專利名稱：一種用于保護半導體設備的熔斷體的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種用于保護半導體設備的熔斷體，該熔斷體用于額定電壓交流2000V，直流為1600V，額定電 流50A至400A。
背景技術：
熔斷體作為整流設備及其相關設備(包括變頻器、軟啟動等)、半導體元件及其組成的成套設備的短路保護之用。目前，常見的半導體設備保護用熔斷體一般均包括熔管，設于熔管內(nèi)的若干片熔體和設于熔管兩端的接觸板(觸刀)，熔管內(nèi)以石英砂填充。由于電流熱效應被迅速加熱，局部溫度迅速升高直至熔體熔斷以分斷電路。但是，目前的同類產(chǎn)品中大多數(shù)型號額定電壓都處于AC1000V/DC 1500V的狀態(tài)，通常很少有較高電壓的熔斷體。此夕卜，通常的熔斷體上用作熔管的普通絕緣管，不僅耐高溫性能和耐腐蝕性能較差，而且也不夠美觀。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是針對現(xiàn)有技術中額定電流不大的現(xiàn)狀，提供一種用于保護半導體設備的熔斷體，它的額定電壓更高，熔斷特性穩(wěn)定，對電路的保護更為可靠。實現(xiàn)上述目的的技術方案是一種用于保護半導體設備的熔斷體，包括熔管、一對接觸板、若干片熔體、滅弧介質(zhì)及熔斷指示器，其中，所述熔管呈外方內(nèi)圓的結(jié)構；所述接觸板的內(nèi)表面上分別以中心對稱的方式設有若干道壓痕，一對所述接觸板裝配在所述熔管的兩端；每片所述熔體的表面上在沿長度方向間隔一致地開設數(shù)列孔，每列孔中含有多個直徑相同且縱向間隔距離為S的圓孔，每片所述熔體的兩頭分別向同一方向彎成弓形后一一對應地點焊在所述接觸板的壓痕上，以使若干片熔體等間距地且與所述熔管的軸線平行地設在熔管的內(nèi)腔；所述滅弧介質(zhì)填充在所述熔管的內(nèi)腔；所述熔斷指示器設在所述熔管上開設的指示孔中與并與設在熔管外一撞擊器連接。上述的用于保護半導體設備的熔斷體，其中，一對所述接觸板分別通過蓋板裝配在所述熔管的兩端。上述的用于保護半導體設備的熔斷體，其中，所述撞擊器的兩端分別連接在一對所述接觸板上。上述的用于保護半導體設備的熔斷體，其中，所述熔管采用95號氧化鋁陶瓷制作。上述的用于保護半導體設備的熔斷體，其中，所述熔體采用99. 9%純銀制作。本實用新型的用于保護半導體設備的熔斷體與現(xiàn)有技術相比具有如下優(yōu)點[0015]I.額定電壓更高；2.熔斷特性穩(wěn)定，對電路的保護更為可靠；3.熔體的結(jié)構改善了電性能和熱性能，工作溫升和散熱能力都得到了改善；4 安裝形式多樣化；5.采用95號氧化鋁陶瓷作為熔管，使熔斷體的外形更加美觀。

圖I為本實用新型的用于保護半導體設備的熔斷體的外形圖；圖2為圖I的側(cè)視圖；圖3為本實用新型的用于保護半導體設備的熔斷體的半剖面圖； 圖4為本實用新型的用于保護半導體設備的熔斷體中的熔體的結(jié)構示意圖；圖5為本實用新型的用于保護半導體設備的熔斷體中接觸板的結(jié)構示意圖；圖6為本實用新型的用于保護半導體設備的熔斷體的第一種實施例的外形圖；圖7為本實用新型的用于保護半導體設備的熔斷體的第二種實施例的外形圖；圖8a為本實用新型的用于保護半導體設備的熔斷體的第三種實施例的外形圖；圖8b為圖8a的側(cè)視圖。
具體實施方式
為了能更好地對本實用新型的技術方案進行理解，下面通過具體地實施例并結(jié)合附圖進行詳細地說明請參閱圖I至圖5，本實用新型的用于保護半導體設備的熔斷體，包括熔管I、一對接觸板2、四片熔體3、滅弧介質(zhì)4、熔斷指示器5及撞擊器，其中，熔管I呈外方內(nèi)圓的結(jié)構，熔管采用95號氧化鋁陶瓷制作，該材料不僅將有良好的耐高溫、耐腐蝕和絕緣性能，外觀也較為美觀；一對接觸板2的內(nèi)段呈與熔管I的內(nèi)腔適配的圓平板，并且該圓平板的內(nèi)表面上以中心對稱的方式設有四道壓痕21，一對接觸板2分別通過蓋板22裝配在熔管I的兩端；熔體3采用99. 9%純銀制作，每片熔體3的表面上在沿長度方向間隔一致地開設數(shù)列孔，每列孔中含有多個直徑相同且縱向間隔距離為8的圓孔30，每片熔體3的兩頭分別向同一方向彎成弓形后一一對應地點焊在接觸板2的壓痕21上，以使四片熔體3等間距地且與熔管I的軸線平行地設在熔管I的內(nèi)腔，借助接觸板2上的壓痕21，使熔體3點焊時得以方便可靠地定位，避免因熔體3之間的搭接而造成溫度異常升高或熔斷短路電流時拉弧爆炸的現(xiàn)象，不但保證了熔斷體的穩(wěn)定性，而且還提高了其使用壽命；滅弧介質(zhì)4為石英砂粒并填充在熔管I的內(nèi)腔；熔斷指示器5通過壓縮彈簧51設在熔管I上開設的指示孔中并與設在熔管I內(nèi)的與熔體3并聯(lián)的康銅絲52接觸式連接；撞擊器包括安裝板6、撞擊頂針及彈簧，安裝板6設在熔管I外且兩端分別連接在一對蓋板22上，撞擊頂針連接在安裝板6上并通過彈簧與熔斷指示器5相對設置。本實用新型的用于保護半導體設備的熔斷體在使用中遇到故障電流時，熔體3中寬度為S的狹頸處就會迅速融化，并產(chǎn)生瞬間電弧，電弧會被周圍的滅弧介質(zhì)4冷卻而熄滅，與此同時，康銅絲52也會被迅速融化而使熔斷指示器5克服壓縮彈簧51啟動而撞擊撞擊器的撞擊頂針，使與撞擊器的安裝板6連接的指示開關動作發(fā)出信號，為相關電路及元器件提供可靠的保護。本實用新型的用于保護半導體設備的熔斷體還可根據(jù)不同的電路采用不同的連接方式，如接觸板2可以用插刀2’代替，撞擊器的安裝板6可根據(jù)插刀2’的形式設在熔體I的一個側(cè)面上(見圖6)或另一個側(cè)面上(見圖7)。本實用新型的用于保護半導體設備的熔斷體還可根據(jù)不同的電路采用不同的觸刀，如熔管I兩端的接觸板2可以用不同結(jié)構的插刀20’、20”代替(見圖8a)，撞擊器的安裝板6可根據(jù)插刀20’、20”的形式設在熔體I的一個側(cè)面(見圖Sb)。本實用新型的用于保護半導體設備的熔斷體可用于額定電壓交流2000V，直流為1600V，額定電流50A至400A的場合，完全能達到半導體或整流設備保護的要求。本技術領域中的普通技術人員應當認識到，以上的實施例僅是用來說明本實用新型，而并非用作為對本實用新型的限定，只要在本實用新型的實質(zhì)精神范圍內(nèi)，對以上所述實施例的變化、變型都將落在本實用新型的權利要求書范圍內(nèi)。
權利要求1.一種用于保護半導體設備的熔斷體，包括熔管、一對接觸板、若干片熔體、滅弧介質(zhì)及熔斷指示器，其特征在于， 所述熔管呈外方內(nèi)圓的結(jié)構； 所述接觸板的內(nèi)表面上分別以中心對稱的方式設有若干道壓痕，一對所述接觸板裝配在所述熔管的兩端； 每片所述熔體的表面上在沿長度方向間隔一致地開設數(shù)列孔，每列孔中含有多個直徑相同且縱向間隔距離為S的圓孔，每片所述熔體的兩頭分別向同一方向彎成弓形后一一對應地點焊在所述接觸板的壓痕上，以使若干片熔體等間距地且與所述熔管的軸線平行地設在熔管的內(nèi)腔； 所述滅弧介質(zhì)填充在所述熔管的內(nèi)腔； 所述熔斷指示器設在所述熔管上開設的指示孔中與并與設在熔管外一撞擊器連接。
2.根據(jù)權利要求I所述的用于保護半導體設備的熔斷體，其特征在于，一對所述接觸板分別通過蓋板裝配在所述熔管的兩端。
3.根據(jù)權利要求I所述的用于保護半導體設備的熔斷體，其特征在于，所述撞擊器的兩端分別連接在一對所述接觸板上。
4.根據(jù)權利要求I所述的用于保護半導體設備的熔斷體，其特征在于，所述熔管采用.95號氧化鋁陶瓷制作。
5.根據(jù)權利要求I所述的用于保護半導體設備的熔斷體，其特征在于，所述熔體采用.99. 9%純銀制作。
專利摘要本實用新型公開了一種用于保護半導體設備的熔斷體，包括熔管、一對接觸板、若干片熔體、滅弧介質(zhì)及熔斷指示器。所述熔管呈外方內(nèi)圓的結(jié)構；所述接觸板的內(nèi)表面上分別以中心對稱的方式設有若干道壓痕，并裝配在所述熔管的兩端；每片所述熔體的表面上在沿長度方向間隔一致地開設數(shù)列孔，每列孔中含有多個直徑相同且縱向間隔距離為δ的圓孔，每片所述熔體的兩頭分別向同一方向彎成弓形后一一對應地點焊在所述接觸板的壓痕上，以使若干片熔體等間距地且與所述熔管的軸線平行地設在熔管的內(nèi)腔；所述滅弧介質(zhì)填充在所述熔管的內(nèi)腔；所述熔斷指示器設在所述熔管上開設的指示孔中與并與設在熔管外一撞擊器連接。
文檔編號H01H85/143GK202796816SQ201220511908
公開日2013年3月13日 申請日期2012年9月28日 優(yōu)先權日2012年9月28日
發(fā)明者林海鷗, 吳輝, 戎峰, 倪溢雯 申請人:上海電器陶瓷廠有限公司