專(zhuān)利名稱(chēng)：一種白光電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光電子器件領(lǐng)域，尤其是涉及一種白光電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
1987年，美國(guó)Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke報(bào)道了有機(jī)電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，IOV下亮度達(dá)到lOOOcd/m2，其發(fā)光效率為I. 511m/W、壽命大于100小時(shí)。
OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。發(fā)光材料是影響發(fā)光效率的最重要的因素，發(fā)光材料可以分為熒光材料(即藍(lán)光磷光材料)和磷光材料(即紅光磷光材料和/或綠光材料)，熒光材料由于三線態(tài)躍遷受阻，因此，只能通過(guò)單線態(tài)的輻射失活而發(fā)光，三線態(tài)激子與單線態(tài)激子的比例約為3 I ；而由于熒光材料只有25wt%的激子可以有效的利用，剩下的75wt%都通過(guò)非輻射衰減，能量以熱的形式釋放，使器件溫度升高，從而減少器件的壽命，而磷光材料則由于金屬原子自身較強(qiáng)的自旋耦合作用，因此，使得原來(lái)不可能的三線態(tài)躍遷成為可能，因此，發(fā)光效率大大提高，目前綠光磷光材料和紅光磷光材料的發(fā)光效率都比較好，材料穩(wěn)定性較高，而藍(lán)光磷光材料的壽命和穩(wěn)定性都不太好，制約了藍(lán)光的發(fā)光。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可以提高發(fā)光效率、又能延長(zhǎng)發(fā)光壽命的白光電致發(fā)光器件。本發(fā)明的技術(shù)方案如下—種白光電致發(fā)光器件，該器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為基底/導(dǎo)電層/空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層；其中，所述發(fā)光層的材質(zhì)為鈹配合物材料中摻雜藍(lán)光磷光材料、紅光磷光材料和綠光磷光材料，且鈹配合物材料為主體材料，藍(lán)光磷光材料、紅光磷光材料和綠光磷光材料為摻雜材料；發(fā)光層中，紅光磷光材料、藍(lán)光磷光材料、綠光磷光材料各自的摻雜質(zhì)量百分比分別為 0. 5-5wt%,5-20wt%^P 5-10wt%o在上述白光電致發(fā)光器件中基底和導(dǎo)電層可以采用ITO(氧化銦錫)玻璃，其中，玻璃為基底，ITO為導(dǎo)電層；陰極層的材料可以為銀(Ag)、鋁(Al)、銀鎂(Ag-Mg)合金或金(Au)中的任一種；藍(lán)光磷光材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶)_四(I-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(5-氰基-4-氟苯基吡啶一N，C2)吡啶甲酸合銥(FCNIrpic)、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)-[5-(2-吡啶)四氮]合銥(FIrM)或三(3，5-二氟-4-苯腈)吡啶合銥(FCNIr)中的任一種；紅光磷光材料為二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2(acac))、二(I-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (piq)2 (acac))或三(I-苯基-異喹啉)合銥(Ir(piq)3)；綠光磷光材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)、乙酰丙酮酸二(2_苯基吡啶)銥(Ir (ppy)2 (acac))或乙酰丙酮酸二(2_對(duì)苯氧基苯基卩比唳)銥((Oppy) 2 Ir (acac))中的任一種；鈹配合物材料為吩基吡啶鈹(B^p2)、10-羥基苯并喹啉鈹(BeBq2)、8_羥基喹啉鈹(BeqQ2)、2-甲基_8_羥基喹啉鈹(BeMQ2)、8_羥基喹啉鈹(BeQ2)、或7_丙基_8羥基喹啉鈹(BePrQ2)中的任一種；、
空穴注入層采用三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、VOx或五氧化二釩(V2O5)中的任一種；空穴傳輸層與電子阻擋層分別采用1，1_ 二 [4_[N，N' -二 (p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、N，N，- 二 (3-甲基苯基)-N，N，- 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD) ,4,4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N，-(I-萘基)-N，N，- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅CuPc中的任一種；電子傳輸層與空穴阻擋層分別采用2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基_1，3，4-噁二唑(PBD)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5-二(I-萘基)_1，3，4_ 二唑(BND)、4，7_ 二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen) ,1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)中的任一種；電子注入層為Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2 或者 NaF 中的任一種。本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件，將藍(lán)光、綠光、紅光三種不同磷光材料共摻雜到鈹配合物中作為發(fā)光層，由于鈹配合物的能隙比藍(lán)光磷光材料的能隙稍高，可以有效的進(jìn)行能量轉(zhuǎn)移，降低啟動(dòng)電壓，而由于所用鈹配合物材料的電子傳輸速率都比較高，可以進(jìn)一步的提高電子傳輸能力，共摻雜可以避免能量在藍(lán)光、綠光、紅光三種不同磷光材料之間的能量轉(zhuǎn)移損失，進(jìn)而提高發(fā)光層的發(fā)光性能。


圖I為本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為實(shí)施例I的白光電致發(fā)光器件能級(jí)圖；圖3為實(shí)施例I的白光電致發(fā)光器件與參比白光電致發(fā)光器件的電流效率-電流密度圖；其中，曲線I是實(shí)施例I的電流效率-電流密度的曲線，曲線2是對(duì)比例的電流效率-電流密度的曲線。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供的白光電致發(fā)光器件，其設(shè)計(jì)原理如下白光電致發(fā)光器件的發(fā)光層，由藍(lán)光磷光材料、紅光磷光材料和綠光磷光材料共摻雜到鈹配合物材料中制備而成。主要是利用低能隙、電子傳輸速率較快的鈹配合物材料與藍(lán)光磷光材料、紅光磷光材料和綠光磷光材料進(jìn)行共摻雜，使主體材料(即鈹配合物)與客體材料(發(fā)光材料，即藍(lán)光磷光材料、紅光磷光材料和綠光磷光材料)之間進(jìn)行有效的能量轉(zhuǎn)移，主體材料能隙與發(fā)光材料較為接近，可降低能量轉(zhuǎn)移的損失，而鈹配合物的高電子傳輸速率可進(jìn)一步提高電子的傳輸速率，使電子-空穴復(fù)合幾率提高，同時(shí)，采用共摻雜可以降低能量在不同層之間的能量損耗幾率(這種情況一般發(fā)生在蒸鍍多層的發(fā)光層時(shí)出現(xiàn))。本發(fā)明提供的一種白光電致發(fā)光器件，如圖I所示，該器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為基底11/導(dǎo)電層12/空穴注入層13/空穴傳輸層14/電子阻擋層15/發(fā)光層16//空穴阻擋層17/電子傳輸層18/電子注入層19/陰極層20 ;其中，所述發(fā)光層16的材質(zhì)為鈹配合物材料中摻雜藍(lán)光磷光材料、紅光磷光材料和綠光磷光材料，即發(fā)光層的組成為鈹配合物材料藍(lán)光磷光材料紅光磷光材料綠光磷光材料，且鈹配合物材料為主體材料，藍(lán)光磷光材料、紅光磷光材料和綠光磷光材料為摻雜材料。 在上述白光電致發(fā)光器件中，每一有機(jī)功能層均采用蒸鍍技術(shù)依次進(jìn)行蒸鍍制備的。本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件，各功能層的材質(zhì)及制備工藝技術(shù)如下基底和導(dǎo)電層可以采用現(xiàn)有一體化的ITO(氧化銦錫)玻璃，其中，玻璃為基底，ITO為導(dǎo)電層；陰極層的材料可以為銀(Ag)、鋁(Al)、銀鎂(Ag-Mg)合金或金(Au)中的任一種，優(yōu)選Al ;該陰極層的厚度為20-200nm，優(yōu)選厚度為150nm ；發(fā)光層中，紅光磷光材料為二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2(acac))、二(I-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (piq)2 (acac))或三(I-苯基-異喹啉)合銥(Ir(piq)3))中的任一種；藍(lán)光磷光材料為Perylene(花)、二萘嵌苯衍生物(TBPe)、三苯胺二苯乙烯衍生物(DPAVBi或DPAVB)、三苯胺連萘基乙烯衍生物(BDAVBi)或苯乙烯衍生物(BCzVB或BCzVBi))中的任一種；綠光磷光材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基卩比唳)銥(Ir (ppy)2 (acac)))或者乙酰丙酮酸二(2_對(duì)苯氧基苯基吡啶)銥中的任一種；鈹配合物材料為吩基吡啶鈹 印 2)、10_羥基苯并喹啉鈹(BeBq2)、8_羥基喹啉鈹(BeqQ2)、2_甲基_8_羥基喹啉鈹(BeMQ2)、8_羥基喹啉鈹(BeQ2)、或7-丙基-8羥基喹啉鈹(BePrQ2)中的任一種；該發(fā)光層中，紅光磷光材料、藍(lán)光磷光材料、綠光磷光材料各自的摻雜質(zhì)量百分比分別為0. 5-5被％、5-20被％和5-10wt%;發(fā)光層的厚度5_20nm ;優(yōu)選厚度為10nm?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟槿趸€(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、V0X或五氧化二釩(V2O5)中的任一種，優(yōu)選為MoO3 ;其中，空穴注入層厚度為5-40nm，優(yōu)選厚度為5nm ；空穴傳輸層和電子阻擋層的材料分別為N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N，- (I-萘基)-N，N，-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅(CuPc)中的任一種，空穴傳輸層和電子阻擋層的厚度分別為5-80nm ;其中，空穴傳輸層優(yōu)選NPB，優(yōu)選厚度為40nm，電子阻擋層優(yōu)選為T(mén)CTA，優(yōu)選厚度為5nm ；電子傳輸層和空穴阻擋層的材料分別為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基_1，3，4-噁二唑(PBD)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5-二(I-萘基)-I，3，4_ 二唑(BND)、4，7_ 二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen) ,1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)。其中，空穴阻擋層厚度為3-10nm，優(yōu)選厚度為5nm，空穴阻擋層的材料優(yōu)選為T(mén)PBi ;電子傳輸層厚度為40-80nm,優(yōu)選厚度為60nm,電子傳輸層的材料優(yōu)選為Bphen ；電子注入層的材料為Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF中的任一種，電子注入層的厚度0. 5-5nm ;對(duì)于該注入層的材料，也可采用Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF與電子傳輸材料(如，2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-I，3，4-噁二唑(PBD)、
8-羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5-二(I-萘基)-1，3，4_ 二唑(BND)、4，7_ 二苯基 _1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)、N_芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)中的任一種)摻雜組成的混合物中的任一種,摻雜比例為20-60wt%，此時(shí)的電子注入層厚度為20_60nm ;就摻雜混合物材料而言,優(yōu)選Bphen: CsN3,優(yōu)選摻雜比例為20wt*%,此時(shí)電子注入層厚度優(yōu)選為40nm。
本發(fā)明將藍(lán)光、綠光、紅光磷光材料共摻雜到鈹配合物中作為一層發(fā)光層，由于鈹配合物的能隙較窄，但是比藍(lán)光磷光材料的能隙稍高，可以有效的進(jìn)行能量轉(zhuǎn)移，降低啟動(dòng)電壓，而由于所用的鈹配合物的電子傳輸速率都比較高(IX KT4CmW1)，可以進(jìn)一步的提高電子傳輸能力，三種材料共摻雜到一種主體中，可以避免能量在不同發(fā)光材料之間的能量轉(zhuǎn)移損失，提高發(fā)光性能。。下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例I一種白光電致發(fā)光器件，其層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TAPC/Bepp2 :Ir(MDQ)2 (acac) : FIrpic: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并米用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層中摻雜主體(鈹配合物材料)為Bepp2、紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，紅光磷光材料摻雜比例為0. 5wt% (質(zhì)量百分比，下同)，藍(lán)光磷光材料為FIrpic，藍(lán)光磷光材料摻雜比例為10wt% ;綠光磷光材料為Ir (ppy) 3，綠光磷光材料摻雜比例為7wt% ;該發(fā)光層的厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為150nm。圖2為該實(shí)施例白光電致發(fā)光器件能級(jí)圖；從能級(jí)圖上可以看到，在使用共摻雜器件結(jié)構(gòu)之后，發(fā)光材料之間的能量轉(zhuǎn)移不會(huì)出現(xiàn)太大障礙，同時(shí)由于主體與客體的能隙比較接近，也使得主體材料對(duì)發(fā)光材料，以及發(fā)光材料之間的能量轉(zhuǎn)移可以更有效的進(jìn)行。圖3是該實(shí)施例的白光電致發(fā)光器件與參比白光電致發(fā)光器件的亮度電壓圖；其中，曲線I是實(shí)施例I的電流效率-電流密度的曲線，曲線2是對(duì)比例的電流效率-電流密度的曲線；參比白光電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/B^p2: Ir (MDQ) 2 (acac) /TCTA: FIrpic/Bepp2: Ir (ppy) JTPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。由圖3中可以看出，實(shí)施例I的最高電流效率為37cd/A，而沒(méi)有使用共摻雜的對(duì)比器件的最高電流效率為28cd/A，這說(shuō)明，當(dāng)使用鈹配合物共摻雜器件結(jié)構(gòu)之后，主體到藍(lán)光磷光材料、藍(lán)光磷光材料到紅光和綠光磷光材料的能量轉(zhuǎn)移可以更有效的進(jìn)行，因此，發(fā)光效率得到提升。實(shí)施例2一種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/ITO/TO3/TPD/TCTA/BeBq2: Ir (Piq)2(acac:FIr6: Ir (ppy)2 (acac) /TAZ/TPBI/Cs2C03/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層中摻雜主體為BeBq2,紅光磷光材料為Ir(piq)2(acac)，紅光磷光材料摻雜比例為5wt% ;藍(lán)光磷光材料為FIr6，藍(lán)光磷光材料摻雜比例為20wt% ;綠光磷光材料為Ir (ppy)2 (acac)，綠光磷光材料摻雜比例為5wt%，該發(fā)光層的厚度為15nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(WO3)的厚度為40nm，空穴傳輸層(TH))的厚度為20nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TAZ)的厚度為IOnm;電子傳輸層(TPBI)的厚度為80nm ;電子注入層(Cs2CO3)的厚度 為20nm ;陰極層采用Al層，其厚度為20nm。實(shí)施例3一種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/ITO/VOx/TDAPB/NPB/BeqQ2:Ir(piq)3: FIrN4: (Oppy) 2Ir (acac) /BND/TPQ/LiF/Al。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層中摻雜主體為BeqQ2,紅光磷光材料為Ir (piq)2 (acac)，紅光磷光材料摻雜比例為4wt% ;藍(lán)光磷光材料為FIrN4，藍(lán)光磷光材料摻雜比例為15被％;綠光磷光材料為(Oppy)2IHacac)，綠光磷光材料摻雜比例為6wt%，該發(fā)光層的厚度為7nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(VOx)的厚度為10nm，空穴傳輸層(TDAPB)的厚度為80nm ;電子阻擋層(NPB)的厚度為80nm ;空穴阻擋層(BND)的厚度為3nm;電子傳輸層(TPQ)的厚度為40nm ;電子注入層(LiF)的厚度為60nm ;陰極層采用Al層，其厚度為200nm。實(shí)施例4一種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/V205/CuPc/Tro/BeqQ2: Ir (piq)
3: FCNIr: Ir (ppy) 2 (acac) /TPQ/TPBI/CsF/Al。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層中摻雜主體為BePrQ2,紅光磷光材料為Ir (piq)2 (acac)，紅光磷光材料摻雜比例為3wt% ;藍(lán)光磷光材料為FCNIr，藍(lán)光磷光材料摻雜比例為20wt% ;綠光磷光材料為Ir(ppy)3綠光磷光材料摻雜比例為4wt%，該發(fā)光層的厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(V2O5)的厚度為30nm，空穴傳輸層(CuPc)的厚度為IOnm ;電子阻擋層(TPD)的厚度為60nm ;空穴阻擋層(TPQ)的厚度為8nm ；電子傳輸層(TPBI)的厚度為50nm ；電子注入層(CsF)的厚度為50nm ；陰極層米用Al層，其厚度為lOOnm。實(shí)施例5一種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/V205/CuPc/Tro/BeqQ2: Ir (piq) 3/BeMQ2/BeMQ2:花 /BeMQ2/BeQ2: Ir (ppy) 2 (acac) /TPQ/TPBI/CaF2/Ag 關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層中紅光磷光材料為Ir (piq)2 (acac),摻雜主體為BePrQ2，紅光磷光材料摻雜比例為4. 5wt%，厚度為13nm ;第一間隔層的材料為BeMQ2，厚度為6nm ;藍(lán)光磷光材料為茈，主體為BeMQ2,藍(lán)光磷光材料摻雜比例為8wt%，厚度為12nm ;第二層間隔層的材料為BeMQ2，厚度為3nm ;綠光磷光材料為Ir (ppy) 3，摻雜主體為BeQ2，綠光磷光材料摻雜比例為7wt%，厚度為9nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(V2O5)的厚度為15nm，空穴傳輸層(CuPc)的厚度為50nm ;電子阻擋層(TPD)的厚度為20nm ;空穴阻擋層(TPQ)的厚度為6nm ;電子傳輸層(TPBI)的厚度為70nm ;電子注入層(CaF2)的厚度為30nm ;陰極層采用Ag層,其厚度為60nm。實(shí)施例6 一種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/V205/CuPc/Tro/BeqQ2: Ir (piq)
3: FCNIrpic: Ir (ppy) 2 (acac) /TPQ/TPBI/CsN3/Au。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層中摻雜主體為BePrQ2,紅光磷光材料為Ir (piq)2 (acac)，紅光磷光材料摻雜比例為0. 5wt % ;藍(lán)光磷光材料為DPAVB，主體為FCNIrpic，藍(lán)光磷光材料摻雜比例為5wt% ;綠光磷光材料為Ir (ppy) 2 (acac)，綠光磷光材料摻雜比例為10wt% ;該發(fā)光層的厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(V2O5)的厚度為25nm，空穴傳輸層(CuPc)的厚度為55nm ;電子阻擋層(TPD)的厚度為35nm ;空穴阻擋層(TPQ)的厚度為8nm ;電子傳輸層(TPBI)的厚度為55nm ；電子注入層(CsN3)的厚度為25nm ;陰極層采用Au層,其厚度為80nm。實(shí)施例I—種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TPD/BeBq2:Ir(MDQ)2 (acac) :FCNIrpic: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/MgF2/Ag-Mg 合金。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層中摻雜主體為BeBq2,紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，紅光磷光材料摻雜比例為0. 5wt% ;藍(lán)光磷光材料為FCNIrpic，藍(lán)光磷光材料摻雜比例為10wt% ;綠光磷光材料為Ir (ppy)3，綠光磷光材料摻雜比例為7wt% ;該發(fā)光層的厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(MgF2)的厚度為40nm ;陰極層采用Ag-Mg合金層,其厚度為160nm。實(shí)施例8一種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/B^p2: Ir (MDQ) 2 (acac) FIrN4: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/NaF/Auo關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層中摻雜主體為Bepp2,紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，紅光磷光材料摻雜比例為4wt% ;藍(lán)光磷光材料為FIrM，藍(lán)光磷光材料摻雜比例為18wt%。綠光磷光材料為Ir (ppy)3，綠光磷光材料摻雜比例為6wt%;該發(fā)光層的厚度為12nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(NaF)的厚度為40nm ;陰極層米用Au層，其厚度為180nm。實(shí)施例9—種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/Bepp2: Ir (piq) 2 (acac) /FCNIr: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen :CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層中摻雜主體為Bepp2,紅光磷光材料為 Ir (piq)2 (acac)，紅光磷光材料摻雜比例為3wt% ;藍(lán)光磷光材料為FCNIr，藍(lán)光磷光材料摻雜比例為8wt% ;綠光磷光材料為Ir(ppy)2(acac),綠光磷光材料摻雜比例為8wt% ;該發(fā)光層的厚度為8nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層米用Al層，其厚度為90nm。實(shí)施例10一種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/1!'0/] 003/咿8/咿8/8??？2: Ir (MDQ) 2 (acac) : FCNIr: Ir (ppy) 2 (acac) /TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層中；摻雜主體為Bepp2,紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，紅光磷光材料摻雜比例為Iwt % ;藍(lán)光磷光材料為FCNIr，藍(lán)光磷光材料摻雜比例為15wt% ;綠光磷光材料為Ir (ppy)2 (acac)，綠光磷光材料摻雜比例為7wt% ;該發(fā)光層的厚度為15nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu),如,空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為130nm。實(shí)施例11—種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/B^p2: Ir (MDQ) 2 (acac) : FCNIr: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen :CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層中摻雜主體為Bepp2,紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，紅光磷光材料摻雜比例為3wt% ;藍(lán)光磷光材料為FCNIr，藍(lán)光磷光材料摻雜比例為12wt% ;綠光磷光材料為Ir(ppy)3，綠光磷光材料摻雜比例為6wt% ;該發(fā)光層的厚度為llnm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層米用Al層，其厚度為70nm。實(shí)施例12一種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/Bepp2:Ir(MDQ)2 (acac) :FIrpic: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光 電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層中摻雜主體為Bepp2,紅光磷光材料為Ir (MDQ)2(acac)，紅光磷光材料摻雜比例為2wt% ;藍(lán)光磷光材料為FIrpic，藍(lán)光磷光材料摻雜比例為13wt%，綠光磷光材料為Ir(ppy)3，綠光磷光材料摻雜比例為9wt% ;該發(fā)光層的厚度為13nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層米用Al層，其厚度為40nm。實(shí)施例13一種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/Bepp2: Ir (MDQ)2 (acac) :FCNIrpic: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層中摻雜主體為Bepp2,紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，紅光磷光材料摻雜比例為I. 5wt% ;藍(lán)光磷光材料為FCNIrpic，藍(lán)光磷光材料摻雜比例為5被％;綠光磷光材料為Ir (ppy)3，綠光磷光材料摻雜比例為8wt%;該發(fā)光層的厚度為16nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為150nm。實(shí)施例14一種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/BePrQ2 :Ir(MDQ)2 (acac)/: FCNIrpic: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1 0關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層中摻雜主體為BePrQ2,紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，紅光磷光材料摻雜比例為3. 5wt% ;藍(lán)光磷光材料為FCNIrpic，藍(lán)光磷光材料摻雜比例為12wt% ;綠光磷光材料為Ir (ppy)3，綠光磷光材料摻雜比例為7wt% ;該發(fā)光層的厚度為15nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu),如,空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為150nm。實(shí)施例15一種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為
玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/BeMQ2: Ir (MDQ)2 (acac) :FIrpic: (Oppy) 2Ir (acac) /TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層中摻雜主體為BeMQ2,紅光磷光材料為Ir (MDQ)2(acac)，紅光磷光材料摻雜比例為3wt% ;藍(lán)光磷光材料為FIrpic，藍(lán)光磷光材料摻雜比例為5wt% ;綠光磷光材料為(Oppy)2IHacac),綠光磷光材料摻雜比例為8wt% ;該發(fā)光層的厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為150nm。實(shí)施例16一種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/B^p2: Ir (MDQ) 2 (acac) : FIr6: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen :CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層中摻雜主體為Bepp2,紅光磷光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，紅光磷光材料摻雜比例為2. 5wt% ;藍(lán)光磷光材料為FIr6，藍(lán)光磷光材料摻雜比例為6wt%，綠光磷光材料為Ir (ppy)3，綠光磷光材料摻雜比例為7wt% ;該發(fā)光層的厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為150nm。實(shí)施例17一種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/BePrQ2: Ir (piq) 2 (acac) : FIrN4: Ir (ppy) 2 (acac) /TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層中摻雜主體為BePrQ2,紅光磷光材料為Ir (piq)2 (acac)，紅光磷光材料摻雜比例為2wt% ;藍(lán)光磷光材料為FIrN4，藍(lán)光磷光材料摻雜比例為9被％;綠光磷光材料為Ir (ppy)2 (acac)，綠光磷光材料摻雜比例為7wt%;該發(fā)光層的厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為150nm。應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的表述較為詳細(xì)，并不能因此而認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明專(zhuān)利保護(hù)范圍的限制，本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。權(quán)利要求
1.一種白光電致發(fā)光器件，該器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為基底/導(dǎo)電層/空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層；其特征在于，所述發(fā)光層的材質(zhì)為鈹配合物材料中摻雜藍(lán)光磷光材料、紅光磷光材料和綠光磷光材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述藍(lán)光磷光材料為雙(4，6_ 二氟苯基吡啶)-四(I-吡唑基)硼酸合銥、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙(5-氰基-4-氟苯基吡啶一N，C2)吡啶甲酸合銥、雙(4，6_ 二氟苯基吡啶-N，C2)-[5-(2-吡啶)四氮]合銥或者三(3，5-二氟-4-苯腈)吡啶合銥中的任一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述紅光磷光發(fā)光材料為二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、二(I-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥、或者三(I-苯基-異喹啉)合銥中的任一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述綠光磷光發(fā)光材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥、或者乙酰丙酮酸二(2-對(duì)苯氧基苯基吡啶)銥中的任一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述鈹配合物材料為吩基吡啶鈹、10-羥基苯并喹啉鈹、8-羥基喹啉鈹、2-甲基-8-羥基喹啉鈹、8-羥基喹啉鈹、或者7-丙基-8羥基喹啉鈹中的任一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層中，紅光磷光材料、藍(lán)光磷光材料、綠光磷光材料各自的摻雜質(zhì)量百分比分別為0. 5-5wt %、5-20wt %和5-10wt%。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至6任一所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料為三氧化鑰、三氧化鎢、VOx或五氧化二釩中的任一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求I至6任一所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層和電子阻擋層的材料分別為1，I-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、N，N，- 二(3-甲基苯基)-N，N，- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(、N，N’ -(I-萘基)_N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、1，3，5-三苯基苯或酞菁銅中的任一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至6任一所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層和空穴阻擋層的材料分別為2- (4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羥基喹啉鋁、2，5-二(I-萘基)-1，3，4-二唑、4，7-二苯基-I，10-菲羅啉、I，2，4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或喹喔啉衍生物中的任一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求I至6任一所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材料為Cs2C03、CsN3> LiF、CsF、CaF2, MgF2或者NaF中的任一種；所述陰極層的材質(zhì)為銀、招、銀鎂合金或金。
全文摘要
本發(fā)明屬于光電子器件領(lǐng)域，公開(kāi)了一種白光電致發(fā)光器件，該器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次為基底/導(dǎo)電層/空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層；其特征在于，所述發(fā)光層的材質(zhì)為鈹配合物材料中摻雜藍(lán)光磷光材料、紅光磷光材料和綠光磷光材料。本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件，將藍(lán)光、綠光、紅光三種不同磷光材料共摻雜到鈹配合物中作為發(fā)光層，可以進(jìn)一步的提高電子傳輸能力，共摻雜可以避免能量在藍(lán)光、綠光、紅光三種不同磷光材料之間的能量轉(zhuǎn)移損失，進(jìn)而提高發(fā)光層的發(fā)光性能。
文檔編號(hào)H01L51/54GK102738400SQ20111008228
公開(kāi)日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2011年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月31日
發(fā)明者周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 黃輝 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司