管的源極和漏極設(shè)置在第二金屬層；每個(gè)薄膜晶體管的源極具有第一端和第二端，該薄膜晶體管的柵極與源極的第一端部分重疊，且與源極的第二端部分交疊；當(dāng)?shù)谝唤饘賹优c第二金屬層的相對(duì)偏移范圍在預(yù)定范圍內(nèi)時(shí)，該薄膜晶體管的柵極與源極的第一端交疊的面積和柵極與源極的第二端交疊的面積之和不變。具體的，所述薄膜晶體管的源極的第一端和第二端分別位于薄膜晶體管的漏極的兩側(cè)，薄膜晶體管的柵極跨越漏極，且與源極的第一端部分交疊，與源極的第二端部分交疊。
其中，如圖2所示，該實(shí)施例中，第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間；第二主像素區(qū)位于第二數(shù)據(jù)線與第三數(shù)據(jù)線之間；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線交叉形成第一封閉區(qū)和第二封閉區(qū)；第二次像素區(qū)L2、第五次像素區(qū)L5分別位于第一封閉區(qū)和第二封閉區(qū)內(nèi)。
其中，第一數(shù)據(jù)線D1與薄膜晶體管T1和薄膜晶體管T2的源極電連接；薄膜晶體管 T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T3和薄膜晶體管T4的源極電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線 G2電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線G1電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T5 和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管 T6的柵極與第二柵極線G2電連接。
需要說明的是，次像素區(qū)可以為矩形區(qū)域，具體包括第一邊和第二邊，第一柵極線G1和第二柵極線G2與次像素區(qū)的第一邊平行，且分別設(shè)置于每個(gè)主像素區(qū)內(nèi)的三個(gè)次像素區(qū)之間或者設(shè)置于各次像素區(qū)之外；第一數(shù)據(jù)線D1、第二數(shù)據(jù)線D2和第三數(shù)據(jù)線D3與次像素區(qū)的第二邊平行，且分別設(shè)置于所述像素單元的兩個(gè)主像素區(qū)之間或者設(shè)置于兩個(gè)主像素區(qū)之外。在一種優(yōu)選方式中，第一邊為矩形區(qū)域的長(zhǎng)邊，第二邊為矩形區(qū)域的短邊，在另一種實(shí)施方式中，第一邊為矩形區(qū)域的短邊，第二邊為矩形區(qū)域的長(zhǎng)邊。其中，兩條柵極線、三條數(shù)據(jù)線的具體設(shè)置方式可參見后續(xù)圖7至圖13所對(duì)應(yīng)部分的詳細(xì)描述。
本發(fā)明實(shí)施例以兩個(gè)主像素區(qū)為一個(gè)重復(fù)單位，每個(gè)主像素區(qū)包括三個(gè)次像素區(qū) (優(yōu)選的一種組合為紅色次像素區(qū)R、綠色次像素區(qū)G、藍(lán)色次像素區(qū)B)，也就是最小的一個(gè)重復(fù)單位包含6個(gè)次像素區(qū)。一個(gè)最小重復(fù)單位中包括兩個(gè)柵極線，三個(gè)數(shù)據(jù)線，六個(gè)薄膜晶體管，且每條數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)兩個(gè)次像素區(qū)，兩個(gè)次像素區(qū)分別由不同的柵極線控制，采用這種像素結(jié)構(gòu)，對(duì)于分辨率為mXn的屏，其需要的柵極線為2m條，其需要的數(shù)據(jù)線為3n/2 條，這樣，每條柵極線驅(qū)動(dòng)時(shí)間縮短為單柵極驅(qū)動(dòng)的豎屏橫用的像素橫向排列方式的二分之一，當(dāng)分辨率比較高時(shí)普通的TFT也可以達(dá)到驅(qū)動(dòng)要求，適于廣泛應(yīng)用。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的雙柵極驅(qū)動(dòng)的像素縱向排列方式所需要的柵極線和數(shù)據(jù)線相同，這樣，源極驅(qū)動(dòng)芯片、柵極驅(qū)動(dòng)芯片的個(gè)數(shù)也相同，每條柵極線的驅(qū)動(dòng)時(shí)間和驅(qū)動(dòng)方式也可以相同，顯示面板尺寸也可以相同，所以利用現(xiàn)有的雙柵極驅(qū)動(dòng)的縱向排列的像素結(jié)構(gòu)的 生產(chǎn)工藝就可以生產(chǎn)出本發(fā)明實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，且本發(fā)明實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)更適合于3D顯示。
如下描述一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的驅(qū)動(dòng)方法，該方法適用于上述雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其包括
在第一時(shí)刻，兩條柵極線中的第一柵極線為高電平，兩條柵極線中的第二柵極線為低電平，與第一柵極線電連接的薄膜晶體管打開，三條數(shù)據(jù)線分別為與自己電連接的薄膜晶體管供電；
在第二時(shí)刻，所述第二柵極線為高電平，所述第一柵極線為低電平，與所述第二柵極線電連接的薄膜晶體管打開，三條數(shù)據(jù)線分別為與自己電連接的薄膜晶體管供電。
即對(duì)于圖2所示的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，在I1時(shí)刻，G1為高電平，薄膜晶體管!\、T4和T5同時(shí)打開，此時(shí)，D1給L1輸送數(shù)據(jù)，D2給L4輸送數(shù)據(jù)，D3給L5輸送數(shù)據(jù)。接著在t2時(shí)刻，G1變?yōu)榈碗娖剑珿2為高電平，T1, T4, T5同時(shí)關(guān)閉，薄膜晶體管T2、T3> T6 同時(shí)打開，D1給L2輸送數(shù)據(jù)，D2給L3輸送數(shù)據(jù)，D3給L6輸送數(shù)據(jù)，這樣就實(shí)現(xiàn)了對(duì)一個(gè)像素單元的驅(qū)動(dòng)。
下面以常白液晶顯示屏(TN normally white)模式為例，描述單色顯示的驅(qū)動(dòng)方法，如圖3所示，假定第一像素區(qū)L1為綠色次像素區(qū)G1，第二像素區(qū)L2為紅色次像素區(qū)R1, 第三像素區(qū)L3為藍(lán)色次像素區(qū)B1，第四像素區(qū)L4為紅色次像素區(qū)R2,第五像素區(qū)L5為藍(lán)色次像素區(qū)B2，第六像素區(qū)L6為綠色次像素區(qū)G2。其中，數(shù)據(jù)線D提供像素電壓S，像素電壓S相對(duì)于參考電壓COM為正的高電平或者負(fù)的高電平時(shí)，次像素區(qū)處于暗態(tài)，像素電壓S相對(duì)于參考電壓COM為正的低電平或者負(fù)的低電平時(shí)，次像素區(qū)處于亮態(tài)，其中，像素電壓S 為數(shù)據(jù)線為薄膜晶體管所輸送的數(shù)據(jù)的電平，其中，像素電壓S相對(duì)于參考電壓COM為正的低電平或者負(fù)的低電平表示像素電壓S與參考電壓COM接近。
如下描述適用于上述像素結(jié)構(gòu)的紅色顯示的驅(qū)動(dòng)方法
如圖4所示，h時(shí)刻G1為高電平，其他掃描線為低電平，G1、R2、B2的薄膜晶體管打開，SpS2、S3分別給GpR2、B2輸送數(shù)據(jù)，圖中的SpS2和S3分別為數(shù)據(jù)線DpD2和D3所輸送的數(shù)據(jù)的電平(也稱為像素電壓)，假定S1為正的高電平，S2為負(fù)的低電平，S3為正的高電平，所以G1暗，R2亮，B2暗。t2時(shí)刻G2為高電平，其他掃描線為低電平，R” B1' G2的晶體管打開，S1, S2, S3分別給RpBpG2輸送數(shù)據(jù)，S1為負(fù)的低電平，S2為正的高電平，S3為負(fù)的高電平，R1亮，B1暗，G2暗。這樣在一個(gè)重復(fù)單元內(nèi)只有紅色的次像素亮，其他的次像素都為暗，下一時(shí)刻兩個(gè)主像素內(nèi)的每條數(shù)據(jù)線的信號(hào)重復(fù)^和t2時(shí)候的波形使該整個(gè)重復(fù)單元一直顯不紅色。
如下描述適用于上述像素結(jié)構(gòu)的綠色顯示的驅(qū)動(dòng)方法
如圖5所示，h時(shí)刻G1為高電平，其他掃描線為低電平，G1、R2、B2的薄膜晶體管打開，S1、S2, S3分別給Gp R2, B2傳輸數(shù)據(jù)，S1為正的低電平，S2為負(fù)的高電平，S3為正的高電平，G1亮，R2暗，B2暗。t2時(shí)刻G2為高電平，其他掃描線為低電平，R1、B” G2的薄膜晶體管打開，S1, S2, S3分別給RpBpG2傳輸數(shù)據(jù)，S1為負(fù)的高電平，S2為正的高電平，S3為負(fù)的低電平，R1暗，B1暗，G2亮。這樣在一個(gè)重復(fù)單元內(nèi)只有綠色的次像素亮，其他的次像素都為暗，下一時(shí)刻兩個(gè)主像素內(nèi)的每條數(shù)據(jù)線的信號(hào)重復(fù)^和t2時(shí)候的波形使該整個(gè)重復(fù)單元一直顯示綠色。
如下描述適用于上述像素結(jié)構(gòu)的藍(lán)色顯示的驅(qū)動(dòng)方法
如圖6所示，h時(shí)刻G1為高電平，其他掃描線為低電平，G1、R2、B2的薄膜晶體管打開，S1、S2, S3分別給Gp R2, B2傳輸數(shù)據(jù)，S1為正的高電平，S2為負(fù)的高電平，S3為正的低電平，G1暗，R2暗，B2亮。t2時(shí)刻G2為高電平，其他掃描線為低電平，R1、B” G2的薄膜晶體管打開，S1, S2, S3分別給RpBpG2傳輸數(shù)據(jù)，S1為負(fù)的高電平，S2為正的低電平，S3為負(fù)的高電平，R1暗，B1亮，G2暗。這樣在一個(gè)重復(fù)單元內(nèi)只有藍(lán)色的次像素亮，其他的次像素都為暗，下一時(shí)刻兩個(gè)主像素內(nèi)的每條數(shù)據(jù)線的信號(hào)重復(fù)^和t2時(shí)候的波形使該整個(gè)重復(fù)單元一直顯不藍(lán)色。
以上驅(qū)動(dòng)方法可以單獨(dú)控制每個(gè)次像素區(qū)的顏色和亮度，實(shí)現(xiàn)顯示紅色、綠色或者藍(lán)色，可見采用上述驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)本發(fā)明實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)可以控制整個(gè)屏幕顯示用戶想要的顏色和圖案。
圖7示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖2 所示實(shí)施例不同之處在于第一數(shù)據(jù)線D1與薄膜晶體管T2和薄膜晶體管T3的源極電連接； 薄膜晶體管T2的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T1和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T4和薄膜晶體管T5的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第二柵極線G2電連接。
圖8示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖 2所示實(shí)施例不同之處在于第一數(shù)據(jù)線D1與薄膜晶體管T1和薄膜晶體管T3的源極電連接；薄膜晶體管T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2 電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T2和薄膜晶體管T5的源極電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線D3 與薄膜晶體管T4和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接。圖9示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖 2所示實(shí)施例不同之處在于第一數(shù)據(jù)線D1與薄膜晶體管T1和薄膜晶體管T3的源極電連接；薄膜晶體管T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2 電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T2和薄膜晶體管T5的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線D3 與薄膜晶體管T4和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接。
圖10示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖2所示實(shí)施例不同之處在于第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間；第二主像素區(qū)位于第二數(shù)據(jù)線與第三數(shù)據(jù)線之間；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線交叉形成第一封閉區(qū)和第二封閉區(qū)；第二次像素區(qū)L2和第三次像素區(qū)L3位于第一封閉區(qū)內(nèi)，第五次像素區(qū)L5和第六次像素區(qū)L6位于第二封閉區(qū)內(nèi)。具體的，第一數(shù)據(jù)線D1與薄膜晶體管T1和薄膜晶體管T2的源極電連接；薄膜晶體管T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T3和薄膜晶體管T4的源極電連接； 薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線G1電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T5和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接。
圖11示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖2所示實(shí)施例不同之處在于第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線與第二數(shù)據(jù)線之間；第二主像素區(qū)位于第二數(shù)據(jù)線與第三數(shù)據(jù)線之間；兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線交叉形成第一封閉區(qū)和第二封閉區(qū)；第一次像素區(qū)L1、第二次像素區(qū)L2和第三次像素區(qū)L3位于第一封閉區(qū)內(nèi)， 第四次像素區(qū)L4、第五次像素區(qū)L5和第六次像素區(qū)L6位于第二封閉區(qū)內(nèi)。具體的，第一數(shù)據(jù)線D1與薄膜晶體管T1和薄膜晶體管T2的源極電連接；薄膜晶體管T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管 T3和薄膜晶體管T4的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T5和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線62電連接。
圖12示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖2所示實(shí)施例不同之處在于第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線的外側(cè)，其中，第一數(shù)據(jù)線的外側(cè)為第一數(shù)據(jù)線的背向第二數(shù)據(jù)線的一側(cè)；第二主像素區(qū)位于第二數(shù)據(jù)線與第三數(shù)據(jù)線之間，具體的，第一數(shù)據(jù)線D1與薄膜晶體管T1和薄膜晶體管T2的源極電連接；薄膜晶體管T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T3和薄膜晶體管T4的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線 G1電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T5 和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管 T6的柵極與第二柵極線G2電連接。
圖13示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，與圖2所示實(shí)施例不同之處在于第一主像素區(qū)位于第一數(shù)據(jù)線的外側(cè)，其中，第一數(shù)據(jù)線的外側(cè)為第一數(shù)據(jù)線的背向第二數(shù)據(jù)線的一側(cè)；第二主像素區(qū)位于第三數(shù)據(jù)線的外側(cè)，其中， 第三數(shù)據(jù)線的外側(cè)為第三數(shù)據(jù)線的背向第二數(shù)據(jù)線的一側(cè)；具體的，第一數(shù)據(jù)線D1與薄膜晶體管T1和薄膜晶體管T2的源極電連接；薄膜晶體管T1的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T2的柵極與第二柵極線G2電連接；第二數(shù)據(jù)線D2與薄膜晶體管T3和薄膜晶體管 T4的源極電連接；薄膜晶體管T4的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T3的柵極與第二柵極線G2電連接；第三數(shù)據(jù)線D3與薄膜晶體管T5和薄膜晶體管T6的源極電連接；薄膜晶體管T5的柵極與第一柵極線G1電連接；薄膜晶體管T6的柵極與第二柵極線G2電連接。
需要說明的是，上述各實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)中的次像素區(qū)的可以為長(zhǎng)方形區(qū)域，此時(shí)，長(zhǎng)方形區(qū)域的長(zhǎng)邊與柵極線平行，長(zhǎng)方形區(qū)域的短邊與數(shù)據(jù)線平行；或者，次像素區(qū)為非長(zhǎng)方形區(qū)域，不影響本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明所描述的實(shí)例中柵極線、數(shù)據(jù)線、第一主像素區(qū)、第二主像素區(qū)間的位置變換及薄膜晶體管的連接關(guān)系僅為最佳實(shí)例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
本發(fā)明上述各實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)包括雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個(gè)薄膜晶體管的源極電連接；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個(gè)薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接。采用這種像素結(jié)構(gòu)， 對(duì)于分辨率為mXn的屏，其需要的柵極線為2m條，其需要的數(shù)據(jù)線為3n/2條，這樣，每條柵極線驅(qū)動(dòng)時(shí)間縮短為單柵極驅(qū)動(dòng)的豎屏橫用的像素橫向排列方式的二分之一，當(dāng)分辨率比較高時(shí)普通的TFT也可以達(dá)到驅(qū)動(dòng)要求，適于廣泛應(yīng)用。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的雙柵極驅(qū)動(dòng)的像素縱向排列方式所需要的柵極線和數(shù)據(jù)線相同，這樣， 源極驅(qū)動(dòng)芯片、柵極驅(qū)動(dòng)芯片的個(gè)數(shù)也相同，每條柵極線的驅(qū)動(dòng)時(shí)間和驅(qū)動(dòng)方式也可以相同，顯示面板尺寸也可以相同，所以利用現(xiàn)有的雙柵極驅(qū)動(dòng)的縱向排列的像素結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝就可以生產(chǎn)出本發(fā)明實(shí)施例提供的雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)。
為了使本發(fā)明提供的上述技術(shù)方案更加清楚明白，如下實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述
圖14示出了一種雙柵極橫向像素結(jié)構(gòu)，其包括水平相鄰的兩個(gè)主像素區(qū)，每個(gè)主像素區(qū)包括垂直相鄰的三個(gè)次像素區(qū)，薄膜晶體管置于各次像素區(qū)內(nèi)，圖14中的虛線框內(nèi)為薄膜晶體管。從圖14可以看出，源極具有兩端，即第一端和第二端，該源極的第一端和第二端與數(shù)據(jù)線10電連接，且該第一端包括頭部311和延伸部312，第二端包括頭部321和延伸部322，其中，第一端的延伸部312和第二端的延伸部322分別與數(shù)據(jù)線10 垂直。漏極 50位于源極的第一端和第二端之間，柵極40類似方形，其可以是長(zhǎng)方形也可以是正方形， 柵極40與柵極線20電連接。其中，柵極40跨越漏極50，并與源極的第一端部分交疊，與源極的第二端部分交疊。在該圖中，位于源極的第一端與漏極50間的第一溝道區(qū)域和位于源極的第二端與漏極50間的第二溝道區(qū)域沿著豎直方向順序排列，其中，該豎直方向與數(shù)據(jù)線10平行，與柵極線20垂直。
從圖14可以看出，由于源極的第一端和第二端分別與柵極40部分交疊，所以在第一金屬層和第二金屬層發(fā)生相對(duì)偏移時(shí)，在允許的偏移范圍內(nèi)，柵極40與源極的第一端的交疊面積和柵極40與源極的第二端的交疊面積之和不變，即，如果柵極40與源極的第一端的交疊面積變大，則柵極40與源極的第二端的交疊面積變小，兩個(gè)交疊面積之和不變，這樣，可以保證柵極-源極寄生電容Cgs不發(fā)生變化。且由于漏極50位于源極的第一端和第二端之間且被柵極40跨越，所以在第一金屬層和第二金屬層發(fā)生相對(duì)偏移時(shí)，在允許的偏移范圍內(nèi)，柵極40與漏極50的交疊面積不發(fā)生變化。這樣，可以保證柵極-漏極寄生電容 Cgd和柵極-源極寄生電容Cgs不發(fā)生變化，使得液晶顯示器顯示的圖像均勻。
圖15示出了一種雙柵極橫向像素結(jié)構(gòu)，其包括水平相鄰的兩個(gè)主像素區(qū)，每個(gè)主像素區(qū)包括垂直相鄰的三個(gè)次像素區(qū)，薄膜晶體管置于各次像素區(qū)內(nèi)，圖15中的虛線框內(nèi)為薄膜晶體管。從圖15可以看出，源極300為一分叉結(jié)構(gòu)，其分出的兩端分別為第一端和第二端，該源極300與數(shù)據(jù)線100電連接，且該源極300的第一端包括頭部3011和延伸部 3012，源極300的第二端包括頭部3021和延伸部3022，該第一端上的延伸部3012和第二端上的延伸部3022分別與數(shù)據(jù)線100平行。漏極500位于源極300的第一端和第二端之間，柵極400類似方形，其可以是長(zhǎng)方形也可以是正方形，柵極400與柵極線200電連接。其中，柵極400跨越漏極500，并與源極300的第一端部分交疊，與源極300的第二端部分交疊。在該圖中，位于源極300的第一端與漏極500間的第一溝道區(qū)域和位于源極300的第二端與漏極500間的第二溝道區(qū)域沿著水平方向順序排列，其中，該水平方向與柵極線200 平行，與數(shù)據(jù)線100垂直。
從圖15可以看出，由于源極300的第一端和第二端分別與柵極400部分交疊，所以在第一金屬層和第二金屬層發(fā)生相對(duì)偏移時(shí)，在允許的偏移范圍內(nèi)，柵極400與源極300 的第一端的交疊面積和柵極400與源極300的第二端的交疊面積之和不變，即，如果柵極 400與源極300的第一端的交疊面積變大，則柵極400與源極300的第二端的交疊面積變小，兩個(gè)交疊面積之和不變，這樣，可以保證柵極-源極寄生電容Cgs不發(fā)生變化。且由于漏極500位于源極300的第一端和第二端之間且為柵極400跨越，所以在第一金屬層和第二金屬層發(fā)生相對(duì)偏移時(shí)，在允許的偏移范圍內(nèi)，柵極40與漏極50的交疊面積不發(fā)生變化。 這樣，可以保證柵極-漏極寄生電容Cgd和柵極-源極寄生電容Cgs不發(fā)生變化，使得液晶顯示器顯示的圖像均勻。
需要說明的是，薄膜晶體管的源極、柵極和漏極的位置關(guān)系并不限于上述兩個(gè)實(shí)施例所描述的位置關(guān)系，其也可以采用其他的位置關(guān)系，只要能夠保證當(dāng)?shù)谝唤饘賹优c第二金屬層的相對(duì)偏移范圍在預(yù)定范圍內(nèi)時(shí)，柵極與源極的第一端交疊的面積和柵極與源極的第二端交疊的面積之和不變即可。
需要說明的是，薄膜晶體管的源極、柵極和漏極的形狀并不限于上述兩個(gè)實(shí)施例圖中所示出的形狀，也可以采用其他形狀，只要能夠保證當(dāng)?shù)谝唤饘賹优c第二金屬層的相對(duì)偏移范圍在預(yù)定范圍內(nèi)時(shí)，柵極與源極的第一端交疊的面積和柵極與源極的第二端交疊的面積之和不變即可。
需要說明的是，本發(fā)明所提供的薄膜晶體管可以適用在各種像素結(jié)構(gòu)，并不限于圖14和圖15所示的雙柵極橫向像素結(jié)構(gòu)，也可以適用于單柵極橫向像素結(jié)構(gòu)、三柵極橫向像素結(jié)構(gòu)等，不影響本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)。
相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種顯示面板，其包括
第一金屬層，包括薄膜晶體管的柵極，與所述柵極電連接的柵極線；
第二金屬層，包括薄膜晶體管的源極和漏極，與所述源極電連接的數(shù)據(jù)線；
其中，所述源極具有第一端和第二端，所述柵極與所述源極的第一端部分重疊，且與所述源極的第二端部分交疊；其中，當(dāng)?shù)谝唤饘賹优c第二金屬層的相對(duì)偏移范圍在預(yù)定范圍內(nèi)時(shí)，所述柵極與所述第一端交疊的面積和所述柵極與所述 第二端交疊的面積之和不變。
具體的，所述薄膜晶體管的源極的第一端和第二端分別位于薄膜晶體管的漏極的兩側(cè)，薄膜晶體管的柵極跨越漏極，且與源極的第一端部分交疊，與源極的第二端部分交疊。具體薄膜晶體管的源極、柵極和漏極間的位置關(guān)系與前述實(shí)施例描述的位置關(guān)系相同， 在此不再贅述。
本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板能夠在第一金屬層和第二金屬層發(fā)生相對(duì)偏移時(shí)， 保證柵極-漏極寄生電容Cgd和柵極-源極寄生電容Cgs不發(fā)生變化，使得顯示面板顯示的圖像均勻。
基于本發(fā)明提供的上述帶有薄膜晶體管的雙柵極驅(qū)動(dòng)橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，本發(fā)明還提供一種顯不面板，包括第一基板、第二基板和位于第一基板和第二基板之間的液晶層，其中，所述第一基板上設(shè)置有上述帶有薄膜晶體管的雙柵極驅(qū)動(dòng)橫向排列的像素結(jié)構(gòu)。 其中，第一基板可以是TFT基板；第二基板可以是彩色濾光片(Color filter, CF)基板。
以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的薄膜晶體管、雙柵極驅(qū)動(dòng)橫向排列的像素結(jié)構(gòu)和顯示面板進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述， 以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括漏極、與數(shù)據(jù)線電連接的源極和與柵極線電連接的柵極；其中，所述柵極線和所述柵極設(shè)置在第一金屬層；所述數(shù)據(jù)線、源極和漏極設(shè)置在第二金屬層； 所述源極具有第一端和第二端，所述柵極與所述源極的第一端部分重疊，且與所述源極的第二端部分交疊； 其中，當(dāng)?shù)谝唤饘賹优c第二金屬層的相對(duì)偏移范圍在預(yù)定范圍內(nèi)時(shí)，所述柵極與所述第一端交疊的面積和所述柵極與所述第二端交疊的面積之和不變。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述第一端和第二端分別位于所述漏極的兩側(cè)； 所述柵極跨越所述漏極，且所述柵極與所述源極的第一端部分重疊，且與所述源極的第二端部分交疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于， 位于第一端與漏極間的第一溝道區(qū)域和位于第二端與漏極間的第二溝道區(qū)域沿著水平方向順序排列；所述水平方向與柵極線平行。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于， 位于第一端與漏極間的第一溝道區(qū)域和位于第二端與漏極間的第二溝道區(qū)域沿著豎直方向順序排列；所述豎直方向與數(shù)據(jù)線平行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于， 所述源極具有分叉結(jié)構(gòu)，所述第一端和第二端為所述分叉結(jié)構(gòu)分出的兩端。
6.一種雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 水平相鄰的兩個(gè)主像素區(qū)，其中，每個(gè)主像素區(qū)分別包括垂直相鄰的三個(gè)次像素區(qū)； 六個(gè)薄膜晶體管，分別設(shè)置于對(duì)應(yīng)的次像素區(qū)內(nèi)；其中，每個(gè)薄膜晶體管包括漏極、源極和柵極； 兩條柵極線和三條數(shù)據(jù)線； 其中，每條數(shù)據(jù)線分別與兩個(gè)薄膜晶體管的源極電連接，其中，不同的數(shù)據(jù)線所電連接的薄膜晶體管不同；與同一條數(shù)據(jù)線電連接的兩個(gè)薄膜晶體管的柵極分別與不同的柵極線電連接； 其中，兩條柵極線和每個(gè)薄膜晶體管的柵極設(shè)置在第一金屬層；三條數(shù)據(jù)線、每個(gè)薄膜晶體管的源極和漏極設(shè)置在第二金屬層； 其中，至少一個(gè)薄膜晶體管的源極具有第一端和第二端，且柵極與源極的第一端部分重疊，且柵極與源極的第二端部分交疊；當(dāng)?shù)谝唤饘賹优c第二金屬層的相對(duì)偏移范圍在預(yù)定范圍內(nèi)時(shí)，所述至少一個(gè)薄膜晶體管的柵極與第一端交疊的面積和柵極與第二端交疊的面積之和不變。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述至少一個(gè)薄膜晶體管的源極的第一端和第二端分別位于漏極的兩側(cè)； 所述至少一個(gè)薄膜晶體管的柵極跨越漏極，且柵極與源極的第一端部分重疊，且柵極與源極的第二端部分交疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 位于第一端與漏極間的第一溝道區(qū)域和位于第二端與漏極間的第二溝道區(qū)域沿著水平方向順序排列；所述水平方向與柵極線平行。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 位于第一端與漏 極間的第一溝道區(qū)域和位于第二端與漏極間的第二溝道區(qū)域沿著豎直方向順序排列；所述豎直方向與數(shù)據(jù)線平行。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至9任意一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述至少一個(gè)薄膜晶體管的源極具有分叉結(jié)構(gòu)，所述第一端和第二端為所述分叉結(jié)構(gòu)分出的兩端。
11.一種顯不面板,其特征在于,包括第一基板、第二基板和位于第一基板和第二基板之間的液晶層，其中，所述第一基板上設(shè)置有權(quán)利要求7至11所述的任意一個(gè)雙柵極驅(qū)動(dòng)的橫向排列的像素結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管、雙柵極驅(qū)動(dòng)橫向排列的像素結(jié)構(gòu)及顯示面板，其中，所述薄膜晶體管包括漏極、與數(shù)據(jù)線電連接的源極和與柵極線電連接的柵極；其中，所述柵極線和所述柵極設(shè)置在第一金屬層；所述數(shù)據(jù)線、源極和漏極設(shè)置在第二金屬層；所述源極具有第一端和第二端，所述柵極與所述源極的第一端部分重疊，且與所述源極的第二端部分交疊；其中，當(dāng)?shù)谝唤饘賹优c第二金屬層的相對(duì)偏移范圍在預(yù)定范圍內(nèi)時(shí)，所述柵極與所述第一端交疊的面積和所述柵極與所述第二端交疊的面積之和不變。使用本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，能夠使第一金屬層和第二金屬層發(fā)生相對(duì)偏移時(shí)，柵極-源極寄生電容Cgs不發(fā)生變化。
文檔編號(hào)H01L29/417GK103022141SQ201110283520
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2011年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月22日
發(fā)明者周思思 申請(qǐng)人:上海中航光電子有限公司