專利名稱：高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)，尤指涉及一種針對高功率組件的 散熱需求，特別指增強設計的能力以達成高度模塊系統(tǒng)化的發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)，同時還 涉及該模塊結(jié)構(gòu)的制作方法。
背景技術(shù)：
隨著光電產(chǎn)品的普及與發(fā)光二極管芯片功率的不斷提升，多芯片發(fā)光二極管模塊 化已逐漸成為電子照明的新趨勢，因此作為發(fā)光二極管多芯片模塊電性連接的基板，其繞 線能力與散熱特性遂成為新產(chǎn)品是否能順利開發(fā)的關(guān)鍵因素之一。早期發(fā)展的散熱鋁基板(Metal Core PCB)，由于在發(fā)光二極管組件位置下方含有 樹脂，因此有整體散熱效果不佳的問題產(chǎn)生。請參閱圖9所示，其為已知技術(shù)的高導熱型發(fā) 光二極管模塊結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖所示此高導熱型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)5包括一鋁基 板50及數(shù)個高功率發(fā)光二極管組件60。其中該鋁基板50上貼附一不導電的導熱膠膜51， 于此單層線路上并形成有數(shù)個組件接墊52及數(shù)個相互串聯(lián)或并聯(lián)的電性接墊53、54。藉由 表面黏著技術(shù)將該發(fā)光二極管組件60上的兩電極61、62分別與相對應的電性接墊53、54 導通，并使該高功率發(fā)光二極管組件60固定于該些組件接墊52上。然而，由上述的結(jié)構(gòu)可知，以傳統(tǒng)鋁基板所制成的發(fā)光二極管模塊，其芯片運作時 所產(chǎn)生的熱源需經(jīng)由該組件接墊52及該導熱膠膜51而傳導至該鋁基板50作儲存或散溢， 但其中該導熱膠膜51的導熱系數(shù)遠小于一般金屬材質(zhì)，進而有導致整體導熱效果不佳的 問題；另外，此基板單層的線路結(jié)構(gòu)亦限制其模塊設計的彈性?；诎l(fā)光二極管模塊對散熱特性的特殊需求，故有其它能提供較佳金屬散熱途徑 (Thermal Pathway)的多層基板制作技術(shù)被一一開發(fā)出來。如日本公司Toshiba即提出一 種利用印刷導電銀膠作為連接上、下兩層的方式，以提供一導電與置放芯片的導熱平臺，如 美國申請專利第5865934及7419382號，并請參閱圖IOa至圖IOd所示，其為另一種已知技 術(shù)的散熱基板制作流程示意圖。如圖所示首先是利用印刷與烘烤方式，形成數(shù)個導電銀凸 塊81于一銅箔80上，如圖IOa所示；接著施力于一預浸布(Pr印reg) 82，使該些導電銀凸 塊81刺穿過該預浸布82，如圖IOb所示；再將另一片銅箔83壓合于此預浸布82與數(shù)個顯 露于該預浸布82外的導電銀凸塊81上，如圖IOc所示；最后形成一線路層84，如圖IOd所
7J\ ο雖然以上述壓合方式所形成的線路層84可經(jīng)由該些導電銀凸塊81使上、下層電 性導通；然而，因其導電銀凸塊81與銅線路并非一體成形，所以在實際應用上將產(chǎn)生因熱 膨脹而導致分離等可靠度的問題。另外，若欲延伸此技術(shù)則需加大該導電銀凸塊81的面 積，亦或使用其它材料，如銅凸塊等，使其成為承接芯片的散熱基座，于實際應用上亦有制 程復雜以及制造良率不佳等問題。另外，亦有另一種散熱基板形成的方式，請參閱圖Ila至圖Ild所示，其為再一種 已知技術(shù)的散熱基板制作流程示意圖。如圖所示首先是提供一厚銅板90，并利用蝕刻方
4式，于該厚銅板90的一面上形成數(shù)個銅凸塊901，如圖Ila所示；接著涂布并烘烤一絕緣材 料91于其上，如圖lib所示；于該絕緣材料91上再形成一金屬銅層92，如圖Ilc所示；最 后形成一線路層93，如圖Ild所示。雖然以上述散熱基板的組件接墊與散熱板為相同或一體成形的金屬，但其線路是 直接由已熟化的絕緣材料91上長成，因此有附著力不佳等可靠性問題；另外，以此方式所 制成的發(fā)光二極管模塊除了制程昂貴外，其單層線路繞線的限制仍是造成模塊設計最大的 瓶頸之一。綜上所述，已知技術(shù)所遭遇的設備限制所產(chǎn)生的可靠度、設計彈性、散熱性及價格 昂貴等問題，因此，一般無法符合使用者于實際使用時所需。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種具高散熱效 果的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)及其制作方法。為了解決上述問題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是一種高功率型發(fā)光二極管模塊 結(jié)構(gòu)，至少包括模塊基板及發(fā)光二極管組件，其特點是所述發(fā)光二極管組件的主散熱途徑 以直接無阻隔地接合導熱于該模塊基板上，其中該模塊基板包含散熱基板及多層線路，該散熱基板為平整且具上、下兩表面的底 座，包括至少一凸起于該散熱基板上表面的組件接合柱，且該散熱基板的下表面延伸至該 模塊基板的邊緣而成為該模塊基板的下表面，該多層線路以該凸起的組件接合柱為核心壓 合于該散熱基板上表面并向四周延伸，且與該組件接合柱及該散熱基板之間以絕緣層緊密 接合，形成該絕緣層、該組件接合柱及該多層線路顯露于該模塊基板的上表面，及該散熱基 板顯露于該模塊基板的下表面；該發(fā)光二極管組件以導熱材料固定于該模塊基板的組件接合柱上，且該發(fā)光二極 管組件上的電極與該模塊基板上的電性接墊相連接。本發(fā)明的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)的制作方法，該方法至少包含下列步驟(A)提供散熱基板，并形成至少一組件接合柱于該散熱基板的上表面；(B)提供線路基板及絕緣層，并形成至少一通孔于該線路基板及該絕緣層上；(C)對應該組件接合柱于該通孔上后，以加熱、加壓方式將該線路基板以該絕緣層 壓合于該散熱基板的上表面，使該組件接合柱埋藏于該絕緣層內(nèi)并對應于該通孔顯露出其 表面；(D)形成電接合層于上述外露的絕緣層、線路基板及組件接合柱的表面上，并以該 電接合層接合并電性導通該壓合的線路基板與該組件接合柱；(E)于該壓合的線路基板以及該電接合層上形成線路層并構(gòu)成多層線路后，再于 該線路層上進行防焊層及阻障層的制作，以完成完整圖案化的多層模塊基板；(F)將發(fā)光二極管組件以導熱材料固定于該模塊基板的組件接合柱上，并使該發(fā) 光二極管組件上的電極與該模塊基板上的電性接墊相連接。如此，可有效地將組件運作時產(chǎn)生的熱源直接經(jīng)由下方的組件接合柱傳至該散熱 基板而導出；另外，環(huán)繞該組件接合柱的多層線路更可提供模塊內(nèi)主、被動組件電性相連所 需的繞線，進而增強設計的能力以達成高度模塊系統(tǒng)化的目的。


圖l是本發(fā)明一較佳實施例的發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖2是本發(fā)明一較佳實施例的制作流程剖面示意圖一。
圖3是本發(fā)明一較佳實施例的制作流程剖面示意圖二。
圖4是本發(fā)明一較佳實施例的制作流程剖面示意圖三。
圖5是本發(fā)明一較佳實施例的制作流程剖面示意圖四。
圖6是本發(fā)明一較佳實施例的制作流程剖面示意圖五。
圖7是本發(fā)明一較佳實施例的制作流程剖面示意圖六。
圖8是本發(fā)明一較佳實施例的制作流程剖面示意圖七。
圖9是已知技術(shù)的高導熱型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖[oa是另一種已知技術(shù)的散熱基板的制作流程示意圖一。
圖lOb是另一種已知技術(shù)的散熱基板的制作流程示意圖二。
圖[Oc是另一種已知技術(shù)的散熱基板的制作流程示意圖三。
圖[Ocl是另一種已知技術(shù)的散熱基板的制作流程示意圖四。
圖[1a是再一種已知技術(shù)的散熱基板的制作流程示意圖一。
圖[1b是再一種已知技術(shù)的散熱基板的制作流程示意圖二。
圖[1c是再一種已知技術(shù)的散熱基板的制作流程示意圖三。
圖[1c1是再一種已知技術(shù)的散熱基板的制作流程示意圖四。
標號說明
發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)l模塊基板lo
散熱基板11厚銅底板。[1a
上表面11l下表[]‘112
組件接合柱12金屬薄膜13
多層線路14雙層基板。[40
上線路基板[4a下線路層。t4b
最上層線路層14c絕緣層15
乜性接墊16通孔17
r乜性導通孔18電接合層19
發(fā)光二極管組件20、20ar乜極2l、21a
導熱材料22防焊層30
發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)5鋁基板50
導熱膠膜5l組件接墊52
r乜性接墊53、54發(fā)光二極管組件60
r乜極6l、62銅箔80
導電銀凸塊8l預浸布82
銅箔83線路層84
事銅板90銅凸塊901
絕緣材料9l金屬銅層92
線路層93
具體實施例方式請參閱圖1所示，為本發(fā)明一較佳實施例的發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如 圖所示本發(fā)明為一種高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)，于一較佳實施例中，該發(fā)光二極管模 塊結(jié)構(gòu)1至少包括一模塊基板10及數(shù)個發(fā)光二極管組件20。上述模塊基板10包含一散熱基板11，該散熱基板11為一平整且具上、下兩表面 111、112的底座，包括至少一凸起于該散熱基板11上表面111的組件接合柱12，該些組件 接合柱12表面具有一金屬薄膜13，可用以作為黏貼組件的接口，且該散熱基板11的下表 面112延伸至該模塊基板10的邊緣而成為該模塊基板10的下表面，可提供模塊最大的散 熱面積，又該散熱基板11的下表面112并無任何熱絕緣層或任何線路層，因此亦可提供模 塊最佳的散熱接口 ；另外，該模塊基板10尚包含一多層線路14，該多層線路14以該凸起的 組件接合柱12為核心，以一絕緣層15平整地壓合于該散熱基板11上表面111并向四周延 伸，且該絕緣層15介于該多層線路層14之間，使該多層線路層14、該散熱基板11及該組 件接合柱12之間以該絕緣層15緊密接合而無任何縫隙，因此可提供高可靠度的發(fā)光二極 管模塊，形成該絕緣層15、該組件接合柱12及該多層線路14顯露于該模塊基板10的上表 面，及該散熱基板11顯露于該模塊基板10的下表面。其中，在該多層線路14的上線路基 板14a與下線路層14b之間以電性導通孔連結(jié)，且該多層線路14的最上層線路層Hc上并 具有數(shù)個電性接墊16，可用以連接該些發(fā)光二極管組件20、20a上的電極21、21a，而該電性 接墊16表面亦具有此金屬薄膜13，且該金屬薄膜13可為兩層金屬的鎳/金、鎳/銀、或是 三層金屬的鎳/鈀/金、抑或是等效線路基板；于本實施例中，該組件接合柱12表面與壓合 的多層線路14表面彼此可為一共平面的形態(tài)，亦可為具有一高度差形態(tài)，且藉由該絕緣層 15的阻隔，該組件接合柱12與壓合的多層線路14之間可形成電性導通或電性不導通。該些發(fā)光二極管組件20、20a是以金屬膜、陶瓷片或?qū)崮z等導熱材料22分別固 定于該模塊基板10的組件接合柱12上，且該發(fā)光二極管組件20、20a上的電極21、21a與 該模塊基板10上的電性接墊16相連接。以上所述，構(gòu)成一全新且為高功率型的發(fā)光二極 管模塊結(jié)構(gòu)1。本發(fā)明的主要特征在于該組件接合柱12顯露于該模塊基板10的上表面，而該散 熱基板11則顯露于該模塊基板10的下表面，因此，該模塊基板10與該發(fā)光二極管組件20、 20a之間并無任何低導熱系數(shù)的介電層或樹脂阻隔，使該發(fā)光二極管組件20、20a的主散熱 途徑(Thermal Pathway)是以直接無阻隔地接合導熱于該模塊基板10上作儲存或散溢。請進一步參閱圖2至圖8所示，如圖所示完成上述高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu) 1的制作方法，至少包括下列步驟(A)如圖2及圖3所示，提供一厚銅底板11a，利用蝕刻方式使該厚銅底板Ila形 成為散熱基板11，并在該散熱基板11的上表面111形成有數(shù)個組件接合柱12，于本實施例 中，該厚銅底板Ila為一不含介質(zhì)材料的金屬底板，且經(jīng)蝕刻后所形成的散熱基板11與該 組件接合柱12是無任何材料接合的一體成形。其中，本發(fā)明亦可以電鍍、沖壓鑄?；蚝附?等方式達到將該組件接合柱12形成于該散熱基板11的上表面111，使形成的組件接合柱 12與散熱基板11之間是以合金材料接合的非一體成形，并且，依據(jù)不同制程，該散熱基板11使用之材質(zhì)系可包含銅、鎳、鐵、鋁、銅合金、碳化硅(SiC)、石墨、陶瓷或其它等效的導熱 材料；(B)如圖4所示，提供一事先經(jīng)蝕刻方式形成具單面線路14b的雙層基板140以及 一絕緣層15，并利用成型機形成至少一通孔17于該雙層基板140及該絕緣層15上，使該通 孔17的開口面積至少等于或略大于該組件接合柱12的面積且位置相互對應，于本實施例 中，該雙層基板140已事先以電性導通孔18電性連接上線路基板14a與下線路層14b，且 該絕緣層15為一含玻璃纖維與環(huán)氧樹脂混成的絕緣材料。其中，本發(fā)明亦可使用激光電鍍 孔、機械電鍍孔或印刷導電膠連結(jié)該上線路基板Ha與下線路層14b ；(C)如圖5所示，對應該組件接合柱12于該通孔上后，以加熱、加壓方式將該雙層 基板以該絕緣層15壓合于該散熱基板11的上表面，使該組件接合柱12埋藏于該絕緣層15 內(nèi)，并利用磨刷、電射或電漿除溢膠等方式對應于該通孔顯露出該組件接合柱12的表面；(D)如圖6所示，于上述絕緣層15、外露的組件接合柱12表面及上線路基板Ha 上，以無電電鍍與電鍍方式形成一電接合層19，并以該電接合層19接合并電性導通該壓合 的雙層基板的上線路基板Ha與該組件接合柱12，于本實施例中，該電接合層19為金屬銅 層；(E)如圖7及圖8所示，于該壓合的雙層基板的上線路基板以及該電接合層上，以 蝕刻方式形成一最上層線路層14c并構(gòu)成一多層線路14后，再于該最上層線路層Hc上進 行防焊層30及阻障層(即金屬薄膜13)的制作，以完成一完整圖案化的多層模塊基板10。 其中，該外露的線路層14c表面具有數(shù)個電性接墊16，且該些電性接墊16表面具有該金屬 薄膜13，可作為接合發(fā)光二極管組件其電極的接口，并且，該外露的組件接合柱12表面亦具有該金屬薄膜13，可作為黏貼該發(fā)光二極管組件的接口 ；以及(F)如上述圖1所示,可利用表面黏著技術(shù)(Surface Mounting Technology, SMT) 將發(fā)光二極管組件20a以印刷錫膏22、過錫爐方式焊接于該模塊基板10的組件接合柱12 上，并使該發(fā)光二極管組件20a上的電極21a與該模塊基板10上的電性接墊16相連接。 其中，該發(fā)光二極管組件20a除了可為上述已完成封裝的封裝體外，亦可為晶粒或者兩者 共存；因此，亦可利用晶粒接合技術(shù)(Die Bonding)先將該發(fā)光二極管組件20以導熱材料 (即金屬薄膜1 置放于該模塊基板10的組件接合柱12上后，經(jīng)由打線方式使該發(fā)光二極 管組件20上的電極21與該模塊基板10上的電性接墊16相連接。于本實施例中，上述多層模塊基板由于其組件接合柱與散熱基座為一一體成形的 金屬，故可有效將傳統(tǒng)已知技術(shù)的導熱途徑，由原本經(jīng)由組件接墊、導熱樹脂而傳導至鋁基 板的方式，簡化為直接由該組件接合柱傳導至大面積的散熱基板儲存或散溢，因此，可有效 解決已知技術(shù)整體導熱效果不佳等問題。此外，該多層模塊基板的上、下線路層不僅可電性 相互連接，且為一數(shù)個相互串聯(lián)或并聯(lián)的連續(xù)或不連續(xù)線路，除了可藉此連接數(shù)個高功率 發(fā)光二極管組件以外，更可藉由該多層線路的電性繞線能力連接其它主、被動組件，進而增 強模塊設計的彈性以達成高度模塊系統(tǒng)化的目的。藉此，由上述本發(fā)明一較佳實施例可知，本發(fā)明高功率型發(fā)光二極管模塊的特點 在于發(fā)光二極管組件可直接接合于高導熱的組件接合柱上，利用該組件接合柱埋藏于絕 緣層內(nèi)，可改進傳統(tǒng)模塊基板因介電層或樹脂介于發(fā)光二極管的主散熱途徑上所造成的阻 隔，因此該發(fā)光二極管組件于運作時所產(chǎn)生的熱源可直接且有效地傳至該組件接合柱下方的散熱基板并導出，而無須經(jīng)由基板內(nèi)的介電層或樹脂；另外，壓合于該散熱基板上的多層 線路由于是緊密環(huán)繞于該組件接合柱的四周，不僅能避免造成散熱途徑的干擾，更可提供 模塊內(nèi)主、被動組件電性相連所需的繞線，進而增強圖案設計的能力，以達成高度模塊系統(tǒng) 化的目的，是為一種具有高可靠度、高設計彈性、高散熱性且具低成本的發(fā)光二極管模塊結(jié) 構(gòu)及其制作方法。 綜上所述，本發(fā)明的一種高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)及其制作方法，可有效改 善現(xiàn)有技術(shù)的種種缺點，利用高功率發(fā)光二極管可直接接合于高導熱的組件接合柱上，可 有效將其運作時所產(chǎn)生的熱源從散熱基板導出，并可藉由多層線路的繞線能力增強圖案設 計的能力，以達成高度模塊系統(tǒng)化的目的。
權(quán)利要求
1.一種高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)，至少包括模塊基板及發(fā)光二極管組件，其特 征在于所述發(fā)光二極管組件的主散熱途徑以直接無阻隔地接合導熱于該模塊基板上，其 中該模塊基板包含散熱基板及多層線路，該散熱基板為平整且具上、下兩表面的底座，包 括至少一凸起于該散熱基板上表面的組件接合柱，且該散熱基板的下表面延伸至該模塊基 板的邊緣而成為該模塊基板的下表面，該多層線路以該凸起的組件接合柱為核心壓合于該 散熱基板上表面并向四周延伸，且與該組件接合柱及該散熱基板之間以絕緣層緊密接合， 形成該絕緣層、該組件接合柱及該多層線路顯露于該模塊基板的上表面，及該散熱基板顯 露于該模塊基板的下表面；該發(fā)光二極管組件以導熱材料固定于該模塊基板的組件接合柱上，且該發(fā)光二極管組 件上的電極與該模塊基板上的電性接墊相連接。
2.如權(quán)利要求1所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述組件接合柱 與該散熱基板間為無任何材料接合的一體成形。
3.如權(quán)利要求1所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述組件接合柱 與該散熱基板間為以合金材料接合的非一體成形。
4.如權(quán)利要求1所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述組件接合柱 的表面與該多層線路的表面為共平面狀態(tài)。
5.如權(quán)利要求1所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述組件接合柱 的表面與該多層線路的表面具有高度差。
6.如權(quán)利要求1所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述組件接合柱 與該多層線路為電性連接。
7.如權(quán)利要求1所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述組件接合柱 與該多層線路為電性不連接。
8.如權(quán)利要求1所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述導熱材料為 金屬膜、陶瓷片或?qū)崮z。
9.如權(quán)利要求1所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述多層線路為 包含一層或一層以上的線路，并于最上層線路上具有至少一電性接墊，用以作為與該發(fā)光 二極管組件上的電極電性連接用。
10.如權(quán)利要求10所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電性接墊 表面具有一金屬薄膜，并為包含鎳/金、鎳/銀、或鎳/鈀/金的數(shù)金屬層，或是等效線路基 板。
11.如權(quán)利要求1所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述多層線路以 電性導通孔、激光電鍍孔、機械電鍍孔、或印刷導電膠電性連接上、下線路層。
12.如權(quán)利要求1所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述散熱基板的 材質(zhì)為銅、鎳、鐵、鋁、銅合金、碳化硅、石墨、或陶瓷。
13.如權(quán)利要求1所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述模塊基板的 多層線路為數(shù)個相互串聯(lián)或并聯(lián)的連續(xù)或非連續(xù)線路。
14.如權(quán)利要求1所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于所述發(fā)光二極管 組件為晶粒、已完成封裝的封裝體或兩者共存。
15. 一種如權(quán)利要求1所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于 該方法至少包含下列步驟(A)提供散熱基板，并形成至少一組件接合柱于該散熱基板的上表面；(B)提供線路基板及絕緣層，并形成至少一通孔于該線路基板及該絕緣層上；(C)對應該組件接合柱于該通孔上后，以加熱、加壓方式將該線路基板以該絕緣層壓 合于該散熱基板的上表面，使該組件接合柱埋藏于該絕緣層內(nèi)并對應于該通孔顯露出其表(D)形成電接合層于上述外露的絕緣層、線路基板及組件接合柱的表面上，并以該電接 合層接合并電性導通該壓合的線路基板與該組件接合柱；(E)于該壓合的線路基板以及該電接合層上形成線路層并構(gòu)成多層線路后，再于該線 路層上進行防焊層及阻障層的制作，以完成完整圖案化的多層模塊基板；(F)將發(fā)光二極管組件以導熱材料固定于該模塊基板的組件接合柱上，并使該發(fā)光二 極管組件上的電極與該模塊基板上的電性接墊相連接。
16.如權(quán)利要求15所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于所 述步驟(A)的組件接合柱由蝕刻、電鍍、沖壓鑄模或焊接形成于該散熱基板的上表面。
17.如權(quán)利要求15所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于所 述通孔的開口面積等于或大于該組件接合柱的面積且位置相互對應。
18.如權(quán)利要求15所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于所 述步驟(C)以磨刷、電射或電漿除溢膠的方式顯露出該組件接合柱的表面。
19.如權(quán)利要求15所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于所 述步驟(F)的發(fā)光二極管組件由表面黏著技術(shù)以印刷錫膏、過錫爐方式焊接于該模塊基板 的組件接合柱上。
20.如權(quán)利要求15所述的高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于所 述步驟(F)的發(fā)光二極管組件由晶粒接合技術(shù)以導熱材料置放于該模塊基板的組件接合 柱上，經(jīng)由打線方式使該發(fā)光二極管組件上的電極與該模塊基板上的電性接墊相連接。
全文摘要
一種高功率型發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)及其制作方法，至少包括模塊基板及發(fā)光二極管組件，且該模塊基板包含散熱基板及多層線路，該散熱基板包括至少一凸起于該散熱基板上表面的組件接合柱。其主要特點是在于該模塊基板與該發(fā)光二極管組件之間并無任何低導熱系數(shù)的介電層或樹脂阻隔，使該發(fā)光二極管組件的主散熱途徑以直接無阻隔地接合于該模塊基板的組件接合柱上，可有效將熱源由該散熱基板導出，為一種具有高可靠度、高設計彈性、高散熱性且具低成本的發(fā)光二極管模塊結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L21/48GK102117801SQ200910312779
公開日2011年7月6日 申請日期2009年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月31日
發(fā)明者林文強, 王家忠 申請人:鈺橋半導體股份有限公司