專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體芯片組體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片組體，尤指一種適用于高功率半導(dǎo)體組件，特別指由 半導(dǎo)體組件、基板、黏著層及散熱座組成的半導(dǎo)體芯片組體。
背景技術(shù)：
諸如經(jīng)封裝與未經(jīng)封裝的半導(dǎo)體芯片等半導(dǎo)體組件可提供高電壓、高頻率及高效 能的應(yīng)用；該些應(yīng)用為執(zhí)行特定功能，故所需消耗的功率甚高，然功率愈高則半導(dǎo)體組件生 熱愈多。此外，在封裝密度提高及尺寸縮減后，可供散熱的表面積亦縮小，更導(dǎo)致產(chǎn)熱加劇。半導(dǎo)體組件在高溫操作下易產(chǎn)生效能衰退及使用壽命縮短等問(wèn)題，甚至可能立即 故障。高熱不僅影響芯片效能，亦可能因熱膨脹不匹配而對(duì)芯片及其周遭組件產(chǎn)生熱應(yīng)力 作用。因此，必須使芯片迅速有效散熱方能確保其操作效率與可靠度。一條高導(dǎo)熱性路徑 通常將熱能傳導(dǎo)并發(fā)散至一表面積較芯片或芯片所在的晶粒座更大的區(qū)域。發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)近來(lái)已普遍成為白熾光源、熒光光源及 鹵素光源的替代光源。LED可為醫(yī)療、軍事、招牌、訊號(hào)、航空、航海、車(chē)輛、可攜式設(shè)備、商用 及住家照明等應(yīng)用領(lǐng)域提供高能源效率及低成本的長(zhǎng)時(shí)間照明。例如，LED可為燈具、手電 筒、車(chē)頭燈、探照燈、交通號(hào)志燈及顯示器等設(shè)備提供光源。LED中的高功率芯片在提供高亮度輸出的同時(shí)亦產(chǎn)生大量熱能。然而，在高溫操作 下，LED會(huì)發(fā)生色偏、亮度降低、使用壽命縮短及立即故障等問(wèn)題。此外，LED在散熱方面有 其限制，進(jìn)而影響其光輸出與可靠度。因此，LED格外突顯市場(chǎng)對(duì)于具有良好散熱效果的高 功率芯片的需求。LED封裝體通常包含一 LED芯片、一基座、一電接點(diǎn)及一熱接點(diǎn)。其中該基座熱連 結(jié)至該LED芯片并用以支撐該LED芯片；該電接點(diǎn)則電性連結(jié)至該LED芯片的陽(yáng)極與陰極； 以及該熱接點(diǎn)經(jīng)由該基座熱連結(jié)至該LED芯片，其下方載具可充分散熱以預(yù)防該LED芯片 過(guò)熱。業(yè)界積極以各種設(shè)計(jì)及制造技術(shù)投入高功率芯片封裝體與導(dǎo)熱板的研發(fā)，以期在 此極度成本競(jìng)爭(zhēng)的環(huán)境中滿足效能需求。塑料球柵數(shù)組(Plastic Ball Grid Array, PBGA)封裝是將一芯片與一層壓基板 包裹于一塑料外殼中，然后再以錫球黏附于一印刷電路板(Printed Circuit Board, PCB) 之上。其中該層壓基板包含一通常由玻璃纖維構(gòu)成的介電層，且該芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由 此塑料及介電層傳至錫球，進(jìn)而傳至該印刷電路板。然而，由于塑料與介電層的導(dǎo)熱性低， 因此PBGA的散熱效果不佳。方形扁平無(wú)引腳(Quad Flat No-lead,QFN)封裝是將芯片設(shè)置在一焊接于印刷電 路板的銅質(zhì)晶粒座上。該芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由此晶粒座傳至該印刷電路板。然而，由于 其導(dǎo)線架中介層的路由能力有限，使得QFN封裝無(wú)法適用于高輸入/輸出(I/O)芯片或被 動(dòng)組件。導(dǎo)熱板為半導(dǎo)體組件提供電性路由、熱管理與機(jī)械性支撐等功能。導(dǎo)熱板通常包含一用于訊號(hào)路由的基板、一提供熱去除功能的散熱座或散熱裝置、一可供電性連結(jié)至半 導(dǎo)體組件的焊墊，以及一可供電性連結(jié)至下一層組體的端子。其中該基板可為一具有單層 或多層路由電路系統(tǒng)及一或多層介電層的層壓結(jié)構(gòu)；該散熱座可為一金屬基座、金屬塊或 埋設(shè)金屬層。導(dǎo)熱板接合下一層組體。例如，下一層組體可為一具有印刷電路板及散熱裝置的 燈座。在此范例中，一 LED封裝體安設(shè)于導(dǎo)熱板上，該導(dǎo)熱板則安設(shè)于散熱裝置上，導(dǎo)熱板 /散熱裝置次組體與印刷電路板又安設(shè)于燈座中。其中，該導(dǎo)熱板經(jīng)由導(dǎo)線電性連結(jié)至該 印刷電路板。藉此，該基板可將電訊號(hào)自該印刷電路板導(dǎo)向該LED封裝體，而該散熱座則將 該LED封裝體的熱能發(fā)散并傳遞至該散熱裝置。因此，該導(dǎo)熱板可為L(zhǎng)ED芯片提供一重要 的熱路徑。授予Juskey等人的第6，507，102號(hào)美國(guó)專(zhuān)利揭示一種組體，其中一由玻璃纖維與 固化的熱固性樹(shù)脂所構(gòu)成的復(fù)合基板包含一中央開(kāi)口，并具有一類(lèi)似該中央開(kāi)口正方或長(zhǎng) 方形狀的散熱塊黏附于該中央開(kāi)口側(cè)壁因而與該基板結(jié)合，且于該基板頂部及底部分別黏 附有上、下導(dǎo)電層，并透過(guò)貫穿該基板的電鍍導(dǎo)孔互為電性連結(jié)。再者，另有一芯片設(shè)置于 該散熱塊上并打線接合至上導(dǎo)電層，且具有一封裝材料模設(shè)成形于該芯片上，而下導(dǎo)電層 則設(shè)有錫球。當(dāng)上述專(zhuān)利案于制造時(shí)，該基板原為一置于下導(dǎo)電層上的乙階(B-stage)樹(shù)脂膠 片。該散熱塊插設(shè)于該中央開(kāi)口，因而位于下導(dǎo)電層上，并與該基板以一間隙相隔，而該上 導(dǎo)電層則設(shè)于該基板上。待該上、下導(dǎo)電層經(jīng)加熱及彼此壓合后，使樹(shù)脂熔化并流入前述間 隙中固化，該上、下導(dǎo)電層即形成圖案，因而在該基板上形成電路布線，并使樹(shù)脂溢料顯露 于該散熱塊上。接著去除樹(shù)脂溢料，俾使該散熱塊露出，最后再將芯片安置于該散熱塊上并 進(jìn)行打線接合與封裝。因此，上述芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由該散熱塊傳至該印刷電路板。然而，當(dāng)在大批量 生產(chǎn)時(shí)，以手工方式將該散熱塊放置于該中央開(kāi)口內(nèi)的作業(yè)極為費(fèi)工，且成本高昂。再者， 由于側(cè)向的安裝容差小，該散熱塊不易精確定位于該中央開(kāi)口中，導(dǎo)致該基板與該散熱塊 之間易出現(xiàn)間隙以及打線不均的情形。如此一來(lái)，該基板僅部分黏附于該散熱塊，既無(wú)法自 散熱塊獲得足夠的支撐力，并且容易脫層。此外，用于去除部分導(dǎo)電層以顯露樹(shù)脂溢料的化 學(xué)蝕刻液亦將去除部分未被樹(shù)脂溢料覆蓋的散熱塊，致使散熱塊不平且不易結(jié)合，最終導(dǎo) 致組體的合格率偏低、可靠度不足且成本過(guò)高等缺點(diǎn)。授予Ding等人的第6，528，882號(hào)美國(guó)專(zhuān)利所揭露的一種高散熱球柵數(shù)組封裝體， 其基板包含一金屬芯層，而芯片則安置于該金屬芯層頂面的晶粒座區(qū)域。其中，于該金屬芯 層的底面形成有一絕緣層，并有盲孔貫穿該絕緣層直通該金屬芯層，且孔內(nèi)填有散熱錫球， 而在該基板上并另設(shè)有與該散熱錫球相對(duì)應(yīng)的錫球。藉此使芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由該金屬 芯層流向該散熱錫球，再流向印刷電路板；然而，夾設(shè)于該金屬芯層與該印刷電路板間的絕 緣層卻對(duì)流向該印刷電路板的熱流造成限制。授予Lee等人的第6，670，219號(hào)美國(guó)專(zhuān)利乃教示一種凹槽向下球柵數(shù)組(Cavity DownBall Grid Array，⑶BGA)封裝體，其中一具有中央開(kāi)口的接地板設(shè)置于一散熱座上 以構(gòu)成一散熱基板，且于該散熱座上由該接地板的中央開(kāi)口所形成的一凹槽內(nèi)安裝有一芯 片，并透過(guò)一具有中央開(kāi)口的黏著層設(shè)置一具有中央開(kāi)口的基板于該接地板上，而該基板
6上則設(shè)有錫球。然而，由于該錫球位于該基板上，該散熱座并無(wú)法接觸印刷電路板，導(dǎo)致該 散熱座的散熱作用僅限熱對(duì)流而非熱傳導(dǎo)，因而大幅限縮其散熱效果。授予Woodall等人的第7，038，311號(hào)美國(guó)專(zhuān)利提供一種高散熱BGA封裝體，其散 熱裝置為倒T形且包含一柱部與一寬基底。其中一設(shè)有窗型開(kāi)口的基板安置于該寬基底 上，一黏著層則將該柱部與該寬基底黏附于該基板；一芯片安置于該柱部上并打線接合至 該基板，一封裝材料模制成形于該芯片上，該基板上則設(shè)有錫球。于其中，該柱部延伸穿過(guò) 該窗型開(kāi)口，并由該寬基底支撐該基板，至于該錫球則位于該寬基底與該基板周緣之間。藉 此，上述芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由該柱部傳至該寬基底，再傳至印刷電路板；然而，由于該寬 基底上必須留有容納該錫球的空間，該寬基底僅在對(duì)應(yīng)于中央窗口與最內(nèi)部錫球之間的位 置突伸于該基板下方。如此一來(lái)，該基板在制造過(guò)程中便不平衡，且容易晃動(dòng)及彎曲，進(jìn)而 導(dǎo)致該芯片的安裝、打線接合以及封裝材料的模制成形均十分困難。此外，該寬基底可能因 封裝材料的模制成形而彎折，且一旦錫球崩塌，便可能使該封裝體無(wú)法焊接至下一層組體。 是以，此封裝體的合格率偏低、可靠度不足且成本過(guò)高。授予Erchak等人的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)案第2007/(^67642號(hào)乃提出一種發(fā)光裝置 組體，其中一倒T形的基座包含一基板、一突出部及一具有通孔的絕緣層，該絕緣層上并設(shè) 有電接點(diǎn)。其中一具有通孔與透明上蓋的封裝體設(shè)置于該電接點(diǎn)上；一 LED芯片設(shè)置于該 突出部并以打線連接該基板，且該突出部鄰接該基板并延伸穿過(guò)該絕緣層與該封裝體上的 通孔，進(jìn)入封裝體內(nèi)。并且，該絕緣層設(shè)置于該基板上，且該絕緣層上設(shè)有電接點(diǎn)，而該封裝 體設(shè)置于該等電接點(diǎn)上并與該絕緣層保持間距。藉此，該芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由該突出部 傳至該基板，進(jìn)而到達(dá)一散熱裝置；然而，該等電接點(diǎn)不易設(shè)置于該絕緣層上，難以與下一 層組體電性連結(jié)，且無(wú)法提供多層路由?，F(xiàn)有封裝體與導(dǎo)熱板具有重大缺點(diǎn)。舉例而言，諸如環(huán)氧樹(shù)脂等低導(dǎo)熱性的電絕 緣材料對(duì)散熱效果造成限制；然而，以陶瓷或碳化硅填充的環(huán)氧樹(shù)脂等具有較高導(dǎo)熱性的 電絕緣材料則具有黏著性低且量產(chǎn)成本過(guò)高的缺點(diǎn)，致使該電絕緣材料可能在制作過(guò)程中 或在操作初期即因受熱而脫層。該基板若為單層電路系統(tǒng)則路由能力有限，但若該基板為 多層電路系統(tǒng)，則其過(guò)厚的介電層將降低散熱效果。此外，前案技術(shù)尚有散熱座效能不足、 體積過(guò)大或不易熱連結(jié)至下一層組體等問(wèn)題，且前案技術(shù)的制造工序亦不適于低成本的批 量作業(yè)。有鑒于現(xiàn)有高功率半導(dǎo)體組件封裝體及導(dǎo)熱板的種種發(fā)展情形及相關(guān)限制，故， 一般現(xiàn)有者無(wú)法符合使用者于實(shí)際使用時(shí)供業(yè)界所需的一種具成本效益、效能可靠、適于 批量生產(chǎn)、多功能、可靈活調(diào)整訊號(hào)路由且具有優(yōu)異散熱性的半導(dǎo)體芯片組體。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要目的在于，克服已知技藝所遭遇的上述問(wèn)題并提供一種具成本效益、 效能可靠、適于批量生產(chǎn)、多功能、可靈活調(diào)整訊號(hào)路由且具有優(yōu)異散熱性的半導(dǎo)體芯片組 體。為達(dá)以上目的，本發(fā)明所采用的第一種技術(shù)方案為一種半導(dǎo)體芯片組體，用于提 供垂直訊號(hào)路由，其包括一黏著層，至少具有一開(kāi)口；
一散熱座，至少包含一凸柱及一基座，其中該凸柱鄰接該基座并沿一向上方向延 伸于該基座上方，而該基座沿一與該向上方向相反的向下方向延伸于該凸柱下方，并沿垂 直于該向上及向下方向的側(cè)面方向從該凸柱側(cè)向延伸；一基板，設(shè)置于該黏著層上并延伸于該基座上方，其至少包含一焊墊、一路由線、 一第一導(dǎo)電孔及一介電層，其中該焊墊延伸于該介電層上方，該路由線延伸于該介電層下 方并埋設(shè)于該黏著層中，以及該第一導(dǎo)電孔延伸貫穿該介電層至該路由線，且有一通孔延 伸貫穿該基板；一第二導(dǎo)電孔，延伸貫穿該黏著層至該路由線；—端子，延伸于該黏著層下方；一半導(dǎo)體組件，位于該凸柱上方并重疊于該凸柱，抑或位于該凸柱下方并被該凸 柱重疊，該半導(dǎo)體組件電性連結(jié)至該焊墊與該端子，并熱連結(jié)至該凸柱與該基座；以及上述凸柱延伸貫穿該開(kāi)口進(jìn)入該通孔以達(dá)該介電層上方，該基座則延伸于該黏著 層及該基板下方，并由該第一導(dǎo)電孔、該路由線及該第二導(dǎo)電孔構(gòu)成一位于該焊墊與該端 子間的導(dǎo)電路徑，其中該黏著層設(shè)置于該基座上，并于該基座上方延伸進(jìn)入該通孔內(nèi)一位 于該凸柱與該基板間的缺口，于該缺口中延伸跨越該介電層，并介于該凸柱與該介電層之 間、以及該基座與該基板之間。該半導(dǎo)體組件為一半導(dǎo)體芯片，其延伸于該凸柱上方，重疊于該凸柱，并電性連結(jié) 至該焊墊，從而電性連結(jié)至該端子，且該半導(dǎo)體芯片熱連結(jié)至該凸柱，從而熱連結(jié)至該基座。該半導(dǎo)體組件為一半導(dǎo)體芯片，利用一固晶材料設(shè)置于該散熱座上，經(jīng)由一打線 電性連結(jié)至該焊墊，并經(jīng)由該固晶材料熱連結(jié)至該凸柱。該黏著層在該缺口中接觸該凸柱與該介電層，并在該缺口之外接觸該基座、該介 電層、該路由線、該第二導(dǎo)電孔與該端子。該黏著層在該等側(cè)面方向覆蓋且環(huán)繞該凸柱。該黏著層填滿該缺口。該黏著層填滿該基座與該基板間的一空間。該黏著層重疊于該端子。該黏著層延伸至該組體的外圍邊緣。該凸柱與該基座一體成形。該凸柱與該黏著層于該介電層上方處于同一平面。該凸柱為平頂錐柱形，其直徑自該基座至該凸柱的平坦頂部呈向上遞減。該基座與該端子于該黏著層下方處于同一平面。該基座從下方覆蓋該凸柱，支撐該基板，且與該組體的外圍邊緣保持距離。該基板與該凸柱及該基座保持距離。該基板為一層壓結(jié)構(gòu)。該散熱座至少包含一蓋體，位于該凸柱的一頂部上方，鄰接該凸柱的頂部并從上 方覆蓋，同時(shí)沿該等側(cè)面方向自該凸柱的頂部側(cè)向延伸。該蓋體為矩形或正方形，且該凸柱的頂部為圓形。該散熱座至少包含一蓋體，且該蓋體與該焊墊于該介電層上方處于同一平面。
該散熱座的材質(zhì)為銅。為達(dá)以上目的，本發(fā)明所采用的第二種技術(shù)方案為一種半導(dǎo)體芯片組體，用于提 供垂直訊號(hào)路由，其包括一黏著層，至少具有一開(kāi)口；一散熱座，至少包含一凸柱、一基座及一蓋體，其中該凸柱鄰接該基座并與該基座 一體成形，且該凸柱沿一向上方向延伸于該基座上方，并使該基座與該蓋體形成熱連結(jié)，該 基座沿一與該向上方向相反的向下方向延伸于該凸柱下方，并沿垂直于該向上及向下方向 的側(cè)面方向自該凸柱側(cè)向延伸，該蓋體位于該凸柱的一頂部上方，鄰接該凸柱的頂部并從 上方覆蓋，同時(shí)沿該等側(cè)面方向自該凸柱的頂部側(cè)向延伸；一基板，設(shè)置于該黏著層上并延伸于該基座上方，其至少包含一第一與第二導(dǎo)電 層、一第一導(dǎo)電孔及一介電層，其中該第一導(dǎo)電層接觸該介電層且延伸于該介電層上方，該 第二導(dǎo)電層接觸該介電層且延伸于該介電層下方并埋設(shè)于該黏著層中，且具有一焊墊包含 在該第一導(dǎo)電層的一選定部分，該焊墊接觸該介電層并延伸于該介電層上方，以及具有一 路由線包含在該第二導(dǎo)電層的一選定部分，該路由線接觸該介電層并延伸于該介電層下 方，而該第一導(dǎo)電孔則接觸且延伸貫穿該第一導(dǎo)電層與該路由線間的介電層，且有一通孔 延伸貫穿該基板；一第二導(dǎo)電孔，接觸并延伸貫穿該黏著層至該路由線；一端子，接觸并延伸于該黏著層下方；一半導(dǎo)體芯片，設(shè)置于該蓋體上，重疊于該凸柱，并電性連結(jié)至該焊墊，從而電性 連結(jié)至該端子，且該半導(dǎo)體芯片熱連結(jié)至該蓋體，從而熱連結(jié)至該基座；以及上述凸柱延伸貫穿該開(kāi)口進(jìn)入該通孔以達(dá)該介電層上方，該基座則沿該向下方向 延伸于該半導(dǎo)體芯片、該黏著層及該基板下方，且從下方覆蓋該半導(dǎo)體芯片與該凸柱并支 撐該基板，由該第一導(dǎo)電孔、該路由線及該第二導(dǎo)電孔構(gòu)成一位于該焊墊與該端子間的導(dǎo) 電路徑，其中該黏著層設(shè)置于該基座上，并于該基座上方延伸進(jìn)入該通孔內(nèi)一位于該凸柱 與該基板間的缺口，于該缺口中延伸跨越該介電層，并于該缺口內(nèi)介于該凸柱與該介電層 之間，于該缺口外則介于該基座與該基板之間，該黏著層更沿該等側(cè)面方向覆蓋且環(huán)繞該 凸柱，并延伸至該組體的外圍邊緣。該半導(dǎo)體芯片利用一固晶材料設(shè)置于該蓋體上，經(jīng)由一打線電性連結(jié)至該焊墊， 并經(jīng)由該固晶材料熱連結(jié)至該蓋體。該基板與該凸柱及該基座保持距離，由該黏著層填滿該缺口以及該基座與該基板 間的一空間，并使該黏著層被限制于該散熱座與該基板間的一空間內(nèi)。該凸柱的頂部為圓形，且其上的蓋體為矩形或正方形，該凸柱為平頂錐柱形，其直 徑自該基座至該蓋體呈向上遞減。該凸柱與該黏著層以及該蓋體與該焊墊皆于該介電層上方共處同一平面，而該基 座與該端子則于該黏著層下方共處同一平面，且該散熱座的材質(zhì)為銅。本發(fā)明還提供了一種制作半導(dǎo)體芯片組體的方法，其包含提供一凸柱及一基座； 設(shè)置一黏著層于該基座上，并將該凸柱插入該黏著層的一開(kāi)口 ；設(shè)置一基板于該黏著層上， 并將該凸柱插入該基板的一通孔，因而在該通孔內(nèi)形成一介于該凸柱與該基板間的缺口 ； 使該黏著層向上流入該缺口 ；固化該黏著層；設(shè)置一半導(dǎo)體組件于一散熱座上，其中該散熱座至少包含該凸柱及該基座；電性連結(jié)該半導(dǎo)體組件至該基板與一位于該黏著層下方的 端子；以及熱連結(jié)該半導(dǎo)體組件至該散熱座。上述基板至少包含一第一及第二導(dǎo)電層與位 于其間的一介電層，藉此使該組體可提供垂直訊號(hào)路由。本發(fā)明還提供了另一種制作半導(dǎo)體芯片組體的方法，包含下列步驟(Al)提供一凸柱、一基座、一黏著層以及一基板，其中該基板至少包含一第一導(dǎo)電 層、一第二導(dǎo)電層及一位于其間的介電層；該凸柱鄰接該基座，沿一向上方向延伸于該基座 上方，延伸貫通該黏著層的一開(kāi)口，并延伸進(jìn)入該基板的一通孔；該基座沿一與該向上方向 相反的向下方向延伸于該凸柱下方，并沿垂直于該向上及向下方向的側(cè)面方向自該凸柱側(cè) 向延伸而出；該黏著層設(shè)置該基座上，延伸于該基座上方，并位于該基座與該基板之間，且 未固化；該基板設(shè)置于該黏著層上，延伸于該黏著層上方，于其中該第一導(dǎo)電層系延伸于該 介電層上方，該介電層延伸于該第二導(dǎo)電層上方；以及一缺口位于該通孔內(nèi)且介于該凸柱 與該基板之間；(Bi)使該黏著層向上流入該缺口 ；(Cl)固化該黏著層；(Dl)設(shè)置一半導(dǎo)體組件于一至少包含該凸柱及該基座的散熱座上，其中該半導(dǎo)體 組件若非重疊于該凸柱即被該凸柱重疊。本組體至少包含一焊墊、一端子、一路由線及第一 與第二導(dǎo)電孔，其中該焊墊包含該第一導(dǎo)電層的一選定部分；該路由線包含該第二導(dǎo)電層 的一選定部分；該第一導(dǎo)電孔接觸且延伸貫穿該第一導(dǎo)電層與該路由線間的介電層；第二 導(dǎo)電孔接觸并延伸貫穿該黏著層至該路由線；以及該端子接觸并延伸于該黏著層下方；(El)電性連結(jié)該半導(dǎo)體組件至該焊墊與該端子其中之一，藉此電性連結(jié)該半導(dǎo)體 組件至該焊墊與該端子中的另一者，其中一位于該焊墊與該端子間的導(dǎo)電路徑包含該第一 導(dǎo)電孔、該路由線及該第二導(dǎo)電孔；以及(Fl)熱連結(jié)該半導(dǎo)體組件至該凸柱與該基座其中之一，藉此熱連結(jié)該半導(dǎo)體組件 至該凸柱與該基座中的另一者。本發(fā)明還提供了第三種制作一半導(dǎo)體芯片組體的方法，包含下列步驟(A2)提供一凸柱及一基座，其中該凸柱鄰接且一體成形于該基座，并沿一向上方 向延伸于該基座上方，且該基座沿一與該向上方向相反的向下方向延伸于該凸柱下方，并 自該凸柱沿垂直于該向上及向下方向的側(cè)面方向側(cè)向延伸而出；(B2)提供一黏著層，其中包含一開(kāi)口延伸貫穿該黏著層；(C2)提供一基板，其中該基板至少包含一第一及第二導(dǎo)電層與一位于其間的介電 層，并含有一路由線包含在該第二導(dǎo)電層的一選定部分，且有一通孔延伸貫穿該基板；(D2)設(shè)置該黏著層于該基座上，并包含將該凸柱插入該開(kāi)口，其中該黏著層延伸 于該基座上方，而該凸柱延伸貫穿該開(kāi)口 ；(E2)設(shè)置該基板于該黏著層上，并包含將該凸柱插入該通孔，其中該基板延伸于 該黏著層上方，于該基板中的第一導(dǎo)電層延伸于該介電層上方，該介電層并延伸于該基板 中的第二導(dǎo)電層上方，而該凸柱延伸貫穿該開(kāi)口進(jìn)入該通孔，該黏著層介于該基座與該基 板之間且未固化，并有一缺口位于該通孔中且介于該凸柱與該基板之間；(F2)加熱熔化該黏著層；(G2)將該基座與該基板彼此靠合，藉此使該凸柱在該通孔內(nèi)向上移動(dòng)，并對(duì)該基座與該基板間的熔化黏著層施加壓力，該壓力迫使該熔化黏著層向上流入該缺口，而該凸 柱與該熔化黏著層則延伸于該介電層上方；(H2)加熱固化該熔化黏著層，藉此將該凸柱及該基座機(jī)械性黏附至該基板；(12)提供一第一導(dǎo)電孔，其由該第一導(dǎo)電層延伸貫穿該介電層至該路由線；(J2)提供一第二導(dǎo)電孔，其延伸貫穿該黏著層至該路由線；(K2)提供一延伸于該介電層上方的焊墊，并去除該第一導(dǎo)電層的選定部分；(L2)提供一延伸于該黏著層下方的端子，并去除該基座的選定部分；(M2)在該凸柱上提供一蓋體，該蓋體位于該凸柱的一頂部上方，鄰接且從上方覆 蓋該凸柱的頂部，并沿該等側(cè)面方向從該凸柱的頂部側(cè)向延伸而出；(N2)設(shè)置一半導(dǎo)體芯片于該蓋體上，其中一散熱座至少包含該凸柱、該基座及該 蓋體，且該半導(dǎo)體芯片重迭于該凸柱；(02)電性連結(jié)該半導(dǎo)體芯片至該焊墊，藉此電性連結(jié)該半導(dǎo)體芯片至該端子，其 中一位于該焊墊與該端子間的導(dǎo)電路徑依序包含該第一導(dǎo)電孔、該路由線及該第二導(dǎo)電 孔；以及(P2)熱連結(jié)該半導(dǎo)體芯片至該蓋體，藉此熱連結(jié)該半導(dǎo)體芯片至該基座。上述步驟m提供該凸柱與該基座可包含提供一金屬板；于該金屬板上形成一 圖案化的蝕刻阻層，其選擇性曝露該金屬板；蝕刻該金屬板，使其形成該圖案化的蝕刻阻層 所定義的圖案，藉此于該金屬板上形成一凹槽，其延伸進(jìn)入但未貫穿該金屬板；而后去除該 圖案化的蝕刻阻層，其中該凸柱為該金屬板的一未受蝕刻部分，突出于該基座上方，且被該 凹槽側(cè)向環(huán)繞，該基座亦為該金屬板的一未受蝕刻部分，且位于該凸柱與該凹槽下方。上述步驟(B》提供該黏著層可包含提供一未固化環(huán)氧樹(shù)脂的膠片，且步驟(G2) 使該黏著層流動(dòng)可包含熔化該未固化環(huán)氧樹(shù)脂；并擠壓該基座與該基板間的未固化環(huán)氧 樹(shù)脂，以及步驟0 )加熱固化該熔化黏著層可包含固化該熔化的未固化環(huán)氧樹(shù)脂。上述步驟(以)提供該基板可包含提供該路由線，此步驟包含去除該第二導(dǎo)電層 的選定部分；之后形成該通孔。上述步驟(以)提供該焊墊可包含研磨該凸柱、該黏著層及該第一導(dǎo)電層，致使 該凸柱、該黏著層及該第一導(dǎo)電層在一面向該向上方向的上側(cè)表面彼此側(cè)向齊平；而后去 除該第一導(dǎo)電層的選定部分。于其中，該研磨可包含研磨該黏著層而不研磨該凸柱，而后研 磨該凸柱、該黏著層及該第一導(dǎo)電層。上述步驟(以)提供該焊墊亦可包含去除該第一導(dǎo)電層的選定部分。步驟(L2)提 供該端子可包含去除該基座的選定部分。步驟(1 提供該第一導(dǎo)電孔可包含形成一第一 孔洞，其延伸貫穿該第一導(dǎo)電層與該介電層至該路由線；然后在該第一孔洞內(nèi)及該第一導(dǎo) 電層與該路由在線沉積導(dǎo)電金屬以形成一第三導(dǎo)電層。步驟(E)提供該第二導(dǎo)電孔可包 含形成一第二孔洞，其延伸貫穿該基座與該黏著層至該路由線；然后在該第二孔洞內(nèi)及 該基座與該路由在線沉積導(dǎo)電金屬以形成一第四導(dǎo)電層。上述步驟(1(2丄2、12及J》提供該焊墊、該端子及該第一與第二導(dǎo)電孔亦可包含 形成上述孔洞；于該等孔洞內(nèi)沉積導(dǎo)電金屬以形成該第三與第四導(dǎo)電層；而后利用一可定 義該焊墊的第一圖案化蝕刻阻層去除該第一與第三導(dǎo)電層的選定部分，并利用一可定義該 端子的第二圖案化蝕刻阻層去除該第四導(dǎo)電層與該基座的選定部分。
上述步驟(1 提供第一導(dǎo)電孔可包含于該第一孔洞內(nèi)以及該凸柱、該第一導(dǎo)電 層、該黏著層與該路由在線沉積導(dǎo)電金屬以形成一第三導(dǎo)電層。步驟(E)提供該第二導(dǎo)電 孔可包含于該第二孔洞內(nèi)以及該基座、該黏著層與該路由在線沉積導(dǎo)電金屬以形成一第 四導(dǎo)電層。步驟(以)提供該焊墊可包含去除該第一與第三導(dǎo)電層的選定部分。步驟(L2) 提供該端子可包含去除該基座與該第四導(dǎo)電層的選定部分。其中提供該第三與第四導(dǎo)電層可包含同時(shí)被覆該第三與第四導(dǎo)電層；去除該第 一、第三及第四導(dǎo)電層與該基座的選定部分可包含同時(shí)蝕刻該第一、第三與第四導(dǎo)電層及 該基座。上述提供該散熱座可包含在固化該黏著層之后與設(shè)置該半導(dǎo)體組件之前，于該 凸柱上提供一蓋體，該蓋體位于該凸柱的一頂部上方，鄰接該凸柱的頂部，同時(shí)從上方覆蓋 該凸柱的頂部，且自該凸柱頂部沿該等側(cè)面方向側(cè)向延伸而出。上述步驟(IC)提供該蓋體可包含在研磨并去除該第三導(dǎo)電層的選定部分之后， 于該凸柱上沉積導(dǎo)電金屬以形成一第三導(dǎo)電層。例如，提供該蓋體可包含于該第三導(dǎo)電層 上形成一圖案化的蝕刻阻層；利用該圖案化的蝕刻阻層蝕刻該第三導(dǎo)電層以定義該蓋體； 而后去除該圖案化的蝕刻阻層。同樣，在形成該焊墊時(shí)，亦可利用該圖案化的蝕刻阻層蝕刻 該第一及該第三導(dǎo)電層以定義該焊墊。上述步驟(G》使該黏著層流動(dòng)可包含以該黏著層填滿該缺口 ；亦可包含擠壓該 黏著層，使其通過(guò)該缺口，到達(dá)該凸柱與該基板上方，并及于該凸柱頂面與該基板頂面鄰接 該缺口的部分。上述步驟0 )加熱固化該熔化黏著層系可包含將該凸柱與該基座機(jī)械性結(jié)合 于該基板。上述步驟(N2)設(shè)置該半導(dǎo)體芯片可包含將該半導(dǎo)體芯片設(shè)置于該凸柱、該開(kāi)口 與該通孔上方，使該半導(dǎo)體芯片重疊于該凸柱、該開(kāi)口與該通孔?；蛘?，設(shè)置該半導(dǎo)體芯片 亦可包含將該半導(dǎo)體芯片設(shè)置于該凸柱、該開(kāi)口與該通孔下方，使該半導(dǎo)體芯片被該凸 柱、該開(kāi)口與該通孔重疊。上述步驟(N2、02及P2)設(shè)置、電性連結(jié)與熱連結(jié)該半導(dǎo)體芯片可包含將該半導(dǎo) 體芯片設(shè)置于該凸柱上；電性連結(jié)該半導(dǎo)體芯片至該焊墊，藉此電性連結(jié)該半導(dǎo)體芯片至 該端子；以及熱連結(jié)該半導(dǎo)體芯片至該凸柱，藉此熱連結(jié)該半導(dǎo)體芯片至該基座?；蛘?，設(shè) 置、電性連結(jié)與熱連結(jié)該半導(dǎo)體芯片亦可包含將該半導(dǎo)體芯片設(shè)置于該基座下方；電性 連結(jié)該半導(dǎo)體芯片至該端子，藉此電性連結(jié)該半導(dǎo)體芯片至該焊墊；以及熱連結(jié)該半導(dǎo)體 芯片至該基座，藉此熱連結(jié)該半導(dǎo)體芯片至該凸柱。上述步驟(N2、02及P2)設(shè)置、電性連結(jié)與熱連結(jié)該半導(dǎo)體芯片系可包含利用一 固晶材料將一半導(dǎo)體芯片設(shè)置于該蓋體上；在該半導(dǎo)體芯片與該焊墊之間提供一打線；以 及在該半導(dǎo)體芯片與該蓋體之間提供該固晶材料?；蛘?，設(shè)置、電性連結(jié)與熱連結(jié)該半導(dǎo)體 芯片亦可包含利用一固晶材料將一半導(dǎo)體芯片設(shè)置于該基座上；在該半導(dǎo)體芯片與該端 子之間提供一打線；以及在該半導(dǎo)體芯片與該基座之間提供該固晶材料。上述黏著層可接觸該凸柱、該基座、該蓋體、該介電層、該路由線、該第二導(dǎo)電孔及 該端子，于該等側(cè)面方向覆蓋并環(huán)繞該凸柱，且延伸至該組體制造完成后與同批生產(chǎn)的其 它組體分離所形成的外圍邊緣。
當(dāng)該組體制造完成且與同批生產(chǎn)的其它組體分離后，該基座可從下方覆蓋該凸 柱，沿該等側(cè)面方向從該凸柱側(cè)向延伸而出，同時(shí)支撐該基板。本發(fā)明乃具有多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。包含該散熱座可提供優(yōu)異的散熱效果，并使熱能不流經(jīng) 該黏著層，因此，該黏著層可為低導(dǎo)熱性的低成本電介質(zhì)且不易脫層；該凸柱與該基座可一 體成形以提高可靠度；該蓋體可為該半導(dǎo)體組件量身訂做以提升熱連結(jié)的效果；該黏著層 可介于該凸柱與該基板之間以及該基座與該基板之間，藉以在該散熱座與該基板之間提供 堅(jiān)固的機(jī)械性連結(jié)；該基板可提供復(fù)雜的電路系統(tǒng)圖案以實(shí)現(xiàn)具彈性的多層訊號(hào)路由；以 及該基座可為該基板提供機(jī)械性支撐，防止其彎曲變形。藉此，本組體可利用低溫工序制 造，不僅可降低應(yīng)力，亦能提高可靠度，此外，本組體亦可利用電路板、導(dǎo)線架與卷帶式基板 制造廠可輕易實(shí)施的高控制工序加以制造。


圖1A，系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作凸柱與基座的結(jié)構(gòu)一剖視示意圖。
圖1B，系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作凸柱與基座的結(jié)構(gòu)二剖視示意圖。
圖1C，系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作凸柱與基座的結(jié)構(gòu)三剖視示意圖。
圖1D，系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作凸柱與基座的結(jié)構(gòu)四剖視示意圖。
圖1E，系圖ID的俯視示意圖。
圖1F，系圖ID的仰視示意圖。
圖2A,系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作黏著層的結(jié)構(gòu)一剖視示意圖。
圖2B,系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作黏著層的結(jié)構(gòu)二剖視示意圖。
圖2C,系圖2B的俯視示意圖。
圖2D,系圖2B的仰視示意圖。
圖3A,系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作基板的結(jié)構(gòu)一剖視示意圖。
圖3B,系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作基板的結(jié)構(gòu)二剖視示意圖。
圖3C,系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作基板的結(jié)構(gòu)三剖視示意圖。
圖3D,系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作基板的結(jié)構(gòu)四剖視示意圖。
圖3E,系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作基板的結(jié)構(gòu)五剖視示意圖。
圖3F，系圖3E的俯視示意圖。
圖3G,系圖3E的仰視示意圖。
圖4A，系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)一剖視示意圖。
圖4B，系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)二剖視示意圖。
圖4C，系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)三剖視示意圖。
圖4D，系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)四剖視示意圖。
圖4E，系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)五剖視示意圖。
圖4F，系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)六剖視示意圖。
圖4G，系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)七剖視示意圖。
圖4H，系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)八剖視示意圖。
圖41，系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)九剖視示意圖。
圖4J，系本發(fā)明--較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板之結(jié)構(gòu)十剖視示意圖。
圖4K，系本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)十一剖視示意圖。圖4L，系本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)十二剖視示意圖。圖4M，系本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)十三剖視示意圖。圖4N，系圖4M的俯視示意圖。圖40，系圖4M的仰視示意圖。圖5A，系本發(fā)明一較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片組體剖視示意圖。圖5B，系本發(fā)明一較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片組體俯視示意圖。圖5C，系本發(fā)明一較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片組體仰視示意圖。圖6A，系本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片組體剖視示意圖。圖6B，系本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片組體俯視示意圖。圖6C，系本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片組體仰視示意圖。標(biāo)號(hào)說(shuō)明金屬板10表面 12、14圖案化的蝕刻阻層16、40、60、62全面覆蓋的蝕刻阻層18、38凹槽 20凸柱22基座 M黏著層沈開(kāi)口28基板30第一導(dǎo)電層32介電層；34第二導(dǎo)電層36路由線42、66通孔44缺口 46孔洞48、50第三導(dǎo)電層52第四導(dǎo)電層M第一導(dǎo)電孔56第二導(dǎo)電孔58焊墊 64蓋體68端子70導(dǎo)線72散熱座74第一防焊綠漆76
第二防焊綠漆78被覆接點(diǎn)80導(dǎo)熱板82半導(dǎo)體芯片組體100、200半導(dǎo)體芯片102、202打線104、204固晶材料 106、206封裝材料108、208頂面110、210底面 112、212打線接墊114、21具體實(shí)施例方式本發(fā)明上述及其它特征與優(yōu)點(diǎn)將于下文中藉由各種實(shí)施例進(jìn)一步加以說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖IA 圖IF所示，分別為本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作凸柱與基座的結(jié)構(gòu) 一剖視示意圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作凸柱與基座的結(jié)構(gòu)二剖視示意圖、本發(fā)明一較 佳實(shí)施例中制作凸柱與基座的結(jié)構(gòu)三剖視示意圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作凸柱與基座 的結(jié)構(gòu)四剖視示意圖，及圖ID的俯視示意圖、圖ID的仰視示意圖。如圖所示本發(fā)明為一 種半導(dǎo)體芯片組體，首先提供一金屬板10，其包含相背的主要表面(12、14)，如圖IA所示。 該金屬板10可由多種金屬制成，如銅、鋁、鐵鎳合金42、鐵、鎳、銀、金及其合金。其中尤以銅 具有導(dǎo)熱性高、結(jié)合性良好與低成本等優(yōu)點(diǎn)，因此本實(shí)施例的金屬板10使用一厚度為300 微米的銅板。于該金屬板10上形成有一圖案化的蝕刻阻層16以及一全面覆蓋的蝕刻阻層18， 如圖IB所示。該圖案化的蝕刻阻層16與該全面覆蓋的蝕刻阻層18是沉積于該金屬板10 上的光阻層，其制作方式是利用壓模技術(shù)以熱滾輪同時(shí)將光阻層分別壓合于該表面(12、 14)，于其中濕性旋涂法及淋幕涂布法亦為適用的光阻層形成技術(shù)。繼之，將一光罩(圖中 未示)靠合于光阻層，然后依照已知技術(shù)，令光線選擇性通過(guò)該光罩，再以顯影液去除可溶 解的光阻層部分以使光阻層形成圖案，即構(gòu)成該圖案化的蝕刻阻層16。因此，在該表面12 上的光阻層為具有一可選擇性曝露圖案從而形成圖案化的蝕刻阻層16，在該表面14上的 光阻層則為無(wú)圖案并維持覆蓋從而形成全面覆蓋的蝕刻阻層18。于該金屬板10上形成有一掘入但未穿透該金屬板10的凹槽20，如圖IC所示。該 凹槽20以蝕刻該金屬板10的方式形成，以使該金屬板10形成由圖案化的蝕刻阻層16所 定義的圖案。于本實(shí)施例中，該蝕刻方式為濕式化學(xué)蝕刻，可利用一頂部噴嘴(圖中未示) 將化學(xué)蝕刻液噴灑于該金屬板10 ；亦或，利用全面覆蓋的蝕刻阻層18提供背面保護(hù)，將結(jié) 構(gòu)體浸入化學(xué)蝕刻液中以形成該凹槽20。其中，該化學(xué)蝕刻液可對(duì)銅具有高度針對(duì)性，能刻 入該金屬板10達(dá)270微米。因此，該凹槽20自該表面12延伸進(jìn)入但未穿透該金屬板10， 可與該表面14距離30微米，深度則為270微米；另外，此化學(xué)蝕刻液亦對(duì)圖案化的蝕刻阻 層16下方的金屬板10造成側(cè)向蝕入。據(jù)此，能適用的化學(xué)蝕刻液可為含堿氨的溶液或硝 酸與鹽酸的稀釋混合物，換言之，上述化學(xué)蝕刻液可為酸性或堿性。于其中，足以形成該凹
15槽20而不致使該金屬板10過(guò)度曝露于化學(xué)蝕刻液的理想蝕刻時(shí)間則可由試誤法決定。去除圖案化的蝕刻阻層16及全面覆蓋的蝕刻阻層18后的金屬板10，如圖1D、圖 IE及圖IF所示。其中該等光阻層已經(jīng)溶劑處理去除，所用溶劑可為pH為14的氫氧化鈉/ 氫氧化鉀溶液。如是，經(jīng)蝕刻后的金屬板10因此包含一凸柱22及一基座M的結(jié)構(gòu)。上述凸柱22為該金屬板10上一受圖案化的蝕刻阻層16保護(hù)而未被蝕刻的部分。 該凸柱22鄰接該基座24，與該基座M形成一體，且突伸于該基座M上方，于側(cè)向則由該凹 槽20所包圍。其中該凸柱22的高等于該凹槽20的深度，為270微米，其頂面的直徑等于 該表面12的圓形部分的直徑，為1000微米，而底部的直徑則等于鄰接該基座M的圓形部 分的直徑，為1100微米。因此，該凸柱22類(lèi)似一平截頭體呈平頂錐柱形，其側(cè)壁漸縮，直徑 則自該基座M處朝其平坦圓形頂面向上遞減。于其中，該漸縮側(cè)壁因化學(xué)蝕刻液側(cè)向蝕入 該圖案化的蝕刻阻層16下方而形成，故該頂面與該底部的圓周乃同心，如圖IE所示。該基座M為該金屬板10在該凸柱22下方的一未受蝕刻部分，自該凸柱22沿一 側(cè)向平面，如左、右等側(cè)面方向側(cè)向延伸，厚度為30微米。該凸柱22與該基座M可經(jīng)處理以加強(qiáng)與環(huán)氧樹(shù)脂及焊料的結(jié)合度。例如，該凸 柱22與該基座M可經(jīng)化學(xué)氧化或微蝕刻以產(chǎn)生較粗糙的表面。該凸柱22與該基座M在本實(shí)施例中為透過(guò)削減法形成的單一金屬(銅)體。于 其中，亦可利用一具有凹槽或孔洞的接觸件沖壓該金屬板10，該凹槽或孔洞用以定義該凸 柱22的部位，俾使該凸柱22與該基座M成為沖壓成型的單一金屬體；亦或，利用增添法形 成該凸柱22，例如透過(guò)電鍍、化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)、物理氣相 沉積(Physical Vapor Deposition, PVD)等技術(shù)，將該凸柱22沉積于該基座M上；亦或， 利用半增添法形成該凸柱22，例如可于該凸柱22其蝕刻形成的下部上方沉積該凸柱22的 上部；又或者，該凸柱22亦可燒結(jié)于該基座M。此外，該凸柱22與該基座M并可為多件 式金屬體，例如于銅質(zhì)基座M上電鍍焊料凸柱22 ；在此情況下，該凸柱22與該基座M系 以冶金界面相接，彼此鄰接但并非一體成形。請(qǐng)參閱圖2A 圖2D所示，分別為本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作黏著層的結(jié)構(gòu)一剖 視示意圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作黏著層的結(jié)構(gòu)二剖視示意圖，及圖2B的俯視示意 圖、圖2B的仰視示意圖。如圖所示提供一乙階(B-stage)未固化環(huán)氧樹(shù)脂的膠片作為一 黏著層26，其厚150微米，如圖2A所示。上述黏著層沈可為多種有機(jī)或無(wú)機(jī)電性絕緣體制成的各種介電膜或膠片。例如， 該黏著層26起初可為一膠片，當(dāng)樹(shù)脂型態(tài)的熱固性環(huán)氧樹(shù)脂浸入一加強(qiáng)材料后即部分固 化至中期。其中，該環(huán)氧樹(shù)脂可為FR-4，亦可使用諸如多官能與雙馬來(lái)酰亞胺-三氮雜苯 (BT)樹(shù)脂等其它環(huán)氧樹(shù)脂。在特定應(yīng)用中，氰酸酯、聚酰亞胺及聚四氟乙烯(PTFE)亦為可 用的環(huán)氧樹(shù)脂。此外，該加強(qiáng)材料可為電子級(jí)玻璃，亦可為其它加強(qiáng)材料，如高強(qiáng)度玻璃、低 誘電率玻璃、石英、克維拉纖維(Kevlar Aramid)及紙等；再者，該加強(qiáng)材料也可為織物、不 織布或無(wú)方向性微纖維。藉此，可將諸如硅(研粉熔融石英)等填充物加入膠片中以提升 導(dǎo)熱性、熱沖擊阻抗力與熱膨脹匹配性。于其中，可利用市售預(yù)浸漬體，如美國(guó)威斯康星州 奧克萊 W. L. Gore&Associates 的 SPEEDB0ARD C 膠片即為一例。該黏著層沈至少具有一開(kāi)口 28，如圖2B、圖2C及圖2D所示。該開(kāi)口 28為穿透 該黏著層26的中央窗口，系以機(jī)械方式鉆透該膠片而形成，其直徑為1150微米。于其中，該開(kāi)口觀亦可利用其它技術(shù)制作，如沖制及沖壓等。請(qǐng)參閱圖3A 圖3G所示，分別為本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作基板的結(jié)構(gòu)一剖視 示意圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作基板的結(jié)構(gòu)二剖視示意圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制 作基板的結(jié)構(gòu)三剖視示意圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作基板的結(jié)構(gòu)四剖視示意圖、本發(fā) 明一較佳實(shí)施例中制作基板的結(jié)構(gòu)五剖視示意圖、及圖3E的俯視示意圖、圖3E的仰視示意 圖。如圖所示提供一基板30，其包含一第一導(dǎo)電層32、一介電層34及一第二導(dǎo)電層36， 如圖3A所示。該第一導(dǎo)電層32接觸該介電層34并延伸于其上方，該第二導(dǎo)電層36接觸 該介電層34并延伸于其下方，該介電層34接觸該第一、二導(dǎo)電層(32、36)并貼合夾置于其 間。其中該第一、二導(dǎo)電層(32、36)為電性導(dǎo)體，而該介電層34則為電性絕緣體。例如，該 第一、二導(dǎo)電層(32、36)為40微米厚且無(wú)圖案的銅板，并在陸續(xù)完成去除光阻層及清潔等 步驟后，其厚度將減至30微米，而該介電層34則為120微米厚的環(huán)氧樹(shù)脂。上述基板30的第一、二導(dǎo)電層(32、36)上分別形成有一全面覆蓋的蝕刻阻層38 及一圖案化的蝕刻阻層40，如圖;3B所示。該全面覆蓋的蝕刻阻層38與該圖案化的蝕刻阻 層40均為光阻層，且分別類(lèi)似前述的蝕刻阻層18及16。其中該蝕刻阻層38無(wú)任何圖案且 覆蓋該第一導(dǎo)電層32，而該蝕刻阻層40則設(shè)有可選擇性曝露該第二導(dǎo)電層36的圖案。在圖3C中，該基板30的第二導(dǎo)電層36已經(jīng)由蝕刻去除選定部分，因而形成一由 該圖案化的蝕刻阻層40所定義的圖案化導(dǎo)線層。其中，該蝕刻為背面濕式化學(xué)蝕刻，其與 用于該金屬板的蝕刻方法相仿。此時(shí)該第一導(dǎo)電層32仍為一無(wú)圖案的銅板，該第二導(dǎo)電層 36則經(jīng)蝕刻后導(dǎo)致該介電層34外露，使該第二導(dǎo)電層36從一無(wú)圖案層轉(zhuǎn)換為一圖 案層。于本實(shí)施例中，為便于各圖比較，該第二導(dǎo)電層36于圖式中一大致位于該介電層34 下方，但在此步驟中可將結(jié)構(gòu)體倒置以便利用重力加強(qiáng)蝕刻效果。在圖3D的基板30中，全面覆蓋的蝕刻阻層38與圖案化的蝕刻阻層40均已移除。 剝除此蝕刻阻層38及40的方式可與剝除蝕刻阻層16及18的方式相同。上述蝕刻后的第 二導(dǎo)電層36包含路由線42。因此，該路由線42為該第二導(dǎo)電層36受圖案化的蝕刻阻層 40保護(hù)而未被蝕刻的部分。此外，該路由線42為一接觸該介電層34并延伸于其下方的銅 線。該基板30具有一通孔44，如圖3E、圖3F及圖3G所示。該通孔44為穿透該基板 30的中央窗口，將該第一導(dǎo)電層32與該介電層34以機(jī)械方式鉆透形成(惟其中不包含該 第二導(dǎo)電層36，因該層已透過(guò)濕式化學(xué)蝕刻自此區(qū)域去除)，該通孔44的直徑為1150微 米。于其中，該通孔44亦可以其它技術(shù)形成，例如沖制及沖壓。較佳者，該開(kāi)口 28(如圖2B 所示)與該通孔44具有相同直徑，且以相同鉆頭在同一鉆臺(tái)上透過(guò)相同方式形成。上述基板30在此繪示為一層壓結(jié)構(gòu)，惟該基板30亦可為其它多層電性相連體，如 陶瓷板或印刷電路板。同樣地，該基板30可另外包含數(shù)個(gè)內(nèi)嵌電路的層體。請(qǐng)參閱圖4A 圖40所示，分別為本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)一剖 視示意圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)二剖視示意圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例 中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)三剖視示意圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)四剖視示意 圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)五剖視示意圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作 導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)六剖視示意圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)七剖視示意圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)八剖視示意圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板 的結(jié)構(gòu)九剖視示意圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)十剖視示意圖、本發(fā)明一 較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)十一剖視示意圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié) 構(gòu)十二剖視示意圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例中制作導(dǎo)熱板的結(jié)構(gòu)十三剖視示意圖、及圖4M的 俯視示意圖、及圖4M的仰視示意圖。如圖所示本發(fā)明的導(dǎo)熱板包含該凸柱22、該基座M、 該黏著層26及該基板30。其中該黏著層沈設(shè)置于該基座M上，如圖4A所示，該黏著層 26下降至該基座M上，使該凸柱22向上插入并貫穿該開(kāi)口 28，而該黏著層沈則接觸并定 位于該基座M。較佳者，該凸柱22在插入及貫穿該開(kāi)口觀后位于該開(kāi)口觀內(nèi)的中央位置 而不接觸該黏著層26。上述基板30設(shè)置于該黏著層沈上，如圖4B所示。該基板30下降至該黏著層沈 上，使該凸柱22向上插入并貫穿該通孔44，而該基板30則接觸并定位于該黏著層26。較佳 者，該凸柱22在插入并貫穿該通孔44后位于該通孔44內(nèi)的中央位置而不接觸該基板30。 是以，產(chǎn)生一缺口 46位于該通孔44內(nèi)且介于該凸柱22與該基板30之間。該缺口 46側(cè)向 環(huán)繞該凸柱22，同時(shí)被該基板30側(cè)向包圍。此外，該開(kāi)口觀與該通孔44相互對(duì)齊且具有 相同直徑。此時(shí)，該基板30安置于該黏著層沈上并與之接觸，且延伸于該黏著層沈上方。該 凸柱22延伸通過(guò)該開(kāi)口觀進(jìn)入該通孔44，并到達(dá)該介電層34。該凸柱22較該第一導(dǎo)電 層32的頂面低60微米，并經(jīng)由該通孔44于一向上方向外露。該黏著層沈接觸該基座M 與該基板30且介于該兩者之間，但與該介電層34保持距離。在此階段，該黏著層沈仍為 乙階未固化環(huán)氧樹(shù)脂的膠片，而該缺口 46中則為空氣。該黏著層沈經(jīng)加熱加壓后流入該缺口 46中，如圖4C所示。迫使該黏著層沈流 入該缺口 46的方法是對(duì)該第一導(dǎo)電層32施以向下壓力及/或?qū)υ摶鵐施以向上壓力， 亦即將該基座M與該基板30相對(duì)壓合，藉以對(duì)該黏著層沈施壓；在此同時(shí)亦對(duì)該黏著層 26加熱。受熱后的黏著層沈可在壓力下任意成形。因此，位于該基座M與該基板30間的 黏著層26受到擠壓后，改變其原始形狀并向上流入該缺口 46。于其中，該基座M與該基 板30仍持續(xù)朝彼此壓合，直到該黏著層沈填滿該缺口 46為止。此外，在該基座M與基板 30間的間隙縮小后，該黏著層沈仍舊填滿此一縮小的間隙內(nèi)。例如，可將該基座M及該第 一導(dǎo)電層32設(shè)置于一壓合機(jī)的上、下壓臺(tái)(圖中未示)之間，并且，可將一上擋板及上緩沖 紙(圖中未示)夾置于該第一導(dǎo)電層32與上壓臺(tái)之間，并將一下?lián)醢寮跋戮彌_紙(圖中未 示)夾置于該基座M與下壓臺(tái)之間。以此構(gòu)成的疊合體由上到下依次為上壓臺(tái)、上擋板、 上緩沖紙、基板30、黏著層沈、基座M、下緩沖紙、下?lián)醢寮跋聣号_(tái)。此外，可利用從下壓臺(tái) 向上延伸并穿過(guò)該基座M對(duì)位孔(圖中未示)的工具接腳(圖中未示)將此疊合體定位 于下壓臺(tái)上。繼之，將上、下壓臺(tái)加熱并相互推進(jìn)，藉此對(duì)該黏著層沈加熱并施壓。其中以擋板 將壓臺(tái)的熱分散，使熱均勻施加于該基座M與該基板30乃至于該黏著層26。該緩沖紙則 將壓臺(tái)的壓力分散，使壓力均勻施加于該基座M與該基板30乃至于該黏著層26。起初， 該第二導(dǎo)電層36伸入該黏著層沈并嵌入其中，導(dǎo)致該介電層34接觸并壓合于該黏著層 26。隨著壓臺(tái)持續(xù)動(dòng)作與持續(xù)加熱，該基座M與該基板30間的黏著層沈受到擠壓并開(kāi)始 熔化，因而向上流入該缺口 46，通過(guò)該介電層34，最后到達(dá)該第一導(dǎo)電層32。例如，未固化環(huán)氧樹(shù)脂遇熱熔化后，被壓力擠入該缺口 46中，但加強(qiáng)材料及填充物仍留在該基座M與該 基板30之間。該黏著層沈在該通孔44內(nèi)上升的速度大于該凸柱22，終至填滿該缺口 46。 該黏著層26亦上升至稍高于該缺口 46的位置，并在壓臺(tái)停止動(dòng)作前，溢流至該凸柱22頂 面以及該第一導(dǎo)電層32的頂面鄰接該缺口 46處。若膠片厚度略大于實(shí)際所需便可能發(fā)生 此一情形。如此一來(lái)，該黏著層26便在該凸柱22頂面形成一覆蓋薄層。壓臺(tái)在觸及該凸 柱22后停止動(dòng)作，但仍持續(xù)對(duì)該黏著層沈加熱。該黏著層沈于該缺口 46中向上流動(dòng)方向(如圖中向上粗箭號(hào)所示)，該凸柱22 與該基座M相對(duì)于該基板30向上移動(dòng)如向上細(xì)箭號(hào)所示，而該基板30相對(duì)于該凸柱22 與該基座M向下移動(dòng)則如向下細(xì)箭號(hào)所示。在圖4D中的黏著層沈已經(jīng)固化。例如，壓臺(tái)停止移動(dòng)后仍持續(xù)夾合該凸柱22與 該基座對(duì)并供熱，藉此將已熔化的乙階環(huán)氧樹(shù)脂轉(zhuǎn)換為丙階(C-stage)固化或硬化的環(huán)氧 樹(shù)脂。因此，環(huán)氧樹(shù)脂以類(lèi)似已知多層壓合的方式固化。待環(huán)氧樹(shù)脂固化后，壓臺(tái)分離，以 便將結(jié)構(gòu)體從壓臺(tái)機(jī)中取出。經(jīng)上述固化后的黏著層26在該凸柱22與該基板30之間以 及該基座M與該基板30之間提供牢固的機(jī)械性連結(jié)。該黏著層沈可承受一般操作壓力 而不致變形損毀，遇過(guò)大壓力時(shí)則僅暫時(shí)扭曲；再者，該黏著層26亦可吸收該凸柱22與該 基板30之間以及該基座M與該基板30之間的熱膨脹不匹配。在此階段，該凸柱22與該第一導(dǎo)電層32大致共平面，而該黏著層沈與該第一導(dǎo) 電層32則延伸至一面朝該向上方向的頂面。例如，該基座M與該第二導(dǎo)電層36間的黏著 層沈厚90微米，較其初始厚度150微米減少60微米；該凸柱22在該通孔44中升高60微 米，而該基板30則相對(duì)于該凸柱22下降60微米。該凸柱22高度270微米基本上等同于 該第一導(dǎo)電層32 (30微米)、該介電層34 (150微米)、該第二導(dǎo)電層36 (30微米)與下方該 黏著層沈(90微米)的結(jié)合高度。此外，該凸柱22仍位于該開(kāi)口觀與該通孔44的中央位 置并與該基板30保持距離，該黏著層沈則填滿該基座M與該基板30間的空間并填滿該 缺口 46。例如，該缺口 46 (以及該凸柱22與該基板30間的黏著層26)在該凸柱22頂面處 寬75微米((1150-1000)/ 。該黏著層沈在該缺口 46中延伸跨越該介電層34。換言之， 該缺口 46中的黏著層沈沿該向上方向及一向下方向延伸并跨越該缺口 46外側(cè)壁的介電 層34厚度。該黏著層沈亦包含該缺口 46上方的薄頂部分，其接觸該凸柱22與該第一導(dǎo) 電層32的頂面并在該凸柱22上方延伸10微米。將該凸柱22、該黏著層沈及該第一導(dǎo)電層32的頂部去除，如圖4E所示。該凸柱 22、該黏著層沈及該第一導(dǎo)電層32的頂部以研磨方式去除，例如以旋轉(zhuǎn)鉆石砂輪及蒸餾水 處理結(jié)構(gòu)體的頂部。起初，鉆石砂輪僅磨去該黏著層沈；持續(xù)研磨，則該黏著層沈因受磨 表面下移而變薄。鉆石砂輪終將接觸該凸柱22與該第一導(dǎo)電層32(不必然同時(shí))，因而開(kāi) 始研磨該凸柱22與該第一導(dǎo)電層32 ；持續(xù)研磨后，該凸柱22、該黏著層沈及該第一導(dǎo)電層 32均因受磨表面下移而變薄。待研磨持續(xù)至去除所需厚度為止，以蒸餾水沖洗結(jié)構(gòu)體去除 污物。上述研磨步驟將該黏著層沈的頂部磨去25微米，將該凸柱22的頂部磨去15微 米，并將該第一導(dǎo)電層32的頂部磨去15微米。其中，厚度減少對(duì)該凸柱22或該黏著層26 的影響并不明顯，但卻使該第一導(dǎo)電層32的厚度從30微米大幅縮減至15微米。至此，該 凸柱22、該黏著層沈及該第一導(dǎo)電層32共同位于該介電層34上方的一面朝該向上方向的平滑拼接側(cè)頂面上。如圖4F所示的結(jié)構(gòu)體具有孔洞48與50。該孔洞48為一盲孔，其延伸貫穿該第一 導(dǎo)電層32與該介電層34至該路由線42，惟與該黏著層沈保持距離。而該孔洞50同為一 盲孔，其延伸貫穿該基座M與該黏著層26至該路由線42，惟與該介電層34保持距離。其 中該孔洞G8、50)以鐳射鉆孔方式形成，但亦可搭配機(jī)械鉆孔及電漿蝕刻等其它技術(shù)。于 其中，該孔洞(48、50)可具有漸縮的側(cè)壁以及隨深度遞減的直徑，但為便于繪示，圖式中的 孔洞(48、50)均具有垂直側(cè)壁及固定不變的直徑。如圖4G所示結(jié)構(gòu)體具有一第三導(dǎo)電層52、一第四導(dǎo)電層54、一第一導(dǎo)電孔56及 一第二導(dǎo)電孔58。該第三導(dǎo)電層52沉積于該凸柱22、該黏著層沈及該第一導(dǎo)電層32的 前述側(cè)頂面并與之接觸。同時(shí)從上方覆蓋該凸柱22、該黏著層沈及該第一導(dǎo)電層32。其 中，該第三導(dǎo)電層52是一無(wú)圖案且厚15微米的銅層，并與該第一導(dǎo)電孔56 —體成形。上述第四導(dǎo)電層M沉積于該基座M的底面并與之接觸，同時(shí)從下方覆蓋該基座 M。其中，該第四導(dǎo)電層M是一無(wú)圖案且厚15微米的銅層，并與該第二導(dǎo)電孔58 —體成 形。上述第一導(dǎo)電孔56從該第一導(dǎo)電層32延伸進(jìn)入該孔洞48。該第一導(dǎo)電孔56在 該孔洞48內(nèi)系沉積于該介電層34及該路由線42上并與之接觸。其中，該第一導(dǎo)電孔56 是一經(jīng)被覆的通孔，其可將該第一、三導(dǎo)電層(32、52)電性連結(jié)至該路由線42。上述第二導(dǎo)電孔58從該基座M延伸進(jìn)入該孔洞50。該第二導(dǎo)電孔58在該孔洞 50內(nèi)沉積于該黏著層沈及該路由線42上并與之接觸。其中，該第二導(dǎo)電孔58是一經(jīng)被覆 的通孔，其可將該基座M及該第四導(dǎo)電層M電性連結(jié)至該路由線42。例如，可將結(jié)構(gòu)體浸入一活化劑溶液中，因而分別使該孔洞(48、50)其側(cè)壁的介 電層34與該黏著層沈可與無(wú)電鍍銅產(chǎn)生觸媒反應(yīng)，接著將一第一銅層以無(wú)電鍍被覆方式 設(shè)于該凸柱22、該基座M、該黏著層沈、該第一導(dǎo)電層32、該路由線42 (位于結(jié)構(gòu)體反面) 及該孔洞G8、50)的側(cè)壁上，然后將一第二銅層以電鍍方式設(shè)于該第一銅層上。該第一銅 層厚約2微米，該第二銅層厚約13微米，故被覆銅層的總厚度約為15微米。如此一來(lái)，該 第一導(dǎo)電層32的厚度便增為約40微米05+15)，于其中，在陸續(xù)完成去除光阻層及清潔等 步驟后，該第一導(dǎo)電層32的厚度將減至約30微米；同樣地，該基座M的厚度增為約55微 米(30+25)，惟在陸續(xù)完成去除光阻層及清潔等步驟后，其厚度亦將減至約45微米。該第三導(dǎo)電層52作為該凸柱22的一覆蓋層及該第一導(dǎo)電層32的一加厚層，而該 第四導(dǎo)電層M則為該基座M的一加厚層。此外，該第一、二導(dǎo)電孔(56、58)乃分別形成于 該孔洞G8、50)中。為便于說(shuō)明，該基座24、該第一 四導(dǎo)電層(32、36、5254)以及該第 一、二導(dǎo)電孔(56、58)均以單層顯示。由于銅為同質(zhì)被覆，該凸柱22與該第三導(dǎo)電層52間 的界線、該基座M與該第四導(dǎo)電層M間的界線、以及該第一導(dǎo)電層32與該第三導(dǎo)電層52 間的界線(均以虛線繪示)可能不易察覺(jué)甚至無(wú)法察覺(jué)。然而，該黏著層26與該第三導(dǎo)電 層52在鄰近該凸柱22處的界線則清楚可見(jiàn)。同樣地，該介電層34與該第一導(dǎo)電孔56在 該孔洞48內(nèi)的界線、以及該黏著層沈與該第二導(dǎo)電孔58在該孔洞50內(nèi)的界線亦清楚可 見(jiàn)。此外，為便于繪示，該第一、二導(dǎo)電孔(56、58)在圖式中均顯示為填滿該孔洞(48、50) 的柱狀物而非中空的管體。在圖4H所示結(jié)構(gòu)體的上、下表面分別設(shè)有圖案化的蝕刻阻層60與62。如圖所示的圖案化的蝕刻阻層60與62類(lèi)似該蝕刻阻層16與40的光阻層。其中該蝕刻阻層60設(shè) 有可選擇性曝露該第三導(dǎo)電層52的圖案，而該蝕刻阻層62則設(shè)有可選擇性曝露該第四導(dǎo) 電層討的圖案。在圖41所示的結(jié)構(gòu)體中，該第一、三導(dǎo)電層(32、52)已經(jīng)由蝕刻去除其選定部分 以形成圖案化的蝕刻阻層60所定義的圖案；該基座M與該第四導(dǎo)電層討亦經(jīng)由蝕刻去除 其選定部分以形成圖案化的蝕刻阻層62所定義的圖案。所述蝕刻與施用于該金屬板的正 面及背面濕式化學(xué)蝕刻相仿。例如，可利用一上方噴嘴與一下方噴嘴(圖中皆未示)將化 學(xué)蝕刻液噴灑于結(jié)構(gòu)體的頂面與底面，抑或?qū)⒔Y(jié)構(gòu)體浸入化學(xué)蝕刻液中。經(jīng)上述化學(xué)蝕刻 液蝕刻穿透該第一、三導(dǎo)電層(32、52)以曝露該黏著層沈及該介電層34，因而將原本無(wú)圖 案的第一、三導(dǎo)電層(32、5幻轉(zhuǎn)換為圖案層。于其中，該化學(xué)蝕刻液亦蝕刻穿透該基座M 與該第四導(dǎo)電層M以曝露該黏著層26。在圖4J中，結(jié)構(gòu)體上的圖案化的蝕刻阻層60與62均已去除，且去除方式可與去 除蝕刻阻層16及18的方式相同。蝕刻后的第一、三導(dǎo)電層(32、5幻包含一焊墊64與一路由線66，且蝕刻后的第三 導(dǎo)電層52包含一蓋體68。其中該焊墊64與該路由線66是該第一、三導(dǎo)電層(32、5幻受圖 案化的蝕刻阻層60保護(hù)而未被蝕刻的部分，該蓋體68則為該第三導(dǎo)電層52受圖案化的蝕 刻阻層60保護(hù)而未被蝕刻的部分。因此，該第一、三導(dǎo)電層(32、5幻便成為圖案層，其上包 含該焊墊64與該路由線66但不包含該蓋體68。此外，該路由線66為一銅導(dǎo)線，其接觸該 介電層34并延伸于其上方，同時(shí)鄰接且電性連結(jié)該第一導(dǎo)電孔56與該焊墊64。蝕刻后的基座M與第四導(dǎo)電層M包含該基座M的中央部分及一端子70，其中 該基座M的中央部分是由該第四導(dǎo)電層M從下方覆蓋(以下統(tǒng)稱(chēng)基座對(duì)/54)。該基座 24/54是該基座M與該第四導(dǎo)電層M受圖案化的蝕刻阻層62保護(hù)而未被蝕刻的部分，其 沿側(cè)向延伸超出該凸柱22之外1000微米。該端子70是該基座M與該第四導(dǎo)電層M受 圖案化的蝕刻阻層62保護(hù)而未被蝕刻的部分，其接觸該黏著層沈并延伸于其下方。該基 座24Λ4本身仍為一無(wú)圖案層，但在該基座M周緣之外則形成一包含該端子70且與該基 座對(duì)保持側(cè)向間距的圖案層。因此，該端子70與該基座M彼此分隔，且該端子70已非該 基座M的一部分。此外，該第二導(dǎo)電孔58鄰接該端子70并在該路由線42與該端子70之 間形成電性連結(jié)。該路由線42與66、該第一、二導(dǎo)電孔56與58、該焊墊64及該端子70共同形成導(dǎo) 線72。同樣地，在該焊墊64與該端子70間的一導(dǎo)電路徑乃依序經(jīng)過(guò)該路由線66、該第一 導(dǎo)電孔56、該路由線42及該第二導(dǎo)電孔58 (反之亦然)。該導(dǎo)線72提供從該焊墊64至該 端子70的垂直(從上至下)路由，且該導(dǎo)線72并不限于此一構(gòu)型，例如該焊墊64亦可直 接形成于該第一導(dǎo)電孔56上方，藉此省卻該路由線66 ；而該第二導(dǎo)電孔58則透過(guò)該黏著 層沈下方由圖案化的蝕刻阻層62所定義的一路由線電性連結(jié)至該端子70。再者，上述導(dǎo) 電路徑可包含其它導(dǎo)電孔及路由線(其位于第一、第二及/或其它導(dǎo)電層中)以及被動(dòng)組 件，例如設(shè)置于其它焊墊上的電阻與電容。由上述凸柱22、基座ΜΛ4及蓋體68構(gòu)成散熱座74。其中該凸柱22與該基座 24/54 一體成形，且該蓋體68位于該凸柱22的頂部上方，鄰接該凸柱22的頂部，同時(shí)從上 方覆蓋該凸柱22的頂部，并由該凸柱22的頂部往側(cè)向延伸。待設(shè)置該蓋體68后，該凸柱
2122坐落于該蓋體68圓周內(nèi)的中央?yún)^(qū)域，且該蓋體68亦從上方接觸并覆蓋其下方黏著層沈 的一部分，此黏著層沈的該部分與該凸柱22共平面，鄰接該凸柱22，同時(shí)側(cè)向包圍該凸柱 22。上述散熱座74實(shí)質(zhì)上為一倒T形的散熱塊，其包含柱部(即凸柱22)、翼部(即基 座對(duì)/54自柱部側(cè)向延伸的部分)以及一導(dǎo)熱墊(即蓋體68)。在圖4K所示的結(jié)構(gòu)體中，于該介電層34、該第三導(dǎo)電層52及該蓋體68上設(shè)有一 第一防焊綠漆76，且在該基座M/54、該黏著層沈與該端子70上亦設(shè)有一第二防焊綠漆 78。其中，該第一防焊綠漆76為一電性絕緣層，其可依吾人的選擇形成圖案以曝露該焊墊 64與該蓋體68，并從上方覆蓋該介電層34的外露部分與該路由線66。于其中該第一防焊 綠漆76在該焊墊64上方的厚度為25微米，且該第一防焊綠漆76于該介電層34上方延伸 55微米(30+25)；而該第二防焊綠漆78同為一電性絕緣層，可依吾人的選擇形成圖案以曝 露該基座M/54與該端子70，并從下方覆蓋該黏著層沈的外露部分。于其中該第二防焊 綠漆78在該端子70下方的厚度為25微米，且該第二防焊綠漆78于該黏著層沈下方延伸 70 微米(45+25)。上述第一、二防焊綠漆(76、78)起初為涂布于結(jié)構(gòu)體上的一光顯像型液態(tài)樹(shù)脂， 之后再于該第一、二防焊綠漆(76、78)上形成圖案，其作法令光線選擇性透過(guò)光罩(圖中未 示)，然后利用一顯影溶液去除該第一、二防焊綠漆(76、78)的可溶解部分，最后再進(jìn)行硬 烤，以上步驟乃已知技藝。在圖4L所示的結(jié)構(gòu)體中，于該基座M/54、該焊墊64、該蓋體68與該端子70上設(shè) 有被覆接點(diǎn)80。該被覆接點(diǎn)80為一多層金屬鍍層，其從上方接觸該焊墊64與該蓋體68同 時(shí)覆蓋其外露部分，并從下方接觸該基座M/54與該端子70同時(shí)覆蓋其外露部分。例如， 一鎳層以無(wú)電鍍被覆方式設(shè)于該基座M/54、該焊墊64、該蓋體68及該端子70上，而后再 將一金層以無(wú)電鍍被覆方式設(shè)于該鎳層上，其中內(nèi)部鎳層厚約3微米，表面金層厚約0. 5微 米，故該被覆接點(diǎn)80的厚度約為3. 5微米。上述以該被覆接點(diǎn)80作為該基座M/54、該焊墊64、該蓋體68及該端子70的表 面處理具有幾項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，包含內(nèi)部鎳層提供主要的機(jī)械性與電性連結(jié)及/或熱連結(jié)，而表面 金層則提供一可濕性表面以利焊料回焊；該被覆接點(diǎn)80亦保護(hù)該基座M/54、該焊墊64、該 蓋體68與該端子70不受腐蝕；以及該被覆接點(diǎn)80可包含各種金屬以符合外部連結(jié)媒介的 需要。例如，一被覆在鎳層上的銀層可搭配焊錫或打線。其中，為便于說(shuō)明，設(shè)有該被覆接 點(diǎn)80的基座M/54、焊墊64、蓋體68及端子70均以單一層體方式顯示，且該被覆接點(diǎn)80 與該基座M/54、該焊墊64、該蓋體68及該端子70間之界線(圖中未示)為銅/鎳界面。 至此，完成一導(dǎo)熱板82的制作。該導(dǎo)熱板82的邊緣已沿切割線而與支撐架及/或同批生產(chǎn)的相鄰導(dǎo)熱板分離，如 圖4M、圖4N及圖40所示。該導(dǎo)熱板82包含該基座M/54、該黏著層沈、該基板30、該端子 70、該散熱座74及該第一、二防焊綠漆(76、78)。其中，該基板30包含該介電層34、該路由 線(42、66)、該第一導(dǎo)電孔56以及該焊墊64 ；該散熱座74包含該凸柱22、該基座24/M及 該蓋體68。于其中，該導(dǎo)線72系由該路由線02、66)、該第一、二導(dǎo)電孔(56、58)、該焊墊 64及該端子70所構(gòu)成。該凸柱22延伸貫穿該開(kāi)口 28并進(jìn)入該通孔44后，仍位于該開(kāi)口 28及該通孔44內(nèi)的中央位置，并與該黏著層26位于該介電層34上方的一相鄰部分共平面。該凸柱22保 持平頂錐柱形，其漸縮側(cè)壁使其直徑自該基座24Λ4朝鄰接該蓋體68的平坦圓頂向上遞 減。該基座ΜΛ4從下方覆蓋該凸柱22，并與該導(dǎo)熱板82的外圍邊緣保持距離。該蓋體 68位于該凸柱22上方，與之鄰接并為熱連結(jié)，該蓋體68同時(shí)從上方覆蓋該凸柱22的頂部， 并自該凸柱22頂部沿側(cè)向延伸。該蓋體68亦從上方接觸并覆蓋該黏著層沈的一部分，該 黏著層26的該部分鄰接該凸柱22，與該凸柱22共平面，且側(cè)向包圍該凸柱22。該蓋體68 亦與該焊墊64共平面。 該黏著層沈設(shè)置于該基座24Λ4上并于其上方延伸。該黏著層沈接觸且介于該 凸柱22與該介電層34之間，用以填滿該凸柱22與該介電層34間的空間。此外，該黏著層 沈亦接觸且介于該基座ΜΛ4與該基板30之間以填滿其間的空間。該黏著層沈同時(shí)沿側(cè) 面方向覆蓋并環(huán)繞該凸柱22，且該黏著層沈已固化。該基板30設(shè)置于該黏著層沈上且與之接觸，同時(shí)亦延伸于下方黏著層沈與該基 座M/54的上方。其中，該第一導(dǎo)電層32 (以及該焊墊64與該路由線66)接觸該介電層34 并延伸于其上方；該介電層34接觸該第二導(dǎo)電層36 (包含該路由線42)并延伸于其上方， 且該介電層34系介于該第一、二導(dǎo)電層32、36之間；該第二導(dǎo)電層36 (包含該路由線42) 則接觸該黏著層26并嵌設(shè)其中。上述凸柱22、基座24Λ4及蓋體68均與該基板30保持距離。因此，該基板30與 該散熱座74機(jī)械性連接且彼此電性隔離。同批制作的導(dǎo)熱板82經(jīng)裁切后，其黏著層沈、介電層34及第一、二防焊綠漆(76、 78)均延伸至裁切而成的垂直邊緣。該焊墊64是一專(zhuān)為半導(dǎo)體芯片等半導(dǎo)體組件量身訂做的電性接口，該半導(dǎo)體組 件將于后續(xù)制程中設(shè)置于該蓋體68上。該端子70是一專(zhuān)為下一層組體量身訂做的電性接 口，例如下一層組體可為一印刷電路板，而該導(dǎo)熱板82則于后續(xù)制程中設(shè)置于該印刷電路 板上。該蓋體68是一專(zhuān)為該半導(dǎo)體組件量身訂做的熱接口。該基座ΜΛ4是一專(zhuān)為該印 刷電路板量身訂做的熱界面。此外，該蓋體68是經(jīng)由該凸柱22而熱連結(jié)至該基座M/54。該焊墊64與該端子70在垂直方向上彼此錯(cuò)位且分別外露于該導(dǎo)熱板82的頂面 與底面，藉此提供該半導(dǎo)體組件與下一層組體間的垂直路由。且該焊墊64與該蓋體68位 于該介電層34上方的頂面彼此共平面，而該基座24Λ4與該端子70位于該黏著層沈下方 的底面亦彼此共平面。于其中，為便于說(shuō)明，該導(dǎo)線72于剖視圖中繪示為一連續(xù)電路跡線； 然而，該導(dǎo)線72通常同時(shí)提供X與Y方向的水平訊號(hào)路由，亦即該焊墊64與該端子70彼 此在X與Y方向形成側(cè)向錯(cuò)位，且該路由線42與66各自或共同構(gòu)成X與Y方向的路徑。該散熱座74可將隨后設(shè)置于該蓋體68上的半導(dǎo)體組件所產(chǎn)生的熱能擴(kuò)散至該基 座ΜΛ4所連接的下一層組體。該半導(dǎo)體組件產(chǎn)生的熱能流入該蓋體68，自該蓋體68進(jìn)入 該凸柱22，并經(jīng)由該凸柱22進(jìn)入該基座M/54。熱能從該基座24Λ4沿該向下方向散出， 例如擴(kuò)散至一下方散熱裝置。同樣地，該散熱座74亦可將隨后設(shè)置于該基座24Λ4上的半 導(dǎo)體組件所產(chǎn)生的熱能擴(kuò)散至該蓋體68所連接的下一層組體。該導(dǎo)熱板82的凸柱22、第一、二導(dǎo)電孔56與58或路由線42與66均未外露。該 凸柱22被該蓋體68覆蓋，而該第一、二導(dǎo)電孔(56、58)以及該路由線42與66是由該第一 防焊綠漆76覆蓋，至于該黏著層沈的頂面則同時(shí)由該蓋體68及該第一防焊綠漆76覆蓋。為便于說(shuō)明，圖4N中將以虛線繪示該凸柱22、該黏著層沈、該第一、二導(dǎo)電孔(56、58)以及 該路由線42與66。該導(dǎo)熱板82亦包含其它導(dǎo)線72，該些導(dǎo)線72基本上是由該第一、二導(dǎo)電孔(56、 58)、該路由線42與66、該焊墊64以及該端子70所構(gòu)成，且在該焊墊64與該端子70間具 有一多層導(dǎo)電路徑。為便于說(shuō)明，在此僅說(shuō)明并繪示單一導(dǎo)線72。于該導(dǎo)線72中，該第一、 二導(dǎo)電孔(56、58)、該焊墊64及該端子70通常具有相同的形狀及尺寸，而該路由線42與66 則通常采用不同的路由構(gòu)型。例如，部分導(dǎo)線72設(shè)有間距，彼此分離，且為電性隔離，而部 分導(dǎo)線72則彼此交錯(cuò)或?qū)蛲缓笁|64、路由線(42、66)或端子70且彼此電性連結(jié)。同 樣地，部分焊墊64可用以接收獨(dú)立訊號(hào)，而部分焊墊64則共享一訊號(hào)、電源或接地端。此 外，部分導(dǎo)線72可包含該路由線42及該第一、二導(dǎo)電孔(56、58)以提供多層路由，而部分 導(dǎo)線72則不含該路由線42及該第一、二導(dǎo)電孔(56、58)，且僅于該第一導(dǎo)電層32提供單層 路由。該導(dǎo)熱板82的構(gòu)造可有所調(diào)整以搭配多個(gè)芯片使用，俾使各輸入/輸出訊號(hào)從個(gè) 別焊墊64導(dǎo)向個(gè)別的端子70，而各焊墊64在接地時(shí)則導(dǎo)向同一接地端子70。在各制造階段均可利用一簡(jiǎn)易清潔步驟去除外露金屬上的氧化物與殘留物，例如 可對(duì)本發(fā)明結(jié)構(gòu)體施行一短暫的氧電漿清潔步驟?；蛘?，可利用一過(guò)錳酸鉀溶液對(duì)本發(fā)明 結(jié)構(gòu)體進(jìn)行一短暫的濕式化學(xué)清潔步驟。同樣地，亦可利用蒸餾水淋洗本發(fā)明結(jié)構(gòu)體以去 除污物。此清潔步驟可清潔所需表面而不對(duì)結(jié)構(gòu)體造成明顯的影響或破壞。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于該導(dǎo)線72形成后不需從中分離或分割出匯流點(diǎn)或相關(guān)電路系 統(tǒng)。匯流點(diǎn)可于形成該焊墊64、該路由線66、該蓋體68與該端子70的濕式化學(xué)蝕刻步驟 中分離。該導(dǎo)熱板82可包含鉆透或切通該黏著層26、該基板30與該第一、二防焊綠漆 (76,78)而成的對(duì)位孔(圖中未示)。如此一來(lái)，當(dāng)該導(dǎo)熱板80需于后續(xù)制程中設(shè)置于一 下方載體時(shí)，便可將工具接腳插入該對(duì)位孔中，藉以將該導(dǎo)熱板82置于定位。該導(dǎo)熱板82可略去該蓋體68。欲達(dá)此一目的，可調(diào)整圖案化的蝕刻阻層60，使整 個(gè)通孔44上方的第三導(dǎo)電層52均曝露于用以形成該焊墊64及該路由線66的化學(xué)蝕刻液 中。該導(dǎo)熱板82可容納多個(gè)半導(dǎo)體組件而非僅容納單一半導(dǎo)體組件。欲達(dá)此一目的， 可調(diào)整圖案化的蝕刻阻層16以定義更多凸柱22，調(diào)整該黏著層沈以包含更多開(kāi)口 28，調(diào) 整該基板30以包含更多通孔44，調(diào)整圖案化的蝕刻阻層40以定義更多路由線42，調(diào)整圖 案化的蝕刻阻層60與62以定義更多焊墊64、路由線66、蓋體68與端子70，并調(diào)整該第一、 二防焊綠漆(76、78)以包含更多開(kāi)口。同樣地，該基板30亦可包含更多路由線42及導(dǎo)電 孔56與58。該端子70以外的組件可改變側(cè)向位置以便為四個(gè)半導(dǎo)體組件提供一 2X2數(shù) 組。此外，部分但非所有組件的剖面形狀及高低(即側(cè)面形狀)亦可有所調(diào)整。例如，該焊 墊64、該蓋體68與該端子70可保持相同的側(cè)面形狀，而該路由線42與66則具有不同的路 由構(gòu)型。請(qǐng)參閱圖5A 圖5C所示，分別為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片組體剖視示 意圖、本發(fā)明一較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片組體俯視示意圖、及本發(fā)明一較佳實(shí)施例的半導(dǎo) 體芯片組體仰視示意圖。如圖所示此實(shí)施例中的半導(dǎo)體組件是一設(shè)置于蓋體上的芯片。該芯片重疊于前述凸柱，且電性連結(jié)至前述焊墊，進(jìn)而與前述端子形成電性連結(jié)，該芯片同 時(shí)熱連結(jié)至前述蓋體，從而與前述基座形成熱連結(jié)。本實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片組體100包含一導(dǎo)熱板82、一半導(dǎo)體芯片102、一打線104、 一固晶材料106及一封裝材料108所構(gòu)成，且該半導(dǎo)體芯片102包含一頂面110、一底面112 與一打線接墊114，其中該頂面110為活性表面且包含該打線接墊114，而該底面112則為 熱接觸表面。上述半導(dǎo)體芯片102設(shè)置于該散熱座74上，電性連結(jié)至該基板30，并熱連結(jié)至該 散熱座74。詳而言之，該半導(dǎo)體芯片102設(shè)置于該蓋體68上，位于該蓋體68的周緣內(nèi)，重 疊于該凸柱22但未重疊于該基板30。此外，該半導(dǎo)體芯片102經(jīng)由該打線104電性連結(jié) 至該基板30，同時(shí)經(jīng)由該固晶材料106熱連結(jié)且機(jī)械性黏附于該散熱座74。例如，該打線 104連接并電性連結(jié)至該焊墊64與該打線接墊114，藉此將該半導(dǎo)體芯片102電性連結(jié)至 該端子70。同樣地，該固晶材料106接觸且位于該蓋體68與該熱接觸表面112之間，同時(shí) 熱連結(jié)且機(jī)械性黏附于該蓋體68及該熱接觸表面112，藉此將該半導(dǎo)體芯片102熱連結(jié)于 該基座M。該焊墊64上設(shè)有鎳/銀的被覆金屬接墊以利與該打線104穩(wěn)固結(jié)合，藉此改善 自該基板30至該半導(dǎo)體芯片102的訊號(hào)傳送。此外，該蓋體68的形狀及尺寸與該熱接觸 表面112配適，藉此改善自該半導(dǎo)體芯片102至該散熱座74的熱傳送。該封裝材料108為一固態(tài)可壓縮的保護(hù)性塑料包覆體，可為該半導(dǎo)體芯片102及 該打線104提供抗潮濕及防微粒等環(huán)境保護(hù)。其中，該半導(dǎo)體芯片102與該打線104埋設(shè) 于該封裝材料108中。并且，若該半導(dǎo)體芯片102是一諸如LED的光學(xué)芯片，則該封裝材料 108可為透明狀，于其中，該封裝材料108在圖5B中即呈透明狀以利圖示說(shuō)明。若欲制造上述半導(dǎo)體芯片組體100，可利用該固晶材料106將該半導(dǎo)體芯片102設(shè) 置于該蓋體68上，然后將該焊墊64與該打線接墊114以打線接合，之后再形成該封裝材料 108。例如，該固晶材料106原為一具有高導(dǎo)熱性的含銀環(huán)氧樹(shù)脂膏，并以網(wǎng)版印刷方 式選擇性印刷于該蓋體68上。然后利用一抓取頭及一自動(dòng)化圖案辨識(shí)系統(tǒng)，以步進(jìn)重復(fù)方 式將該半導(dǎo)體芯片102放置于該環(huán)氧樹(shù)脂銀膏上；繼而加熱該環(huán)氧樹(shù)脂銀膏，使其于相對(duì) 低溫(如190°C)下硬化以完成固晶。該打線104為金線，其隨后以熱超音波連接至該焊墊 64與該打線接墊114 ；以及，最后再將該封裝材料108轉(zhuǎn)移模制于該結(jié)構(gòu)體上。該半導(dǎo)體芯片102可透過(guò)多種連結(jié)媒介電性連結(jié)至該焊墊64，利用多種熱黏著劑 熱連結(jié)或機(jī)械性黏附于該散熱座74，并以多種封裝材料封裝。至此，該半導(dǎo)體芯片組體100為一第一級(jí)單晶封裝體。請(qǐng)參閱圖6A 圖6C所示，分別為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片組體剖視 示意圖、本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片組體俯視示意圖、及本發(fā)明另一較佳實(shí)施例 的半導(dǎo)體芯片組體仰視示意圖。如圖所示此實(shí)施例中的半導(dǎo)體芯片設(shè)置于前述基座而非 設(shè)置于前述蓋體上。該芯片被前述凸柱重疊，且電性連結(jié)至前述端子以便與前述焊墊形成 電性連結(jié)，同時(shí)熱連結(jié)至前述基座以便與前述蓋體形成熱連結(jié)。為求簡(jiǎn)明，凡與組體100(請(qǐng)參圖5A 圖5C所示)相關(guān)的說(shuō)明適用于此實(shí)施例均 并入此處，相同的說(shuō)明不予重復(fù)。同樣地，本實(shí)施例組體的組件與組體100的組件相仿者， 均采對(duì)應(yīng)的參考標(biāo)號(hào)，但其編碼的基數(shù)由100改為200。例如，半導(dǎo)體芯片202對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片102，而打線204則對(duì)應(yīng)于打線104，以此類(lèi)推。本實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片組體200包含一導(dǎo)熱板82、一半導(dǎo)體芯片202、一打線204、 一固晶材料206及一封裝材料208所構(gòu)成，且該半導(dǎo)體芯片202在此倒置且包含(于未倒 置時(shí))一頂面210、一底面212與一打線接墊214，其中該頂面210為活性表面且包含該打 線接墊214，而該底面212則為熱接觸表面。上述半導(dǎo)體芯片202設(shè)置于該散熱座74上，電性連結(jié)至該基板30，并熱連結(jié)至該 散熱座74。詳而言之，該半導(dǎo)體芯片202設(shè)置于該基座M上，位于該基座M的周緣內(nèi)，被 該凸柱22重疊但未被該基板30重疊。此外，該半導(dǎo)體芯片202經(jīng)由該打線204電性連結(jié) 至該端子70，同時(shí)經(jīng)由該固晶材料206熱連結(jié)且機(jī)械性黏附于該散熱座74。例如，該打線 204連接并電性連結(jié)至該打線接墊214與該端子70，藉此將該半導(dǎo)體芯片202電性連結(jié)至 該焊墊64。同樣地，該固晶材料206位于該基座M與該熱接觸表面212之間，同時(shí)熱連結(jié) 且機(jī)械性黏附于該基座M及該熱接觸表面212，藉此將該半導(dǎo)體芯片202熱連結(jié)于該蓋體 68。于其中，該封裝材料208在圖6C中呈透明狀以便圖示說(shuō)明。若欲制造上述半導(dǎo)體芯片組體200，可利用該固晶材料206將該半導(dǎo)體芯片202設(shè) 置于該基座M上，然后將該打線接墊214與該端子70以打線接合，之后再形成該封裝材料 208。至此，該半導(dǎo)體芯片組體200為一第一級(jí)單晶封裝體。上述半導(dǎo)體芯片組體與導(dǎo)熱板僅為說(shuō)明范例，本發(fā)明尚可透過(guò)其它多種實(shí)施例實(shí) 現(xiàn)。此外，上述實(shí)施例可依設(shè)計(jì)及可靠度的考慮，彼此混合搭配使用或與其它實(shí)施例混合搭 配使用。例如，一具有多個(gè)凸柱以配合多個(gè)半導(dǎo)體芯片的導(dǎo)熱板，其部分導(dǎo)線72可包含該 路由線42與66、該第一、二導(dǎo)電孔56與58以及該端子70，而另部分導(dǎo)線72則不含該路由 線42與66及該第一、二導(dǎo)電孔56與58，并且未延伸貫穿該黏著層沈或該介電層34。同 樣地，該半導(dǎo)體組件與該蓋體可重疊于該基板以及下方的黏著層，且該半導(dǎo)體組件亦可被 該基板重疊。該半導(dǎo)體組件可獨(dú)自使用該散熱座或與其它半導(dǎo)體組件共享該散熱座。例如，可 將單一半導(dǎo)體組件設(shè)置于該散熱座上，或?qū)⒍鄠€(gè)半導(dǎo)體組件設(shè)置于該散熱座上。舉例而言， 可將四枚排列成2X2數(shù)組的小型芯片黏附于該凸柱，而該基板則可包含額外的導(dǎo)線以配 合該些芯片的電性連接。此一作法遠(yuǎn)較為每一芯片設(shè)置一微小凸柱更具經(jīng)濟(jì)效益。該半導(dǎo)體芯片可為光學(xué)性或非光學(xué)性。例如，該芯片可為一 LED、一太陽(yáng)能電池、一 功率芯片或一控制器芯片。此外，可利用多種連結(jié)媒介將該半導(dǎo)體組件機(jī)械性連結(jié)、電性連 結(jié)及熱連結(jié)至該導(dǎo)熱板，包括利用焊接及使用導(dǎo)電及/或?qū)狃ぶ鴦┑确绞竭_(dá)成。該散熱座可將該半導(dǎo)體組件所產(chǎn)生的熱能迅速、有效且均勻散發(fā)至下一層組體而 不需使熱流通過(guò)該黏著層、該基板或該導(dǎo)熱板的他處。如此一來(lái)便可使用導(dǎo)熱性較低的黏 著層，因而大幅降低成本。該散熱座可為銅質(zhì)，且包含一體成形的凸柱與基座，以及與該凸 柱為冶金連結(jié)及熱連結(jié)的一蓋體，藉此提高可靠度并降低成本。該蓋體可與該焊墊共平面， 以便與該半導(dǎo)體組件形成電性、熱能及機(jī)械性連結(jié)。此外，若欲將該半導(dǎo)體組件置于該散熱 座上方，該蓋體可依該半導(dǎo)體組件量身訂做，而該基座則可依下一層組體量身訂做，藉此加 強(qiáng)自該半導(dǎo)體組件至下一層組體的熱連結(jié)。例如，該凸柱在一側(cè)向平面上可呈圓形，該蓋體 在一側(cè)向平面上可呈正方形或矩形，且該蓋體的側(cè)面形狀與該半導(dǎo)體組件熱接點(diǎn)的側(cè)面形狀相同或相似。同樣地，若欲將該半導(dǎo)體組件置于該散熱座下方，該基座亦可依該半導(dǎo)體組 件量身訂做，而該蓋體則可依下一層組體量身訂做。該散熱座可與該半導(dǎo)體組件及該基板為電性連結(jié)或電性隔離。例如，該第三導(dǎo)電 層的一路由線可在該基板與該蓋體之間延伸通過(guò)該黏著層，藉以將該半導(dǎo)體組件電性連結(jié) 至該散熱座。而后，該散熱座可電性接地，藉以將該半導(dǎo)體組件電性接地。該凸柱可沉積于該基座上或與該基座一體成形。例如，該凸柱可與該基座一體成 形而成為單一金屬體，抑或該凸柱與該基座可于其接口包含單一金屬體而于其它部分包含 其它金屬。該凸柱可包含一平坦的頂面或頂部。例如，該凸柱可與該黏著層共平面，或者該 凸柱可在該黏著層固化后接受蝕刻，因而在該凸柱上方的黏著層形成一凹穴。亦可選擇性 蝕刻該凸柱，藉以在該凸柱中形成一延伸至其頂面下的凹穴。在上述任一情況下，該半導(dǎo)體 組件均可設(shè)置于該凸柱上并位于該凹穴中，而該打線則可延伸至位于該凹穴內(nèi)的該半導(dǎo)體 組件，然后離開(kāi)該凹穴并延伸至該焊墊。在此范例中，該半導(dǎo)體組件可為一 LED芯片，該凹 穴則可將LED光線朝該向上方向聚焦。該基座可為該基板提供機(jī)械性支撐。例如，該基座可防止該基板在金屬研磨、芯片 設(shè)置、打線接合及模制封裝材料的過(guò)程中彎曲變形。此外，該基座的背部可包含沿該向下方 向突伸的鰭片。例如，可利用一鉆板機(jī)切削該基座的底面以形成側(cè)向溝槽，而此等側(cè)向溝槽 即為鰭片。在此范例中，該基座的厚度為500微米，該等溝槽的深度為300微米，亦即該等 鰭片的高度為300微米。該等鰭片可增加該基座的表面積，若該等鰭片曝露于空氣中而非 設(shè)置于一散熱裝置上，則可提升該基座經(jīng)由熱對(duì)流的導(dǎo)熱性。該蓋體可于該黏著層固化后，該焊墊及/或端子形成的前、中或后，以多種沉積技 術(shù)制成，包括以電鍍、無(wú)電鍍被覆、蒸發(fā)及噴濺等技術(shù)形成單層或多層結(jié)構(gòu)。該蓋體可采用 與該凸柱相同的金屬材質(zhì)。此外，該蓋體可延伸跨越該通孔并到達(dá)該基板，抑或維持在該通 孔的圓周范圍內(nèi)。因此，該蓋體可接觸該基板或與該基板保持距離。在以上任一狀況下，該 蓋體均從該凸柱的頂部沿側(cè)面方向側(cè)向延伸而出。該黏著層可在該散熱座與該基板之間提供堅(jiān)固的機(jī)械性連結(jié)。例如，該黏著層可 填滿該散熱座與該基板間的空間，該黏著層可位于此空間內(nèi)，且該黏著層可為一具有均勻 分布的結(jié)合線的無(wú)孔洞結(jié)構(gòu)。該黏著層亦可吸收該散熱座與該基板間的因熱膨脹所產(chǎn)生的 不匹配現(xiàn)象。此外，該黏著層可為一低成本電介質(zhì)，且不需具備高導(dǎo)熱性。再者，該黏著層 不易脫層?？烧{(diào)整該黏著層的厚度，使該黏著層實(shí)質(zhì)填滿該缺口，并使所有黏著劑在固化及/ 或研磨后，實(shí)質(zhì)位于結(jié)構(gòu)體之內(nèi)。例如，理想的膠片厚度可由試誤法決定。該基板可在X與Y方向提供彈性的多層訊號(hào)路由，以提供復(fù)雜的路由圖案。該焊 墊與該端子可視該半導(dǎo)體組件與下一層組體的需要而采用多種封裝形式。此外，該基板可 為一低成本層壓結(jié)構(gòu)，且不需具有高導(dǎo)熱性。該焊墊與該蓋體的頂面可為共平面，如此一來(lái)便可藉由控制錫球的崩塌程度，強(qiáng) 化該半導(dǎo)體組件與該導(dǎo)熱板間的焊接。該介電層上方的該焊墊與該路由線可于該基板置于該黏著層之前或之后以多種 沉積技術(shù)制成，包括以電鍍、無(wú)電鍍被覆、蒸發(fā)及噴濺等技術(shù)形成單層或多層結(jié)構(gòu)。例如，可 在該基板尚未置于該黏著層時(shí)，即在該基板上形成該第一及第二導(dǎo)電層。
以所述被覆接點(diǎn)進(jìn)行表面處理的工序可于該焊墊及該端子形成之前或之后為之。 例如，該被覆層可沉積于該第三與第四導(dǎo)電層上，而后利用圖案化的蝕刻阻層定義該焊墊 與該端子并進(jìn)行蝕刻，以使該被覆層具有圖案。該導(dǎo)線可包含額外的焊墊、端子、路由線與導(dǎo)電孔以及被動(dòng)組件，且可為不同構(gòu) 型。該導(dǎo)線可作為一訊號(hào)層、一功率層或一接地層，視其相應(yīng)半導(dǎo)體組件焊墊的目的而定。 該導(dǎo)線亦可包含各種導(dǎo)電金屬，例如銅、金、鎳、銀、鈀、錫及其合金。理想的組成既取決于外 部連結(jié)媒介的性質(zhì)，亦取決于設(shè)計(jì)及可靠度方面的考慮。此外，精于此技藝之人士應(yīng)可了 解，在該半導(dǎo)體芯片組體中所用的銅可為純銅，但通常以銅為主的合金，如銅-鋯(99.9% 銅)、銅-銀-磷-鎂(99.7%銅)及銅-錫-鐵-磷(99. 7%銅)，藉以提高如抗張強(qiáng)度與 延展性等機(jī)械性能。在一般情況下最好設(shè)有該蓋體、該防焊綠漆、該被覆接點(diǎn)及該第三與第四導(dǎo)電層， 但于某些實(shí)施例中則可省略之。該導(dǎo)熱板的作業(yè)格式可為單一或多個(gè)導(dǎo)熱板，視制造設(shè)計(jì)而定。例如，可單獨(dú)制作 單一導(dǎo)熱板。或者，可利用單一金屬板、單一黏著層、單一基板、單一頂面防焊綠漆與單一底 面防焊綠漆同時(shí)批次制造多個(gè)導(dǎo)熱板，而后再行分離。同樣地，針對(duì)同一批次中的各導(dǎo)熱 板，亦可利用單一金屬板、單一黏著層、單一基板、單一頂面防焊綠漆與單一底面防焊綠漆 同時(shí)批次制造多組分別供單一半導(dǎo)體組件使用的散熱座與導(dǎo)線。例如，可在一金屬板上蝕刻出多條凹槽以形成該基座及多個(gè)凸柱；而后將一具有 對(duì)應(yīng)該等凸柱的開(kāi)口的未固化黏著層設(shè)置于該基座上，俾使每一凸柱均延伸貫穿一對(duì)應(yīng)開(kāi) 口 ；然后將一所述基板(其具有單一第一導(dǎo)電層、單一介電層、多個(gè)分別對(duì)應(yīng)該等凸柱的 通孔、以及多條分別對(duì)應(yīng)該等通孔的下方路由線)設(shè)置于該黏著層上，俾使每一凸柱均延 伸貫穿一對(duì)應(yīng)開(kāi)口并進(jìn)入一對(duì)應(yīng)通孔；而后利用壓臺(tái)將該基座及該基板彼此靠合，以迫使 該黏著層進(jìn)入該等通孔內(nèi)介于該等凸柱與該基板間的缺口 ；然后使該黏著層固化，繼而研 磨該等凸柱、該黏著層及該第一導(dǎo)電層以形成一頂面；之后形成多個(gè)第一孔洞及多個(gè)第二 孔洞，其中該等第一孔洞貫穿該第一導(dǎo)電層與該介電層至該等路由線，該等第二孔洞則貫 穿該基座與該黏著層至該等路由線；然后將該第三導(dǎo)電層被覆設(shè)置于該等凸柱、該黏著層 及該第一導(dǎo)電層上，將該第四導(dǎo)電層被覆設(shè)置于該基座上，將多個(gè)第一導(dǎo)電孔分別被覆設(shè) 置于該等第一孔洞中，并將多個(gè)第二導(dǎo)電孔分別被覆設(shè)置于該等第二孔洞中；接著蝕刻該 第一及第三導(dǎo)電層以形成多個(gè)分別對(duì)應(yīng)該等凸柱的焊墊，蝕刻該第三導(dǎo)電層以形成多個(gè)分 別對(duì)應(yīng)該等凸柱之蓋體，并蝕刻該基座與該第四導(dǎo)電層以形成多個(gè)分別對(duì)應(yīng)該等凸柱之端 子；而后將該第一防焊綠漆置于結(jié)構(gòu)體上，并使該第一防焊綠漆產(chǎn)生圖案，藉以曝露該等焊 墊及該等蓋體，另將該第二防焊綠漆置于結(jié)構(gòu)體上，使該第二防焊綠漆產(chǎn)生圖案，藉以曝露 該等基座及該等端子；而后以被覆接點(diǎn)對(duì)該基座、該等焊墊、該等端子及該等蓋體進(jìn)行表面 處理；最后于該等導(dǎo)熱板外圍邊緣之適當(dāng)位置切割或劈裂該基板、該黏著層及該等防焊綠 漆，俾使個(gè)別導(dǎo)熱板彼此分離。該半導(dǎo)體芯片組體的作業(yè)格式可為單一組體或多個(gè)組體，取決于制造設(shè)計(jì)。例如， 可單獨(dú)制造單一組體。或者，可同時(shí)批次制造多個(gè)組體，之后再將各導(dǎo)熱板一一分離；同樣 地，亦可將多個(gè)半導(dǎo)體組件電性連結(jié)、熱連結(jié)及機(jī)械性連結(jié)至批次量產(chǎn)中的每一導(dǎo)熱板。例如，可將多個(gè)固晶材料分別沉積于多個(gè)蓋體上，而后將多個(gè)芯片分別放置于該等固晶材料上，之后再同時(shí)加熱該等固晶材料以使其硬化并形成多個(gè)固晶，而后將該等芯 片打線接合至對(duì)應(yīng)的焊墊，接著在該等芯片與打線形成對(duì)應(yīng)的封裝材料，最后再將各導(dǎo)熱 板--分離?？赏高^(guò)單一步驟或多道步驟使各導(dǎo)熱板彼此分離。例如，可將多個(gè)導(dǎo)熱板批次制 成一平板，而后將多個(gè)半導(dǎo)體組件設(shè)置于該平板上，之后再將該平板所構(gòu)成的多個(gè)半導(dǎo)體 芯片組體一一分離?；蛘?，可將多個(gè)導(dǎo)熱板批次制成一平板，而后將該平板所構(gòu)成的多個(gè)導(dǎo) 熱板分切為多個(gè)導(dǎo)熱板條，接著將多個(gè)半導(dǎo)體組件分別設(shè)置于該等導(dǎo)熱板條上，最后再將 各導(dǎo)熱板條所構(gòu)成的多個(gè)半導(dǎo)體芯片組體由條狀分離為個(gè)體。此外，在分割導(dǎo)熱板時(shí)可利 用機(jī)械切割、鐳射切割、分劈或其它適用技術(shù)。藉此，本發(fā)明制造工序具有高度適用性，且以獨(dú)特、進(jìn)步方式結(jié)合運(yùn)用各種成熟的 電連結(jié)、熱連結(jié)及機(jī)械性連結(jié)技術(shù)。此外，本發(fā)明的制造工序不需昂貴工具即可實(shí)施。因此， 此制造工序可大幅提升傳統(tǒng)封裝技術(shù)的產(chǎn)量、良率、效能與成本效益。再者，本案的組體極 適合于銅芯片及無(wú)鉛的環(huán)保要求。在本文中，「鄰接」一語(yǔ)意指組件是一體成形，即形成單一個(gè)體；或相互接觸，即彼 此無(wú)間隔或未隔開(kāi)。例如，該凸柱鄰接該基座，此與形成該凸柱時(shí)采用增添法或削減法無(wú)關(guān)?！钢丿B」一語(yǔ)意指位于上方并延伸于一下方組件的周緣內(nèi)?！钢丿B」包含延伸于該 周緣的內(nèi)、外或坐落于該周緣內(nèi)。例如，該半導(dǎo)體組件重疊于該凸柱，乃因一假想垂直線可 同時(shí)貫穿該半導(dǎo)體組件與該凸柱，不論該半導(dǎo)體組件與該凸柱間是否存在有另一同為該假 想垂直線貫穿的組件(如該蓋體)，且亦不論是否有另一假想垂直線僅貫穿該半導(dǎo)體組件 而未貫穿該凸柱(亦即位于該凸柱的周緣外)。同樣地，該黏著層重疊于該基座與該端子 并被該焊墊重疊，而該基座則被該凸柱重疊。同樣地，該凸柱系重疊于該基座且位于其周緣 內(nèi)。此外，「重疊」與「位于上方」同義，「被重疊」則與「位于下方」同義?！附佑|」一語(yǔ)意指直接接觸。例如，該介電層接觸該第一及第二導(dǎo)電層但并未接觸 該凸柱或該基座?！父采w」一語(yǔ)意指于從上方、從下方及/或從側(cè)面完全覆蓋。例如，該基座從下方覆 蓋該凸柱，但該凸柱并未從上方覆蓋該基座?！笇印棺职O(shè)有圖案或未設(shè)圖案的層體。例如，當(dāng)該基板設(shè)置于該黏著層上時(shí)，該 第一導(dǎo)電層可為一空白無(wú)圖案的平板而該第二導(dǎo)電層可為一具有間隔導(dǎo)線的電路圖案；當(dāng) 該半導(dǎo)體組件設(shè)置于該散熱座上時(shí)，該第一導(dǎo)電層可為一具有圖案的電路。此外，「層」可 包含多個(gè)迭合層?！负笁|」一語(yǔ)與該基板搭配使用時(shí)指一用于連接及/或接合外部連接媒介(如焊料 或打線)的連結(jié)區(qū)域；當(dāng)該半導(dǎo)體組件位于該散熱座上方時(shí)，該外部連接媒介可使該焊墊 與該半導(dǎo)體組件達(dá)成電性連結(jié)?！付俗印挂徽Z(yǔ)與該組體搭配使用時(shí)是指一連結(jié)區(qū)域，其可接觸及/或接合外部連結(jié) 媒介(如焊料或打線)；當(dāng)該半導(dǎo)體組件位于該散熱座上方時(shí)，該外部連結(jié)媒介可將該端子 電性連結(jié)至一外部設(shè)備(如一印刷電路板或與其連接的一導(dǎo)線)?！干w體」一語(yǔ)與該散熱座搭配使用時(shí)是指一用于連接及/或接合外部連接媒介(如 焊料或?qū)狃ぶ鴦?的接觸區(qū)域；當(dāng)該半導(dǎo)體組件位于該散熱座上方時(shí)，該外部連接媒介
29可使該蓋體與該半導(dǎo)體組件達(dá)成熱連結(jié)?！搁_(kāi)口」與「通孔」等語(yǔ)同指貫穿孔洞。例如，當(dāng)該凸柱插入該黏著層的該開(kāi)口時(shí)， 其沿向上方向曝露于該黏著層。同樣地，當(dāng)該凸柱插入該基板的該通孔時(shí)，該凸柱沿向上方 向曝露于該基板?！覆迦搿挂徽Z(yǔ)意指組件間的相對(duì)移動(dòng)。例如，「將該凸柱插入該通孔中」包含該凸 柱固定不動(dòng)而由該基板向該基座移動(dòng)；該基板固定不動(dòng)而由該凸柱向該基板移動(dòng)；以及該 凸柱與該基板兩者彼此靠合。又例如，「將該凸柱插入(或延伸至)該通孔內(nèi)」包含該凸 柱貫穿(穿入并穿出)該通孔；以及該凸柱插入但未貫穿(穿入但未穿出)該通孔?！副舜丝亢稀挂徽Z(yǔ)亦指組件間的相對(duì)移動(dòng)。例如，「該基座與該基板彼此靠合」包含 該基座固定不動(dòng)而由該基板移往該基座；該基板固定不動(dòng)而由該基座向該基板移動(dòng)；以及 該基座與該基板相互靠近?！冈O(shè)置于」一語(yǔ)包含與單一或多個(gè)支撐組件間的接觸與非接觸。例如，該半導(dǎo)體組 件設(shè)置于該散熱座上，不論該半導(dǎo)體組件實(shí)際接觸該散熱座或與該散熱座以一固晶材料相 隔。同樣地，該半導(dǎo)體組件設(shè)置于該散熱座上，不論該半導(dǎo)體組件僅設(shè)置于該散熱座上或同 時(shí)設(shè)置于該散熱座與該基板上?！葛ぶ鴮印谠撊笨谥小挂徽Z(yǔ)意指位于該缺口中的該黏著層。例如，「黏著層在 該缺口中延伸跨越該介電層」意指該缺口內(nèi)的該黏著層延伸并跨越該介電層。同樣地，「黏 著層于該缺口之中接觸且介于該凸柱與該介電層之間」意指該缺口中的該黏著層接觸且介 于該缺口內(nèi)側(cè)壁的該凸柱與該缺口外側(cè)壁的該介電層之間?！干戏健挂徽Z(yǔ)意指向上延伸，且包含鄰接與非鄰接組件以及重疊與非重疊組件。例 如，該凸柱延伸于該基座上方，同時(shí)鄰接、重疊于該基座并自該基座突伸而出。同樣地，該凸 柱延伸至該介電層上方，即便該凸柱并未鄰接或重疊于該介電層?！赶路健挂徽Z(yǔ)意指向下延伸，且包含鄰接與非鄰接組件以及重疊與非重疊組件。例 如，該基座延伸于該凸柱下方，鄰接該凸柱，被該凸柱重疊，并自該凸柱突伸而出。同樣地， 該凸柱延伸于該介電層下方，即便該凸柱并未鄰接該介電層或被該介電層重疊。所謂「向上」及「向下」的垂直方向并非取決于該半導(dǎo)體芯片組體(或該導(dǎo)熱板) 的定向，凡熟悉此項(xiàng)技藝的人士可輕易了解其實(shí)際所指的方向。例如，該凸柱沿向上方向垂 直延伸于該基座上方，而該黏著層則沿向下方向垂直延伸于該焊墊下方，此與該組體是否 倒置及/或是否設(shè)置于一散熱裝置上無(wú)關(guān)。同樣地，該基座沿一側(cè)向平面自該凸柱「?jìng)?cè)向」 延伸而出，此與該組體是否倒置、旋轉(zhuǎn)或傾斜無(wú)關(guān)。因此，該向上及向下方向彼此相對(duì)且垂 直于側(cè)面方向，此外，側(cè)向?qū)R的組件在一垂直于該向上與向下方向的側(cè)向平面上彼此共 平面。本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片組體具有多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。該組體的可靠度高、價(jià)格平實(shí)且極適合 量產(chǎn)。該組體尤其適用于諸如大型半導(dǎo)體芯片等易產(chǎn)生高熱且需優(yōu)異散熱效果方可有效及 可靠運(yùn)作的高功率半導(dǎo)體組件。在此所述實(shí)施例為例示之用，其中所涉及的本技藝已知組件或步驟或經(jīng)簡(jiǎn)化或有 所省略以免模糊本發(fā)明特點(diǎn)。同樣地，為使圖式清晰，圖式中重復(fù)或非必要的組件及參考標(biāo) 號(hào)或有所省略。精于此項(xiàng)技藝之人士針對(duì)本文所述之實(shí)施例當(dāng)可輕易思及各種變化及修改。例如，前述原料、尺寸、形狀、大小、步驟內(nèi)容與步驟順序皆僅為范例。上述人士可于不脫離本 發(fā)明精神與范圍條件下從事此等改變、調(diào)整與均等技藝，其中本發(fā)明范圍由權(quán)利要求書(shū)加 以界定。 綜上所述，本發(fā)明是一種半導(dǎo)體芯片組體，可有效改善已用的種種缺點(diǎn)，本組體的 可靠度高、價(jià)格平實(shí)且極適合量產(chǎn)，尤其適用于諸如大型半導(dǎo)體芯片等易產(chǎn)生高熱且需優(yōu) 異散熱效果方可有效及可靠運(yùn)作的高功率半導(dǎo)體組件，可大幅提升產(chǎn)量、良率、效能與成本 效益，并符合環(huán)保要求，進(jìn)而使本發(fā)明的產(chǎn)生能更進(jìn)步、更實(shí)用、更符合使用者所須，確已符 合發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)要件，爰依法提出專(zhuān)利申請(qǐng)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體芯片組體，用于提供垂直訊號(hào)路由，特征在于包括一黏著層，至少具有一開(kāi)口 ；一散熱座，至少包含一凸柱及一基座，其中該凸柱鄰接該基座并沿一向上方向延伸于 該基座上方，而該基座沿一與該向上方向相反的向下方向延伸于該凸柱下方，并沿垂直于 該向上及向下方向的側(cè)面方向從該凸柱側(cè)向延伸；一基板，設(shè)置于該黏著層上并延伸于該基座上方，其至少包含一焊墊、一路由線、一第 一導(dǎo)電孔及一介電層，其中該焊墊延伸于該介電層上方，該路由線延伸于該介電層下方并 埋設(shè)于該黏著層中，以及該第一導(dǎo)電孔延伸貫穿該介電層至該路由線，且有一通孔延伸貫 穿該基板；一第二導(dǎo)電孔，延伸貫穿該黏著層至該路由線；一端子，延伸于該黏著層下方；一半導(dǎo)體組件，位于該凸柱上方并重疊于該凸柱，抑或位于該凸柱下方并被該凸柱重 疊，該半導(dǎo)體組件電性連結(jié)至該焊墊與該端子，并熱連結(jié)至該凸柱與該基座；以及上述凸柱延伸貫穿該開(kāi)口進(jìn)入該通孔以達(dá)該介電層上方，該基座則延伸于該黏著層及 該基板下方，并由該第一導(dǎo)電孔、該路由線及該第二導(dǎo)電孔構(gòu)成一位于該焊墊與該端子間 的導(dǎo)電路徑，其中該黏著層設(shè)置于該基座上，并于該基座上方延伸進(jìn)入該通孔內(nèi)一位于該 凸柱與該基板間的缺口，于該缺口中延伸跨越該介電層，并介于該凸柱與該介電層之間、以 及該基座與該基板之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該半導(dǎo)體組件為一半導(dǎo)體芯 片，其延伸于該凸柱上方，重疊于該凸柱，并電性連結(jié)至該焊墊，從而電性連結(jié)至該端子，且 該半導(dǎo)體芯片熱連結(jié)至該凸柱，從而熱連結(jié)至該基座。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該半導(dǎo)體組件為一半導(dǎo)體芯 片，利用一固晶材料設(shè)置于該散熱座上，經(jīng)由一打線電性連結(jié)至該焊墊，并經(jīng)由該固晶材料 熱連結(jié)至該凸柱。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該黏著層在該缺口中接觸該 凸柱與該介電層，并在該缺口之外接觸該基座、該介電層、該路由線、該第二導(dǎo)電孔與該端 子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該黏著層在該等側(cè)面方向覆 蓋且環(huán)繞該凸柱。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該黏著層填滿該缺口。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該黏著層填滿該基座與該基 板間的一空間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該黏著層重疊于該端子。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該黏著層延伸至該組體的外 圍邊緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該凸柱與該基座一體成形。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該凸柱與該黏著層于該介電 層上方處于同一平面。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該凸柱為平頂錐柱形，其直徑自該基座至該凸柱的平坦頂部呈向上遞減。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該基座與該端子于該黏著層 下方處于同一平面。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該基座從下方覆蓋該凸柱， 支撐該基板，且與該組體的外圍邊緣保持距離。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該基板與該凸柱及該基座保持距離。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該基板為一層壓結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該散熱座至少包含一蓋體， 位于該凸柱的一頂部上方，鄰接該凸柱的頂部并從上方覆蓋，同時(shí)沿該等側(cè)面方向自該凸 柱的頂部側(cè)向延伸。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該蓋體為矩形或正方形，且 該凸柱的頂部為圓形。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該散熱座至少包含一蓋體， 且該蓋體與該焊墊于該介電層上方處于同一平面。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該散熱座的材質(zhì)為銅。
21.一種半導(dǎo)體芯片組體，用于提供垂直訊號(hào)路由，其特征在于包括一黏著層，至少具有一開(kāi)口 ；一散熱座，至少包含一凸柱、一基座及一蓋體，其中該凸柱鄰接該基座并與該基座一體 成形，且該凸柱沿一向上方向延伸于該基座上方，并使該基座與該蓋體形成熱連結(jié)，該基座 沿一與該向上方向相反的向下方向延伸于該凸柱下方，并沿垂直于該向上及向下方向的側(cè) 面方向自該凸柱側(cè)向延伸，該蓋體位于該凸柱的一頂部上方，鄰接該凸柱的頂部并從上方 覆蓋，同時(shí)沿該等側(cè)面方向自該凸柱的頂部側(cè)向延伸；一基板，設(shè)置于該黏著層上并延伸于該基座上方，其至少包含一第一與第二導(dǎo)電層、一 第一導(dǎo)電孔及一介電層，其中該第一導(dǎo)電層接觸該介電層且延伸于該介電層上方，該第二 導(dǎo)電層接觸該介電層且延伸于該介電層下方并埋設(shè)于該黏著層中，且具有一焊墊包含在該 第一導(dǎo)電層的一選定部分，該焊墊接觸該介電層并延伸于該介電層上方，以及具有一路由 線包含在該第二導(dǎo)電層的一選定部分，該路由線接觸該介電層并延伸于該介電層下方，而 該第一導(dǎo)電孔則接觸且延伸貫穿該第一導(dǎo)電層與該路由線間的介電層，且有一通孔延伸貫 穿該基板；一第二導(dǎo)電孔，接觸并延伸貫穿該黏著層至該路由線；一端子，接觸并延伸于該黏著層下方；一半導(dǎo)體芯片，設(shè)置于該蓋體上，重疊于該凸柱，并電性連結(jié)至該焊墊，從而電性連結(jié) 至該端子，且該半導(dǎo)體芯片熱連結(jié)至該蓋體，從而熱連結(jié)至該基座；以及上述凸柱延伸貫穿該開(kāi)口進(jìn)入該通孔以達(dá)該介電層上方，該基座則沿該向下方向延伸 于該半導(dǎo)體芯片、該黏著層及該基板下方，且從下方覆蓋該半導(dǎo)體芯片與該凸柱并支撐該 基板，由該第一導(dǎo)電孔、該路由線及該第二導(dǎo)電孔構(gòu)成一位于該焊墊與該端子間的導(dǎo)電路 徑，其中該黏著層設(shè)置于該基座上，并于該基座上方延伸進(jìn)入該通孔內(nèi)一位于該凸柱與該 基板間的缺口，于該缺口中延伸跨越該介電層，并于該缺口內(nèi)介于該凸柱與該介電層之間，于該缺口外則介于該基座與該基板之間，該黏著層更沿該等側(cè)面方向覆蓋且環(huán)繞該凸柱， 并延伸至該組體的外圍邊緣。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該半導(dǎo)體芯片利用一固晶 材料設(shè)置于該蓋體上，經(jīng)由一打線電性連結(jié)至該焊墊，并經(jīng)由該固晶材料熱連結(jié)至該蓋體。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該基板與該凸柱及該基座 保持距離，由該黏著層填滿該缺口以及該基座與該基板間的一空間，并使該黏著層被限制 于該散熱座與該基板間的一空間內(nèi)。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該凸柱的頂部為圓形，且其 上的蓋體為矩形或正方形，該凸柱為平頂錐柱形，其直徑自該基座至該蓋體呈向上遞減。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體芯片組體，其特征在于，該凸柱與該黏著層以及該 蓋體與該焊墊皆于該介電層上方共處同一平面，而該基座與該端子則于該黏著層下方共處 同一平面，且該散熱座的材質(zhì)為銅。
全文摘要
一種半導(dǎo)體芯片組體，至少包含一半導(dǎo)體組件、一散熱座、一基板及一黏著層。其中該半導(dǎo)體組件電性連結(jié)于該基板且熱連結(jié)于該散熱座；該散熱座至少包含一凸柱及一基座，且該凸柱向上延伸通過(guò)該黏著層的一開(kāi)口并進(jìn)入該基板的一通孔，而該基座則為側(cè)向延伸并支撐該基板；該黏著層延伸于該凸柱與該基板之間以及該基座與該基板之間；以及該基板至少包含第一與第二導(dǎo)電層及一位于其間的介電層。藉此，使本組體可在該第一導(dǎo)電層上方的一焊墊與該黏著層下方的一端子間提供垂直訊號(hào)路由。
文檔編號(hào)H01L33/48GK102117877SQ20091031278
公開(kāi)日2011年7月6日 申請(qǐng)日期2009年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月31日
發(fā)明者林文強(qiáng), 王家忠 申請(qǐng)人:鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司